金华碳化硅晶片项目资金申请报告_范文模板.docx
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1、MACRO 泓域咨询 /金华碳化硅晶片项目资金申请报告金华碳化硅晶片项目资金申请报告xx(集团)有限公司报告说明2012年7月,科技部出台智能电网重大科技产业化工程“十二五”专项规划中,将突破大规模间歇式新能源电源并网与储能、智能配用电、大电网智能调度与控制、智能装备等智能电网核心关键技术列为总目标。要实现该总目标,关键之一就是电网设备制造产业升级,如新型电力电子器件等。SiC基电力电子器件具有低能耗、高转换效率特征,将成为新型电力电子器件优先发展方向。根据谨慎财务估算,项目总投资6066.66万元,其中:建设投资4532.75万元,占项目总投资的74.72%;建设期利息50.85万元,占项目
2、总投资的0.84%;流动资金1483.06万元,占项目总投资的24.45%。项目正常运营每年营业收入12900.00万元,综合总成本费用9627.20万元,净利润2401.28万元,财务内部收益率32.44%,财务净现值6678.40万元,全部投资回收期4.62年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求,符合市场要求,受到国家技术经济政策的保护和扶持,适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备,交通运输及水电供应均有充分保证,有优越的建设条件。,企业经济和社会效益较好,能实现技术进步,产业结构调整
3、,提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进,成熟可靠,可以确保最终产品的质量要求。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 市场分析9一、 行业发展前景9二、 行业规模及现状10第二章 背景、必要性分析13一、 行业竞争情况13二、 影响行业发展的主要因素14三、 项目实施的必要性17第三章 项目绪论18一、 项目名称及投资人18二、 编制原则18三、 编制依据19四、 编制范围及内容19五、 项目建设背景20六、 结论分析23主要经济指标一览表25第
4、四章 产品方案27一、 建设规模及主要建设内容27二、 产品规划方案及生产纲领27产品规划方案一览表27第五章 选址方案分析30一、 项目选址原则30二、 建设区基本情况30三、 创新驱动发展36四、 社会经济发展目标37五、 产业发展方向40六、 项目选址综合评价42第六章 SWOT分析说明44一、 优势分析(S)44二、 劣势分析(W)46三、 机会分析(O)46四、 威胁分析(T)47第七章 法人治理51一、 股东权利及义务51二、 董事53三、 高级管理人员57四、 监事59第八章 运营管理61一、 公司经营宗旨61二、 公司的目标、主要职责61三、 各部门职责及权限62四、 财务会计
5、制度65第九章 发展规划69一、 公司发展规划69二、 保障措施73第十章 进度规划方案76一、 项目进度安排76项目实施进度计划一览表76二、 项目实施保障措施77第十一章 环境保护分析78一、 编制依据78二、 环境影响合理性分析79三、 建设期大气环境影响分析80四、 建设期水环境影响分析82五、 建设期固体废弃物环境影响分析83六、 建设期声环境影响分析83七、 营运期环境影响84八、 环境管理分析85九、 结论及建议86第十二章 劳动安全生产分析88一、 编制依据88二、 防范措施90三、 预期效果评价96第十三章 技术方案分析97一、 企业技术研发分析97二、 项目技术工艺分析99
6、三、 质量管理100四、 项目技术流程101五、 设备选型方案102主要设备购置一览表102第十四章 投资方案104一、 编制说明104二、 建设投资104建筑工程投资一览表105主要设备购置一览表106建设投资估算表107三、 建设期利息108建设期利息估算表108固定资产投资估算表109四、 流动资金110流动资金估算表110五、 项目总投资111总投资及构成一览表112六、 资金筹措与投资计划112项目投资计划与资金筹措一览表113第十五章 经济效益114一、 经济评价财务测算114营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表115固定资产折旧费估算表116无形资产和其他
7、资产摊销估算表117利润及利润分配表118二、 项目盈利能力分析119项目投资现金流量表121三、 偿债能力分析122借款还本付息计划表123第十六章 招标及投资方案125一、 项目招标依据125二、 项目招标范围125三、 招标要求126四、 招标组织方式126五、 招标信息发布130第十七章 总结评价说明131第十八章 附表附录132建设投资估算表132建设期利息估算表132固定资产投资估算表133流动资金估算表134总投资及构成一览表135项目投资计划与资金筹措一览表136营业收入、税金及附加和增值税估算表137综合总成本费用估算表137固定资产折旧费估算表138无形资产和其他资产摊销估
8、算表139利润及利润分配表139项目投资现金流量表140第一章 市场分析一、 行业发展前景1、全球行业发展前景碳化硅半导体是近年来国际研究的热点。2013年日本政府将碳化硅纳入了“首相战略”,认为未来50%的节能要通过它来实现;2014年1月,美国总统奥巴马也亲自主导成立了由18家企业和6所大学共同组成的美国碳化硅产业联盟,协同美国联邦政府共同提升美国制造业。以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体获得联邦和地方政府的合力支持,1.4亿美元的总支持额将用于提升美国在该新兴产业方面的国际竞争力。第一代元素半导体材料Si晶体一直以来都在半导体领域占据统治地位。随着电子技术的发展,人们对超高频光电子
