第一章-半导体器件基础优秀PPT.ppt

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1、导体：自然界中很简洁导电的物质称为导体，导体：自然界中很简洁导电的物质称为导体，金属一般都是导体。金属一般都是导体。绝缘体：绝缘体：有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为绝缘体之间，称为半导体半导体，如锗、硅、，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。砷化镓和一些硫化物、氧化物等。1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性1半导体半导体的导电机理不同于其它物质，所以的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如

2、：它具有不同于其它物质的特点。例如：当受外界热和光的作用时，它的导当受外界热和光的作用时，它的导电实力明显变更。电实力明显变更。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电实力明显变更。它的导电实力明显变更。1.1.掺杂性掺杂性2.2.热敏性和光敏性热敏性和光敏性21.1.1 1.1.1 本征半导体本征半导体（纯净和具有晶体结构的半导体）（纯净和具有晶体结构的半导体）一、本征半导体的结构特点一、本征半导体的结构特点GeGeSiSi现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。的最外层电子

3、（价电子）都是四个。3在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成与其相临的原子之间形成共价键共价键，共用一对价，共用一对价电子。电子。硅和锗的晶硅和锗的晶体结构体结构：通过确定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。通过确定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。4硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电

4、子后的原子后的原子5共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电实力很弱。本征半导体的导电实力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。则排列，形成晶体。+4+4+4+46二、本征半导体的导电机理二、本征半导体

5、的导电机理在确定在确定0 0度（度（T=0KT=0K）和没有外界激发时）和没有外界激发时,价电价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电实力为运动的带电粒子（即载流子），它的导电实力为 0 0，相当于绝缘体。，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电自由电子子，同时共价键上留下一个空位，称为，同时共价键上留下一个空位，称为空穴空穴。1.1.载流子、自由电子和空穴载流子、自由电子和空穴7+4+

6、4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子82.2.本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理+4+4+4+4+4+4+4+4在其它力的作用下，在其它力的作用下，空穴吸引旁边的电子空穴吸引旁边的电子来填补，这样的结果来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流可以认为空穴是载流子。子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子自由电子和和空穴空穴。9温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电实力越强，

7、温度是影响半导体性导体的导电实力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。大特点。本征半导体的导电实力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电实力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成：1.1.自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。2.2.空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。（在本征半导体中（在本征半导体中 自由电子和空穴成对出现，自由电子和空穴成对出现，同时又不断的复合）同时又不断的复合）101.1.2 1.1.2 杂质半导体杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会在本

8、征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变更。其缘由是掺使半导体的导电性能发生显著变更。其缘由是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P P 型半导体：型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。称为（空穴半导体）。N N 型半导体：型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。也称为（电子半导体）。11一、一、N N 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷，在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷，晶体中的某些半导体原子被杂质取代，

9、磷原晶体中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很简洁被激发子，这个电子几乎不受束缚，很简洁被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。动的带正电的离子。12+4+4+4+4+5+5+4+4多余多余电子电子磷原子磷原子N N 型半导体中型半导体中的载流子是什的载流子是什么？么？1.1.由磷原子供应的电子，浓度与磷原子相同。由磷原子供应的电子，浓度与磷原子相同。2.2.本

10、征半导体中成对产生的电子和空穴。本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流多数载流子子（多子多子），空穴称为），空穴称为少数载流子少数载流子（少子少子）。）。13二、二、P P 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的取代，硼原子的最外层有三个价电子，与

11、相邻的半导体原子形成共价键时，半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。的带负电的离子。+4+4+4+4+3+3+4+4空穴空穴硼原子硼原子P P 型半导体中空穴是多子，电子是少子型半导体中空穴是多子，电子是少子。14三、杂质半导体的符号三、杂质半导体的符号P P 型半导体型半导体+N N 型半导体型半导体1516总总 结结2.N2.N型半导体中电子是多子，其中大部分是掺杂供应型半导体中电子是多子，其中大部分是掺杂供应的电子，的电子，N N型半导体中空穴是少子，

12、少子的迁移也型半导体中空穴是少子，少子的迁移也能形成电流，由于数量的关系，起导电作用的主能形成电流，由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。3.P3.P型半导体中空穴是多子，电子是少子型半导体中空穴是多子，电子是少子。1.1.本征半导体中受激产生的电子很少。本征半导体中受激产生的电子很少。171.2.1 PN 1.2.1 PN 结的形成结的形成在同一片半导体基片上，分别制造在同一片半导体基片上，分别制造P P 型半导型半导体和体和N N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了交界

