双极结型三极管及放大电路基础.ppt
《双极结型三极管及放大电路基础.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《双极结型三极管及放大电路基础.ppt(114页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础双极结型三极管及放大电路基础 Still waters run deep.流静水深流静水深,人静心深人静心深 Where there is life,there is hope。有生命必有希望。有生命必有希望第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础4.1.1 4.1.1 结构简介结构简介(a)NPN型管结构示意图型管结构示意图NPN管的电路符号管的电路符号基极基极集电极集电极发射极发射极第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础4.1.1 4.1.1 结构简介结构简介(b)PNP型管结构示意图型管结构示意图PNP管的电路
2、符号管的电路符号集电极集电极基极基极发射极发射极第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础工艺特点:工艺特点:发射区为高浓度参杂区,基区很薄且发射区为高浓度参杂区,基区很薄且 掺杂浓度很低,集电掺杂浓度很低,集电结面积大且掺杂浓度低结面积大且掺杂浓度低 。集成电路中典型集成电路中典型NPNNPN型型BJTBJT的截面图的截面图第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础条件:集电结反偏条件:集电结反偏4.1.2 4.1.2 放大状态下放大状态下BJTBJT的工作原理的工作原理1 1BJTBJT内部载流子的传输过程内部载流子的传输过程三个区的作用(三个区的作用(NPNNPN):
3、):发射区:发射区:多子(电子)浓度高,负责向基区多子(电子)浓度高,负责向基区发射发射电子载流子电子载流子。基区:基区:薄、掺杂浓度很低;负责薄、掺杂浓度很低;负责传送和控制传送和控制从发射区来的从发射区来的电子电子 载流子载流子。集电区:集电区:掺杂浓度低掺杂浓度低 ,负责,负责收集收集经基区传输而来的发射区发射经基区传输而来的发射区发射 的的电子载流子电子载流子。发射结正偏发射结正偏三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。子传输体现出来的。外部条件:外部条件:发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏第四章第四
4、章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础放大状态下放大状态下BJTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程发射区:发射区:向基区向基区发射发射载流子载流子。基区:基区:传送和控制传送和控制从发射区来的从发射区来的载流子载流子。集电区:集电区:收集收集经基区传输来经基区传输来载流子载流子。IE=IB+IC第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础(1 1)发射区向基区扩散载流子形成发射极电流)发射区向基区扩散载流子形成发射极电流I IE E发射结正偏发射结正偏、内电场减小,、内电场减小,E E区多子(电子)扩散区多子(电子)扩散 b b区区,形成形成I IE E;同时同时B B区多
5、子(空穴)区多子(空穴)E E区,形成区,形成I IEPEP。放大状态下放大状态下BJTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程故,故,IE=IEN+IEP第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础(2 2)载流子在基区扩散与复合,形成复合电流)载流子在基区扩散与复合,形成复合电流I IBNBN放大状态下放大状态下BJTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程 电子载流子电子载流子经经B区向区向C区区扩散扩散,其中一部分与,其中一部分与b b区的空穴复合,区的空穴复合,形成基极电流形成基极电流IBN。第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础(2 2)载流子在基区扩散与
6、复合,形成复合电流)载流子在基区扩散与复合,形成复合电流I IBNBN放大状态下放大状态下BJTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程 基极电流基极电流IBN ,就是电子在基区中与空穴复合的电流,就是电子在基区中与空穴复合的电流,即即即即有有部分电子未达到部分电子未达到C C结,对结,对C C极收集电子载流子不利。极收集电子载流子不利。措施措施:基区薄基区薄,减小复合机会;,减小复合机会;掺杂低掺杂低,即空穴少,使大部,即空穴少,使大部分电子到达集电结。分电子到达集电结。第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础(3 3)集电区收集载流子,形成集电极电流)集电区收集载流子,形成集
