第-2-章-晶体三极管和场效晶体管分解优秀PPT.ppt

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1、第第2章晶体三极管和场效晶体管章晶体三极管和场效晶体管本章学习目标本章学习目标2.1晶体三极管晶体三极管2.2场效晶体管场效晶体管本章小结本章小结本章学习目标本章学习目标1.理理解解晶晶体体管管的的结结构构和和分分类类，熟熟悉悉其其外外形形、图图形形符符号号。驾驾驭三极管电流安排关系。驭三极管电流安排关系。2.驾驾驭驭三三极极管管的的输输入入特特性性、输输出出特特性性及及三三种种工工作作状状态态，了了解其主要参数。解其主要参数。3.驾驭用万用表对三极管进行测试的方法。驾驭用万用表对三极管进行测试的方法。4.了了解解场场效效晶晶体体管管的的类类型型及及工工作作原原理理，熟熟悉悉其其图图形形符符号

2、号，理解其转移特性和输出特性，了解其运用的留意事项。理解其转移特性和输出特性，了解其运用的留意事项。2.1晶体三极管晶体三极管2.1.1三极管的结构、分类和符号三极管的结构、分类和符号2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式三极管的工作电压和基本连接方式2.1.3三极管内电流的安排和放大作用三极管内电流的安排和放大作用2.1.4三极管的输入和输出特性三极管的输入和输出特性2.1.5三极管主要参数三极管主要参数2.1.6三极管的简洁测试三极管的简洁测试2.1晶体三极管晶体三极管晶晶体体三三极极管管：是是一一种种利利用用输输入入电电流流限限制制输输出出电电流流的的电电流流限制型器件。限制型器件。特

3、点：管内有两种载流子参与导电。特点：管内有两种载流子参与导电。2.1.1三极管的结构、分类和符号三极管的结构、分类和符号一、晶体三极管的基本结构一、晶体三极管的基本结构1三极管的外形三极管的外形特点：特点：有三个电有三个电极，故称极，故称三极管三极管。2三极管的结构三极管的结构三极管的结构图三极管的结构图特点：特点：有三个区有三个区放射区、基区、集电区；放射区、基区、集电区；两个两个PN结结放射结放射结(BE结结)、集电结、集电结(BC结结)；三个电极三个电极放射极放射极e(E)、基极、基极b(B)和集电极和集电极c(C)；两种类型两种类型PNP型管和型管和NPN型管。型管。工工艺艺要要求求：

4、放放射射区区掺掺杂杂浓浓度度较较大大；基基区区很很薄薄且且掺掺杂杂最最少少；集集电电区区比放射区体积大且掺杂少。比放射区体积大且掺杂少。二、晶体三极管的符号二、晶体三极管的符号三极管符号三极管符号箭头：表示放射结加正向电压时的电流方向。箭头：表示放射结加正向电压时的电流方向。文字符号：文字符号：V三、晶体三极管的分类三、晶体三极管的分类1三极管有多种分类方法。三极管有多种分类方法。按内部结构分：有按内部结构分：有NPN型和型和PNP型管；型管；按工作频率分：有低频按工作频率分：有低频(f3MHZ)；按功率分：有中、小功率按功率分：有中、小功率500mwp3mw；按用途分：有一般管和开关管；按用

5、途分：有一般管和开关管；按半导体材料分：有锗管按半导体材料分：有锗管Ge和硅管和硅管Si等等。等等。按按封装分：金属封装、塑料封装。封装分：金属封装、塑料封装。2国国产产三三极极管管命命名名法法：见见电电子子线线路路（陈陈其其纯纯主主编编）P261附录。附录。例如：例如：3DG表示高频小功率表示高频小功率NPN型硅三极管；型硅三极管；3CG表示高频小功率表示高频小功率PNP型硅三极管；型硅三极管；3AK表示表示PNP型开关锗三极管等。型开关锗三极管等。3、国外三极管命名法：、国外三极管命名法：2SA系列：系列：PNP型型锗管锗管高频管高频管如：如：2SA1009350V2A15W*PNP2SB

