计算机组成原理第3章习题参考-答案~.doc
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1、|第 3 章习题参考答案1、设有一个具有 20 位地址和 32 位字长的存储器,问(1) 该存储器能存储多少字节的信息?(2) 如果存储器由 512K8 位 SRAM 芯片组成,需要多少片?(3) 需要多少位地址作芯片选择?解:(1) 该存储器能存储: 字 节4M320(2) 需要 片8851231920K(3) 用 512K8 位的芯片构成字长为 32 位的存储器,则需要每 4 片为一组进行字长的位数扩展,然后再由 2 组进行存储器容量的扩展。所以只需一位最高位地址进行芯片选择。2、已知某 64 位机主存采用半导体存储器,其地址码为 26 位,若使用 4M8位的 DRAM 芯片组成该机所允许
2、的最大主存空间,并选用内存条结构形式,问;(1) 若每个内存条为 16M64 位,共需几个内存条?(2) 每个内存条内共有多少 DRAM 芯片?(3) 主存共需多少 DRAM 芯片? CPU 如何选择各内存条?解:(1) 共需 内存条条4612M(2) 每个内存条内共有 个芯片32861(3) 主存共需多少 个 RAM 芯片, 共有 4 个内存条,18426故 CPU 选择内存条用最高两位地址 A24 和 A25 通过 2:4 译码器实现;其余的24 根地址线用于内存条内部单元的选择。3、用16K8位的DRAM芯片构成64K32位存储器,要求:(1) 画出该存储器的组成逻辑框图。(2) 设存储
3、器读/写周期为 0.5S,CPU 在 1S 内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理? 两次刷新的最大时间间隔是多少? 对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?解:(1) 用16K 8位的DRAM芯片构成64K32位存储器,需要用个芯片,其中每4片为一组构成16K 32位进行字长位16816324K|数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连分别接D0D7、D 8D15、D 16D23和D 24D31,其余同名引脚互连),需要低14位地址(A0A13)作为模块内各个芯片的内部单元地址分成行、列地址两次由A 0A6引脚输入;然后再由4组进行存储器容量扩展,用高两位地址A 14、A
4、 15通过2:4译码器实现4组中选择一组。画出逻辑框图如下。(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) CPU D0D31 RAS0 RAS1 RAS2 RAS3 A0A13 A14 A15 A0A6 A0A6 A0A6 A0A6 WE WE 2-4 译 码 RAS D07 D815 D1623 D2431 D07 D815 D1623 D2431 D07 D815 D1623 D2431 D07 D815 D1623 D2431 WE WE WE RAS RAS RAS (2) 设刷新周期为 2
5、ms,并设 16K8 位的 DRAM 结构是 1281288 存储阵列,则对所有单元全部刷新一遍需要 128 次(每次刷新一行,共 128 行)若采用集中式刷新,则每 2ms 中的最后 1280.5s=64s 为集中刷新时间,不能进行正常读写,即存在 64s 的死时间若采用分散式刷新,则每 1s 只能访问一次主存,而题目要求 CPU 在1S 内至少要访问一次,也就是说访问主存的时间间隔越短越好,故此方法也不是最适合的比较适合采用异步式刷新:采用异步刷新方式,则两次刷新操作的最大时间间隔为 ,可取sms625.1815.5s;对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间为:15.5s128=1.98
6、4ms;采用这种方式,每 15.5s 中有 0.5s 用于刷新,其余的时间用于访存(大部分时间中 1s 可以访问两次内存 )。4、有一个1024K32位的存储器,由128K8位的DRAM芯片构成。问:(1) 总共需要多少 DRAM芯片?(2) 设计此存储体组成框图。(3) 采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过8ms,则刷新信号周期是多少?解:|(1) 需要 片,每4片为一组,共需8组3281204K(2) 设计此存储体组成框图如下所示。(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (12) (13) (14) (15) (16) CPU D0D3
7、1 RAS0 A0A16 A17 A18 A0A8 WE WE 3-8 译 码 RAS D07 D815 D1623 D2431 D07 D815 D1623 D2431 D07 D815 D1623 D2431 D07 D815 D1623 D2431 WE WE WE (17) (18) (19) (20) (21) (22) (23) (24) (25) (26) (27) (28) (29) (30) (31) (32) CPU A0A16 WE D07 D815 D1623 D2431 D07 D815 D1623 D2431 D07 D815 D1623 D2431 D07 D81
8、5 D1623 D2431 A19 RAS0 RAS1 RAS2 RAS3 RAS4 RAS5 RAS6 RAS7 RAS1 RAS2 RAS3 RAS4 RAS5 RAS6 RAS7 WE (3) 设该 128K8 位的 DRAM 芯片的存储阵列为 5122568 结构,则如果选择一个行地址进行刷新,刷新地址为 A0A8,那么该行上的 2048 个存储元同时进行刷新,要求单元刷新间隔不超过 8ms,即要在 8ms 内进行 512 次刷新操作。采用异步刷新方式时需要每隔 进行一次,可取刷新信号周期为sms625.115.5s。5、要求用256Kl6 位SRAM芯片设计1024K32位的存储器。
9、SRAM芯片有两个控制端:当CS有效时,该片选中。当 W/R1时执行读操作,当 W/R=0时执行写操作。解: ,共需8片,分为4组,每组2片片1625304K即所设计的存储器单元数为 1M,字长为 32,故地址长度为 20 位(A 19A0) ,|所用芯片存储单元数为 256K,字长为 16 位,故占用的地址长度为 18 位(A 17A0) 。由此可用字长位数扩展与字单元数扩展相结合的方法组成组成整个存储器字长位数扩展:同一组中 2 个芯片的数据线,一个与数据总线的 D15D0 相连,一个与 D31D16 相连;其余信号线公用(地址线、片选信号、读写信号同名引脚互连)字单元数扩展:4 组 RA
10、M 芯片,使用一片 2:4 译码器,各组除片选信号外,其余信号线公用。其存储器结构如图所示256K16 CPU A0A17 D0D15 A18 W/R 2-4 译 码 D1631 A19 256K16 256K16 256K16 D16D31 256K16 256K16 256K16 256K16 D015 CS Y0 CS CS CS Y1 Y2 Y3 A0A17 D0D15 W/R W/R 6、用32K8位的E 2PROM芯片组成128K16位的只读存储器,试问:(1) 数据寄存器多少位 ?(2) 地址寄存器多少位 ?(3) 共需多少个 E2PROM芯片?(4) 画出此存储器组成框图。解:
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