7、电极电流I IC C放大状态下放大状态下BJTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程 集电结集电结反偏,内电场加大,对电子有很强的吸引力,反偏,内电场加大,对电子有很强的吸引力,使其使其很快地漂移过集电结为集电区收集,很快地漂移过集电结为集电区收集,形成集电极电流形成集电极电流ICN。第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础(3 3)集电区收集载流子,形成集电极电流)集电区收集载流子,形成集电极电流I IC C放大状态下放大状态下BJTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程集电结反偏集电结反偏,b区少子(电子)和区少子(电子)和C区的区的少子少子(空穴)在结电(空穴)在结电
8、场的作用下,场的作用下,形成反向漂移电流形成反向漂移电流ICBO。故,故,IC=ICN+ICBOIB=IEP+IBN+ICBO=IEP+IEN-ICN+ICBO=IEIC第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础放大状态下放大状态下BJTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程注:注:C C区面积大、掺杂低。与区面积大、掺杂低。与e e区差别很大,故区差别很大,故e e极和极和C C极不可互换极不可互换。BJT BJT中有中有两种载流子参与导电两种载流子参与导电,故称为,故称为双极型双极型晶体管晶体管第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础2.电流分配关系电流分配关系根
9、据传输过程可知根据传输过程可知 IC=ICN+ICBO通常通常 ICICBO 为电流放大系数。它只为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般有关,与外加电压无关。一般 =0.9 0.99。IE=IB+IC放大状态下放大状态下BJTBJT中载流子的传输过程中载流子的传输过程第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础 是另一个电流放大系数。同样,它也只与管是另一个电流放大系数。同样,它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。一般一般 1。根据根据IE=IB+IC IC=ICN+
10、ICBO且令且令ICEO=(1+)ICBO(穿透电流)(穿透电流)2.电流分配关系电流分配关系第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础3.三极管的三种组态三极管的三种组态共集电极接法共集电极接法,集电极作为公共电极,用,集电极作为公共电极,用CC表示。表示。共基极接法共基极接法,基极作为公共电极,用基极作为公共电极,用CB表示;表示;共发射极接法共发射极接法,发射极作为公共电极,用,发射极作为公共电极,用CE表示;表示;BJT的三种组态的三种组态第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础共基极放大电路共基极放大电路4.放大作用放大作用若若 vI=20mV电压放大倍数电压放
11、大倍数使使 iE=-1mA,则则 iC=iE=-0.98mA,vO=-iCRL=0.98V,当 =0.98时,时,第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础综上所述,三极管的放大作用,主要是依综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实现的。达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是:实现这一传输过程的两个条件是:(1)内部条件:内部条件:发射区杂质浓度远大于基区发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。杂质浓度,且基区很薄。(2)外部条件:外部条件:发射结正向偏置,集电结反发射结正向偏置,集
12、电结反向偏置。向偏置。第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础1 1共射极电路的特性曲线共射极电路的特性曲线1 1)输入特性)输入特性 以以vCE为参变量时,为参变量时,iB和和vBE间的关系间的关系 函数关系:函数关系:iB=f(vBE)|vCE=常数常数说明说明:vCE=0,b-e e极相当于二极管极相当于二极管;vCE1V,集集电电极极反反偏偏,吸吸引引电电子子强强,且且集集电电结结的的空空间间电电荷荷区区变变宽宽,基基区区变变薄薄,复复合合机机会会减减少少,在在同同等等vbe下下,iB减减小小,曲线右移;曲线右移;vCE再再,曲线基本不变。,曲线基本不变。4.1.3 4.1
