微机原理与接口技术第四章教案.ppt
《微机原理与接口技术第四章教案.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《微机原理与接口技术第四章教案.ppt(54页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、微机原理与接口技术第四章 Still waters run deep.流静水深流静水深,人静心深人静心深 Where there is life,there is hope。有生命必有希望。有生命必有希望n 微型机的存储系统、分类及其特点微型机的存储系统、分类及其特点n 半导体存储芯片的外部特性及其与系统的连接半导体存储芯片的外部特性及其与系统的连接n 存储器扩展技术存储器扩展技术n 高速缓存高速缓存本章主要内容本章主要内容2n将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同的存储器用硬件、软件或将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同的存储器用硬件、软件或软硬件相结合的方法组织起来软硬件相结合的方法
2、组织起来这样就构成了计算机的存储系统。这样就构成了计算机的存储系统。n系统的存储速度接近最快的存储器,容量接近最大的存储器。系统的存储速度接近最快的存储器,容量接近最大的存储器。微型机的存储系统微型机的存储系统nCache存储系统存储系统解决速度问题解决速度问题n虚拟存储系统虚拟存储系统解决容量问题解决容量问题高速缓冲存储器高速缓冲存储器主存储器主存储器主存储器主存储器磁盘存储器磁盘存储器3存储器的层次结构存储器的层次结构n微机拥有不同类型的存储部件微机拥有不同类型的存储部件n由上至下容量越来越大,但速度越来越慢由上至下容量越来越大,但速度越来越慢寄存器寄存器高速缓存高速缓存主存储器主存储器联
3、机外存储器联机外存储器脱机外存储器脱机外存储器快快慢慢小小大大容容量量速速度度CPU内核内核4存储器:内存、外存存储器:内存、外存n内存内存存放当前运行的程序和数据。存放当前运行的程序和数据。特点特点:快,容量小,随机存取,快,容量小,随机存取,CPU可直接访问可直接访问。通常由半导体存储器构成通常由半导体存储器构成RAM、ROMn外存外存存放非当前使用的程序和数据。存放非当前使用的程序和数据。特点特点:慢,容量大,顺序存取慢,容量大,顺序存取/块存取块存取。需调入内存后需调入内存后CPU才能访问才能访问。通常由磁、光存储器构成,也可以由半导体存储器构成通常由磁、光存储器构成,也可以由半导体存
4、储器构成磁盘、磁带磁盘、磁带、CD-ROM、DVD-ROM、固态盘固态盘5半导体存储器半导体存储器n由能够表示二进制数由能够表示二进制数“0”和和“1”的、具有记忆功能的一些的、具有记忆功能的一些半导体器件组成。如触发器、半导体器件组成。如触发器、MOS管的栅极电容等。管的栅极电容等。n能存放一位二进制数的器件称为一个存储元。能存放一位二进制数的器件称为一个存储元。n若干存储元构成一个存储单元。若干存储元构成一个存储单元。随机存取存储器(随机存取存储器(RAM)Random Access Memory只读存储器(只读存储器(ROM)Read Only Memory内存储器内存储器内存储器内存储
5、器静态存储器(静态存储器(SRAM)Static RAM动态存储器(动态存储器(DRAM)Dynamic RAM掩模掩模ROMPROMEPROMEEPROM6存储器的主要技术指标存储器的主要技术指标n存储容量存储容量:存储单元个数:存储单元个数M每单元位数每单元位数Nn存取时间存取时间:从启动读:从启动读(写写)操作到操作完成的时间操作到操作完成的时间n存取周期存取周期:两次独立的存储器操作所需间隔的最:两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间小时间n平均故障间隔时间平均故障间隔时间MTBF(可靠性可靠性)n功耗功耗:动态功耗、静态功耗:动态功耗、静态功耗7随机存取存储器随机存取存储器RAM要求
6、掌握:要求掌握:nSRAM与与DRAM的主要特点的主要特点n几种常用存储器芯片及其与系统的连接几种常用存储器芯片及其与系统的连接n存储器扩展技术存储器扩展技术静态存储器静态存储器SRAM特点:特点:1.用双稳态触发器存储信息。用双稳态触发器存储信息。2.速度快(速度快(5ns),不需刷新,外围电路比较简单,但集),不需刷新,外围电路比较简单,但集成度低(存储容量小,约成度低(存储容量小,约1Mbit/片),功耗大。片),功耗大。3.在在PC机中,机中,SRAM被广泛地用作高速缓冲存储器被广泛地用作高速缓冲存储器Cache。4.对容量为对容量为M*N的的SRAM芯片,其地址线数芯片,其地址线数=
