三极管及其放大电路只是课件.ppt
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1、第2章 半导体三极管及其基本放大电路三极管及其放大电路第2章 半导体三极管及其基本放大电路半导体三极管,也叫半导体三极管,也叫晶体三极管晶体三极管。由于工作。由于工作时,多数载流子和少数载流子都参与运行,时,多数载流子和少数载流子都参与运行,因此,还被称为因此,还被称为双极结型晶体管双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,简称简称BJT)。)。BJT是由两个是由两个PN结组成的。结组成的。2.1 2.1 半导体三极管半导体三极管第2章 半导体三极管及其基本放大电路【分类分类】按频率分按频率分高频管高频管低频管低频管 按功率分按功率分大功率管大功率管中功率管中功率
2、管小功率管小功率管 按半导按半导 体材料分体材料分硅管硅管锗管锗管 按结构按结构 不同分不同分NPN型型PNP型型第2章 半导体三极管及其基本放大电路(a)小功率管小功率管 (b)小功率管小功率管 (c)大功率管大功率管 (d)中功率管中功率管2.1.1 BJT的结构与符号图形符号图形符号第2章 半导体三极管及其基本放大电路发射结发射结(Je)基极基极,用B或b表示(Base)集电结集电结(Jc)发射极发射极,用E或e表示(Emitter);集电极集电极,用C或c表示(Collector)。发射区发射区集电区集电区基区基区三极管符号三极管符号箭头代表发射极电流的实际方向箭头代表发射极电流的实际
3、方向第2章 半导体三极管及其基本放大电路结构制作要求:发射区:高杂质掺杂浓度;发射区:高杂质掺杂浓度;(芝麻芝麻)基区:很薄(通常为几微米几十微米),低基区:很薄(通常为几微米几十微米),低掺杂浓度;掺杂浓度;(薄牛肉薄牛肉)集电区:集电区:掺杂浓度要比发掺杂浓度要比发射区低;射区低;面积比发射区大;面积比发射区大;bNNPec第2章 半导体三极管及其基本放大电路bNNPec为实现放大,必须满足三极管的内部结构和外部为实现放大,必须满足三极管的内部结构和外部条件两方面的要求。条件两方面的要求。从外部条件来看:发射结正向偏置发射结正向偏置UBE0UBE0集电结反向偏置集电结反向偏置UBC0UBC
4、VBB保证保证VCB=VCE-VBE 0发射结正偏:发射结正偏:第2章 半导体三极管及其基本放大电路2.2.三极管电流分配关系:三极管电流分配关系:VCCJeJcecbNNPVBBRbRc例:共发射极接法例:共发射极接法IENIEP(1 1)发射区向基区注入)发射区向基区注入电子,从而形成发电子,从而形成发射极电流射极电流I IE E。IE=IEN+IEPIEN第2章 半导体三极管及其基本放大电路(1 1)发射区向基区注入电子,从)发射区向基区注入电子,从而形成发射极电流而形成发射极电流I IE E。VCCJeJcecbNNPVBBRbRc例:共发射极接法例:共发射极接法IE(2 2)在基区中
5、)在基区中电子继续向集电电子继续向集电结扩散;结扩散;少数电子与基区少数电子与基区空穴相复合,形成空穴相复合,形成I IB B电流。电流。IB复合IBEIBE第2章 半导体三极管及其基本放大电路(1 1)发射区向基区注入电子,从)发射区向基区注入电子,从而形成发射极电流而形成发射极电流I IE E。VCCJeJcecbNNPVBBRbRc例:共发射极接法例:共发射极接法IE(2 2)在基区中)在基区中电子继续向集电结扩散;电子继续向集电结扩散;少数电子与基区空穴相复少数电子与基区空穴相复合,形成合,形成I IB B电流。电流。IB(3 3)集电区收集大部)集电区收集大部分的电子,形成分的电子,
6、形成I IC C电流。电流。ICICNICNIBE第2章 半导体三极管及其基本放大电路VCCJeJcecbNNPVBBRbRc例:共发射极接法例:共发射极接法IEIBICICBOICIBIE可简化为将三极管看成一个广义的节点(如下图),有:将三极管看成一个广义的节点(如下图),有:第2章 半导体三极管及其基本放大电路ICIBIE将三极管看成一个广义的节点(如下图),有:将三极管看成一个广义的节点(如下图),有:IE=IC+IB故集电极与基极电流的关系为:故集电极与基极电流的关系为:共射电流放大倍数共射电流放大倍数共基极电流放大系数共基极电流放大系数第2章 半导体三极管及其基本放大电路ICIBI