13、.3 晶体管的晶体管的V-IV-I特性曲线特性曲线 表表示示各各极极电电压压与与电电流流之之间间的的关关系系曲曲线线,是是内内部部载载流流子子运运动动的的外外部部表表现现,更更重重要要。常用的有输入、输出特性曲线(可测量)常用的有输入、输出特性曲线(可测量)共射极连接共射极连接第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础2 2)输出特性)输出特性 输输入入电电流流iB一一定定,vCE与与iC的关系。即:的关系。即:iC=f(vCE)|iB=常数常数vCE 1V,为非线性区域;为非线性区域;vCE1V,为为线线性性区区域域,模模拟拟信信号号放放大大选选用用这这一一区区域域,但但放放大大信
14、信号号幅幅度度过过大大,峰峰落落在在非非线线性性区区域域,即即造造成成“非线性失真非线性失真”。共射极连接共射极连接第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础说明:说明:曲线的起始部分很陡,受曲线的起始部分很陡,受vCE的影响大。当的影响大。当vCE 1V后,曲线变后,曲线变得较平坦,符合电得较平坦,符合电流分配原则。流分配原则。输出曲线随输出曲线随iB的不同由多条基的不同由多条基本相同的曲线组成,间隔较均匀;本相同的曲线组成,间隔较均匀;=IC IBIC/IB在很宽的范在很宽的范围内基本不变。围内基本不变。“基区宽度调制效应基区宽度调制效应”:曲线曲线随随vCE的增加而略有上倾。原
15、因:的增加而略有上倾。原因:在在VBE基本不变时,当基本不变时,当VCE VCB 集电极反偏集电极反偏 集电极空间电荷区集电极空间电荷区 基区有效宽度基区有效宽度 基区载流子复基区载流子复合机会合机会 略有略有;在;在iB不变时,不变时,iC略有加。略有加。I IB B=20 A I IC C=1.0mA=1.0mAI IC CI IB B=50=50第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础饱和区饱和区集电结正偏(集电区集电结正偏(集电区收集电子的能力很弱,电子堆收集电子的能力很弱,电子堆积在基区,饱和)积在基区,饱和),IC IB;当;当VCE=VBE(即(即VCB=0),),称
16、为临界饱和。称为临界饱和。3)输出特性曲线分成三个区)输出特性曲线分成三个区输出特性曲线的三个区域输出特性曲线的三个区域:截止区截止区IB 0的区域的区域(IE=IC=ICEO,管子并非完全,管子并非完全截止,但一般截止,但一般ICEO很小)很小)放大区:放大区:iC平行于平行于vCE轴的区域,曲线基本平行轴的区域,曲线基本平行等距。此时,等距。此时,发射结正偏,集电结反偏发射结正偏,集电结反偏。ic/ib第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础 (1)共发射极直流电流放大系数共发射极直流电流放大系数 =(ICICEO)/IBIC/IB vCE=const1.电流放大系数电流放大系
17、数 4.1.4BJT的主要参数的主要参数(2)共发射极交流电流放大系数共发射极交流电流放大系数 =iC/iB vCE=const(3)共基极直流电流放大系数共基极直流电流放大系数=(ICICBO)/IEIC/IE(4)共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数 =iC/iE vCB=const当当ICBO和和ICEO很小时,很小时,、,可以不,可以不加区分。加区分。共射极连接共射极连接共基极连接共基极连接第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础2.极间反向电流极间反向电流(1)集电极基极间反向饱和电流集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开发射极开路时,集电结的反向饱和电流。路
18、时,集电结的反向饱和电流。4.1.4BJT的主要参数的主要参数 只决定于温度和少子浓度,数值越小越好。只决定于温度和少子浓度,数值越小越好。硅管硅管 ICBO,较易测得(小功率较易测得(小功率管管中,中,锗:几十锗:几十几百几百 A;硅:几;硅:几 A)ICEO随温度的变化比随温度的变化比ICBO更大。更大。ICEO大的管子性能也不稳定。大的管子性能也不稳定。第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础(1)集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM(2)集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗PCMPCM=ICVCE3.极限参数极限参数4.1.4BJT的主要参数的主要参数第四章第
19、四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础3.极限参数极限参数4.1.4BJT的主要参数的主要参数(3)反向击穿电压反向击穿电压 V(BR)CBO发射极开路时的集电结反发射极开路时的集电结反向击穿电压。向击穿电压。V(BR)EBO集电极开路时发射结的反集电极开路时发射结的反向击穿电压。向击穿电压。V(BR)CEO基极开路时集电极和发射基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。极间的击穿电压。几个击穿电压有如下关系几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBOV(BR)CEOV(BR)EBO第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础4.1.5温度对温度对BJT参数及特性的影响参数及特性的影响(