6、系列：系列：PNP型型锗管锗管低频管低频管如：如：2SB74470V3A10W*PNP 2SC系列：系列：NPN型型硅管硅管高频管高频管如：如：2SC20271500V5A50W*NPN 2SD系列：系列：NPN型型硅管硅管高频管高频管如：如：2SD14321500V6A80W*NPN 2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式三极管的工作电压和基本连接方式一、晶体三极管的工作电压一、晶体三极管的工作电压三极管的基本作用三极管的基本作用是放大电信号。是放大电信号。三三极极管管工工作作在在放放大大状状态态的的外外部部条条件件是是：放放射射结结加加正正向向电电压压(硅硅管管0.50.8V、锗锗管管0

7、.10.3V），集集电电结结加加反反向向电电压压（几几伏伏到几十伏）。到几十伏）。三极管电源的接法三极管电源的接法三极管电源的接法三极管电源的接法V为三极管为三极管GC为集电为集电极电源极电源GB为基极电为基极电源，又称偏源，又称偏置电源置电源Rb为基极为基极电阻电阻Rc为集电为集电极电阻。极电阻。二、晶体三极管在电路中的基本连接方式二、晶体三极管在电路中的基本连接方式有有三三种种基基本本连连接接方方式式：共共放放射射极极、共共基基极极和和共共集集电电极极接接法。最常用的是共放射极接法。法。最常用的是共放射极接法。三极管在电路中的三种基本连接方式三极管在电路中的三种基本连接方式2.1.3三极管

8、内电流的安排和放大作用三极管内电流的安排和放大作用一、电流安排关系一、电流安排关系测量电路如图测量电路如图调调整整电电位位器器，测测得得放放射射极极电电流流、基基极极电电流流和和集集电电极极电电流的对应数据如表所示。流的对应数据如表所示。因因IB很小，则很小，则IC IEIE=IC+IB由表可见，三极管中电流安排关系如下：由表可见，三极管中电流安排关系如下：IB/mA-0.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.96 说明：说明：1IE=0时，时，IC=-IB=I

9、CBO。ICBO称为集电极称为集电极基极反向饱和电流基极反向饱和电流(a)。一般。一般ICBO很小，与温度有关，下标中的很小，与温度有关，下标中的“O”表示开路。表示开路。2IB=0时，时，IC=IE=ICEO。ICEO称称为为集集电电极极放放射射极极反反向向电电流流，又又叫叫穿穿透透电流，见图电流，见图(b)。ICEO越越小小，三三极极管管温温度度稳稳定定性性越越好好。硅硅管管的的温温度度稳稳定性比锗管好。定性比锗管好。ICBO与与ICEO示意图示意图二、晶体三极管的电流放大作用二、晶体三极管的电流放大作用当当基基极极电电流流IB由由0.01mA变变到到0.02mA时时，集集电电极极电电流流

10、IC由由0.56mA变到变到1.14mA。上面两个变更量之比为。上面两个变更量之比为这这说说明明，当当IB有有一一微微小小变变更更时时，就就能能引引起起IC较较大大的的变变更更，这这种种现现象象称称为为三三极极管管的的电电流流放放大大作作用用。比比值值用用符符号号 来来表表示示，称为共放射极沟通电流放大系数，简称称为共放射极沟通电流放大系数，简称“沟通沟通”，即，即IB/mA-0.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.96 结论：结论：1三三极极管管的的电电流流