7、EIE=IC+IBICIEIB=IE-IC=IE-IE=(1-)IE故集电极与基极电流的关系为:故集电极与基极电流的关系为:=共射电流放大倍数共射电流放大倍数共基极电流放大系数共基极电流放大系数第2章 半导体三极管及其基本放大电路2.1.3 .BJT的特性曲线BJT的特性曲线是指的特性曲线是指各电极电压与电流之间各电极电压与电流之间的关系曲线,它是的关系曲线,它是BJT内部载流子运动的外部内部载流子运动的外部表现。表现。工程上最常用的是工程上最常用的是BJT的的输入特性输入特性和和输出特输出特性性曲线。曲线。第2章 半导体三极管及其基本放大电路RL+-vObcevIiB=IB+iBiC=IC+
8、iCiE=IE+iEvBE+-+-vCE以共射放大电路为例:输输入入回回路路输输出出回回路路输入特性:输入特性:输出特性:输出特性:第2章 半导体三极管及其基本放大电路BJTBJT共射接法的输入特性曲线共射接法的输入特性曲线分三部分:分三部分:死区死区 非线性区非线性区 线性区线性区iB/AvBE/VvCE=1VvCE 1VvCE=0V记住:当vCE1时,各条特性曲线基本重合。当vCE增大时特性曲线相应的右移。251.输入特性曲线第2章 半导体三极管及其基本放大电路2.输出特性曲线它是以它是以iB为参变量的一族特性曲线。为参变量的一族特性曲线。vCE/ViC/mA25BJTBJT共射接法的输出
9、特性曲线共射接法的输出特性曲线=20A=40A=60A=80A第2章 半导体三极管及其基本放大电路vCE /ViC/mA25=20A=40A=60A=80A输出特性曲线可以划分为三个区域:饱和区iC受受vCE控制的区域,该区域内控制的区域,该区域内vCE的的数值较小。此时数值较小。此时Je正偏,正偏,Jc正偏正偏第2章 半导体三极管及其基本放大电路vCE /ViC/mA25=20A=40A=60A=80A饱和区iC受受vCE显著控制的区域,该区域内显著控制的区域,该区域内vCE的数值较小。的数值较小。此时此时Je正偏,正偏,Jc正偏正偏。截止区iC接近零的区域,相当接近零的区域,相当iB=0=
10、0的曲线的的曲线的下方。此时下方。此时J Je e反偏,反偏,J Jc c反偏反偏。第2章 半导体三极管及其基本放大电路vCE /ViC/mA25=20A=40A=60A=80A饱和区iC受受vCE显著控制的区域,该区域内显著控制的区域,该区域内vCE的数值较小,的数值较小,一般一般vCEVbVe放大放大VcVb0UBE0集电结反向偏置集电结反向偏置UBC0UBCUBE电压放大电压放大(电流放大电流放大)放大原理放大原理放大的本质放大的本质功率(能量)的放大功率(能量)的放大第2章 半导体三极管及其基本放大电路C1、C2称为隔直电容或称为隔直电容或 耦合电容耦合电容,该电路又称为该电路又称为阻
11、容耦合放阻容耦合放大电路大电路。2.3.2 共射基本放大电路实际电路第2章 半导体三极管及其基本放大电路基本共射放大电路的简化基本共射放大电路的简化第2章 半导体三极管及其基本放大电路共射放大电路改进电路vivo交直交直交需要使RbRc(一般为几十倍)改成唯一的直流电源第2章 半导体三极管及其基本放大电路三极管三极管 T 起放大作用。起放大作用。偏置电路偏置电路VCC、Rb提供电源,并使三极管工作在线性区。耦合电容耦合电容C1、C2输入耦合电容C1保证信号加到发射结,不影响发射结偏置。输出耦合电容C2保证信号输送到负载,不影响集电结偏置。负载电阻负载电阻RC、RL将变化的集电极电流转换为电压输
12、出。阻容耦合共射放大电路第2章 半导体三极管及其基本放大电路 放大原理 输入信号通过耦合电容加在三极管输入信号通过耦合电容加在三极管的发射结于是有下列过程:的发射结于是有下列过程:三极管放大作用 变化的 通过 转变为变化的输出第2章 半导体三极管及其基本放大电路首先交代各物理量表示方法及其含义:首先交代各物理量表示方法及其含义:VBE,VCE,VI,VO IB,IC,IE,II vi,vo,vbe,ib,ic,ie,ii表示“直流量”:大写字母大写下标表示“交流量”的瞬时值:小写字母小写下标 vBE,vCE,vI,vO iB,iC,iE,iI,iO表示“直流量交流量”:小写字母大写下标2.3.
