2022年模拟电子技术复习题.docx

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1、精选学习资料 - - - - - - - - - 模 拟 电 子 技 术 复 习 题一、判定题（在正确的论断前的括号内填入“ ”其次章（）1. 运算电路中一般引入正反馈；,否就填入“ ” ；）（ ）2. 凡是运算电路都可利用“ 虚短” 和“ 虚断” 的概念求解运算关系；第三章（）1. 由于 N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电；（）2. 由于 P 型半导体的多子是空穴,所以它带正电；）3. 稳压二极管在稳压工作时,只要反向击穿,不需要限流；（）4. N型半导体中假如掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体；（）5. 二极管的正向偏置电压上升时,其正向电阻增大；（）6. PN结中的空

2、间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高；（）7. 未加外部电压时, PN结中电流从 P 区流向 N区；第四章（）1. 放大电路必需加上合适的直流电源才能正常工作；Q 点相互影响；（）2. 直接耦合多级放大电路各级的（）3. 晶体管的参数不随温度变化；（）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作；（）5. 多级放大电路总的电压放大倍数,等于各级空载电压放大倍数的乘积；（）6. 放大电路的直流分析,要依据直流通路图；放大电路的沟通小信号分析运算,要依据沟通通路图；（）7. 只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用；（）8. 放大电路在低频信号作用时,放大倍数下降的缘由是半导体管的

3、非线性特性；（）9. 射极跟随器的放大倍数为 1,因此在电路不起任何作用；（）10. 只要将晶体管的静态工作点设置在 BJT特性曲线的放大区, 就不论输入什么信号都不会产生非线性失真；（）11.多极放大电路的级数越多,其放大倍数越大,且其通频带越宽；（ ）12. 射极输出器的输入电流是 Bi ,输出电流是 Ei ,因此具有较高的电流放大倍数；第五章（）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种；（ ）2. MOSFET的输入电阻比 BJT高；第六章名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 30 页精选学习资料 - - - - - - - - - （）1. 运放的共模抑制比KCMRA

4、 VD；A VC（）2. 通用型集成运放的输入级采纳差分放大电路,这是由于它的电压放大倍数大；（）3. 某差动放大电路的差模电压放大倍数 Avd=1000,共模电压放大倍数 Avc=10,就其共模抑制比 K CMR=100dB；（ ）4. 在集成电路中各级电路间采纳直接耦合方式；（） 5. 产生零点漂移的缘由主要是晶体管参数受温度的影响；第七章（）1. 负反馈放大电路可能产生自激振荡；（）2.电流负反馈既然稳固输出电流,那么必定稳固输出电压；（）3. 如放大电路的放大倍数为负,就引入的反馈肯定是负反馈；（）4. 某一放大电路中引入了直流负反馈和沟通电压串联负反馈,这些反馈能够稳固输出电流；（）

5、5. 要稳固放大电路静态工作点,可以引入沟通负反馈；第八章（）1. 功率放大电路的转换效率P ；P V（）2. 在功率放大电路中,输出功率越大,功放管的管耗功率就越大；）3. 通常采纳图解法分析功率放大电路；）4. 功率放大电路工作在大信号状态,要求输出功率大,且转换效率高；（第九章（）1. 负反馈放大电路在肯定条件下可能转化为正反馈；R和电容 C的值来调剂；a,那么只（ ）2. 欲使振荡电路能自行建立振荡,起振时应满意AF &1的条件；（）3. RC 正弦波振荡电路产生的信号频率可通过转变RC串并联网络中电阻（）4. 正弦波振荡电路中只能引入正反馈,不答应显现负反馈；f,放大电路的相移为（）

6、5. 在采纳正反馈方框图的条件下,假如正弦波振荡电路反馈网络的相移为有 a+f=2n,才满意相位平稳条件；（ ）6. 从结构上来看,正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器；第十章（ ）1. 整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压；（）2. 直流电源是一种能量转换电路,它将沟通能量转换为直流能量；二、填空题其次章名师归纳总结 1. 为使运放电路稳固地工作在线性区,应在电路中引入深度负反馈；第 2 页,共 30 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 2. 工作在线性区的抱负运放器,两个输入端的输入电流均约等于零称为虚断；第三章1. 稳压

