RAMSRAMSDRAMROMEPROMEEPROMFlash等常见存储器概念辨析.doc

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1、RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash等常见存储器概念辨析常见存储器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丧失可 以分为RAM随机存取存储器与ROM只读存储器，其中RAM的访问速度比拟快，但掉电后数据会丧失，而ROM掉电后数据不会丧失。 ROM与RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停顿供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丧失数据，典型的RAM就

2、是计算机的内存。 RAM 又可分为SRAMStatic RAM/静态存储器与DRAMDynamic RAM/动态存储器。SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丧失的。DRAM是利用MOS金属氧化物半导体电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的 给电容充电来维持信息，所以DRAM 的本钱、集成度、功耗等明显优于SRAM。 SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。DRAM保存数据 的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要廉价

3、很多，计算机内存就是DRAM的。 而通常人们所说的SDRAM 是DRAM 的一种，它是同步动态存储器，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据与控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在嵌入式系统中经常使用。 ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM与EPROM可擦除可编程ROM两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修 改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦 出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。 Flash也是一种非易失

4、性存储器掉电不会丧失，它擦写方便，访问速度快，已大大取代了传统的EPROM的地位。由于它具有与ROM一样掉电不会丧失 的特性，因此很多人称其为Flash ROM。FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM与RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程EEPROM的性能，还不会断电丧失数据同时可以快速读 取数据NVRAM的优势，U盘与MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROMEPROM作为它们的存储设备，然而近 年来Flash全面代替了ROMEPROM在嵌入式系统中的地位，用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用U 盘。 目前Flash主要有两种

5、NOR Flash与NADN Flash。NOR Flash的读取与我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了本钱。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进展的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比拟廉价。用户 不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。 一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，

6、而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOCDisk On Chip与我们通常用的“闪盘，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu与Toshiba，而生产NAND FlashROM指的是“只读存储器，即Read-Only Memory。这是一种线路最简单半导体电路，通过掩模工艺， 一次性制造，其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉)，不能进展修改。这玩意一般在大批量生产时才会被用的，优点是本钱低、非常低，但是其风险比拟大，在产品设计时，如果调试不彻底，很容易造成几千片的费片，行内话叫“掩砸了！ PROM指的是“

7、可编程只读存储器既Programmable Red-Only Memory。这样的产品只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(局部的PROM在出厂时数据全为0，那么用户可以将其中的局部单元写入1)， 以实现对其“编程的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝构造，如果我们想改写某些单元，那么可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就到达了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管的PRO

8、M，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管，造成其永久性击穿即可。 EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器，即Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的特点是具有可擦除功能，擦除后即可进展再编程，但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。这一类芯片特别容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。 EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器，即Electrically Erasable Programmable Read-

9、Only Memory。它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。EEPROM不能取代RAM的原应是其工艺复杂， 消耗的门电路过多，且重编程时间比拟长，同时其有效重编程次数也比拟低。 Flash memory指的是“闪存，所谓“闪存，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改良产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)， 而EEPROM那么可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序，便于进展程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的

10、优点，但是将其用来取代RAM就显得不适宜，因为RAM需要能够按字节改写，而Flash ROM做不到。一、闪存简介 Flash-ROM闪存已经成为了目前最成功、流行的一种固态内存，与 EEPROM 相比具有读写速度快，而与 SRAM 相比具有非易失、以及价廉等优势。而基于 NOR 与 NAND 构造的闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 Intel 于 1988 年首先开发出 NOR flash 技术，彻底改变了原先由 EPROM 与 EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年东芝公司发表了 NAND flash 技术后将该技术无偿转让给韩国Samsung公司，强调降低每比特的本钱

11、，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。 但是经过了十多年之后，仍然有相当多的工程师分不清 NOR 与 NAND 闪存，也搞不清楚 NAND 闪存技术相对于 NOR 技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时 NOR 闪存更适合一些。而 NAND 那么是高资料存储密度的理想解决方案。 NOR 的特点是芯片内执行XIP，eXecute In Place，这样应用程序可以直接在闪存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。NOR 的传输效率很高，在 14MB 的小容量时具有很高的本钱效益，但是很低的写入与擦除速度大大影响了它的性能。 NAND 构造能提供极高的单元密

