三极管共射放大特性.ppt
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1、三极管共射放大特性三极管共射放大特性 1、输入特性曲线 输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下,基极电流iB和发射结压降uBE之间的函数关系,即 三极管的输入特性曲线如下图所示。由图可见NPN型三极管共射极输入持性曲线的特点是:UBE虽己大于零,但iB几乎仍为零,只有当uBE的值大于开启电压后,iB的值与二极管一样随uBE的增加按指数规律增大。硅晶体管的开启电压约为0.5V,发射结导通电压Von约为0.60.7V;锗晶体管的开启电压约为0.1V,发射结导通电压约为0.20.3V。的情况。CE=0V,UCE=0.5V和UCE=1V 当UCE=0V时,相当于集电极和发射极短路,即集
2、电结和发射结并联,输入特性曲线和PN结的正向特性曲线相类似。当UCE=1V,集电结已处在反向偏置,管子工作在放大区,集电极收集基区扩散过来的电子,使在相同uBE值的情况下,流向基极的电流iB减小,输入特性随着UCE的增大而右移。当UCE1V以后,输入特性几乎与UCE=1V时的特性曲线重合,这是因为VcclV后,集电极已将发射区发射过来的电子几乎全部收集走,对基区电子与空穴的复合影响不大,iB的改变也不明显。UCE必须大于l伏,所以,只要给出UCE=1V时的输入特性就可以了。2 2、输出特性曲线、输出特性曲线 输出特性曲线是描述三极管在输入电流iB保持不变的前提下,集电极电流iC和管压降uCE之
3、间的函数关系,即 三极管的输出特性曲线如下图所示。由图可见,当IB改变时,iC和uCE的关系是一组平行的曲线族,并有截止、放大、饱和三个工作区。(1)截止区 IB=0特性曲线以下的区域称为截止区。此时晶体管的集电结处于反偏,发射结电压uBE0,也是处于反偏的状态。由于iB0,在反向饱和电流可忽略的前提下,iC=iB也等于0,晶体管无电流的放大作用。处在截止状态下的三极管,发射结和集电结都是反偏,在电路中犹如一个断开的开关。实际的情况是:处在截止状态下的三极管集电极有很小的电流ICE0,该电流称为三极管的穿透电流,它是在基极开路时测得的集电极-发射极间的电流,不受iB的控制,但受温度的影响。截止
4、区:e 结,c 结均为反偏,BJT无放大作用。这时IB0;IC0;UCE=UCCICRCUCC,三极管c-e间承受的电压较高,而管子中流过的电流却很少,也即c-e 间的阻抗很大,如同开关的断开。(2)饱和区 在如图的三极管放大电路中,集电极接有电阻RC,如果电源电压VCC一定,当集电极电流iC增大时,uCE=VCC-iCRC将下降,对于硅管,当uCE 降低到小于0.7V时,集电结也进入正向偏置的状态,集电极吸引电子的能力将下降,此时iB再增大,iC几乎就不再增大了,三极管失去了电流放大作用,处于这种状态下工作的三极管称为饱和。规定UCEUBE时的状态为临界饱和态,如上图中的虚线为临界饱和线,在
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