11、放放大大作作用用基基极极电电流流IB微微小小的的变变更更，引起集电极电流引起集电极电流IC较大变更。较大变更。2交交流流电电流流放放大大系系数数 表表示示三三极极管管放放大大交交流流电电流流的的能能力力4通常通常，所以可表示为，所以可表示为考虑考虑ICEO，则，则3直直流流电电流流放放大大系系数数表表示示三三极极管管放放大大直直流流电电流流的的能能力力2.1.4三极管的输入和输出特性三极管的输入和输出特性一、共放射极输入特性曲线一、共放射极输入特性曲线集集射射极极之之间间的的电电压压VCE确确定定时时，放放射射结结电电压压VBE与与基基极极电流电流IB之间的关系曲线。之间的关系曲线。共发射极输

12、入特性曲线共发射极输入特性曲线由图可见：由图可见：1当当VCE2V时时，特特性性曲线基本重合。曲线基本重合。(VCE=3.4.)2当当VBE很很小小时时，IB等等于于零，三极管处于截止状态。零，三极管处于截止状态。共发射极输入特性曲线共发射极输入特性曲线4三三极极管管导导通通后后，VBE基基本本不不变变。硅硅管管约约为为0.7V，锗锗管管约约为为0.3V，称称为为三三极极管管的的导导通通电电压。压。5VBE与与IB成非线性关系。成非线性关系。3当当VBE大大于于门门槛槛电电压压(硅硅管管约约0.5V，锗锗管管约约0.2V)时时，IB渐渐增大，三极管起先导通。渐渐增大，三极管起先导通。二、晶体三

13、极管的输出特性曲线二、晶体三极管的输出特性曲线基基极极电电流流确确定定时时，集集、射射极极之之间间的的电电压压与与集集电电极极电电流流的的关关系曲线。系曲线。输出特性曲线可分为三个工作区输出特性曲线可分为三个工作区:1截止区截止区条件：放射结和集电结反偏或两端电压条件：放射结和集电结反偏或两端电压为零。为零。特点：特点：IB=0，IC=ICEO。2饱和区饱和区条件：放射结和集电结均为正偏。条件：放射结和集电结均为正偏。特点：特点：VCE=VCES。VCES称为饱和管压降，小功率硅管约称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为，锗管约为0.1V。3放大区放大区条件：放射结正偏，集电结反偏。条

14、件：放射结正偏，集电结反偏。特点：特点：IC受受IB限制限制，即，即IC=IB。在在放放大大状状态态，当当 IB IB 确确定定时时，IC IC 不不随随 VCE VCE 变变更更，即即放放大大状态的三极管具有恒流特性。状态的三极管具有恒流特性。2.1.5三极管主要参数三极管主要参数三极管的参数三极管的参数是表征管子的性能和适用范围的参考数据。是表征管子的性能和适用范围的参考数据。一、共放射极电流放大系数一、共放射极电流放大系数1直流放大系数直流放大系数2沟通放大系数沟通放大系数 同一个三极管，在同等工作条件下同一个三极管，在同等工作条件下 电电流流放放大大系系数数一一般般在在10100之之间

15、间。太太小小，放放大大实实力力弱弱，太太大大易使管子性能不稳定。一般取易使管子性能不稳定。一般取3080为宜。为宜。二、极间反向饱和电流二、极间反向饱和电流1集电极集电极基极反向饱和电流基极反向饱和电流ICBO。2集电极集电极放射极反向饱和电流放射极反向饱和电流ICEO。ICEO=(1+)ICBO反反向向饱饱和和电电流流随随温温度度增增加加而而增增加加，是是管管子子工工作作状状态态不不稳稳定定的的主主要要因因素素。因因此此，常常把把它它作作为为推推断断管管子子性性能能的的重重要要依依据据。硅硅管管反反向向饱饱和和电电流流远远小小于于锗锗管管，在在温温度度变变更更范范围围大大的的工工作作环环境境