7、管稳压时是让其工作在 反向击穿 状态；2. 某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为-10V,-6V,-6.2V,就这只三极管是 PNP 型锗管 ；（写出三极管的类型 NPN 型仍是 PNP 型,是硅管仍是锗管； ）3. 齐纳二极管是一种特别二极管,常利用它在 反向击穿 状态下的恒压特性来构成简洁的稳压电路；第四章4. 晶体管是温度的敏锐元件,当温度上升时其参数 ICBO将变 大（大；小）；5.放大电路的静态分析,要依据 直流 通路图；放大电路的动态分析,要在 沟通 通路图的基础上画出小信号等效电路 图；6. 多级放大电路总的电压放大倍数,等于各级有载电压放大倍数的 积,总的输入电阻等于

8、 第一级放大电路的输入电阻 ；7. 单管共集电极放大电路如下图所示,当 Rb太小时,将产生 饱和 失真,其输出电压的 _顶部_波形会被削掉；8. 单管共射放大电路中,如输入电压为正弦波,在中频通带内 u 和 iu 的相位相 反（同；反）；9. 放大电路静态工作点不稳固的缘由主要是由于受 温度 的影响；10. 晶体管是温度的敏锐元件,当温度上升时其参数 将变 大（大；小）；11. 放大电路静态工作点设置过高输出波形易产生 饱和 失真；12. 晶体管是温度的敏锐元件,假如温度上升三极管的输出特性曲线将向13. 放大电路静态工作点设置过低输出波形易产生截止失真；_上_（上；下）移动；14. 下图为某

9、放大电路.A v的对数幅频特性图,就该电路的上限截止频率为8 10 H Z,下限截止频率为2 10 H Z；.20lgAv/dB60+20dB/ 十倍频程-20dB/ 十倍频程4020名师归纳总结 12 104 106 1010810 10f/ HZ失真；第 3 页,共 30 页15. 用示波器观看 NPN 管共射单管放大器的输出电压波形如下图所示,判定该波形属于截止16. 下图是放大管的不完整的符号,依据图中所给数据和电流方向,判定它的类型为NPN型；- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 题 15 图 题 16 图第五章1. 下图所示的是某管子的转移特性

10、曲线,就它是N 沟道耗尽型 MOSFET 管；2NMOS 增强型场效应管在 放大区 的电流掌握关系是iDKnv GSVT2；第六章电流源电路的特点是直流电阻小,动态输出电阻大；第七章1. 为减小放大电路的输出电阻,应引入 并联 负反馈；2. 为了稳固静态工作点,应引入 直 流 负反馈；3. 在反馈电路中,如1+AF 1,就为 _负_反馈；如1+AF 1 时,就为 _正_反馈；4. 下图所示电路的反馈极性是 正反馈；5. 为了稳固放大电路的输出电压,应引入 电压 负反馈；为了增大放大电路的输入电阻,应引入 串联 负反馈；第八章名师归纳总结 1. 双电源互补对称电路工作在乙类时,每只BJT 的最大

11、答应管耗P CM必需大于0.2 P om；78.5% ；第 4 页,共 30 页2. 下图功放电路中 V CC12V,RL=6 ,就最大输出功率POM12 W ,最高转换效率为- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 第九章1. 期望猎取频率为 100HZ500HZ的有用信号,应选用带通滤波电路；2. 正弦波振荡电路主要有RC 和 LC 型振荡电路两大类 , RC 型振荡电路一般用来产生低频信号,LC 型振荡电路一般用来产生高频信号；3. 在 RC 桥式正弦波振荡电路中, 如 RC串并联选频网络中的电阻均为R,电容均为 C ,就其振荡频率of12 RC4. 正

12、弦波振荡器主要由放大电路、反馈网络、选频网络和稳压电路四部分组成；第十章在电子系统中,常常需要将沟通电网电压转换为稳固的直流电压,为此要用整流、滤波和稳压等环节来实现；三、单项挑选题（每题2 分, 共 20 分）第一章1. 要使电压放大器具有较强的带负载才能,应减小放大器的哪个参数（C）；A. A VB. iRC. R oD. R L第三章1N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D）；A. 电子 B. 空穴 C. 三价元素 D. 五价元素2. 当温度上升时,二极管的反向饱和电流将（A ）；A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 不能确定3. 晶体二极管具有（ A ）特性；A. 单向

13、导电 B. 集电极电压饱和 C. 双向导电 D. 集电极电流截止4PN结加正向电压时,空间电荷区将（ A ）；A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定5二极管的端电压为 U,就二极管的电流方程是（C ）；A. I Se UB. I Se U nU T C. I Se U nU T1 D. I Se U nU T16. 二极管两端加上正向电压后有一段 死区电压 ；锗管为（ A ）V伏；A. 0.1 B.0.3 C.0.4 D.0.7 7. 稳压管稳压是利用它的 特性,所以必需给稳压管外加 电压；（ C ）A.单向导电,反向 B.反向击穿,正向 C.反向击穿,反向 D.单向导电,正向