9、器件的要求越来越高,但由于Si本身的性质导致了其很难在高频、高温、大功率和强辐射环境等极端条件下正常工作。以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料,是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有明显优势。目前,碳化硅产品已经成功应用在电力电子器件领域、微波通信领域、LED照明领域。如今,人们正在研究基于碳化硅单晶的石墨烯材料制备、非线性光学晶体开发,未来碳化硅晶体的应用领域将进一步扩大。2、国内行业发展前景我国在SiC单晶生长方面的研究起步较晚,但国内几家科研发力量很强的单位在SiC单
10、晶材料制备研究已具有一定的基础,并取得了较大的突破。国内开展SiC晶体生长研究的单位有中国科学院物理研究所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有天科合达、山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。天科合达在国内首次建立了一条完整的从生长、切割、研磨到化学机械抛光(CMP)的SiC晶片中试加工线,建成了百级超净室,开发出SiC晶片表面处理、清洗封装工艺技术。目前,中国制造2025以及“十三五规划”都明确将碳化硅行业定位为重点支持行业,国内的国家电网、中国中车、比亚迪、华为等公司都针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、手机通信芯片等领域的应用
11、开始陆续加大投资,碳化硅行业在国内方兴未艾。二、 行业规模及现状SiC晶片作为第三代半导体基础材料,在全球高端半导体市场上已经呈现出高速发展态势,2012年到2015年全球市场年均递增速率不低于30%,2015年后全球市场将会出现爆发式增长。目前SiC单晶晶片工业化应用领域包括高亮度LED(以美国Cree、德国欧司朗等公司为代表),家用电器如空调、冰箱、微波炉等(以东芝、松下、日立等公司为代表),风力发电(以三菱、住友等公司为代表),混合动力汽车(以日产、丰田等公司为代表)。在美国,采用SiC晶片的射频微波器件已经在通讯基站、军用通讯市场大规模使用。清洁能源汽车是未来汽车的发展方向,其中相关的
12、功率器件将绝大部分采用SiC功率器件,仅全球汽车业年需要SiC晶片将超过100万片。在智能电网方面,日本和美国已经制定SiC功率器件研发计划,预计在3-5年内可以投入实际应用,届时可以极大地降低电力传输过程损耗,无疑将对全球节能减排计划起到关键性作用。在LED照明领域,高亮度LED照明市场将以30左右的年增长率快速递增。在军用应用领域,SiC微波通讯器件已经应用于美国军方的雷达、通讯领域;在俄罗斯,军事用途的研究正在大范围开展;我国也在积极进行SiC射频微波器件研发。由于军用领域应用研发周期相对较长,且对价格不敏感,因此在民用领域不断拓展的情况下,一旦军用领域大规模采购,高端SiC单晶晶片的需
13、求将出现爆发式增长。国内市场方面,SiC产业链发展也正在趋于成熟。下游的外延企业有东莞天域半导体科技有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所等;器件企业有中车株洲电力机车有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、泰科天润半导体科技(北京)有限公司、南京银茂微电子制造有限公司、江苏能华微电子科技发展有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所等;模块集成企业有中车株洲电力机车有限公司、中兴通讯股份有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司等
14、。另外国家电网公司、原中国南车股份有限公司以及华为技术有限公司近期也已投入巨资从事研发、生产碳化硅器件,积极开拓SiC基器件在电网、机车以及通讯等领域的应用。可以预计在未来几年,国内碳化硅晶片的需求将大幅增加。第二章 背景、必要性分析一、 行业竞争情况目前全球碳化硅行业企业主要有美国Cree公司、II-VI公司、Dow-Corning公司,德国SiCrystal公司(2009年被日本Rohm公司收购),日本NipponSteel(新日铁)公司。目前国际碳化硅市场仍被美国Cree公司垄断,但其市场份额正在逐年下降,从2008年的75%下降到2015年的50%左右;包括II-VI公司、SiCrys
15、tal公司、天科合达和Dow-Corning公司的市场份额则逐年递增。国际碳化硅行业企业除美国Cree、II-VI公司、SiCrystal公司外,其他几家企业基本处于同一水平线上。行业龙头Cree公司的产品线涵盖了从SiC单晶晶片、外延以及器件制造整个产业链。Cree公司完整产业链布局的优势是在产品开发初期能够有效缩短产品研发周期,但如此布局也面临着在整条产业链与上、下游各公司激烈竞争的弊端。SiCrystal公司已经被日本Rohm公司收购,产品将主要应用于Rohm公司的器件生产。其余几家公司包括美国II-VI公司、DowCorning公司以及日本NipponSteel公司的主营业务都不是Si
16、C单晶晶片的生产与制造。我国SiC材料研发工作始于上世纪90年代末期,国内开展SiC晶体生长的研究单位主要有中科院物理所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。二、 影响行业发展的主要因素1、有利因素针对碳化硅行业的终端应用,国际及国内市场投资及开发正在逐渐加大,碳化硅单晶材料行业的市场在快速增长,因此碳化硅单晶材料的市场将会在近5年有爆发式的增长。2012年5月30日,国务院通过了“十二五”国家战略性新兴产业发展规划,提出了节能环保、新一代信息技术、生物、高端装备制造、新能源、新材料、新能源汽车等七大