16、应应选用硅管。选用硅管。三、极限参数（三极管正常工作时的平安参数）三、极限参数（三极管正常工作时的平安参数）1集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM三三极极管管工工作作时时，当当集集电电极极电电流流超超过过ICM时时，管管子子性性能能将将显显著下降著下降(主要表现在主要表现在下降，并有可能烧坏下降，并有可能烧坏过热损坏、慢过热损坏、慢管子管子)。2集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率PCM当当管管子子集集电电结结两两端端电电压压VCE与与通通过过电电流流IC的的乘乘积积超超过过此此值值时，管子性能变坏或烧毁时，管子性能变坏或烧毁。3集电极集电极放射极间反向击穿电压放射极间反向击穿电

17、压V(BR)CEO管子基极开路时，集电极和放射极之间的最大允许电管子基极开路时，集电极和放射极之间的最大允许电V(BR)CEO,下标中，下标中，B表示击穿，表示击穿，R表示反向。当电压越过此表示反向。当电压越过此值时，管子将发生电击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子值时，管子将发生电击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。例如：例如：2SD9511500V3A65W*NPN2.1.6三极管的简洁测试三极管的简洁测试判别硅管和锗管的测试电路判别硅管和锗管的测试电路一、硅管或锗管的判别一、硅管或锗管的判别当当V=0.10.3V时为时为锗管。锗管。或正向阻值或正向阻值为为1千欧左右，反向千欧左右，反向阻值

18、阻值100千欧千欧当当V=0.60.7V时，时，为硅管，或正向阻为硅管，或正向阻值为值为48千欧左右，千欧左右，反向阻值为反向阻值为千欧千欧右左。右左。二、估计比较二、估计比较 的大小的大小NPN管估测电路如图所示。管估测电路如图所示。估测估测 的电路的电路万万用用表表设设置置在在R 1k挡挡，测测量量并并比比较较开开关关S断断开开和和接接通通时时的的电电阻阻值值。前前后后两两个个读读数数相相差差越越大大，说说明明管管子子的的 越越高高，即即电电流放大实力越大。流放大实力越大。估测估测 PNP管时，将万用表两只表笔对换位置。管时，将万用表两只表笔对换位置。缘由:当S关断时，管子截止，Ce极之间

19、的电阻大，当S接通后，管子放射结正偏，集电结反偏，管子处于导通状态，依据 原理，如时大，IC也大，Ce之间的电阻就小，所以两次读数相差大的就表示大。三、估测三、估测ICEONPN管管估估测测电电路路如如图图所所示示。所所测测阻阻值值越越大大，说说明明管管子子的的ICEO越越小小。若若阻阻值值无无穷穷大大，三三极极管管开开路路；若若阻阻值值为为零零，三三极极管短路。管短路。测测 PNP型管时，红、黑表笔对调，方法同前。型管时，红、黑表笔对调，方法同前。ICEO的的估测估测四、四、NPN管型和管型和PNP管型的推断管型的推断基极基极b的判断的判断将将万万用用表表设设置置在在R 1k或或R 100挡

20、挡，用用黑黑表表笔笔和和任任一一管管脚脚相相接接(假假设设它它是是基基极极b)，红红表表笔笔分分别别和和另另外外两两个个管管脚脚相相接接，假假如如测测得得两两个个阻阻值值都都很很小小，则则黑黑表表笔笔所所连连接接的的就就是是基基极极，而而且且是是NPN型型的的管管子子。如如图图(a)所所示示。假假如如按按上上述述方方法法测测得得的的结结果果均均为为高高阻阻值值，则则黑黑表表笔笔所所连连接接的的是是PNP管管的的基基极极。如如图图(b)所所示。示。五、五、e、b、c三个管脚的推断三个管脚的推断估测估测 的电路的电路如如图图所所示示，首首先先确确定定三三极极管管的的基基极极和和管管型型，然然后后接