13、面处就形成了PN PN 结。结。1.2 PN结结18P P 型半导体型半导体N N 型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E E漂移运动漂移运动扩散的结果是使空间电扩散的结果是使空间电荷区渐渐加宽。荷区渐渐加宽。内电场越强，漂移运动内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电越强，而漂移使空间电荷区变薄。荷区变薄。空间电荷区，空间电荷区，也称耗尽层。也称耗尽层。19漂移运动漂移运动P P型半导体型半导体N N 型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的

14、厚相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。度固定不变。20+空间空间电荷电荷区区N型区型区P型区型区电位电位VV021221.1.空间电荷区中没有载流子。空间电荷区中没有载流子。2.2.空间电荷区中内电场阻碍空间电荷区中内电场阻碍P P区区中的空穴中的空穴.N N区区 中的电子（中的电子（都是多子都是多子）向对方运动（）向对方运动（扩散扩散运动运动）。）。3.3.P P 区中的电子和区中的电子和 N N区中的空穴（区中的空穴（都是少都是少），），数量有限，因此由它们形成的电流很小。数量有限，因此由它们形成的电流很小。小结小结23(1)加正向电压（正偏）加正向电压（正偏）电源正极

15、接电源正极接P区，负极接区，负极接N区区 外电场的方向与内电场方向相反。外电场的方向与内电场方向相反。外电场减弱内电场外电场减弱内电场耗尽层变窄耗尽层变窄 扩散运动漂移运动扩散运动漂移运动多子多子扩散形成正向电流扩散形成正向电流I I F F正向电流正向电流 1.2.2 1.2.2 PNPN结的单向导电性结的单向导电性24(2)(2)加反向电压加反向电压电源正极接电源正极接N N区，负极接区，负极接P P区区 外电场的方向与内电场方向相同。外电场的方向与内电场方向相同。外电场加强内电场外电场加强内电场耗尽层变宽耗尽层变宽 漂移运动扩散运动漂移运动扩散运动少子漂移形成反向电流少子漂移形成反向电流

16、I I R RP PN N 在确定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是确定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。25 PNPN结加正向电压时，具有较大的正结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，向扩散电流，呈现低电阻，PNPN结导通；结导通；PNPN结加反向电压时，具有很小的反结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，向漂移电流，呈现高电阻，PNPN结截止。结截止。由此可以得出结论：由此可以得出结论：PNPN结具有单向结具有单向导电性。导电性。261.3 半导体二极管半导体二极管基本结构基本结构PN PN 结加上管壳和引线，就成为半

17、导体二极管。结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。引线引线外壳线外壳线触丝线触丝线基片基片点接触型点接触型PN结结面接触型面接触型PN二极管的电路符号：二极管的电路符号：阳极阳极+阴极阴极-27半导体二极管图片281.3.2 1.3.2 伏安特性伏安特性UI死区电压死区电压 硅管硅管0.5V,锗管锗管0.1V。导通压降导通压降:硅硅管管0.60.7V,锗锗管管0.20.3V。反向击穿反向击穿电压电压UBR291.3.3 1.3.3 主要参数主要参数1.1.最大整流电流最大整流电流 I IOMOM二极管长期运用时，允许流过二极管的最大二极管长期运用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。正向平均电

18、流。3.3.反向击穿电压反向击穿电压U UBRBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压坏。手册上给出的最高反向工作电压U UWRMWRM一般是一般是U UBRBR的一半。的一半。2.2.反向工作峰值电压反向工作峰值电压U UBWMBWM保证二极管不被击穿时的反向峰值电压。保证二极管不被击穿时的反向峰值电压。304.4.反向电流反向电流 I IR R指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电

19、流大，说明管子的单向导电性差，因反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。几百倍。315.微变电阻微变电阻 rDiDuDIDUDQ iD uDrD 是二极管特性曲线上工是二极管特性曲线上工作点作点Q 旁边电压的变更与旁边电压的变更与电流的变更之比：电流的变更之比：明显，明显，rD是对是对Q旁边的微小旁边的微小变更区域内的电阻。变更区域内的电阻。326.二极管的极间电

20、容二极管的极间电容（结电容）（结电容）二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容势垒电容CB和和扩散电容扩散电容CD。势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变更时，势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变更时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变更，这样所表现出就会引起积累在势垒区的空间电荷的变更，这样所表现出的电容是势垒电容。的电容是势垒电容。当外加电压发生变更时，耗尽层的宽度要相应当外加电压发生变更时，耗尽层的宽度要相应地随之变更，即地随之变更，即PNPN结中存储的电荷量要随之变结中存储的电荷量要随之变更，就像电容充放电一样。