17、战略性新兴产业的重点发展方向和主要任务,指出新一代信息技术的突破方向是“超高速光纤与无线通信、先进半导体和新型显示等新一代信息技术”。由此先进半导体历史性纳入国家重点发展战略,成为战略新兴产业的重点发展方向。2012年7月,科技部出台半导体照明科技发展“十二五”专项规划中将“半导体照明用碳化硅衬底制备技术研究”明确列为“前沿技术研究”,并计划推出半导体照明应用产品中央财政补贴政策以及推进“十城万盏”试点示范工程应用。2012年7月,科技部出台智能电网重大科技产业化工程“十二五”专项规划中,将突破大规模间歇式新能源电源并网与储能、智能配用电、大电网智能调度与控制、智能装备等智能电网核心关键技术列
18、为总目标。要实现该总目标,关键之一就是电网设备制造产业升级,如新型电力电子器件等。SiC基电力电子器件具有低能耗、高转换效率特征,将成为新型电力电子器件优先发展方向。2012年7月,国务院出台节能与新能源汽车发展规划(2011年至2020年)指出:“到2020年,纯电动汽车和插电式混合动力汽车生产能力达200万辆、累计产销量超过500万辆”。规划要求加强新能源汽车关键零部件研发,重点支持驱动电机以及电动空调、电动转向、电动制动器等电动化附件的研发。由于SiC基功率器件(如整流器、转换器、逆变器等)在节能方面有着其他衬底材料不可比拟的优势,因此可以预见未来几年SiC基器件产业在国内也将迅速发展。
19、2013年,科技部正式启动“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项,将“SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化”作为专项的主要任务之一。科技部在“国家高技术研究发展计划(863计划)、国家科技支撑计划制造领域2014年度备选项目征集指南”中也提出要加强高端装备和关键技术的研制,完成面向高压电力电子器件的大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究,以及针对电网、机车、风电等领域的需求,开展高压SiC电力电子器件制造所需的4-6寸SiC单晶生长炉、外延炉等关键装备研制,并开展1200、1700、3300和8000V的相关器件制造工艺技术验证,2015年达到中试水平。2016年
20、3月,第十二届全国人民代表大会表决通过了关于国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要,提出国家将大力支持新一代信息技术、新能源汽车、生物技术、绿色低碳、高端装备与材料、数字创意等领域的产业发展壮大,并大力推进先进半导体、机器人、增材制造、智能系统、新一代航空装备、空间技术综合服务系统、智能交通、精准医疗、高效储能与分布式能源系统、智能材料、高效节能环保、虚拟现实与互动影视等新兴前沿领域创新和产业化,形成一批新增长点。2、不利因素目前全球具备量产碳化硅晶体能力的只有Cree、Rohm、新日铁等少数几家公司,同时由于Cree在SiC领域注册了大量的专利,因此上述少数几家公司占据了SiC单晶市场较大份
21、额,这在一定程度上会抑制国内相关行业的发展速度。另外,GaN与SiC材料都属于第三代半导体材料,两者在性能上各有千秋,处于竞争态势。目前,碳化硅单晶材料发展比GaN材料成熟,已正式实现产业化,GaN单晶材料处于研究开发阶段,未来GaN单晶材料行业的发展也会在一定程度上制约碳化硅单晶材料行业的发展。三、 项目实施的必要性(一)提升公司核心竞争力项目的投资,引入资金的到位将改善公司的资产负债结构,补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力,降低公司财务费用水平,提升公司盈利能力,促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持,提高公司核心竞争
22、力。第三章 项目绪论一、 项目名称及投资人(一)项目名称金华碳化硅晶片项目(二)项目投资人xx(集团)有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xx(以选址意见书为准)。二、 编制原则1、政策符合性原则:报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则:树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础,通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划,提高资源利用率,减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链,减少生产过程的污染排放,走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子,实现可持续发展。3、工艺
23、先进性原则:按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则,积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术,能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则:近一步提高信息化水平,切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则:认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点,来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求,以此来扩大市场占有率,寻求经济效益最大化,提高企业在国内外的知名度。三、 编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第
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