21、接受受估估测测 值的方法推断值的方法推断c、e极。极。方方法法是是先先假假定定一一个个待待定定电电极极为为集集电电极极(另另一一个个假假定定为为放放射射极极)接接入入电电路路，登登记记电电阻阻表表的的摇摇摆摆幅幅度度，然然后后再再把把两两个个待待定定电电极对调一下接入电路，并登记电阻表的摇摆幅度。极对调一下接入电路，并登记电阻表的摇摆幅度。摇摇摆摆幅幅度度大大的的一一次次，黑黑表表笔笔所所连连接接的的管管脚脚是是集集电电极极c，红红表表笔笔所所连连接接的的管管脚脚为为放放射极射极e。测测PNP管管时时，只只要要把把图图示示电电路路中中红红、黑黑表表笔笔对对调调位位置，仍照上述方法测试。置，仍照

22、上述方法测试。2.2场效晶体管场效晶体管2.2.1结型场效晶体管结型场效晶体管2.2.2绝缘栅场效晶体管绝缘栅场效晶体管2.2.3场效晶体管的主要参数和特点场效晶体管的主要参数和特点工程应用工程应用2.2场效晶体管场效晶体管场场效效晶晶体体管管：是是利利用用输输入入电电压压产产生生的的电电场场效效应应限限制制输出电流的电压限制型器件。输出电流的电压限制型器件。特特点点：管管子子内内部部只只有有一一种种载载流流子子参参与与导导电电，称称为为单单极型晶体三极管。极型晶体三极管。分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管（分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管（MOS管）管）2.2.1结型场效晶体管结型场效

23、晶体管N沟道结型场效晶体管沟道结型场效晶体管P沟道结型场效晶体管沟道结型场效晶体管一、结构和符号一、结构和符号N沟沟道道结结型型场场效效晶晶体体管管在在一一块块N型型硅硅棒棒两两端端各各引引出出一一个个电电极极，一一端端称称为为源源极极S，另另一一端端称称为为漏漏极极D，在在硅硅棒棒两两侧侧分分别别扩扩散散一一个个高高深深度度的的P型型区区，形形成成两两个个PN结结，漏漏极极和和源源极极之之间间形形成成电电流流通通路路，称称其其为为沟沟道道；其其结结构构、符符号号如如图所示；图所示；P沟道结型场效晶体管如图所示。沟道结型场效晶体管如图所示。特特点点：由由两两个个PN结结和和一一个个导导电电沟沟

24、道道所所组组成成。三三个个电电极极分分别别为为源源极极S、漏极漏极D和栅极和栅极G。漏极和源极具有互换性。漏极和源极具有互换性。工作条件：工作条件：两个两个PN结加反向电压。结加反向电压。二、工作原理二、工作原理以以N沟道结型场效晶体管为例，原理电路如图所示。沟道结型场效晶体管为例，原理电路如图所示。工作原理如下：工作原理如下：工工作作电电压压：VDS0；VGS0，在在绝绝缘缘层层和和衬衬底底之之间间在在正正电电压压作作用用下下形形成成一一个个指指向向衬衬底底的的电电场场，该该电电场场吸吸引引衬衬底底的的电电子子和和N+中中的的电电子子，使使漏漏极极和和源源极极之之间间产产生生导导电电沟沟道道

25、，该该沟沟道道导导电电类类型型与与P型型衬衬相相反反，所所以以称称为为反反型型层层。在在漏漏、源源极间加一正向电压极间加一正向电压VDS时，将产生电流时，将产生电流ID。开启电压开启电压VT：增加：增加型型MOS管起先形成反型管起先形成反型层的栅源电压层的栅源电压VGS。N沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理N沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理(3)在在VDS0时：时：若若VGSVT，出出现现反反型型层层(即即导导电电沟沟道道)，D、S之之间间有有电电流流ID流过流过；若若VGS渐渐渐渐增增大大，导导电电沟沟道道变变宽宽，ID也