21、更，就像电容充放电一样。33 当外加正向电压不当外加正向电压不同时，同时，PNPN结两侧积累结两侧积累的少子的数量及浓度的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。当电容的充放电过程。电容效应在沟通信号作用下才会明显表现出来电容效应在沟通信号作用下才会明显表现出来扩散电容：扩散电容：为了形成正向为了形成正向电流（扩散电流），注入电流（扩散电流），注入P P 区的少子（电子）在区的少子（电子）在P P 区区有浓度差，越靠近有浓度差，越靠近PNPN结浓结浓度越大，即在度越大，即在P P 区有电子区有电子的积累。同理，在的积累。同理，在N N区有空区有空穴的积累。正向电

22、流大，穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。积累的电荷多。这样所产这样所产生的电容就是扩散电容生的电容就是扩散电容.34CB在正向和反向偏置时均不能忽视。而反向偏置在正向和反向偏置时均不能忽视。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽视。时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽视。PN结高频小信号时的等效电路：结高频小信号时的等效电路：势垒电容和扩散电势垒电容和扩散电容的综合效应容的综合效应rd35二极管：死区电压二极管：死区电压=0.5V=0.5V，正向压降，正向压降 0.7V(0.7V(硅二极管硅二极管)志向二极管：死区电压志向二极管：死区电压=0=0，正向压降，正向压降=0 =0 RLu

23、iuouiuott二极管的应用举例二极管的应用举例1 1：二极管半波整流二极管半波整流二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、爱护等等。要应用于整流、限幅、爱护等等。36二极管的应用举例二极管的应用举例2 2：tttuiuRuoRRLuiuRuo371.4 稳压二极管稳压二极管UIIZIZmax UZ IZ稳压稳压误差误差曲线越陡，曲线越陡，电压越稳电压越稳定。定。+-UZ动态电阻：动态电阻：r rz z越小，稳越小，稳压性能越压性能越好。好。38（4 4）稳定电流）稳定电流I IZ Z、最大、最小稳定电流最大、最小稳定电流I Izm

24、axzmax、I Izminzmin。（5 5）最大允许功耗）最大允许功耗稳压二极管的参数稳压二极管的参数:（1 1）稳定电压）稳定电压 U UZ Z（2 2）电压温度系数）电压温度系数 U U（%/%/）稳压值受温度变化影响的的系数。稳压值受温度变化影响的的系数。（3 3）动态电阻）动态电阻39在电路中稳压管只有与适当的在电路中稳压管只有与适当的电阻连接才能起到稳压作用。电阻连接才能起到稳压作用。UIIZIZmax UZ IZUZ40稳压二极管的应用举例稳压二极管的应用举例uoiZDZRiLiuiRL稳压管的技术参数稳压管的技术参数:解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电解：令输入电压达到

25、上限时，流过稳压管的电流为流为I Iz zmax max 方程方程1 1要求当输入电压由正常值发生要求当输入电压由正常值发生 20%20%波动时，负载电压波动时，负载电压基本不变。基本不变。求：求：电阻电阻R R和输入电压和输入电压 u ui i 的正常值。的正常值。41令输入电压降到下限时，令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为流过稳压管的电流为I Iz zmin min。方程方程2 2u uo oi iZ ZD DZ ZR Ri iL Li iu ui iR RL L联立方程联立方程1 1、2 2，可解得：，可解得：42光电二极管光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强

26、度的增加而上升。IU照度增加照度增加43发光二极管发光二极管有正向电流流过有正向电流流过时，发出确定波长范时，发出确定波长范围的光，目前的发光围的光，目前的发光管可以发出从红外到管可以发出从红外到可见波段的光，它的可见波段的光，它的电特性与一般二极管电特性与一般二极管类似。类似。44 基本结构基本结构BECNNP基极基极放射极放射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型 1.5 半导体三极管半导体三极管45BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区：较薄，基区：较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：集电区：面积较大面积较大放射区：掺放射区：掺杂浓度较高杂

