第一篇-第二章平面光波在两介质分界平面上的反射与透射.优秀PPT.ppt
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1、薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础其次章其次章 平面光波在两介质分界平平面光波在两介质分界平 面上的反射与透射面上的反射与透射曹建章曹建章薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 光波的反射和透射是薄膜光学的基本问光波的反射和透射是薄膜光学的基本问题。当薄膜介质参数已知的状况下,并假定题。当薄膜介质参数已知的状况下,并假定介质分界面为光滑平面,通常接受几何光学介质分界面为光滑平面,通常接受几何光学近似方法求解平面光波在界面两侧的电场振近似方法求解平面光波在界面两侧的电场振幅之间的关系幅之间的关系即反射系数和透射系数。几即反射系数和透射系数。几何近似方法不仅适用于匀整介质,也可用于
2、何近似方法不仅适用于匀整介质,也可用于非匀整介质和吸取介质。本章首先探讨非匀整介质和吸取介质。本章首先探讨S-波反波反射和射和P-波反射,然后探讨吸取介质、非匀整介波反射,然后探讨吸取介质、非匀整介质和各向异性介质的反射和透射。质和各向异性介质的反射和透射。2.1 各向同性志向介质界面的反射与透射各向同性志向介质界面的反射与透射2.1.1 S-波反射与透射波反射与透射薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 对于随意极化状态对于随意极化状态平面光波的反射和透射平面光波的反射和透射可分解为两个相互垂直可分解为两个相互垂直的极化波的叠加。通常的极化波的叠加。通常选取电场矢量垂直于入选取电场矢量
3、垂直于入射面为垂直极化,称为射面为垂直极化,称为S-波偏振;而选取电场波偏振;而选取电场矢量平行于入射面为平矢量平行于入射面为平行极化,称作行极化,称作P-波偏振。波偏振。如图如图2-1所示。依据式所示。依据式(1-42)和式)和式(1-43),),薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础可写出入射平面光波的复振幅矢量表达式为可写出入射平面光波的复振幅矢量表达式为式中式中 是电场在是电场在r=0处的幅值,处的幅值,为介质为介质1中的波数,中的波数,为介质为介质1的本征阻抗。由图的本征阻抗。由图2-1,在直角坐标下,入射波传播方向的单位矢量。,在直角坐标下,入射波传播方向的单位矢量。由图由图
4、2-1,在直角坐标下,入射波传播方向的,在直角坐标下,入射波传播方向的单位矢量单位矢量 写成重量形式,有写成重量形式,有(2-1)(2-2)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础波面上随意一点的位置矢量为波面上随意一点的位置矢量为将上两式代入式(将上两式代入式(2-1),得到),得到 同理,可得反射平面波与透射平面波电同理,可得反射平面波与透射平面波电场和磁场复振幅矢量表达式为场和磁场复振幅矢量表达式为(2-3)(2-4)(2-5)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础(2-6)其中其中 和和 分别为介质分别为介质2中的波数和本征阻抗。中的波数和本征阻抗。依据边界条件依据边界条件有
5、有(2-7)(2-8)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础得到得到对随意的对随意的 x,要使(,要使(2-9)两式成立,必需使三)两式成立,必需使三个指数满足相位匹配条件,即个指数满足相位匹配条件,即由此得到,斯涅尔反射定律由此得到,斯涅尔反射定律(2-9)(2-10)(2-11)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础和斯涅尔折射定律和斯涅尔折射定律式中式中 、分别为介质分别为介质1和介质和介质2的折射率。的折射率。考虑到式(考虑到式(2-10),则式(),则式(2-9)化为)化为联立求解上两式,得到联立求解上两式,得到S-波偏振状况下反射系波偏振状况下反射系数和透射系数的表达式
