2022年光电检测技术知识点.docx

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1、精选学习资料 - - - - - - - - - 名师总结 优秀学问点1、光电效应应按部位不同分为内光电效应和外光电效应,生伏特效应） ；内光电效应包括 （光电导） 和（光2、真空光电器件是一种基于（外光电）效应的器件,它包括（光电管）和（光电倍增管）；结构特点是有一个真空管,其他元件都放在真空管中3、光电导器件是基于半导体材料的（光电导）效应制成的,最典型的光电导器件是（光敏电阻）；4、硅光电二极管在反偏置条件下的工作模式为（光电导）,在零偏置条件下的工作模式为（光生伏特模式） ；5、变象管是一种能把各种（不行见）辐射图像转换成为可见光图像的真空光电成像器件；6、固体成像器件（CCD）主要有

2、两大类,一类是电荷耦合器件（CCD）,另一类是（SSPD）；CCD 电荷转移通道主要有：一是SCCD（表面沟道电荷耦合器件）是电荷包储备在半导体与绝缘体之间的界面,并沿界面传输；二是 BCCD称为体内沟道或埋沟道电荷耦合器件,电荷包储备在离半导体表面肯定深度的体内,并沿着半导体内肯定方向传输7、光电技术室（光子技术）和（电子技术）相结合而形成的一门技术；8、场致发光有（粉末、薄膜和结型三种形状；9、常用的光电阴极有正电子亲合势光电阴极（PEA）和负电子亲合势光电阴极（NEA）,正电子亲和势材料光电阴极有哪些（Ag-O-Cs,单碱锑化物,多碱锑化物）；10、依据衬底材料的不同,硅光电二极管可分为

3、（2DU）型和（ 2CU）型两种；11、像增强器是一种能把柔弱图像增强到可以使人眼直接观看的真空光电成像器件,因此也称为（微光管） ；12、光导纤维简称光纤,光纤有（纤芯）、（包层）及（外套）组成；13、光源按光波在时间,空间上的相位特点可分为（相干）和（非相干）光源；14、光纤的色散有材料色散、（波导色散）和（多模色散）；OFP）和（传递倒像的扭像器） ；15、光纤面板按传像性能分为（一般 OFP）、（变放大率的锥形16、光纤的数值孔径表达式为,它是光纤的一个基本参数、它反映了光纤的（集光）才能,打算了能被传播的光束的半孔径角名师归纳总结 17、真空光电器件是基于（外光电）效应的光电探测器,

4、他的结构特点是有一个（真空管）,第 1 页,共 6 页其他元件都置于（真空管）；- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 名师总结优秀学问点2CR）型两种；18、依据衬底材料的不同,硅光电电池可分为2DR（以 P 型硅作基底）型和（19、依据衬底材料的不同,硅光点二、三级管可分为2CU 和 2DU、3CU和 3DU 20、为了从数量上描述人眼对各种波长辐射能的相对敏锐度,引入视见函数 V（f）, 视见函数有（明视见函数）和（暗视见函数）；21、PMT 由哪几部分组成？入射窗口 极；D、光子阴极、 电子光学系统、电子倍增系统和光电阳22、电子光学系统的作用是：（

5、1）是光阳极发射的光电子尽可能全部汇聚到第一倍增级上,而将其他部的杂散热电子散射掉,系统的中渡越时间尽可能相等23、P MT 的工作原理提高信噪比；（ 2）使阴极面上各处发射的光电子在电子学1光子透过入射窗口入射在光电阴极 K上2光电阴极 K 受光照激发,表面发射光电子3光电子被电子光学系统加速和聚焦后入射到第一倍增极 D1 上,将发射出比入射电子数更多的二次电子；入射电子经 N 级倍增后,光电子数就放大 N 次. 4经过倍增后的二次电子由阳极 P 收集起来,形成阳极光电流 Ip,在负载 RL上产生信号电压 0；22、PMT 的倍增极结构有几种形式个有什么特点？（1）鼠笼式：特点结构紧凑,时间

6、响应快；（2） 盒栅式：特点光电子收集率高,匀称性和稳固性较好,但时间响应稍慢些；（4）百叶窗式,特点：管子匀称性好,输出电流大并且稳定,响应时间较慢；（5）近贴栅网式, 特点：极好的匀称性和脉冲线性,抗磁场影响才能强；（6）微通道板式,特点：响应速度快,抗磁场干扰才能强,线性好23、什么是二次电子？并说明二次电子发射过程的三个阶段是什么？光电子发射过程的三步骤？答：当具有足够动能的电子轰击倍增极材料时,倍增极表面将发射新的电子；称入射的电子为一次电子,从倍增极表面发射的电子为二次电子；二次电子发射3 阶段：（1）材料吸取一次电子的能量,激发体内电子到高能态,这些受激电子称为内二次电子；（2）