27、浓度较高46BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极放射结放射结集电结集电结47BECIBIEICNPN型三极管型三极管BECIBIEICPNP型三极管型三极管符号符号48半导体三极管半导体三极管频率：频率：频率：频率：高频管、低频管功率：功率：功率：功率：材料：材料：材料：材料：小、中、大功率管硅管、锗管类型：类型：类型：类型：NPN型、PNP型半导体三极管是具有电流放大功能的元件49ICmA AVVUCEUBERBIBECEB 一一.一个试验一个试验1.5.2 1.5.2 电流安排和放大原理电流安排和放大原理50结论结论:1.IE=IC+IB3.IB=0,IC=ICEO4.4.要使晶体

28、管放大要使晶体管放大,放射结必需正偏放射结必需正偏,集电结必需集电结必需反偏。反偏。51二二.电流放大原理电流放大原理BECNNPEBRBECIE基区空穴基区空穴向发射区向发射区的扩散可的扩散可忽略。忽略。IBE进入进入P区的电子区的电子少部分与基区的少部分与基区的空穴复合，形成空穴复合，形成电流电流IBE ，多数，多数扩散到集电结。扩散到集电结。放射结正放射结正偏，放射偏，放射区电子不区电子不断向基区断向基区扩散，形扩散，形成放射极成放射极电流电流IE。52BECNNPEBRBECIE集电结反偏，有集电结反偏，有少子形成的反向少子形成的反向电流电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO I

29、CEIBEICE从基区扩散从基区扩散来的电子作来的电子作为集电结的为集电结的少子，漂移少子，漂移进入集电结进入集电结而被收集，而被收集，形成形成ICE。53IB=IBE-ICBO IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBE54ICE与与IBE之比称为电流放大倍数之比称为电流放大倍数5556一一.输入特性输入特性UCE 1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：工作压降：硅管硅管UBE 0.60.7V,锗管锗管UBE 0.20.3V。UCE=0VUCE=0.5V 死区电死区电压，硅管压，硅管0.5V，锗，锗管管0.1V。特性曲线

30、特性曲线57二、二、输出特性输出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域满此区域满足足IC=IB称为线性称为线性区（放大区（放大区）。区）。当当UCE大于确大于确定的数值时，定的数值时，IC只与只与IB有关，有关，IC=IB。58IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中UCE UBE,集电结正偏，集电结正偏，IBIC，UCE 0.3V称为饱和区。称为饱和区。59IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中

31、此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBEICIBIC，UCEUCE 0.3V 0.3V(3)(3)截止区：截止区：U UBEBE VbVe放大放大VcVb0时时UGS足够大时足够大时（UGSVT）将）将P区少子电子聚区少子电子聚集到集到P区表面，区表面，形成导电沟道，形成导电沟道，假如此时加有漏假如此时加有漏源电压，就可以源电压，就可以形成漏极电流形成漏极电流id。感应出电子感应出电子VT称为阈值电压称为阈值电压112UGS较小时，导较小时，导电沟道相当于电电沟道相当于电阻将阻将D-S连接起连接起来，来，UGS越大此越大此电阻越小。电阻越小。PNNGSDUDSUGS113UTiD=f(uGS

32、)uDS=常数常数三、增加型三、增加型N N沟道沟道MOSMOS管的特性曲线管的特性曲线输出特性曲线输出特性曲线转移特性曲线转移特性曲线114 一个重要参数一个重要参数跨导跨导gm gm=iD/uGS uDS=const gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的限制作的大小反映了栅源电压对漏极电流的限制作用。用。在转移特性曲线上，在转移特性曲线上，gm为的曲线的斜率。为的曲线的斜率。在输出特性曲线上也可求出在输出特性曲线上也可求出gm。115N N沟道增加型沟道增加型MOSMOS管的基本特性管的基本特性uGS uGS UT UT，管子截止，管子截止uGS uGS UTUT，管子导通，管子导通uGS

33、 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDSuDS作用下，漏极电流作用下，漏极电流IDID越大越大116四、耗尽型四、耗尽型N沟道沟道MOS管的特性曲线管的特性曲线耗尽型的耗尽型的MOS管管UGS=0时就有导电沟道，加反向时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。电压才能夹断。转移特性曲线转移特性曲线0IDUGSVT117输出特性曲线输出特性曲线IDU DS0UGS=0UGS0118 N N沟道沟道耗尽型耗尽型MOSMOS管的特点管的特点当当u uGSGS=0=0时，就有沟道，加入时，就有沟道，加入u uDSDS，就有，就有i iD D。当当u uGSGS0 0时，沟道增宽，时，沟道增宽，i iD D进一步增加。进一步增加。当当u uGSGS0 0时，沟道变窄，时，沟道变窄，i iD D减小。减小。119