2022年模电各章重点内容及总复习.docx
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1、精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载模电第一章重点把握内容:一、概念1、 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质;2、 半导体神奇特性:热敏性、光敏性、掺杂性;3、 本征半导体:完全纯洁的、结构完整的、晶格状的半导体;4、 本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电;它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子;5、 P 型半导体:在纯洁半导体中掺入三价杂质元素,便形成 空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子;6、 N 型半导体:在纯洁半导体中掺入五价杂质元素,便形成 电子为多子、而空穴为少子;P 型半导体,使导电
2、才能大大加强,此类半导体,N 型半导体,使导电才能大大加强,此类半导体,7、 PN 结具有单向导电性:P 接正、 N 接负时(称正偏) ,PN 结正向导通, P 接负、 N 接正时(称反偏) ,PN结反向截止;所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的;8、 二极管按材料分有硅管 Si管和锗管 Ge管,按功能分有一般管,开关管、整流管、稳压管等;9、 二极管由一个 PN 结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流;其死区电压:Si 管约 0;5V ,Ge管约为 0; 1 V ,其死区电压: Si 管约 0.5
3、V,Ge 管约为 0.1 V ;其导通压降: Si 管约 0.7V,Ge 管约为 0.2 V ;这两组数也是判材料的依据;10、稳压管是工作在反向击穿状态的:加正向电压时,相当正向导通的二极管;(压降为 0.7V,)加反向电压时截止,相当断开;加反向电压并击穿(即满意U UZ)时便稳压为UZ ;11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等;二、应用举例: (判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0 ;三极管复习完其次章再判)参考答案: a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通;是硅管;b 、二极管反偏截止;f 、因 V 的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通
4、, (将二极管短路) 使输出电压为 U 0=3V ;G、因 V1 正向电压为 10V ,V2 正向电压 13V ,使 V2 先导通,(将 V2 短路)使输出电压 U 0=3V ,而使 V1 反偏截止; h 、同理,因 V1正向电压 10V 、V2 正向电压为 7V ,所以 V1 先导通(将 V1 短路),输出电压 U0=0V ,使 V2 反偏截止;(当输入同时为 0V 或同时为 3V,输出为多少,请同学自行分析;)三、书 P31 习题: 1-3、1-4、 1-6、1-8、1-13、1-161、名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 9 页精选学习资料 - - - - - - -
5、 - - 学习必备 欢迎下载模电其次章重点把握内容:一、概念1、 三极管由两个PN 结组成;从结构看有三个区、两个结、三个极;(参考 P40)三个区:发射区掺杂浓度很高,其作用是向基区发射电子;基区掺杂浓度很低,其作用是掌握发射区发射的电子;集电区掺杂浓度较高,但面积最大,其作用是收集发射区发射的电子;两个结:集电区基区形成的 PN 结;叫集电结; (JC)基区发射区形成的 PN 结;叫发射结; (Je)三个极:从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极 E 和集电极 C(或用 a、 b、c)对应的三个电流分别称基极电流IB、发射极电流IE、集电极电流IC ;并有: IE =I B+ I C2
6、、 三极管也有硅管和锗管,型号有 效来分析; NPN 型和 PNP 型; 参考图 A;留意电路符号的区分;可用二极管等3、 三极管的输入电压电流用 U BE 、IB表示,输出电压电流用 UCE 、I C表示;即基极发射极间的电压为输入电压 U BE,集电极发射间的电压为输出电压 U CE;(参考图 B)三极管具有电流电压放大作用 .其电流放大倍数 =I C / IB 或 IC= IB和开关作用 . 4、三极管的输入特性(指输入电压电流的关系特性)与二极管正向特性很相像,也有:死区电压:硅管约为 0.5V, 锗管约为 0.1V ;导通压降:硅管约为 0.7V , 锗管约为 0.2V ;(这两组数
7、也是判材料的依据)5、三极管的输出特性 指输出电压 U CE与输出电流 IC 的关系特性 有三个区 : 饱和区 : 特点是 UCE 0.3V,无放大作用 ,C-E 间相当闭合 .其偏置条件 JC, Je 都正偏 . 截止区 : 特点是 UBE 0, I B=0, I C=0,无放大 . C-E 间相当断开 .其偏置条件 JC, Je都反偏 . 放大区 : 特点是 UBE大于死区电压 , UCE 1V, IC= I B. 其偏置条件Je正偏 JC反偏 .所以三极管有三种工作状态 ,即饱和状态 ,截止状态和放大状态 ,作放大用时应工作在放大状态 ,作开关用时应工作在截止和饱和状态 . 6、当输入信