13、3 放大电路静态分析第2章 半导体三极管及其基本放大电路 Vc,Vb,Ve,Vi Ib,Ic,Ie,Ii表示“交流量的向量形式”:大写字母小写下标头上点表示“交流量”的有效值:大写字母小写下标请详细参阅教材P21表述。第2章 半导体三极管及其基本放大电路 静态和动态 静态静态:时,放大电路的工作状态,时,放大电路的工作状态,也称也称直流工作状态直流工作状态。(Q点点)放大电路建立正确的静态,是保证动态工作的前提。分析放大电路必须要正确地区分静态和动态,正确地区分直流通路和交流通路。动态动态:时,放大电路的工作状时,放大电路的工作状 态,也称态,也称交流工作状态交流工作状态。第2章 半导体三极管
14、及其基本放大电路vivoCb1Cb2断开断开直流通路直流通路 能通过直流的通路。提供Q点固定偏置例.2.2直流通路直流通路IB偏置电阻偏置电流第2章 半导体三极管及其基本放大电路2.3.4 动态分析动态分析讨论的对象:动态分析讨论的对象:交流成分交流成分(即变化的量)(即变化的量)1.放大电路在接入正弦信号时的工作情况设输入电压设输入电压vi=0.02=0.02sint(V)(V)vBE=VBE+vbe iB=IB+ibvCE=VCE+vce iC=IC+ic各分量都在原来静态直流量的基础上叠加了一各分量都在原来静态直流量的基础上叠加了一个交流量,如下:个交流量,如下:第2章 半导体三极管及其
15、基本放大电路 共射极放大电路中的电压、共射极放大电路中的电压、电流波形电流波形uCE=VCC-iC RCuBE=UBE+ui uo=uCE-UCE反相反相第2章 半导体三极管及其基本放大电路vivoCb1Cb2vivo交交流流通通路路ibieic非线性部分线性部分短路短路V=0 直流电源相当于对地短路分析性能指标第2章 半导体三极管及其基本放大电路 在输出特性曲线上,作出直流负载线在输出特性曲线上,作出直流负载线 VCE=VCCiCRc,与,与IBQ曲曲线的交点即为线的交点即为Q点,从而得到点,从而得到VCEQ 和和ICQ。在直流通路中估算在直流通路中估算IBQ。2.3.5 图解分析法为一直线
16、为一直线ic0 0时,时,vCE=VCC M点点vCE0 0时,时,且斜率为且斜率为-1/RCN点点1.确定静态工作点直流负载线静态工作点第2章 半导体三极管及其基本放大电路2.2.确定放大器的放大倍数确定放大器的放大倍数交流负载线交流负载线其斜率为其斜率为-1/RL RL=RLRc,是交流负载电阻。是交流负载电阻。交流负载线与直流负载线交流负载线与直流负载线相交相交Q点。点。交流通路-交流负载线-波形第2章 半导体三极管及其基本放大电路 根据根据vI的波形,在的波形,在BJT的输入特性曲线图上画出的输入特性曲线图上画出vBE、iB 的的波形波形3.3.根据根据vIvI的波形求的波形求iBiB
17、 (不要求不要求)第2章 半导体三极管及其基本放大电路4.根据根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和和vCE 的波形的波形反相反相动态工作范围第2章 半导体三极管及其基本放大电路AiCuCEvo可输出的最大不失真信号合适的静态工作点5.Q5.Q点对波形影响点对波形影响将Q点选在交流负载线AB的中央中央,可以获得最大的不失真输出,即可以得到最大的动态工作范围即:BQ=AQBQibVCESVCEA第2章 半导体三极管及其基本放大电路截止失真的波形截止失真的波形 NPN管顶部削平管顶部削平Q Q点过低点过低信号进入截止区信号进入截止区第2章 半导体三极管及其基
18、本放大电路饱和失真的波形饱和失真的波形NPN底部削平底部削平Q Q点过高点过高信号进入饱和区信号进入饱和区例2.32.152.14第2章 半导体三极管及其基本放大电路思路:思路:将非线性的将非线性的BJT等效等效成一个线性电路成一个线性电路适用范围:适用范围:放大电路的输入放大电路的输入信号是变化量且电压很小时信号是变化量且电压很小时适用适用2.3.6 小信号等效电路分析法第2章 半导体三极管及其基本放大电路BJT双口网络双口网络1.三极管的小信号等效电路rbb第2章 半导体三极管及其基本放大电路(1)利用直流通路求)利用直流通路求Q点点 共射极放大电路共射极放大电路一般硅管一般硅管VBEQ=
19、0.7V,锗管,锗管VBEQ=0.2V,已知已知。2.放大电路的小信号等效电路及其分析vivoCb1Cb2第2章 半导体三极管及其基本放大电路vivoCb1Cb2vivo交交流流通通路路ibieic(1 1)画出放大电路)画出放大电路的交流通路的交流通路(2)画小信号等效电路)画小信号等效电路第2章 半导体三极管及其基本放大电路vbeibicvceibbecvivo交交流流通通路路ibieic(2 2)将交流通路中的三极管用等效电路代替)将交流通路中的三极管用等效电路代替第2章 半导体三极管及其基本放大电路vbeibicvceibbecvivo交交流流通通路路ibieicRb+vi第2章 半导
20、体三极管及其基本放大电路vbeibicvceibbecvivo交交流流通通路路ibieicRb+viRc+voRL第2章 半导体三极管及其基本放大电路则电压增益为则电压增益为(可作为公式)(可作为公式)电压增益电压增益(3)求放大电路动态指标)求放大电路动态指标负号表示输出电压与输入电压反相第2章 半导体三极管及其基本放大电路Ri输入电阻输入电阻第2章 半导体三极管及其基本放大电路所以:所以:根据定义:根据定义:+-0输出电阻输出电阻第2章 半导体三极管及其基本放大电路ibicivivo小结小结例2.4第2章 半导体三极管及其基本放大电路归纳等效电路法的步骤1.先确定Q点(IBQ、ICQ、VC
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