6、为数和透射系数的表达式为(2-12)(2-13)(2-14)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础(2-15)这两个系数称之为这两个系数称之为S-波偏振菲涅尔反射系数和波偏振菲涅尔反射系数和透射系数,二者满足关系透射系数,二者满足关系 假定光学介质假定光学介质 ,利用关系式,利用关系式(1-39),式(),式(2-14)和式()和式(2-15)简化为)简化为(2-16)(2-17)(2-18)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础在垂直入射的状况下,在垂直入射的状况下,则式(,则式(2-17)和式()和式(2-18)简化为)简化为 对于对于S-波偏振,引入介质界面两侧光学波偏振,引
7、入介质界面两侧光学有效导纳有效导纳则式(则式(2-17)和式()和式(2-18)改写为)改写为(2-19)(2-20)(2-21)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础(2-22)(2-23)须要留意,此处光学有效导纳并不具有导纳须要留意,此处光学有效导纳并不具有导纳的量纲,因为在反射系数和透射系数表达式的量纲,因为在反射系数和透射系数表达式中分子和分母消去了因子中分子和分母消去了因子 。2.1.2 P-波反射与透射波反射与透射 如图如图2-2所示。依据式(所示。依据式(1-42)和式()和式(1-43),可写出入射平面波的复振幅矢量表达),可写出入射平面波的复振幅矢量表达式为式为 薄膜
8、光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础(2-24)式中式中 是电场在是电场在 处处的幅值,的幅值,为介为介质质1中的波数,中的波数,1 为介质为介质1的本征阻抗,的本征阻抗,为平为平面波传播方向的单位矢量,面波传播方向的单位矢量,r为平面波波前上为平面波波前上随意点的位置矢量。随意点的位置矢量。和和r取式(取式(2-2)和式)和式(2-3),代入式(),代入式(2-24),得到入射平面光),得到入射平面光薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础波电场和磁场复振幅矢量的表达式为波电场和磁场复振幅矢量的表达式为 同理,可得反射波与透射波电场和磁场同理,可得反射波与透射波电场和磁场复振幅矢量表
9、达式为复振幅矢量表达式为(2-25)(2-26)(2-27)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础其中其中 k2和和 2分别为介质分别为介质2中的波数和本征阻抗。中的波数和本征阻抗。依据边界条件式(依据边界条件式(2-7),有),有得到得到同样,对随意的同样,对随意的x,要使式(,要使式(2-29)等式成立,)等式成立,必需使三个指数相位满足相位匹配条件必需使三个指数相位满足相位匹配条件(2-28)(2-29)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础(2-30)即满足即满足则式(则式(2-29)化为)化为联立求解上两式,得到联立求解上两式,得到P-波偏振状况下菲涅波偏振状况下菲涅尔反
10、射系数和透射系数的表达式为尔反射系数和透射系数的表达式为(2-31)(2-32)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础(2-33)(2-34)在在P-波偏振状况下,二者满足关系波偏振状况下,二者满足关系 假定光学介质假定光学介质 ,利用关系式,利用关系式(1-39),式(),式(2-33)和式()和式(2-34)简化为)简化为(2-35)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础(2-36)(2-37)须要留意的是反射系数须要留意的是反射系数 与反射波电场和磁与反射波电场和磁场的方向选取有关,相差一负号。场的方向选取有关,相差一负号。对于对于P-波偏振反射和透射,引入介质界波偏振反射和
11、透射,引入介质界面两侧光学有效导纳面两侧光学有效导纳(2-38)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础则式(则式(2-36)和式()和式(2-37)改写为)改写为须要留意的是须要留意的是P-波偏振状况下,用光学有效波偏振状况下,用光学有效导纳表示的透射系数与垂直入射状况下的透导纳表示的透射系数与垂直入射状况下的透射系数公式相差因子射系数公式相差因子 。2.2 各向同性吸取介质界面的反射与透射各向同性吸取介质界面的反射与透射2.2.1 S-波反射与透射波反射与透射 假设介质电导率假设介质电导率 ,在平面,在平面(2-39)(2-40)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础波等振幅面与
