兰州功率半导体器件项目建议书.docx

《兰州功率半导体器件项目建议书.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《兰州功率半导体器件项目建议书.docx（138页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、泓域咨询/兰州功率半导体器件项目建议书兰州功率半导体器件项目建议书xxx投资管理公司报告说明MOSFET全名即Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，指金属 氧化物半导体场效应晶体管，主要分为以下几类：Planar（平面型）MOSFET，Trench（沟槽型）MOSFET，SGT（ShieldedGateTransistor，屏蔽栅沟槽型）MOSFET和SJ（SuperJunction，超结型）MOSFET等。MOSFET问世于1980年左右，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路中的场效应晶体管，用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化

2、，起到开关或放大等作用。随着技术的发展，沟槽型MOSFET于1990年左右逐步研发成功。屏蔽栅沟槽型MOSFET和超结型MOSFET于本世纪初由英飞凌（Infineon）率先推出。对国内市场而言， MOSFET产品由于其技术及工艺的先进性，很大程度上仍依赖进口，国产化空间巨大。根据谨慎财务估算，项目总投资37594.31万元，其中：建设投资29960.24万元，占项目总投资的79.69%；建设期利息690.03万元，占项目总投资的1.84%；流动资金6944.04万元，占项目总投资的18.47%。项目正常运营每年营业收入84100.00万元，综合总成本费用71373.08万元，净利润9277.

3、22万元，财务内部收益率16.83%，财务净现值5492.39万元，全部投资回收期6.45年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 项目总论9一、 项目名称及投资人9二、 编制原则9三、 编制依据10四、 编制范围及内容10五、 项目建设背景10六、 结论分析15主要

4、经济指标一览表16第二章 市场预测19一、 面临的挑战19二、 功率半导体行业的发展情况19第三章 项目背景、必要性30一、 全球半导体行业情况30二、 功率半导体行业的发展情况31三、 半导体行业概览40四、 提升企业创新能力41五、 打造西部科创研发引领区42第四章 产品方案与建设规划44一、 建设规模及主要建设内容44二、 产品规划方案及生产纲领44产品规划方案一览表44第五章 建筑工程可行性分析46一、 项目工程设计总体要求46二、 建设方案47三、 建筑工程建设指标50建筑工程投资一览表50第六章 SWOT分析说明52一、 优势分析（S）52二、 劣势分析（W）54三、 机会分析（O

5、）54四、 威胁分析（T）56第七章 法人治理结构60一、 股东权利及义务60二、 董事67三、 高级管理人员72四、 监事74第八章 项目环境影响分析77一、 环境保护综述77二、 建设期大气环境影响分析77三、 建设期水环境影响分析78四、 建设期固体废弃物环境影响分析78五、 建设期声环境影响分析78六、 环境影响综合评价79第九章 原辅材料供应及成品管理80一、 项目建设期原辅材料供应情况80二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理80第十章 劳动安全生产81一、 编制依据81二、 防范措施83三、 预期效果评价87第十一章 工艺技术说明89一、 企业技术研发分析89二、 项目技术工艺分

6、析91三、 质量管理92四、 设备选型方案93主要设备购置一览表94第十二章 项目投资计划96一、 投资估算的依据和说明96二、 建设投资估算97建设投资估算表101三、 建设期利息101建设期利息估算表101固定资产投资估算表102四、 流动资金103流动资金估算表104五、 项目总投资105总投资及构成一览表105六、 资金筹措与投资计划106项目投资计划与资金筹措一览表106第十三章 经济效益评价108一、 经济评价财务测算108营业收入、税金及附加和增值税估算表108综合总成本费用估算表109固定资产折旧费估算表110无形资产和其他资产摊销估算表111利润及利润分配表112二、 项目盈

7、利能力分析113项目投资现金流量表115三、 偿债能力分析116借款还本付息计划表117第十四章 招投标方案119一、 项目招标依据119二、 项目招标范围119三、 招标要求119四、 招标组织方式122五、 招标信息发布125第十五章 总结分析126第十六章 附表附件127营业收入、税金及附加和增值税估算表127综合总成本费用估算表127固定资产折旧费估算表128无形资产和其他资产摊销估算表129利润及利润分配表129项目投资现金流量表130借款还本付息计划表132建设投资估算表132建设投资估算表133建设期利息估算表133固定资产投资估算表134流动资金估算表135总投资及构成一览表1