7、内二次电子中初速指向表面的那部分像表面运动；（3）到达界面的内二次电子能量大名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页,共 6 页精选学习资料 - - - - - - - - - 名师总结 优秀学问点于表面垒的电子发射到真空中成为二次电子；光电子发射过程的三步骤：1 物体吸取光子后体内的电子被激发到高能态；2 被激发电子向表面运动,在运动中因碰撞缺失部分能量；3 克服表面势垒逸出金属表面；24、简述 Si-PIN光电二极管的结构特点,并说明 Si-PIN管的频率特性为什么比一般光电二极管好？ p69 25、简述常用像增强器的类型？并指出什么是第一、其次和第三代像增强器,第四代像增强器在

8、在第三代基础上突破的两个技术是什么？p130 答： 1类型：级联式像增强器、第 2 代像增强器（微通道板像增强器）、第 3 代像增强器 、X 射线像增强器；2） 级联式像增强器由几个分立的单极变像管组合成属于第一代像增强器； 微通道板像增强器属于第三代像增强器；其次代像增强其的微通道板结构配以负电子亲和势光电阴极构成第三代像增强器；3）突破技术： 一是管子采纳新材料制成的寿命高、高增益、低噪声的无膜 MCD；二是 NEA光电阴极采纳的自动掌握门电流,有利于减小强光下达到 MCD 的电子流,以降低强光下图像模糊效应；26、什么是光电子技术 .光电子技术以什么为特点？光电子技术是： 光子技术与电子

9、技术相结合而形成的一门技术；主要讨论光与物质中的电子相互作用及其能量相互转换的相关技术；以光源激光化、 传输光纤化、 手段电子化、现代电子学中的理论模式和电子学处理方法光学化为 特点：是一门新兴的综合性交叉学科；27、光源的光谱功率分为哪几种情形？画出每种情形对应的分布图？分为：线状光谱（有如干条明显分割的西线组成）、带状光谱 由一些分开的谱带组成,没个谱袋中包含很多连续谱线、连续光谱（光源发出的谱线连成一片）、混合光谱（前三种谱线混合而成）28、荧光屏表面蒸镀铝膜的作用是：引走荧光屏上积存的电荷,光的输出；同时防止光反馈,增加发射29、从传输模式角度考虑,光纤分为：多模光纤和单模光纤；依据折

10、射率变化规律分为阶跃型和梯度型31、什么是负电子亲和势光电阴极？具有哪些优点？名师归纳总结 NEA是指： 将半导体表面做处理是表面区域能弯曲,真空能级降到导带之下,从而使有效地第 3 页,共 6 页电子亲和势能变为负值；优点： 1量子率高； 2）光谱响应率匀称, 且光谱响应延长到红外；3）热电子发射小；4）光子的能量集中- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 32、什么是胖0电荷？什么是胖名师总结优秀学问点胖0电荷的优缺点？0工作模式？引入“ 胖 0” 电荷的引入：降低了势阱的深度；减小了信号电荷的最大储备量；降低了 CCD的动态范畴；增大了器件的转移噪声；

11、P158 36、CCD 有哪几部分组成,并说明每部分的作用？为什么说 CCD 是非稳态器件？CCD能否工作,其电极间距为？p147 1电耦合器件组成：信号输入部分、电荷转移部分、信号输出部分；信号输入部分作用：将信号电荷引入到 CCD 的第一个转移栅下的势阱中；电荷转移部分作用：将重复频率相同、波形相同并且彼此间有固定相位关系的多相时钟脉冲分组依次加到CCD转移部分的电极上,是电极按肯定规律变化,从而在半导体表面形成一系列分布不对承德陷阱；信号输出部分作用：讲 CCD最终一个转移栅下势阱中的信号电荷引出2）CCD是利用在电极下SiO2-半导体界面形成的深耗尽层进行工作的,所以属于非稳态器件3）

12、CCD 能否胜利工作第一取决于金属电极排列,需找金属栅极间的正确间隙宽度,一般小 于 3um 37、对于 CCD 来说电荷注入方式有电注入和光注入,什么是电注入？什么是光注入？p147,148 电注入：主要由输入二极管Id 和输入栅 Ig 组成；可以将信号电压转换为势阱中等效电荷,即给输入栅施加适应的电压,在其下面道题表面形成一个耗尽层；在滤波、 推迟线和储备器应用情形下用电注入；光注入：摄像器件实行的唯独注入方法；（P148）光注入过程如下：摄像时间照耀到光敏面上,光子被敏元吸取产生电子一空穴对,多数载流子进入耗尽区以外的的衬底,然后通过接地消逝, 少数载流子便被收集到势阱中成为信号电荷；当

