6N137中文资料.doc

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1、6n137 中文资料 应用电路 pdf 6n137 封装图 6n137 管脚说明P6n137中文资料 应用电路 pdf 6n137 封装图 6n137 管脚说明 用：6N137/HCPL2601，HCPL2611，HCPL2630，HCPL2631是高速光电耦合器6n137的内部结构原理如下图所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后 导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。当 输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时，输出高电平，但这个逻辑高

2、是集电极开路的，可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。型号：单通道： 6N137 ， HCPL2601 ， HCPL2611 双通道： HCPL2630 ， HCPL2631 高速10MBit / s的逻辑门光电引脚图原理如上图所示，若以脚2为输入，脚3接地，则真值表如附表所列，这相当于非门的传输，若希望在传输过程中不改变逻辑状态，则从脚3 输入，脚2接高电平。真值表 功能（正逻辑） Input 输入Enable 使能Output 输出H H L L H H H L H L L H H NC L L NC H 绝对最大额定值（Ta= 25 除非另有说明）：Symbol 符号 Paramete

3、r 参数 Value 数值Units 单位 TSTG Storage Temperature 贮藏温度-55 to +125 TOPR Operating Temperature 操作温度-40 to +85 TSOL Lead Solder Temperature 焊料温度260 for 10 sec EMITTER 发送端IF DC/Average Forward 直流/平均正向单通道50 mA Input Current 输入电流双通道(每通道)30 VE Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV 单通道5.5 V

4、 VR Reverse Input Voltage 反向输入电压每个通道5.0 V PI Power Dissipation 功耗单通道100 mW 双通道(每通道)45 DETECTOR 接收端VCC (1 minute max) Supply Voltage 电源电压7.0 V IO Output Current 输出电流单通道50 mA 双通道(每通道)50 VO Output Voltage 输出电压每个通道7.0 V PO Collector Output 集电极输出单通道85 mW Power Dissipation 功耗双通道(每通道) 60 建议操作条件： Symbol 符号

5、Parameter 参数 最 小最大Units单位 IFL Input Current Low Level 输入电流，低电平0 250 A IFH Input Current High Level 输入电流，高电平*6.3 15 mA VCC Supply Voltage Output 供电电压，输出4.5 5.5 V VEL Enable Voltage Low Level 使能电压，低电平0 0.8 V VEH Enable Voltage High Level 使能电压，高电平2.0 VCC V TA 工作温度范围-40 +85 N Fan Out (TTL load)扇出期( TTL负

6、载)8 电学特性（Ta=0至70 ，除非另有规定） 单独的组件特征： Symbol 符号 Parameter 参数测试条件最小典型最大单位VFInput Forward Voltage输入正向电压IF = 10mA1.8V TA=251.41.75BVR Input Reverse Breakdown Voltage 输入反向击穿电压IR = 10A 5.0 V CIN Input Capacitance 输入电容VF = 0 f = 1MHz 60 pF VF / TA Input Diode Temperature Coefficient 输入二极管温度系数IF = 10mA -1.4 m

7、V/ DETECTOR 接收端ICCH High Level Supply Current高电源电流VCC = 5.5V IF = 0mA VE = 0.5V 单通道7 10 mA 双通道10 15 ICCL Low Level Supply Current 低电平电源电流单通道VCC=5.5V IF = 10mA9 13 mA 双通道VE = 0.5V 14 21 IEL Low Level Enable Current 低电平使能电流VCC = 5.5V VE = 0.5V -0.8 -1.6 mA IEH High Level Enable Current 高电平使能电流VCC = 5.

8、5V VE = 2.0V -0.6 -1.6 mA VEH High Level Enable Voltage 高电平使能电压VCC = 5.5V IF = 10mA 2.0 V VEL Low Level Enable Voltage 低电平使能电压VCC = 5.5V IF = 10mA(3) 0.8 V 开关特性 (TA= -40 to +85 VCC= 5V IF= 7.5mA 除非另有说明)： Symbol 符号AC Characteristics交流特性测试条件最小典型最大单位TPHHPropagation Delay Time to Output HIGH Level传递延迟时间

9、到高电平输出RL=350CL=15pF(4)(Fig.12)TA=25204575ns100TPHLPropagation Delay Time to Output LOW Level传递延迟时间到低电平输出TA = 25(5)2545 75 ns RL = 350 CL = 15pF (Fig. 12) 100 |TPHL TPLH| Pulse Width Distortion 脉宽失真(RL = 350 CL = 15pF (Fig. 12) 3 35 ns tr Output Rise Time (1090%)输出上升时间( 10-90 ) RL = 350 CL = 15pF(6)(

