第7章-霍尔式传感器及应用优秀PPT.ppt
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1、2022/11/41第第7 7章章 霍尔式传感器及应用霍尔式传感器及应用 2022/11/42引言引言n霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。n1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发觉了霍尔效应,但由于金属材料的霍尔效应发觉了霍尔效应,但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。太弱而没有得到应用。n随着半导体技术的发展,起先用半导体材料制随着半导体技术的发展,起先用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到应成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。用和发展。n霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速
2、度、霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。振动等方面的测量。2022/11/43主要章节主要章节n7.1霍尔效应及霍尔元件霍尔效应及霍尔元件 n7.2霍尔传感器好用电路霍尔传感器好用电路2022/11/447.1霍尔效应及霍尔元件霍尔效应及霍尔元件n金属或半导体薄片置于磁感应强度金属或半导体薄片置于磁感应强度B的磁的磁场(磁场方向垂直与薄片)中,当有电场(磁场方向垂直与薄片)中,当有电流流I通过时,在垂直于电流和磁场的方向通过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势上将产生电动势UH,这种物理现象称为,这种物理现象称为霍尔效应。该电势霍尔效应。该电势UH 称霍尔电势。称
3、霍尔电势。7.1.1 霍霍 尔尔 效效 应应 2022/11/45霍尔效应原理霍尔效应原理n一块长为一块长为L、宽为、宽为W、厚为、厚为d的的N型半导型半导体薄片,位于磁感应强度为体薄片,位于磁感应强度为B的磁场中,的磁场中,B垂直于垂直于L-W平面,沿平面,沿L通电流通电流I,N型半型半导体的载流体导体的载流体-电子将受到电子将受到B产生的洛仑产生的洛仑兹力兹力FB的作用的作用 2022/11/46n在力在力FB的作用下,电子向半导体片的一的作用下,电子向半导体片的一个侧面偏转,在该侧面上形成电子的积个侧面偏转,在该侧面上形成电子的积累,而在相对的另一侧面上因缺少电子累,而在相对的另一侧面上
4、因缺少电子而出现等量的正电荷。在这两个侧面上而出现等量的正电荷。在这两个侧面上产生霍尔电场产生霍尔电场EH。该电场使运动电子受。该电场使运动电子受有电场力有电场力FE2022/11/47n电场力阻挡电子接着向原侧面积累,当电场力阻挡电子接着向原侧面积累,当电子所受电场力和洛仑兹力相等时,电电子所受电场力和洛仑兹力相等时,电荷的积累达到动态平衡,由于存在荷的积累达到动态平衡,由于存在EH,半导体片两侧面间出现电位差半导体片两侧面间出现电位差UH,称为,称为霍尔电势霍尔电势 2022/11/48n磁场与薄片法线夹角为磁场与薄片法线夹角为 2022/11/49常用的霍尔元件材料常用的霍尔元件材料 n
5、锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。其中其中N型锗简洁加工制造,其霍尔系数、型锗简洁加工制造,其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。温度性能和线性度都较好。N型硅的线性型硅的线性度最好,其霍尔系数、温度性能同度最好,其霍尔系数、温度性能同N型锗型锗相近。锑化铟对温度最敏感,尤其在低相近。锑化铟对温度最敏感,尤其在低温范围内温度系数大,但在室温时其霍温范围内温度系数大,但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小,尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小,温度系数也较小,输出特性线性度好。温度系数也较小,输出特性线性度好。2022/11/410常用国产霍尔元件的技术参
6、数常用国产霍尔元件的技术参数 参参 数数 名名 称称符号符号单位位HZ-1型型HZ-2型型HZ-3型型HZ-4型型HT-1型型HT-2型型HS-1型型材料(材料(N)型)型Ge(111)Ge(111)Ge(111)Ge(100)InSbInSbInAS电阻率阻率 cm0.81.20.81.20.81.20.40.50.0030.010.0030.050.01几何尺寸几何尺寸Lbdmm3840.2420.2840.2840.2630.2840.2840.2输入入电阻阻Ri 11020%11020%11020%4520%0.820%0.820%1.220%输出出电阻阻Ru 10020%10020%
7、10020%4020%0.520%0.520%120%灵敏度灵敏度KHmV/(mAT)12121241.820%1.820%120%不等位不等位电阻阻ro 0.070.050.070.020.0050.0050.0032022/11/4117.1.2 霍尔元件基本结构霍尔元件基本结构 n霍尔片、引线和壳体组成霍尔片、引线和壳体组成 1霍尔元件的结构霍尔元件的结构2022/11/4122.霍尔元件的连接霍尔元件的连接 n(1)当限制电流为直流输入时,为了得)当限制电流为直流输入时,为了得到较大的霍尔输出,可将几块霍尔元件到较大的霍尔输出,可将几块霍尔元件的输出串联。但限制电流必需并联,决的输出串
8、联。但限制电流必需并联,决不能串联。因为串联起来将有大部分限不能串联。因为串联起来将有大部分限制电流被相连的霍尔电势极短接。制电流被相连的霍尔电势极短接。2022/11/413n(2)当限制电流为沟通输入时,可接受)当限制电流为沟通输入时,可接受如图连接方式,这样可以增加霍尔输出如图连接方式,这样可以增加霍尔输出电势及功率。电势及功率。2022/11/4147.1.3 霍尔元件主要参数及其误差霍尔元件主要参数及其误差 n(1)乘积灵敏度)乘积灵敏度KHn(2)额定限制电流)额定限制电流Icmn(3)磁灵敏度)磁灵敏度KBn(4)输入电阻)输入电阻Ri、输出电阻、输出电阻R。n(5)不等位电势)
9、不等位电势Uo和不等位电阻和不等位电阻Ron(6)寄生直流电势)寄生直流电势UODn(7)霍尔电势温度系数)霍尔电势温度系数n(8)工作温度范围)工作温度范围1主要特性参数主要特性参数2022/11/4152.霍尔元件的误差及补偿霍尔元件的误差及补偿 n(1)不等位电势的补偿)不等位电势的补偿n不等位电势的大小和极性与限制电流的不等位电势的大小和极性与限制电流的大小和方向有关大小和方向有关 n不等位电势的大小和相位随沟通限制电不等位电势的大小和相位随沟通限制电流而变流而变 n不等位电势与限制电流之间并非线性关不等位电势与限制电流之间并非线性关系,而且系,而且U 0还随温度而变还随温度而变 20
10、22/11/416常用的不等位电势的补偿电路常用的不等位电势的补偿电路 2022/11/417(2)温度补偿)温度补偿n 恒流源供电,输入端并联电阻;或恒恒流源供电,输入端并联电阻;或恒压源供电,输入端串联电阻压源供电,输入端串联电阻 输入端并联电阻补偿 输入端串联电阻补偿 2022/11/418 合理选择负载电阻合理选择负载电阻n霍尔电势的负载通常是放大器、显示器霍尔电势的负载通常是放大器、显示器或记录仪的输入电阻,其值确定,可用或记录仪的输入电阻,其值确定,可用串、并联电阻的方法使输出负载电压不串、并联电阻的方法使输出负载电压不变,但此时,灵敏度将相应有所降低。变,但此时,灵敏度将相应有所
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