8、36项目投资计划与资金筹措一览表137第一章 项目总论一、 项目名称及投资人（一）项目名称兰州功率半导体器件项目（二）项目投资人xxx投资管理公司（三）建设地点本期项目选址位于xx。二、 编制原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同

9、时”设计原则，对项目可能产生的污染源进行综合治理，使其达到国家规定的排放标准。三、 编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。四、 编制范围及内容本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。五、 项目建设背景半导体保护类器件种类较多，主要有浪涌电流

10、抑制器（TSS）、瞬态电压抑制器（TVS）、静电保护器件（ESD）、集成保护器件、Y电容、压敏电阻等，可应用于汽车电子系统、楼宇监控及安防系统、通讯设备及通讯终端、电脑各种接口保护、电子消费品、便携式电子产品、仪器仪表、家用电器和工业电器控制等各类需要防浪涌冲击、防静电的电子产品内部，用以对电路提供保护，以免受到突发的过高电压或过大电流损害。半导体保护器件可使电子产品具有抗雷电浪涌（SURGE）、静电放电（ESD）、电瞬变（EFT）电感负载切换以及交流电源波动的能力，使产品更加耐用可靠，从而降低产品的修理、维护及更新费用。由于使用场合广泛，半导体保护器件市场规模较大，并不断外延。随着节能环保和

11、智能化时代的到来，家用电器和电子产品向着高端方向演进，高效节能、绿色环保、智能化、一体化等高新技术引领行业发展。在此背景下，一方面是下游产品的技术进步和功能增加使得总体数量上需要更多的半导体保护器件，另一方面智能化和高端化的下游产品更加精致和昂贵，更加需要高性能、高可靠性的保护器件进行雷击保护和静电保护。此外，在注重用户体验的市场营销战略下，基于用户体验和产品安全的考虑，高性能、高可靠性的保护器件也将受到更多下游生产商的重视，需求将进一步扩大。当前和今后一个时期，我国发展仍然处于重要战略机遇期，但机遇和挑战都有新的发展变化。当今世界正经历百年未有之大变局，新一轮科技革命和产业变革深入发展，国际

12、力量对比深刻调整，和平与发展仍然是时代主题，人类命运共同体理念深入人心，国际环境日趋复杂，不稳定性不确定性明显增加，新冠肺炎疫情影响广泛深远，经济全球化遭遇逆流，世界进入动荡变革期，单边主义、保护主义、霸权主义对世界和平与发展构成威胁。我国已转向高质量发展阶段，制度优势显著，治理效能提升，经济长期向好，物质基础雄厚，人力资源丰富，市场空间广阔，发展韧性强劲，社会大局稳定，继续发展具有多方面优势和条件。面临的机遇。一是“一带一路”建设带来的机遇。共建“一带一路”已成为我国参与全球开放合作、改善全球治理关系、促进全球共同发展繁荣以及推动构建人类命运共同体的中国方案。“十四五”时期，中巴经济走廊和孟

13、中印缅经济走廊的加快建设，将使兰州成为我国西北地区对外开放的重要枢纽和重大支撑点。二是推进西部大开发形成新格局带来的机遇。2019年制定实施的关于新时代推进西部大开发形成新格局的指导意见，明确了将在培育西部地区新材料和生物医药等战略性新兴产业发展、推进“西部陆海新通道”建设、打造无水港、推动跨省毗邻地区协同开放发展等方面加大政策和资金支持力度，为兰州扩大开放、培育战略性新兴产业、推动现代化中心城市高质量发展提供了良好外部环境。三是推动黄河流域生态保护和高质量发展带来的机遇。“十四五”时期，国家实施的黄河流域生态保护和高质量发展战略将推动黄河流域中心城市等经济发展条件较好的地区集约发展，提高经济

14、和人口承载能力。兰州市作为黄河上游重要的区域中心城市，将是黄河流域生态保护和高质量发展战略的主要政策受益区，一大批重大生态保护工程和高质量发展项目将加快实施。四是兰西城市群建设带来的机遇。“十四五”时期，国家将持续加大对京津冀地区、长江三角洲、珠江三角洲、成渝地区、关中平原、兰州-西宁等城市群建设的支持力度，为提高兰州作为现代化中心城市的辐射带动力提供了良好战略契机。五是获批国家级平台带来的发展机遇。兰白国家自主创新示范区成为全国第19个、欠发达地区首个国家自主创新示范区以及兰州市入围国家物流枢纽承载城市带来的机遇。六是新发展格局带来的机遇。“十四五”时期，我国加快建设现代化经济体系，加快构建