12、等相位面重合的状况下,依据图波等振幅面与等相位面重合的状况下,依据图2-1,由式(,由式(1-49)和式()和式(1-50),可写出入射),可写出入射平面波、反射平面波和透射平面波电场强度矢平面波、反射平面波和透射平面波电场强度矢量和磁场强度矢量的复振幅表达式如下:量和磁场强度矢量的复振幅表达式如下:入射波:入射波:(2-41)反射波:反射波:(2-42)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础透射波:透射波:(2-43)由边界条件(由边界条件(2-7)式,得到)式,得到对随意的对随意的x,要使(,要使(2-44)两式成立,必需使)两式成立,必需使三个指数满足相位匹配条件,即三个指数满足相
13、位匹配条件,即(2-44)(2-45)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础由此得到,斯涅尔反射定律和斯涅尔折射定由此得到,斯涅尔反射定律和斯涅尔折射定律律式中式中 和和 分别为介质分别为介质1和介质和介质2的复折射率。的复折射率。明显,吸取介质中的折射定律与志向介质中明显,吸取介质中的折射定律与志向介质中的折射定律形式完全相同。的折射定律形式完全相同。由相位匹配条件式(由相位匹配条件式(2-45),式(),式(2-44)简化为简化为(2-46)(2-47)(2-48)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础联立求解得到联立求解得到在吸取介质的状况下,在吸取介质的状况下,S-波偏振的
14、反射系数和波偏振的反射系数和透射系数二者仍旧满足关系透射系数二者仍旧满足关系 由式(由式(1-51),式(),式(2-49)和式()和式(2-50)简化为简化为(2-49)(2-50)(2-51)(2-52)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础(2-53)在垂直入射的状况下,在垂直入射的状况下,则式,则式(2-52)和式()和式(2-53)简化为)简化为由此可以看出,吸取介质中的由此可以看出,吸取介质中的S-波偏振反射系波偏振反射系数和透射系数与志向介质中的形式完全相同,数和透射系数与志向介质中的形式完全相同,给计算带来极大的便利。给计算带来极大的便利。(2-54)(2-55)薄膜光学
15、与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 同样,同样,S-波反射与透射引入介质界面两侧波反射与透射引入介质界面两侧复光学有效导纳复光学有效导纳式(式(2-52)和式()和式(2-53)化为)化为2.2.2 P-2.2.2 P-波反射与透射波反射与透射 同样,在平面波等振幅面与等相位面重同样,在平面波等振幅面与等相位面重(2-56)(2-57)(2-58)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础合的状况下假设介质电导率合的状况下假设介质电导率 ,依,依据图据图2-2,由式(,由式(1-49)和式()和式(1-50),可写),可写出出P-偏振入射平面波、反射平面波和透射平面偏振入射平面波、反射平面
16、波和透射平面波电场强度矢量和磁场强度矢量的复振幅表波电场强度矢量和磁场强度矢量的复振幅表达式如下:达式如下:入射波:入射波:反射波:反射波:(2-59)(2-60)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础透射波:透射波:(2-61)同样,利用边界条件(同样,利用边界条件(2-7)和相位匹配)和相位匹配条件,可以得到条件,可以得到(2-62)(2-63)(2-64)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础二者满足关系二者满足关系由(由(1-51)式,简化式()式,简化式(2-63)、式()、式(2-64),),有有同样,吸取介质中的同样,吸取介质中的P-偏振反射系数和透射系偏振反射系数和