10、Fig. 12) 50 ns tf Output Rise Time (9010%)输出上升时间( 90-10 ) RL = 350 CL = 15pF(7)(Fig. 12) 12 ns tELH Enable Propagation Delay Time to Output HIGH Level允许传播延迟时间到高电平输出IF = 7.5mA VEH = 3.5V RL = 350 CL = 15pF(8)(Fig. 13) 20 ns tEHL Enable Propagation Delay Time to Output LOW Level 允许传播延迟时间到低电平输出IF = 7.5

11、mA VEH = 3.5V RL = 350 CL = 15pF(9)(Fig. 13) 20 ns |CMH| Common Mode Transient Immunity (at Output HIGH Level) 共模瞬态抑制比(输出高电平)TA=25|VCM| =50V (Peak) IF=0mA VOH (Min.)= 2.0V RL = 350(10)(Fig. 14) 6n137HCPL2630 10000 V/s HCPL2601 HCPL2631 5000 10000 |VCM| = 400V HCPL2611 10000 15000 V/s |CML| Common Mo

12、de Transient Immunity (at Output LOW Level) 共模瞬态抑制比(输出低电平)RL = 350 IF = 7.5mA VOL (Max.)= 0.8V TA = 25(11) (Fig. 14) 6n137HCPL2630 10000 HCPL2601 HCPL2631 5000 10000 |VCM| = 400V HCPL2611 10000 15000 电气特性（续） 转移特性(TA = -40 to +85 除非另有说明) Symbol 符号 DC Characteristics 直流特性测试条件 最小典型 最大 Unit 单位IOH HIGH L

13、evel Output Current 高输出电流VCC = 5.5V VO = 5.5V IF = 250A VE = 2.0V(2) 100 A VOL LOW Level Output Current 低电平输出电流VCC = 5.5V IF = 5mA VE = 2.0V ICL = 13mA(2) .35 0.6 V IFT Input Threshold Current 输入阈值电流VCC = 5.5V VO = 0.6V VE = 2.0V IOL = 13mA 3 5 mA 隔离特性 （Ta= -40 至+85 ，除非另有说明. ）： Symbol 符号 Characteris

14、tics 特性测试条件 最小 典型 最大 Unit 单位II-O Input-Output Insulation Leakage Current 输入输出绝缘泄漏电流相对湿度 = 45% TA = 25 t = 5s VI-O = 3000 VDC(12) 1.0* A VISO Withstand Insulation Test Voltage 经受绝缘测试电压)RH 50% TA = 25 II-O 2A t = 1 min.(12) 2500 VRMS RI-O Resistance (Input to Output)电阻(输入输出VI-O = 500V(12) 1012 CI-O Ca

15、pacitance (Input to Output)电容(输入输出)f = 1MHz(12) 0.6 pF 测试电路和波形 tPLH tPHL tr and tf测试电路tEHL和tELH测试电路的共模瞬态抗扰度光藕隔离器6N137典型应用如图1所示，假设输入端属于模块I，输出端属于模块II。输入端有A、B两种接法，分别 得到反相或同相逻辑传输，其中RF为限流电阻。发光二极管正向电流0-250A，光敏管不导通；发光二极管正向压降1.2-1.7V（典型1.4V）， 正向电流6.3-15mA，光敏管导通。若以B方法连接，TTL电平输入，Vcc为5V时，RF可选500左右。如果不加限流电阻或阻值很

16、 小，6N137仍能工作，但发光二极管导通电流很大对Vcc1有较大冲击，尤其是数字波形较陡时，上升、下降沿的频谱很宽，会造成相当大的尖峰脉冲噪声， 而通常印刷电路板的分布电感会使地线吸收不了这种噪声，其峰-峰值可达100mV以上，足以使模拟电路产生自激。所以在可能的情况下，RF应尽量取大。输 出端由模块II供电，Vcc2=4.55.5V。在Vcc2（脚8）和地（脚5）之间必须接一个0.1F高频特性良好的电容，如瓷介质或钽电容，而且 应尽量放在脚5和脚8附近（不要超过1cm）。这个电容可以吸收电源线上的纹波，又可以减小光电隔离器接受端开关工作时对电源的冲击。脚7是使能端，当它 在0-0.8V时强

17、制输出为高（开路）；当它在2.0V-Vcc2时允许接收端工作。脚6是集电极开路输出端，通常加上拉电阻RL。 虽然输出低电平时可吸收电路达13mA，但仍应当根据后级输入电路的需要选择阻值。因为电阻太小会使6N137耗电增大，加大对电源的冲击，使旁路电容无 法吸收，而干扰整个模块的电源，甚至把尖峰噪声带到地线上。一般可选4.7k，若后级是TTL输入电路，且只有1到2个负载，则用47k或15k也 行。CL是输出负载的等效电容，它和RL影响器件的响应时间，当RL=350，CL=15pF时，响应延迟为25-75ns。图1 6N137典型应用电路图2 隔离介面硬体及的USB转串口转接器介面线路图第 14 页