13、输入栅开启后,第一个转移栅上加以时钟电压时,这些代表光信号的少数载流子就会进入到转移栅的势阱中,完成注入过程；38、画出 ZnCdTe靶的结构图,并说明每层的作用？p138 第 1 层：ZnSe层属于 N 型半导体,厚50100nm ； 无光电效应,其作用是增强对短波光的吸取, 提高整个可见光区的灵敏度；另外它也阻挡光生空穴向成象面一边扩散,有提高灵敏度,减小暗电流的作用；第 2 层：碲化锌和碲化镉的固溶体（ZnxCd1-xTe）,属于 P 型半导体,厚 35 m；光电效应主要发生在该层,x 值的大小对灵敏度、暗电流和光谱特性都有较大的影响,x 值小,灵敏度高,体内暗电流增大,光谱特性的峰值波

14、长向长波方面移动；第 3 层：无定形三硫化二锑Sb2S3,厚 100nm；其作用是减小扫描电子束的电子注入效应,名师归纳总结 减小暗电流和惰性第 1 层与第 2 层之间形成异质结；第2 层与第 3 层之间不形成结；第 4 页,共 6 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 名师总结 优秀学问点39、画出 CdSe靶的结构图,并说明每层的作用？p138 第 1 层：沉积在玻璃板上的透亮的导电层SnO2,作信号电极 ,属 N+；第 2 层：是 N 型 CdSe层,它与 N+型层 SnO2 构成对空穴的阻挡层；CdSe层是异质结 CdSe靶的基体,厚 2 微米；

15、是完成光电转换的光敏层,其禁带宽度为 1.7eV,具有良好的光电导特性；第 3 层：亚硒酸镉 CdSeO3层是由 CdSe 氧化而成 ,是一层绝缘体 ,有利于降低暗电流 ,但不影响光电灵敏度；第 4 层： As2S3层是靶的扫描面,是在高空状态下气湘沉积而成,呈玻璃态,厚 0.2 微米；是一个高阻层,禁带宽度为2.3eV,具有很高的电阻率；其作用是防止电子进入靶内,形成对电子的阻挡层,并且承担电荷的积存和储存；40、什么是 MCP？简述微通道板（MCP）的工作原理？p130 微通道板是由成千上万根直径为 简称 MCP；1540 m、长度为 0.61.6mm 的微通道排成的二维列阵,微通道板（

16、MCP）的工作原理：微通道是一根根的玻璃管,内壁镀有高阻值二次发射材料,具有电阻梯度, 施加高电压后, 内壁显现电位梯度,光电阴极发出的一次电子轰击微通道的一端,发射出的二次电子因电场加速轰击另一端,再发射二次电子,连续发射二次可得约10 的四次方的增益；41、什么是微通道板 （MCP）的自饱和效应？二代像增强器利用该效应解决了什么问题？p130 在近聚焦式的 MCP 位增益中,光电阴极和第一微通道板的间距约为 0.3mm ,级间电压为150V,其次微通道板和阴极的间距为 1.5mm,级间电压为 300V,外加偏置电压的变化只改变微通道板上的电压,可以调剂总增益其次代像增强器利用它代替电子光学

17、系统,实现电子图像的增强；在其次代增强器中光电阴极的光电在电场作用下,进入微通道板输入端,经 出光学图像；MCP 电子倍增加速后达到荧光屏上,输42、以 p 型 N 沟道 MOS 电容器为例,说明势阱储备电荷的原理；（第七章）43、什么是光纤面板？简述光纤面板由哪几种玻璃组成？每种玻璃的作用？p197 用多根单光纤经热压工艺而制成真空气密性良好的光纤棒,可传递光学图像的光纤器件；然后进行切片、 抛光而成的一种名师归纳总结 光纤面板主要由3 种玻璃组成,芯玻璃,包皮玻璃和光吸玻璃第 5 页,共 6 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 名师总结 优秀学问点

18、芯玻璃：是一种高折射率,是光的通路；包皮玻璃为低折射率玻璃,起界面全反射作用；光吸取玻璃是一种不透亮的黑色玻璃,作用是将穿透包皮玻璃的杂散光吸取掉,以提高图像的对比度和辨论率；44、什么是光纤面板的三环效应？该效应对传像有什么影响？三环效应 出射角最小的第一环带光；出射角相等的其次环带光；出射角最大的第三环带光45、简述光纤面板的传像原理,像管应用光纤面板有什么优点 . 光纤面板的传像原理：光纤间相关排列, 由棒中切出的每块面板的输入和输出端面空间阵列相对应,从而正确传递图像；优点是：增加了传递图像的传光效率； 供应了采纳准球对称电子光学系统的可能性,改善了像质；名师归纳总结 可制成锥形OFP或光纤扭像器；第 6 页,共 6 页- - - - - - -