20、1)温度对温度对ICBO的影响的影响温度每升高温度每升高10,ICBO约增加一倍。约增加一倍。(2)温度对温度对 的影响的影响温度每升高温度每升高1,值约增大值约增大0.5%1%。(3)温度对反向击穿电压温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响的影响温度升高时,温度升高时,V(BR)CBO和和V(BR)CEO都会有所提高。都会有所提高。2.温度对温度对BJT特性曲线的影响特性曲线的影响1.温度对温度对BJT参数的影响参数的影响第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础思考题思考题:在在放大电路放大电路中,如何根据中,如何根据BJTBJT的三个的三个电极的电位电极的电
21、位,来,来判判断断此此BJTBJT是是锗管锗管还是还是硅管硅管?其中哪个是?其中哪个是基极基极b b、哪个是、哪个是发射极发射极e e、哪个是哪个是集电极集电极C C?是?是NPNNPN管还是管还是PNPPNP管?管?答:答:1 1)Vbe=0.7V为为硅硅管管Vbe=0.2V为为锗锗管管2)NPN:VC VB VEPNP:VE VB VC电压值在中间电压值在中间的是的是基极基极b b,比基极高(或低),比基极高(或低)0.7V(或(或0.3V)的是的是发射极发射极e,另外的一个电极为集电极另外的一个电极为集电极C C。3 3)VB VE:NPNVE VB:PNP第四章第四章三极管及放大电路基
22、础三极管及放大电路基础作业作业:4.1.1第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础4.2 4.2 基本共射极放大电路基本共射极放大电路放大的能量是由直流转换而来的放大的能量是由直流转换而来的即放大电路是对能量的控制。即放大电路是对能量的控制。基本共射极放大电路基本共射极放大电路4.2.1基本共射极放大电路的组成基本共射极放大电路的组成特点:特点:交、直流共存,总的交、直流共存,总的响应是两个单独响应响应是两个单独响应的叠加。的叠加。第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础交流通路交流通路4.2.2 4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理基本共射极放大电路的工作原理直流
23、通路直流通路直流通路直流通路交流通路交流通路基本共射极放大电路基本共射极放大电路规定规定:瞬时值瞬时值iB;交流分量交流分量ib;直流分量直流分量IB;三者之间的关系:三者之间的关系:iB=IB+ib第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础4.2.2 4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理基本共射极放大电路的工作原理直流通路直流通路1.1.静态静态(直流工作状态直流工作状态)输入信号输入信号vi0时,放大电路的工时,放大电路的工作状态称为静态或直流工作状态。作状态称为静态或直流工作状态。VCEQ=VCCICQRc静态时,静态时,BJT各电极各电极的直流电流及各电极间的的直流电流及
24、各电极间的直流电压直流电压IB、IC、VBE、VCE可在可在BJT的特性曲线的特性曲线上确定一个点,该点称为上确定一个点,该点称为静态工作点静态工作点,分别用分别用IBQ、ICQ、VBEQ、VCEQ表示表示。其中。其中VBEQ基本为定值硅基本为定值硅管约为管约为0.7V,锗管约为锗管约为0.2V直流通路的画法:直流通路的画法:交流源置零;电容交流源置零;电容开路开路第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础4.2.2 4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理基本共射极放大电路的工作原理 2.2.动态动态(交流工作状态交流工作状态)基本共射极放大电路基本共射极放大电路交流通路交流通路输
25、入正弦信号输入正弦信号vs后,电路将处在动态工作情况。此时,后,电路将处在动态工作情况。此时,vBE=VBEQ+vbeiB=IBQ+ibiC=ICQ+icvCE=VCC-iCRc=VCEQ+vce交流通路交流通路画法:画法:直流电源置零、电容短路直流电源置零、电容短路第四章第四章三极管及放大电路基础三极管及放大电路基础4.3 4.3 放大电路的分析方法放大电路的分析方法 静态静态:无输入信号时,电路中的:无输入信号时,电路中的电压、电流为静止直流电压、电流为静止直流。动动态态:有有输输入入信信号号中中时时,电电路路中中各各处处的的电电压压、电电流流随随输输入入信信号号而变化而变化。方法:方法:
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 双极结型 三极管 放大 电路 基础
限制150内