7、2M;数据线;数据线数数=N。反之,若。反之,若SRAM芯片的地址线数为芯片的地址线数为K,则可以推断,则可以推断其单元数为其单元数为2K个。个。8典型典型SRAM芯片芯片CMOS RAM芯片芯片6264(8K*8):):n主要引脚功能主要引脚功能n工作时序工作时序n与系统的连接使用与系统的连接使用6264D7-D0A12-A0OEWECS1CS26264外外部部引引线线图图地址线:地址线:A0A12数据线:数据线:D0 D7输出允许信号:输出允许信号:OE写允许信号:写允许信号:WE选片信号:选片信号:CS1、CS296264的工作过程的工作过程n读操作读操作10写操作写操作6264的工作过
8、程的工作过程116264操作与控制信号对应关系操作与控制信号对应关系126264与系统的连接与系统的连接D0D7A0A12WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMR译码译码电路电路高位地址信号D0D7 13n将输入的一组二进制编码变换为一个特定的控制信号将输入的一组二进制编码变换为一个特定的控制信号n将输入的一组高位地址信号通过变换,产生一个有效的控制将输入的一组高位地址信号通过变换,产生一个有效的控制信号,用于信号,用于选中选中某一个存储器芯片,从而确定该存储器芯片某一个存储器芯片,从而确定该存储器芯片在内存中的地址范围在内存中的地址范围n译码方法有译码方法有:全译码:所有地址线都参与译
9、码全译码:所有地址线都参与译码部分译码:部分地址线参与译码部分译码:部分地址线参与译码线译码:线译码:译码电路译码电路14全译码全译码n用全部的高位地址信号作为译码信号,使得存储器芯片用全部的高位地址信号作为译码信号,使得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯一的内存地址。的每一个单元都占据一个唯一的内存地址。存储器存储器芯片芯片译译码码器器低位地址低位地址高位地址高位地址全全部部地地址址片选信号片选信号15全译码连接图全译码连接图16全译码全译码n6264芯片的地址范围:芯片的地址范围:F0000HF1FFFH11110000000 11110001111A19A18A17A16A15A14A1
10、3&1#CS1A12A0D7D0高位地址高位地址线全部参线全部参加译码加译码6264A12-A0D7-D0#OE#WE17n用用部分高位地址部分高位地址信号(而不是全部)作为信号(而不是全部)作为译码信号,使得被选中得存储器芯片占有译码信号,使得被选中得存储器芯片占有几组不同的地址范围。几组不同的地址范围。n下例使用高下例使用高5位地址作为译码信号,从而位地址作为译码信号,从而使被选中芯片的每个单元都占有两个地址,使被选中芯片的每个单元都占有两个地址,即这两个地址都指向同一个单元。即这两个地址都指向同一个单元。部分译码部分译码18部分地址译码部分地址译码A19A17A16A15A14A13&1
11、到6264CS1n同一物理存储器占用两组地址:同一物理存储器占用两组地址:nF0000HF1FFFHnB0000HB1FFFHnA18不参与译码不参与译码19部分译码连接图部分译码连接图20部分地址译码示例部分地址译码示例n将将SRAM 6264芯片与系统连接,使其地址范围为:芯片与系统连接,使其地址范围为:38000H39FFFH和和78000H79FFFH。n选择使用选择使用74LS138译码器构成译码电路译码器构成译码电路 Y0#G1 Y1#G2A Y2#G2 B Y3#Y4#A Y5#B Y6#C Y7#片选信号输出译码允许信号地址信号(接到不同的存储体上)74LS13874LS138
12、逻辑图逻辑图21应用举例应用举例(续续):D0D7A0A12WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMRD0D7G1G2AG2BCBA&A19A14A13A17A16A15+5VY0下图中下图中A18不参与译码,故不参与译码,故6264的地址范围为:的地址范围为:3 38000H39FFFH8000H39FFFH78000H79FFFH 78000H79FFFH 626422n特点:特点:DRAM是靠是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的,由于电路中的栅极电容来存储信息的,由于电容上的电荷会逐渐泄漏,需要定时充电以维持存储内容电容上的电荷会逐渐泄漏,需要定时充电以维持存储内容不丢失(称为不丢