26、也随随 之之 渐渐 渐渐 增增 大大，即即 VGS限制限制ID的变更。的变更。2N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管夹断电压：夹断电压：使使 ID=0时的栅源电压。时的栅源电压。结结构构及及符符号号如如图所示。图所示。特点：特点：管子本身已形成导电沟道。管子本身已形成导电沟道。N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管工作原理：在工作原理：在VDS0时，时，当当VGS=0导电沟道有电流导电沟道有电流ID；当当VGS0并渐渐增大时，沟道变宽，使并渐渐增大时，沟道变宽，使ID增大；增大；当当VGSVT时，时，ID0

27、。耗尽型耗尽型：当当 VGS=0 时，时，ID 0；当当 VGS 为负电压时为负电压时 ID 减小；减小；当当 VGS=VPS 时，时，ID=0 。2输出特性曲线输出特性曲线3跨导跨导可调电阻区可调电阻区饱和区饱和区击击穿区穿区三个区三个区的含义与结型管输出特性的含义与结型管输出特性曲线曲线三个区相同。三个区相同。N沟道沟道MOS管输出特性曲线管输出特性曲线三、绝缘栅场效晶体管的图形符号三、绝缘栅场效晶体管的图形符号MOS管的图形符号管的图形符号注注意意N、P沟沟道道的的区区别别在在于于图图中中箭箭头头的的指指向相反。向相反。2.2.3场效晶体管的主要参数和特点场效晶体管的主要参数和特点一、主

28、要参数一、主要参数1直流参数直流参数(1)开启电压开启电压VT在在VDS为为定定值值的的条条件件下下，增增加加型型场场效效晶晶体体管管起起先先导导通通(ID达到某确定值，如达到某确定值，如10 A)时，所需加时，所需加VGS的值。的值。(2)夹断电压夹断电压VP在在VDS为为定定值值的的条条件件下下，耗耗尽尽型型场场效效晶晶体体管管ID减减小小到到近近于于零时零时VGS的值。的值。(3)饱和漏极电流饱和漏极电流IDSS耗耗尽尽型型场场效效晶晶体体管管工工作作在在饱饱和和区区且且VGS=0时时，所所对对应应的漏极电流。的漏极电流。(4)直流输入电阻直流输入电阻RGS栅源电压栅源电压VGS与对应的

29、栅极电流与对应的栅极电流IG之比。之比。场场效效晶晶体体管管输输入入电电阻阻很很高高，结结型型管管一一般般在在 107 以以 上上；绝缘栅管则更高，一般在绝缘栅管则更高，一般在 109 以上。以上。2沟通参数沟通参数(1)跨导跨导gmVDS 确确定定时时，漏漏极极电电流流变变更更量量 ID 和和引引起起这这个个变变更更的的栅栅源源电电压压变变更更量量 VDS 之之比比。它它表表示示了了栅栅源源电电压压对对漏漏极极电电流流的限制实力。的限制实力。(2)极间电容极间电容场场效效晶晶体体管管三三个个电电极极之之间间的的等等效效电电容容CGS、CGD、CDS，一般为几个皮法，结电容小的管子，高频性能好

30、。一般为几个皮法，结电容小的管子，高频性能好。3极限参数极限参数(1)漏极最大允许耗散功率漏极最大允许耗散功率PDMID与与VDS的乘积不应超过的极限值。的乘积不应超过的极限值。(2)漏极击穿电压漏极击穿电压V(BR)DS漏极电流漏极电流ID起先剧增时所加的漏源间的电压。起先剧增时所加的漏源间的电压。二、场效晶体管的特点二、场效晶体管的特点场效晶体管与一般三极管比较表场效晶体管与一般三极管比较表项项 目目器器件件名名称称晶体三极管晶体三极管场场效效应应管管极型特点极型特点双双极极型型单单极极型型控制方式控制方式电电流流控控制制电电压压控控制制类类型型PNP型、型、NPN型型N沟道、沟道、P沟道