17、透射系数与志向介质中的形式也完全相同。数与志向介质中的形式也完全相同。(2-65)(2-66)(2-67)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 对于对于P-波偏振反射和透射,引入介质界波偏振反射和透射,引入介质界面两侧复光学有效导纳为面两侧复光学有效导纳为则式(则式(2-66)和式()和式(2-67)改写为)改写为(2-68)(2-69)(2-70)一下两节内容为探讨生学习内容,暂略。一下两节内容为探讨生学习内容,暂略。=薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础2.3 2.3 非匀整介质界面的反射与透射非匀整介质界面的反射与透射2.3.1 2.3.1 几何光学近似条件下非匀整介质中
18、的几何光学近似条件下非匀整介质中的波传播波传播2.3.1.1 S-2.3.1.1 S-波射线振幅及相位波射线振幅及相位2.3.1.2 P-2.3.1.2 P-波射线振幅及相位波射线振幅及相位2.3.2 2.3.2 随意非匀整介质界面的反射系数方程随意非匀整介质界面的反射系数方程2.3.2.1 S-2.3.2.1 S-波偏振的反射系数方程波偏振的反射系数方程2.3.2.2 P-2.3.2.2 P-波偏振的反射系数方程波偏振的反射系数方程2.4 2.4 各向异性介质界面的反射与透射各向异性介质界面的反射与透射2.4.1 2.4.1 平面对称各向异性介质中麦克斯韦方平面对称各向异性介质中麦克斯韦方程
19、的重量形式程的重量形式薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础各向异性介质界面各向异性介质界面S-S-波反射与透射波反射与透射各向异性介质界面各向异性介质界面P-P-波反射与透射波反射与透射=2.5 2.5 反射系数和透射系数随入射角的变更反射系数和透射系数随入射角的变更 反射系数和透射系数是描述反射波反射系数和透射系数是描述反射波振幅、透射波振幅与入射波振幅之比随入射振幅、透射波振幅与入射波振幅之比随入射角变更的关系,这种关系在薄膜光学的膜系角变更的关系,这种关系在薄膜光学的膜系仿真计算中特别重要。下面简要介绍一些重仿真计算中特别重要。下面简要介绍一些重要概念,并给出一些实例加以探讨。要
20、概念,并给出一些实例加以探讨。2.5.1.2.5.1.全反射与倏逝波全反射与倏逝波薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 1.,即,即 ,由于正弦函数在,由于正弦函数在第一象限是增函数,必有第一象限是增函数,必有 ,由式(,由式(2-17)、式()、式(2-18)、式()、式(2-36)和式()和式(2-37)可以推断,入射角为可以推断,入射角为 随意可能值时,随意可能值时,S-波反射系数波反射系数 和和P-波反射系数波反射系数 、S-波透射系波透射系数数 和和P-波透射系数波透射系数 均为实数,实例见图均为实数,实例见图2-8(a)所示。)所示。2.,即,即 ,依据斯涅尔定律式,依据斯
21、涅尔定律式(2-12)或式()或式(2-31)可知,透射角大于入射)可知,透射角大于入射角,即角,即 ,当,当 时,透射角时,透射角 ,此时式(此时式(2-12)或式()或式(2-31)变为)变为薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础 称之为临界角。当称之为临界角。当 时,仍取时,仍取 ,由式(由式(2-6)和式()和式(2-27)可知,对于)可知,对于S-波,磁波,磁场仅有场仅有Z重量,电场沿重量,电场沿Y方向,由坡印廷定理方向,由坡印廷定理知,波沿知,波沿+X方向传播,没有方向传播,没有Z方向传播的波;方向传播的波;而对于而对于P-波,电场
22、仅有波,电场仅有-Z重量,磁场沿重量,磁场沿Y方向,方向,波沿波沿+X方向传播,也没有方向传播,也没有Z方向传播的波,如方向传播的波,如图图2-7所示。在此状况下,由式(所示。在此状况下,由式(2-17)和式)和式(2-36)可知,)可知,表明无论是,表明无论是S-波还是波还是P-波,当入射角大于临界角时,都将产生全反波,当入射角大于临界角时,都将产生全反(2-200)薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础射,实例见图射,实例见图2-8(b)所示。因此,临界角)所示。因此,临界角也称之为也称之为全反射角全反射角。薄膜光学与薄膜技术基础薄膜光学与薄膜技术基础3假如假如 ,当入射角大于临界角
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