14、8. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ A ）；A.大 B.小 C.相等 D.无法确定第四章名师归纳总结 1. 在单级共射放大电路中,如输入电压为正弦波形,在中频通带范畴内V 和iV 的相位（ B ）；第 5 页,共 30 页A.同相B.反相C.相差 90 度D.不确定- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 2. 晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为（ B ）； B ）；A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏3. 一个三极管放大电路,Bi=60 A, Ci = 2mA, 值为 50

15、,这个三极管工作在（ D ）状态；A.放大B. 击穿C.截止D. 饱和4. 电路如图 1 所示,二极管为抱负二极管,对二极管工作状态的判定及输出电压大小的确定均正确选项（A. 二极管 D截止Uo10VB. 二极管 D导通Uo12VC. 二极管 D导通Uo10VD. 二极管 D截止Uo12 V图 1 图 2 5. 已知某 MOS 场效应管的转移特性如图2 所示,试判定该场效应管的类型为（ B ）；A. N沟道增强型 MOS场效应管 C. P沟道增强型 MOS场效应管B. N 沟道耗尽型 MOS场效应管 D. P 沟道耗尽型 MOS场效应管6. 当信号频率等于放大电路的Lf 或f 时,放大倍数的值

16、约下降到中频时的（ B ）； C ）；A. 0.5 倍B. 0.7 倍C. 0.9 倍D. 1 倍7. 两级放大电路的带负载电压放大倍数分别是A =10,A V2=20,就此放大电路总的电压放大倍数应是（A. A = 30 B. A V= 10 C. A V= 200 D. A V= -200 8. BJT 三极管具有光敏性和热敏性的缘由是由于（B ）；A. 只有一种载流子参加导电 C. 电子、空穴两种载流子都参加导电B. 两种载流子参加导电且少子是由本证激发产生的 D. 两种载流子参加导电且多子是由本证激发产生的9. 要使放大器具有较好的频率特性,应选用哪种放大组态（D ）；A. 共射极 B

17、. 共源极 C. 共集电极 D. 共基极10. 对于共集放大电路的特点,其错误的结论是（B ）；A. 电压放大倍数小于 1 且近似等于 1 B. 电流放大倍数小于 1 且近似等于 1 C. 输出电阻小,且与信号源内阻有关D. 输入电阻大,且与负载有关11. BJT 三极管放大电路的三种组态中,因其输出电阻小而被用于多级放大电路输出级的是（B ）；A. 共射极B. 共集电极C. 共基极D. 共源极12 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的缘由是（ B ）；A. 耦合电容和旁路电容的存在B. 半导体管极间电容和分布电容的存在名师归纳总结 C. 半导体管的非线性特性30dB,20lgD. 放大

18、电路的静态工作点不合适第 6 页,共 30 页14 考虑了带负载增益分别为20lgA V1A V230dB,20lgA V320dB的三级放大电路,就总的电压增益为（ B ）dB；C. 600 dB D. 60 dB A. 1800 dB B. 80 dB - - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 15多级直接耦合放大器中,影响零点漂移最严峻的一级是（ A ）；A. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 增益最高的一级16某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为 5V,1.3V, 1V, 就这只三极管是（ B ）；A. NPN型的硅管 B. NPN型

19、的锗管 C. PNP型的硅管 D. PNP型的锗管17. 下面各电路器件符号,哪个表示的是晶体三极管？（ C ）；A. B. C. D.18. 工作在放大区的三极管,当 Bi 从 20 A增大至 40 A时,i 从 1mA变为 2mA,其 值约为（ B ）；A. 100 B. 50 C.500 D.1000 19. 一个放大器输入端输入有效值为 50mV 的正弦沟通电,从输出端测量其有效值电压为 1V,就其电压放大倍数为（ D ）；A. 1000 B.100 C.200 D. 20 20. 一个三极管如舍弃集电极不用,那么基极和发射极之间可当作（ B ）器件使用；A.晶体三极管 B.晶体二极管