12、度，可以到达高存储密度，并且写入与擦除的速度也很快，这也是为何所有的 U 盘都使用 NAND 闪存做为存储介质的原因。应用 NAND 的困难在于闪存与需要特殊的系统接口。 二、性能比拟 闪存是非易失内存，可以对称为块的内存单元块进展擦写与再编程。任何闪存器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进展，所以大多数情况下，在进展写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR那么要求在进展擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 由于擦除NOR器件时是以64128KB的块进展的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以832KB的块进展的，执行一样的操

13、作最多只需要4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR与NAND 之间的性能差距，统计说明，对于给定的一套写入操作尤其是更新小文件时，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进展。这样，中选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 1) NOR的读速度比NAND稍快一些。 2) NAND的写入速度比NOR快很多。 3) NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。大多数写入操作需要先进展擦除操作。 4) AND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 三、接口差异 NOR 闪存带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND闪存使用复杂的I/O

14、口来串行地存取资料，各个产品或厂商的方法可能各不一样。8个引脚用来传送控制、地址与资料信息。 NAND读与写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的闪存就可以取代硬盘或其它块设备。 四、容量与本钱 NAND 闪存的单元尺寸几乎是NOR闪存的一半，由于生产过程更为简单，NAND构造可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。 NOR 闪存容量为11116MB闪存市场的大局部，而NAND 闪存只是用在8MB以上的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于资料存储，NAND在 CompactFlash、Secure Digi

15、tal、PC Cards与MMC存储卡市场上所占份额最大。 五、可靠性与耐用性 采用闪存介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，闪存是非常适宜的存储方案。可以从寿命耐用性、位交换与坏块处理三个方面来比拟NOR与NAND的可靠性。 寿命耐用性 在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND内存除了具有10：1的块擦除周期优势，典型的 NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND内存块在给定的时间内的删除次数要少一些。 位交换 所有闪存器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下很少见，NAND发生的次数要比NOR多，一个比特位会发

16、生反转或被报告反转了。 一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。 当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误纠正EDC/ECC算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供货商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。 这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其它敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。 坏块处理 NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根

17、本不划算。 NAND器件需要对介质进展初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进展这项处理，将导致高故障率。 六、易于使用 可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其它内存那样连接，并可以在上面直接运行代码。 由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。 在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其它操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进展虚拟映像。 七、软件支持 当讨论软件支持的时候，应该区别根本的读/写/擦操作与高一级的用于

18、磁盘仿真与闪存管理算法的软件，包括性能优化。 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进展同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序MTD，NAND与NOR器件在进展写入与擦除操作时都需要MTD。 八、典型的 NOR 闪存Strata Flash Strata Flash是 Intel公司产的典型 Nor Flash， 本机使用的Strata Flash 是该系列中的 28F320J3，该闪存的内部逻辑框图如图10-1： 它的特性如下： 1) 问速度有 110ns/120ns 与150ns 共 3 檔 2) 具备128bit 加密存放器 3) 块尺寸：128KB

19、九、典型的 NAND 闪存K9S5608 K9S5608 是韩国 Samsung 公司所产的 256MBit32MByte SMC 卡外形封装成卡片形式的 NAND 闪存。下列图是K9S5608的内部逻辑框图。图10-2K9S5608 具有以下特性： 1 32MByte 存储空间的构造为：32M1024Kbit8bit见图10-3 2 支持自动编程与擦除模式 3 10uS 随即页面读写 4 200uS 快速页面擦除周期 5 具备硬件写保护功能 6 擦/写寿命：10 万次 7 资料保存寿命：10 年RAM 有两大类： 1) 静态RAMStatic RAM / SRAM，SRAM速度非常快，是目前

20、读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。 2) 动态RAMDynamic RAM / DRAM，DRAM保存数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要廉价很多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM / FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAMDouble-Date-Rate RAM也称作DDR SDRAM，这种改良型的RAM与SDRA