13、失(称为动态刷新动态刷新),所以动态),所以动态RAM需要设置刷新需要设置刷新电路,相应外围电路就较为复杂。电路,相应外围电路就较为复杂。刷新定时间隔一般为几微秒几毫秒刷新定时间隔一般为几微秒几毫秒DRAM的特点是集成度高(存储容量大,可达的特点是集成度高(存储容量大,可达1Gbit/片以片以上),功耗低,但速度慢(上),功耗低,但速度慢(10ns左右),需要刷新。左右),需要刷新。DRAM在微机中应用非常广泛,如微机中的内存条(主存)在微机中应用非常广泛,如微机中的内存条(主存)、显卡上的显示存储器几乎都是用、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。制造的。动态随机存储器动态随机存储器D
14、RAM23动态随机存储器动态随机存储器DRAMn常见常见DRAM的种类:的种类:SDRAM(Synchronous DRAM)它在它在1个个CPU时钟周期内可完成数据时钟周期内可完成数据的访问和刷新,即可与的访问和刷新,即可与CPU的时钟同步工作。的时钟同步工作。SDRAM的工作频率目前最大的工作频率目前最大可达可达150MHz,存取时间约为,存取时间约为510ns,最大数据率为,最大数据率为150MB/s,是当前微,是当前微机中流行的标准内存类型。机中流行的标准内存类型。RDRAM(Rambus DRAM)是由是由Rambus公司所开发的高速公司所开发的高速DRAM。其最大数据率可达其最大数
15、据率可达1.6GB/s。DDR DRAM(Double Data Rate DRAM)是对是对SDRAM的改进,它在的改进,它在时钟的上升沿和下降沿都可以传送数据,其数据率可达时钟的上升沿和下降沿都可以传送数据,其数据率可达200-800 MB/s。主要。主要应用在主板和高速显示卡上。应用在主板和高速显示卡上。nRAM的的3个特性:个特性:1)可读可写,非破坏性读出,写入时覆盖原内容。)可读可写,非破坏性读出,写入时覆盖原内容。2)随机存取,存取任一单元所需的时间相同。)随机存取,存取任一单元所需的时间相同。3)易失性(或挥发性)。当断电后,存储器中的内容立即消失。)易失性(或挥发性)。当断电
16、后,存储器中的内容立即消失。24典型典型DRAM芯片芯片2164An2164A:64K1采用行地址和列地址来确定一个单元;采用行地址和列地址来确定一个单元;行列地址行列地址分时分时传送,传送,共用一组地址线;共用一组地址线;地址线的数量仅地址线的数量仅为同等容量为同等容量SRAM芯片的一半。芯片的一半。行行地地址址10001 0 0 0列地址列地址25典型典型DRAM芯片芯片2164An RAS:行地址选通信号,用于锁存行地址;:行地址选通信号,用于锁存行地址;n CAS:列地址选通信号。:列地址选通信号。地址总线上先送行地址,后送列地址分别在RAS和 CAS有效期间被锁存在地址锁存器中。n
17、DIN:数据输入数据输入n DOUT:数据输出:数据输出WE=0 数据写入数据写入WE=1 数据读出数据读出WE:写允许信号:写允许信号26n三种操作:三种操作:数据读出数据读出 数据写入数据写入 刷新刷新(将存放于每位中的信息读出再照原样写入原单元的过程将存放于每位中的信息读出再照原样写入原单元的过程)典型典型DRAM芯片芯片2164A刷刷新新时时序序27存储器扩展技术存储器扩展技术n用多片存储芯片构成一个需要的内存空间用多片存储芯片构成一个需要的内存空间n它们在整个内存中占据不同的地址范围它们在整个内存中占据不同的地址范围n任一时刻仅有一片(或一组)被选中任一时刻仅有一片(或一组)被选中位
18、扩展位扩展扩展每个存储单元的位数扩展每个存储单元的位数字扩展字扩展扩展存储单元的个数扩展存储单元的个数28位扩展位扩展n存储器的存储容量等于:存储器的存储容量等于:单元数单元数每单元的位数每单元的位数n当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时,就要进行位扩当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时,就要进行位扩展,使每个单元的字长满足要求。展,使每个单元的字长满足要求。位扩展方法:位扩展方法:将每片的地址线、控制线并联,数据线分别引出。将每片的地址线、控制线并联,数据线分别引出。位扩展特点:位扩展特点:存储器的单元数不变,位数增加。存储器的单元数不变,位数增加。字长字长字节数字节
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 微机 原理 接口 技术 第四 教案
限制150内