20、 C.固定电阻 D.大容量电容21. 共集电极放大电路的放大倍数,而电流放大倍数；（ C ）A.1, 很小 B.1, 很大 C. 1, 很大 D. 1, 很小22. 工作在放大区的三极管,已知值 =100, Bi 20 A,i 约为（ B ）mA；A.1 B.2 C.3 D.4 23. 一个单管放大器电源电压 6V,发射结正向偏置后,如 Vc 约为 0.6V,Ve为 0.4V, 如 Vb为 1.1V, 就该放大器的三极管可能处于（ B ）状态；A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿24. BJT 放大电路中 既能放大电压,也能放大电流的是（ A ）组态放大电路；A. 共射 B. 共集 C. 共

21、基 D. 不确定第五章1. 下述管子中输入电阻最高的管子为（ A ）；）；A. MOS场效应管B. BJT 三极管C. 结型场效应管D. 二级管2. 已知某 MOS 场效应管的转移特性如图3 所示,试判定该场效应管的类型为（ A A. N沟道增强型 MOS场效应管B. N沟道耗尽型 MOS场效应管C. P 沟道增强型 MOS场效应管D. P 沟道耗尽型 MOS场效应管3. 场效应管是一种（D ）的器件；名师归纳总结 A. 电流掌握的电流源B. 电流掌握的电压源第 7 页,共 30 页C. 电压掌握的电压源D. 电压掌握的电流源4. 结型场效应管利用删源极间所加的（ A ）来转变导电沟道的电阻；

22、A. 反偏电压B. 反向电流C. 正偏电压D. 正向电流- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 5. 题 13 图示电路中,V T1V,VGSQ2V,Kn0.2mAV2,就漏极电流IDQ（ A ）；A. 0.2mA B. 0.4mA C. 0.6mA D. 0.1mA 6. 设题 14 图示电路中漏源之间动态电阻r ds,就图示电路中电压增益A =（ A ）；A. g R dB. g R dC. 1g R dD. 1g R dg R dg R d7. 题 15 图示转移特性曲线,就它是（A. N 沟道耗尽型 MOSFET C. N 沟道耗尽型 JFET V

23、DDA ）管；B. P 沟道耗尽型 MOSFET D. N 沟道增强型 JFET dR dV DDiDmAR g1gdR db2ovCgsov4ivCb1sivR g22题 13 图-3-2-10v GSV题 14 图题 15 图第六章1. 集成运放的输入级采纳差分放大电路是由于可以（ A ）；A. 减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 D. 减小放大倍数2. 集成运放电路采纳直接耦合方式是由于（ D ）；A. 可抑制温度漂移 B. 可使输入电阻减小C. 可获得很大的放大倍数D. 集成工艺难于制造大容量电容3. 集成运放的中间级采纳复合管放大电路是由于可以（ B ）；A. 减小温漂

24、 B. 提高放大倍数 C. 展宽通频带 D. 提高带载才能4. 复合管的电流放大倍数约等于两个管子各自电流放大倍数的（C ）；A. 和 B. 差 C. 积 D. 商5. 某一差动放大电路的输入 v i1 10m V v i2 5mV,就该差放的共模信号 cv 和差模信号 dv 分别为（B ）；A. 2.5mV,7.5mV B. 2.5mV,15mV C. -7.5mV,-2.5mV D. -15mV,5mV 6. 运放的共模电压增益越小,说明运放的（D ）；A.放大倍数越稳固 B.沟通放大倍数越大 C.输入电阻越大 D 抑制共模信号的才能越强7. 通用型集成运放的输入级多采纳（ D ）；A.

25、共基接法 B. 共集接法 C. 共射接法 D. 差分接法8. 差分放大电路中,当 V =300mV,V =280mV,A VD =100,A VC =1时,输出电压为（ D ）；A. 580mV B. 1.71V C. 2V D. 2.29V 第七章1. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ D ）；A. 输入信号中的干扰和噪声 C. 反馈环外引入的干扰和噪声B. 输入信号和放大电路中的干扰和噪声 D. 产生于反馈环内的干扰和噪声名师归纳总结 - - - - - - -第 8 页,共 30 页精选学习资料 - - - - - - - - - 2. 在输入电量不变的情形下,如引入反馈后（ C ）,就说

26、明引入的反馈是正反馈；A. 输入电阻增大 B. 输出量 减小 C. 净输入电量增大 D. 净输入电量减小3. 提高输入电阻,又可稳固输出电流的反馈组态是（ D ）；A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈C. 电流并联负反馈 D. 电流串联负反馈4. 放大器引入直流负反馈可以（ D ）；A. 稳固输出电流 B. 稳固输出电压C. 稳固电压放大倍数 D. 稳固直流工作点5. 对题 9 图示电路中交直流反馈的判定正确选项（ B ）；A. 电压串联负反馈 B. 电压并联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈6. 在稳固范畴内 放大电路引入的负反馈越强,就其（D ）；A. 放大倍数越大