21、M是根本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。 这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着本钱优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准Rambus DRAM。 在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM也有很多种：1) PROM(可编程ROM)，是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了；2) EPROM (可擦除可编程ROM)，是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。3) EEPROM，是通过电子擦除，价格很高，写入时间很长，写

22、入很慢。举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打 ，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通话记录通话记录保存在EEPROM中，因为当时有很重要工作通话要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。内存工作原理内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据与程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)。动态内存中所谓的“动态，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丧失，因此需要一个额外设电路进展内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表

23、1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丧失的原因。刷新操作定期对电容进展检查，假设电量大于满电量的12，那么认为其代表1，并把电容充满电；假设电量小于 12，那么认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。Flash存储器FLASH 存储器又称闪存，它结合了ROM与RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丧失数据同时可以快速读取数据(NVRAM 的优势)，U盘与MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM (EPROM)作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM (EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作

24、存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用U盘。 目前Flash主要有两种NOR Flash与NAND Flash。NOR Flash的读取与我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了本钱。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进展的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比拟廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，还用一块小的NOR Flash来运行

25、启动代码。 一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息。而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)与我们通常用的闪盘，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu与Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung与Toshiba。NOR 与NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM与EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表

26、了NAND flash构造，强调降低每比特的本钱，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 与NAND闪存。flash存储器经常可以与相NOR存储器互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND那么是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR 是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码，NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行(XIP,

27、eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在(NOR型) flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。在14MB的小容量时具有很高的本钱效益，但是很低的写入与擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为116MB闪存市场的大局部。NAND构造能提供极高的单元密度，可以到达高存储密度，并且写入与擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理与需要特殊的系统接口。1) 性能比拟flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进展擦写与再编程。任何fl

28、ash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进展，所以大多数情况下，在进展写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR那么要求在进展擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。由于擦除NOR器件时是以64128KB的块进展的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以832KB的块进展的，执行一样的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR与NADN之间的性能差距，统计说明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进展。这样，中选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：a、

29、NOR的读速度比NAND稍快一些；b、 NAND的写入速度比NOR快很多；c、 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快；d、 大多数写入操作需要先进展擦除操作；e、 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。2) 接口差异NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不一样，8个引脚用来传送控制、地址与数据信息。NAND读与写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。3) 容量与本钱NAND fl

30、ash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND构造可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为116MB闪存市场的大局部，而NAND flash只是用在8128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards与MMC存储卡市场上所占份额最大。4) 可靠性与耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性，对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常适宜的存储方案，可以从寿命(耐用性)、位交换与坏块处理

31、三个方面来比拟NOR与NAND的可靠性。a、 寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次，NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势。典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。b、 位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用

32、错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供给商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。c、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进展初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进展这项处理，将导致高故障率。5) 易于使用可以非常直接地使用基于NO

33、R的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进展虚拟映射。6) 软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别根本的读/写/擦操作与高一级的用于磁盘仿真与闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进展同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND与NOR器件在进展

34、写入与擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被 Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian与Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进展仿真与NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理与损耗平衡。NOR FLASH的主要供给商是INTEL、MICRO等厂商，曾经是FLASH的主流产品，但现在被NAND FLASH挤的比拟难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比

35、拟贵。NAND FLASH的主要供给商是SAMSUNG与东芝，在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH，由于工艺上的不同，它比NOR FLASH拥有更大存储容量，而且廉价。但也有缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据与程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRA

36、M中运行才行，挺麻烦的。 总结DRAM 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丧失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。SRAM 利用存放器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丧失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。以上主要用于系统内存储器，容量大，不需要断电后仍保存数据的。Flash ROM 是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍然可以保存。也由于其机构简单所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom写入前需要用电进展擦除，而且擦除不同，EEPROM可以以byte(字节)为单位进展，flash rom只能以sector(扇区)为单位进展。不过其写入时可以byte为单位。flash rom主要用于bios，U盘，Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备。第 24 页