31、沟道放大参数放大参数 =50200gm=10005000A/V输入电阻输入电阻102104 1071015 噪噪声声较较大大较较小小热稳定性热稳定性差差好好抗辐射能力抗辐射能力差差强强制造工艺制造工艺较较复复杂杂简单、成本低简单、成本低工工程程应应用用场场效效晶晶体体管管运运用用常识常识1.结结形形场场效效晶晶体体管管的的栅栅源源电电压压必必需需使使PN结结反反偏偏，不不能能接接反反。因因结结型型场场效效晶晶体体管管的的源源极极及及漏漏极极通通常常制制成成对对称称的的，所所以以原原极和漏极可以调换运用。极和漏极可以调换运用。2.绝绝缘缘栅栅场场效效晶晶体体管管中中，有有的的产产品品将将彻彻底底

32、引引出出(有有四四个个管管脚脚)，此此时时源源极极和和漏漏极极可可以以互互换换运运用用，但但有有的的产产品品在在制制造造时时已已把把源源极极和和衬衬底底连连接接在在一一起起，这这种种管管子子源源极极和和漏漏极极就就不不能能调调换运用。换运用。3.绝绝缘缘栅栅场场效效晶晶体体管管由由于于输输入入电电阻阻很很高高，假假如如在在管管脚脚开开路路状状态态下下保保存存，会会使使管管子子还还未未运运用用时时就就已已击击穿穿或或性性能能下下降降。因因此此，无无论论管管子子运运用用与与否否，都都应应将将三三个个电电极极短短路路或或用用铝铝箔箔包好。结型场效晶体管可以在开路状态下保存。包好。结型场效晶体管可以在

33、开路状态下保存。本章小结本章小结1.晶晶体体三三极极管管是是一一种种电电流流限限制制器器件件，具具有有电电流流放放大大作作用用；运运用用时时有有三三种种基基本本连连接接方方式式，最最常常用用的的是是共共放放射射极极接接法法；有有三三种种工工作作状状态态，即即截截止止、饱饱和和和和放放大大状状态态；三三个个电电极极的的电电流流关关系系是是，在在放放大大状状态态时时；值值表表示示电电流流放放大大实实力力的的大大小小；ICBO、ICEO反反映映了了管管子子温温度度稳稳定定性性；三三极极管管有有NPN型型和和PNP型两大基本类型。型两大基本类型。2.场场效效晶晶体体管管是是一一种种电电压压限限制制器器

34、件件，用用栅栅极极电电压压来来限限制制漏漏极极电电流流；具具有有高高输输入入电电阻阻和和低低噪噪声声的的特特点点；表表征征管管子子性性能能的的有有转转移移特特性性曲曲线线、输输出出特特性性曲曲线线和和跨跨导导；它它有有结结型型场场效效晶晶体体管管和和绝绝缘缘栅栅场场效效晶晶体体管管两两大大类类，每每类类又又有有P沟沟道道、N沟沟道道的区分；绝缘栅场效晶体管另有增加型和耗尽型两种。的区分；绝缘栅场效晶体管另有增加型和耗尽型两种。本章重点本章重点1.驾驾驭驭晶晶体体三三极极管管的的结结构构、工工作作电电压压、基基本本连连接接方方式式和和电电流安排关系。流安排关系。2.娴娴熟熟驾驾驭驭晶晶体体三三极极管管的的放放大大作作用用；共共放放射射极极电电路路的的输输入入、输出特性曲线；主要参数及温度对参数的影响。输出特性曲线；主要参数及温度对参数的影响。3.了解了解MOS管的工作原理、特性曲线和主要参数。管的工作原理、特性曲线和主要参数。本章难点本章难点1.晶体三极管的放大作用。晶体三极管的放大作用。2.输入、输出特性曲线及主要参数。输入、输出特性曲线及主要参数。学时安排学时安排序序号号内内容容学学时时12.1晶体三极管晶体三极管422.2场效晶体管场效晶体管43本章小结本章小结4本章总课时本章总课时8