27、B. 输入电阻越大C. 输出电阻越小 D. 放大倍数的稳固性越强；7. 欲得到一个压控电流源电路,应当引入的反馈类型为（D ）；A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈C. 电流并联负反馈 D. 电流串联负反馈8 既 提高输入电阻,又可稳固输出电压的反馈组态是（ B ）；A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈9放大电路如图 1 所示,要使静态工作点 Q上移, 应使（ C ）；A. R 增大 B. R 增大 C. R 减小 D. C 增大图 1 图 2 名师归纳总结 10判定图 2 电路中沟通反馈的组态（ B ）；D. 电流并联负反馈第 9 页,

28、共 30 页A. 电压并联负反馈B. 电压串联负反馈C. 电流串联负反馈11. 期望接上负载R 后,V 基本不变,应引入（ A ）负反馈；D.并联A.电压B.电流C.串联12. 放大器引入电流串联负反馈可以（ A ）；D. 稳固电压放大倍数A. 稳固输出电流B. 降低输入电阻C. 降低输出电阻13. 负反馈放大电路产生自激振的条件是（ C ）；. .D. AFA. .AF1B. .AF0C. .AF1- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 14. 某负反馈放大电路的开环增益.A=100000,当反馈系数 F =0.0004 时, 其闭环增益Af为（ A ）；

29、A. 2500 B. 2000 C. 1000 D. 1500 15. 在反馈放大电路中,假如反馈信号和输出电压成正比,称为（ C ）反馈；A. 电流B.串联C. 电压D. 并联第八章1. 在 OCL乙类功放电路中,如最大输出功率为1W,就电路中每个功放管的集电极最大功耗约为（ C ）；A. 1 0W B. 20 W C. 0.2 W D. 0.4W CES 22. 如图 1 所示电路中晶体管饱和管压降的数值为UCES,就最大输出功率P om为（ C ）；A. V CC2UCES2B. 1V CCUCES2C. 1V CCUCES2D. V CCU22R L2R LR LR L图 1 图 23

30、. 电路图 2 中 D1和 D2管的作用是排除（ B ）；A ）；D.V CC2D. 线性失真A. 饱和失真B. 交越失真C. 截止失真 4.抱负情形下,乙类双电源互补对称功放电路的最大输出功率为（A.VCC2B.VCC2C.VCC22RL4RLR L8R L 5.为了排除交越失真,应当使功率放大电路工作在（ B ）状态；D.丙类A. 甲类B. 甲乙类C. 乙类第九章1一个实际的正弦波振荡电路的组成为（ D ）；B. 放大电路和选频网络A. 放大电路和反馈网络C. 放大电路、反馈网络和稳频网络D. 放大电路、反馈网络、选频网络和稳幅环节2. 有用信号频率高于 500Hz,可选用（ B ）滤波电

31、路；A.低通 B.高通 C.带通 D.带阻；3. 一个单管共射放大电路假如通过电阻引入负反馈,就（ C ）；A. 肯定会产生高频自激振荡 B. 有可能产生高频自激振荡C. 肯定不会产生高频自激振荡 D. 无法判定第十章名师归纳总结 10. 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ D ）；第 10 页,共 30 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - A. 将直流变为沟通 B. 将高频变为低频C. 将低频变为高频D. 将交、直流混合量中的沟通成分滤掉9. 串联反馈型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（B ）；A. 基准电压 B. 基准电压与采样电压之差C. 采样电

32、压 D. 基准电压与采样电压之和12. 单相桥式整流电路中,设 V2为变压器副边的有效值,就二极管所承担的最大反向截止电压为（ B ）；A. V 2 B. 2V 2 C. 2V 2 D. V 22四、作图题1电路如下图所示,稳压管为硅管,设其正向导通后其上压降.0 7V,且稳固电压U8V；设U15sintV,试画出输出电压U 的波形,并标出幅值；2电路如下图所示,已知u I5sint（V）,二极管为抱负二极管,试画出u 的波形并标出其幅值；3电路如下图所示,已知u i5sint （ V）,二极管导通电压uD0 .7V,试画出u 的波形,并标出幅值；名师归纳总结 - - - - - - -第 1

