2023年电工学电子技术复习资料带答案.doc
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1、 本文由关岭民中奉献 doc文档也许在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文献到本机查看。 一选择填空 1在杂质半导体中,多数载流子的浓度重要取决于 有很大关系。 则与 A A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 2P 型半导体中空穴是 A ,带 C A.多数载流子 B. 少数载流子 3N 型半导体 A.带正电 C ,而少数载流子的浓度 D.晶体缺陷 B ,带 D. 负 D 电。 电;自由电子是 C. 正 。 C ,P 型半导体 C B.带负电 C.呈中性 B 4当 PN 结外加正向电压作用下,内电场 A.增强 B.削弱 C.大于 5当 PN 结外加正向电压时,扩散电流 A.大于
2、 B.小于 C.等于 E.变窄 F.不变 A ;扩散电流 D.小于 C 漂移电流。 漂移电流,耗尽层 D.变宽 E 。 6用万用表直流电压档,测得电路中晶体管各电极相对 于参考点“地”的电位如右图所示。从而判断出该晶体三 极管工作在 C 状态。 A.倒置 B.截止 C.饱和 D.放大 7温度升高后,半导体三极管的电流放大系数 将 A.变大 B.变小 C.不变 A ,穿透电流 ICEO A 。 8三极管的穿透电流 ICEO 是集基反向饱和电流 ICBO 的 C 一般希望 ICEO 尽量 D 。 A.1/ B. C.(1) D.小 9右图所示电路中,稳压管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 6
3、V 和 7V,正向压降均为 0.7V,且具有抱负的稳压特性, 则输出电压 U0 为 D 。 A.6V B.7V C.13V D.1V 10设硅稳压管 DZ1 和 DZ2 的稳定电压分别为 5V 和 8V,正向 压降均为 0.7V,则右图电路的输出电压 U0 为 C 。 A.5V B.8V C.13V D.3V 倍,在选用管子时, E.大 11某三极管 PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,能正常工作的是 A. UCE=3V,IC=10mA B. UCE=2V,IC=40mA C. UCE=6V,IC=20mA D. UCE=20V,IC=4mA A 。 1 12三极管
4、工作在饱和区时,b-e 极间为 A ,b-c 极间为 A ;工作在 放大区时,b-e 极间为 A ,b-c 极间为 B ;工作在截止区时,b-e 极间 ,b-c 极间为 B 。 为 B A.正向偏置 B. 反向偏置 C.零偏置 13.单级放大电路中,若输入为正弦波形,用示波器观测 uo 和 ui 的波形。当放大电 路为共射电路时,则 uo 和 ui 的相位 相位 A A.同相 。 B.反相 C.相差 90 0 B ;当为共集电极电路时,则 uo 和 ui 的 D.不定 C , 分解为共模输入信号 uic 14 差动放大电路, ui1300mV, ui2=200mV 时, 当 一对差模输入信号
5、uid1uid2 A.500mV B.100mV D 。 C.250mV D.50 mV B 15. 假如规定输出电压 U0 基本稳定,并能减小输入电阻,应引入 A.串联电压负反馈 B.并联电压负反馈 C.串联电流负反馈 D.并联电流负反馈 16. 假如规定输出电流 I0 基本稳定,并能提高输入电阻,应引入 A.串联电压负反馈 B.并联电压负反馈 C.串联电流负反馈 D.并联电流负反馈 17在图示电路中,若 U2=20V,则 UO= A.20V B.18V C.9V B 。 D.24V 负反馈。 C 负反馈。 18. 图示整流电路中,由于整流管是串联的,故每管的 最大反向电压 URM 为 C
6、。 A. 2 U2 2 B. U 2 C. 2U 2 D. 2 2U 2 19TTL 与非门电路的电源电压值、输出电压的高、低电平值依次为 A 。 A.5V, 3.6V, 0.3V B.10V, 3.6V, 0.3V C.5V, 1.4V, 0.3V 20. 三态与非门输出端的第三种状态指的是 A 。 A.高阻状态 B.饱和状态 C.高电平状态 D. 低电平状态 2 二填空 1硅二极管的死区电压约 0.5 V,正向压降约 0.60.8 V,锗二极管的死区电 压约 0.1 V,正向压降约 0.20.3 V。 2在二极管上加反向电压时,形成很小的反向电流。反向电流有两个特点:一是 随温度的上升 增
7、长不久 ;一是当外加反向电压过高时,反向电流 忽然增大 , 二极管失去 单向导电 性,这种现象称为 击穿 。 3当放大电路静态工作点 Q 位置偏高,同时输入信号幅度相对较大时,放大电路 将产生 饱和 失真;当放大电路静态工作点 Q 位置偏 低 ,同时输入信号幅度相 对较 大 时,放大电路将产生截止失真。 输出电阻 低 。 4 射级输出器的重要特点是: 电压放大倍数接近 1, 输入电阻 高 , 5在多级放大电路中,克制温度漂移要着重于第 一 级,在直接耦合放大电路 中克制温度漂移最有效的电路结构是 差分放大电路 。 6 (1AF) 称为反馈深度 , 其值愈大, 负反馈作用愈强, 闭环放大倍数 A
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