8、号 Ii 很柔弱时 ,三极管可用 H 参数模型代替 也叫微变电路等效电路 参考图 B 7、对放大电路的分析有估算法和图解法估算法是:先画出直流通路(方法是将电容开路,信号源短路,剩下的部分就是直流通路),求静态工作点 IBQ、ICQ、UCEQ ;画沟通通路,H 参数小信号等效电路求电压放大倍数 A U输入输出电阻 RI 和 R0 ;(参考 P58图 2.2.5)图解法:是在输入回路求出 IB后,在输入特性作直线,得到工作点 Q,读出相应的 IBQ、UBEQ而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线,得到工作点 Q,读出相应的 ICQ、 UCEQ 加入待放大信号 ui 从输入输出特性曲线可观看输入输
9、出波形,;如工作点 Q 点设得合适,(在放大区)就波形就不会发生失真;(参考 P52 图 2.2.2)8、失真有三种情形 : 截止失真:缘由是 I B、IC 太小, Q 点过低,使输出波形后半周(正半周)失真;排除方法是调小RB,以增大 I B、IC,使 Q 点上移;饱和失真:缘由是 I B、IC 太大, Q 点过高,使输出波形前半周(负半周)失真;排除方法是调大RB,以减小 I B、IC,使 Q 点下移;信号源 U S 过大而引起输出的正负波形都失真,排除方法是调小信号源;2名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页,共 9 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必
10、备 欢迎下载二、应用举例说明:图 A:三极管有 NPN 型和 PNP 型,分析三极管的工作状态时可用二极管电路来等效分析;图 B:三极管从 BE 看进去为输入端,从 CE 看进去输出端;可用小信号等效电路来等效;其三极管的输入电阻用下式运算:IC= IB. rbe =200+1+ 26/ I EQ=200+26/ I BQ图 C 的图 1 因发射结正偏,集电结反偏,所以是放大;图 2 因发射结电压为 3 伏,所以管烧;图 3 因发射结集电结都正偏,所以是饱和;图 4 因发射结正偏,集电结反偏,所以是放大;图 D:a 图为固定偏置电路,b 图为直流通路,c 图为 H 参数小信号等效电路; (其运
11、算在下一章)三、习题: P81 2-1、2-2、2-4abc、2-9 3名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页,共 9 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载模电第三章重点把握内容:一、概念1、 放大电路有共射、 共集、 共基三种基本组态; (固定偏置电路、 分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极,故称共发射极电路) ;共射电路的输出电压 U0 与输入电压 UI 反相,所以又称反相器;共集电路的输出电压 U0 与输入电压 UI 同相,所以又称同相器;2、 差模输入电压 U id=Ui1-Ui2 指两个大小相等,相位相反的输入电压;(是待放大的信号)共
12、模输入电压 U iC= U i1=U i2 指两个大小相等,相位相同的输入电压;(是干扰信号)差模输出电压 U 0d 是指在 Uid 作用下的输出电压;共模输出电压 U 0C是指在 U iC 作用下的输出电压;差模电压放大倍数 Aud= U 0d / /U id是指差模输出与输入电压的比值;共模放大倍数 A uc =U 0C /UiC 是指共模输出与输入电压的比值;(电路完全对称时 A uc =0)共模抑制比 K CRM=A ud /A uc 是指差模共模放大倍数的比值,电路越对称 K CRM 越大,电路的抑制才能越强;3、 差分电路对差模输入信号有放大作用,对共模输入信号有抑制作用,即差分电
13、路的用途:用于直接耦合放大器中抑制零点漂移; (即以达到 U I =0,U0=0 的目的)4、电压放大器的主要指标是电压放大倍数 A U和输入输出电阻 Ri ,R0 ;功率放大器的主要指标要求是(1)输出功率大,且不失真;(2)效率要高,管耗要小,所以功率放大电路通常工作在甲乙类(或乙类)工作状态,同时为减小失真,采纳乙类互补对称电路;为减小交越失真采纳甲乙类互补对称电路;5、 多级放大电路的耦合方式有:直接耦合:既可以放大沟通信号,也可以放大直流信号或缓慢变化的沟通信号;耦合过程无损耗;常用于集成电路;但各级工作点相互牵连,会产生零点漂移;阻容耦合:最大的优点是各级工作点相互独立,但只能放大
14、沟通信号;耦合过程有损耗,不利于集成;变压器耦合:与阻容耦合优缺点同,已少用;二、电路分析;重点把握以下几个电路:1、 固定偏置电路;如图 D-a(共射电路)A )会画直流通路如图 D-b ,求工作点 Q;(即求 IBQ、ICQ、UCEQ )即; IBQ =( UCC U BE)/ RB I CQ = I B. U CEQ = U CC ICQ RCB)会画微变等效电路,如图D-c,求电压放大倍数和输入输出电路:A U、Ri、 RO;即: A U = RL/ rbe ,R i = R B rbe ,R O = R C4名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页,共 9 页精选学习资料
15、- - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载设: RB=470K ,RC=3K , RL= 6K ,UCC=12V ,=80,UBE=0.7V ,试求工作点 Q 和 A U、Ri、 RO2、 分压式偏置电路;如图 E-a(为共射电路)A )会画直流通路如图E-b,求工作点Q;(即求 IBQ、ICQ、UCEQ )即: V B =R B2*U CC/( RB1+RB2)ICQIEQ= (V B UBE) /RE U CEQ = U CC ICQ( RC+RE)B)会画微变等效电路,如图E-c,求电压放大倍数和输入输出电路:A U、 Ri、 RO即 :A U = RL/ rbe ,R i
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