33、1 页,共 30 页精选学习资料 - - - - - - - - - 4电路如下图所示,稳压管的稳固电压uZ3V,R 的取值合适,Iu 的波形如右图所示；试画出u 的波形；5某放大电路.A v的对数幅频特性图如下图所示,就该电路的上限截止频率为8 10 HZ,下限截止频率为2 10 HZ；通带增益为80 dB；VGS= -5 V；饱6已知某 N沟道耗尽型 MOS场效应管的转移特性和输出特性如下图所示,由图可知夹断电压和漏极电流IDSS= 2 mA；IBQ20A（1）在图中标出 Q 点位置；（2）由 Q 点读出ICQ= 1 mA ；7某放大电路的直流负载线如下列图, 已知名师归纳总结 V CEQ

34、 3 V；第 12 页,共 30 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - iCmA 2.550A2.01.0 2.03.0iB40A1.530A1.020A0.510A04.0 5.06.0v CEV五、运算题其次章1. 电路如下图所示,试写出电路输出电压与输入电压的运算关系；由运放的“ 虚断” 特性有：vPiRv iiR f在运放的同向输入端由虚短” 特性有：v iv ovnRR f再由“ 虚短” 特性有：vnv pv iv o1R fv iR2. 电路如下图所示,假设运放是抱负的,试求：（1）集成运放 A 1、A 2、A 3 是否为线性应用？ A 1、

35、A 2、A3 分别组成何名师归纳总结 种运算电路？（ 2）分别列出V 、V 、Vo1、Vo2的电压方程；（3）求电路输出电压与输入电压的运算关系；（ 2）第 13 页,共 30 页、 1 是线性运用； A 1、A 2为电压跟随器, A 3构成求差电路2 v o1v ARRRv i1v i,2v o2vBRRv i21viR13 v oR 2vo2v 01R 222v iR 1R 13. 电路如下图所示,假设运放是抱负的,试写出电路输出电压与输入电压的运算关系；（10 分）在集成运放的反相输入端,利用抱负运放的虚断特性in0, 有iR 1iR 2即v iv nu nv M（ 1）R 1R 2在集

36、成运放的同相输入端,利用抱负运放的虚短特性有：vnv p0在 M 点,有i2i4i3, 即0v M0vMvMR 3v o（ 3）R 2R 4联立（ 1）（2）（3）式有v oR 2R 3R R 3/R 4v i104 v iR 14. 电路如下图所示,假设运放是抱负的,试求电路的输出电压与输入电压的运算关系；- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 在集成运放的反相输入端, 利用抱负运放的虚断特性in0,有iR 1iRf即v i1R 1v nvnR fv o（ 1）2在集成运放的同相输入端,利用抱负运放的虚断特性ip0, 有v i2R 1v Pv P（ 2）R

37、 f再利用抱负运放的虚短特性有：vnv p（ 3）联立（ 1）（2）（3）式得vOR fv i2vi18 v i2v i1R 15. 电路如下图所示,假设运放是抱负的,电容的初始电压v c00；（1）集成运放A 、A 是否为线性应用？A 、A分别组成什么运算电路？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系；（1）集成运放A 、A 是线性应用, 运 放A 组成差分式运算电路,A 组成积分电路；（2）vO1R 2R 3R 31R fv i2R fv i1R 1R 1集 成 运 放A 组 成 积 分 电 路 ：v O1v o1v i3d tCRR 4v O1R 1R fR 2R 3R 3v i2R f

38、vi1v i3dtRR 1CRR 1R 46. 电路如下图所示,假设运放是抱负的,试求：的运算关系；（1）集成运放 A 是否为线性应用？（ 2）求电路输出电压与输入电压（1）集成运放 A 是线性应用；（2）在集成运放的反相输入端,利用抱负运放的虚断特性in0,有iR 1iR 2iRf即vi1R 1v nvi2R 2vnvnR fvo（ 1）在集成运放的同相输入端,利用抱负运放的虚断特性ip0, 有v pv i3再利用抱负运放的虚短特性有：vnvpv i3（ 2）将（ 2）式代入（ 1）式得名师归纳总结 v OR fv i1R fv i2R fv i3R fv i3v i32 v i12 v i25 v i3第 14 页,共 30 页R 1R 2R 1R 2- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 7. 电路如下图所示,其中R 1R240,R f80,R 3R 420,假设运放是抱负的,试写出电路输出电压与输入电压的运算关系；有vP1R 3R 4R 4v i3（ 2）vn