模拟电子技术基础试卷及复习资料期末.docx
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1、模拟电子技术基础试卷及答案一、填空(18分)1二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10 V,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V,经过电容滤波后为 12 V,二极管所承受的最大反向电压为 14 V。3差分放大电路,若两个输入信号uI1 = uI2,则输出电压,uO = 0 ;若u I1 = 100 mV,u I 2 = 80 mV则差模输入电压uId= =20mV;共模输入电压uIc =90 mV。4在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz的交流
2、电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。5若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB,Au3 = 20 dB,则其总电压增益为 80 dB,折合为 104 倍。6乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ = 0 、静态时的电源功耗PDC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。7集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V。二、选择正确答案填空(20分)0iD/mA-4 uGS/V51在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是
3、( A )。ANPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。AP沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管3通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。4.在图示电路中,Ri 为其输入电阻,RS 为常数,为使下限频率fL 降低,应( D )。V2V1A 减小C,减小Ri B. 减小C,增大Ri C. 增大C,减小 Ri D. 增大C,增大 Ri5.如图所示复合管,已知V1的b1 = 30,V2的b2 = 50,则复合后的b约为( A )。6.RC
4、桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络与( D )。A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 7.已知某电路输入电压与输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。+uO_usRBRs+VCCVC+RCRiOtuItuo4题图7题图O8与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。a不用输出变压器 b不用输出端大电容 c效率高 d无交越失真9稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。a正向导通区 b反向截止区 c反向击穿区三、放大电路如下图所示,已知:VCC = 12 V,RS = 10kW,RB1 = 120 kW,
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