15、以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局。加快发展实体经济，促进消费升级，将给兰州市优化经济结构带来机遇。七是新一轮科技革命带来的机遇。随着第四次科技革命和产业变革孕育兴起，人工智能、大数据、物联网、云计算、虚拟现实、区块链等高新技术快速发展，为兰州传统产业升级改造、制造业和服务业融合发展以及构建现代产业体系带来重大机遇。八是甘肃省加快发展带来的机遇。甘肃省以十大生态产业为发力点，着力打造“一带一路”文化、枢纽、技术、信息、生态五个制高点，加快经济转型升级，加快推进创新突破，加快构建多向开放格局，特别是榆中生态创新城建设成为省级重大发展战略，为兰州发挥省会城市辐射带动作用带来重要

16、发展机遇。面临的挑战。一是经济综合实力不强。经济总量偏小，增长速度较慢，县域经济发展不足，综合实力较弱，省会城市辐射带动作用不强。二是产业内部结构不合理。传统产业占比较大，产业链条短；战略性新兴产业总量偏小，发展速度不快；服务业以传统业态为主，现代服务业特别是生产性服务业发展滞后；民营企业发展较弱，市场活力不足。三是创新驱动能力不强。创新体系尚不完善，顶尖人才和高端研发团队缺乏，产学研结合不够紧密，创新成果转移转化率还不够高，新旧动能转换滞后。四是对外开放层次较低。甘肃（兰州）国际陆港、兰州新区综合保税区等开放平台优势作用发挥不足；具备参与国际化竞争实力的骨干企业较少；进出口结构调整步伐缓慢。

17、五是民生保障短板明显。城市基础设施欠账较多，功能配套不够完善。文化、体育、教育、医疗等资源供给不充分不均衡；养老服务质量仍需提升，城乡居民收入水平不高。这些问题和矛盾需要在“十四五”时期下大力气加以解决。综合判断，“十四五”期间兰州将迎来自身比较优势的重塑期、新旧动能转换的爬坡期、高质量发展的攻坚期，仍然处于可以大有作为、更需主动作为的重要战略机遇期，我们必须主动作为、抢抓机遇、乘势而上，充分认识新时代赋予的新使命，切实增强使命感、责任感和紧迫感，坚持以人民为中心的发展思想，突出改革创新，破解发展难题，奋力开启兰州现代化建设新征程。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx，占地面积约8

18、1.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xx颗功率半导体器件的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资37594.31万元，其中：建设投资29960.24万元，占项目总投资的79.69%；建设期利息690.03万元，占项目总投资的1.84%；流动资金6944.04万元，占项目总投资的18.47%。（五）资金筹措项目总投资37594.31万元，根据资金筹措方案，xxx投资管理公司计划自筹资金（资本金）23512.19万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总

19、额14082.12万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：84100.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：71373.08万元。3、项目达产年净利润（NP）：9277.22万元。4、财务内部收益率（FIRR）：16.83%。5、全部投资回收期（Pt）：6.45年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：37276.88万元（产值）。（七）社会效益通过分析，该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构，改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多

20、的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积54000.00约81.00亩1.1总建筑面积98015.821.2基底面积30240.001.3投资强度万元/亩357.292总投资万元37594.312.1建设投资万元29960.242.1.1工程费用万元25843.432.1.2其他费用万元3396.812.1.3预备费万元720.002.2建设期利息万元690.032.3流动资金万元6944.043资金筹措万元37594.313.1自筹资金万元23512.1

21、93.2银行贷款万元14082.124营业收入万元84100.00正常运营年份5总成本费用万元71373.086利润总额万元12369.637净利润万元9277.228所得税万元3092.419增值税万元2977.4910税金及附加万元357.2911纳税总额万元6427.1912工业增加值万元22337.5013盈亏平衡点万元37276.88产值14回收期年6.4515内部收益率16.83%所得税后16财务净现值万元5492.39所得税后第二章 市场预测一、 面临的挑战1、行业周期性挑战虽然功率半导体行业总体呈现增长趋势，但是行业具有周期性，这会导致企业经营效益产生波动，考验企业经营管理能力

22、。在周期底部和顶部切换的过程中，订单的波动对行业生产能力、材料库存、研发投入、市场拓展、人才培养等方面产生影响。2、行业高端人才储备相对不足功率半导体行业是典型的技术密集型行业，企业的技术研发实力源于对专业人才的储备和培养。近年来随着我国功率半导体行业的发展，功率半导体行业的从业人员逐步增多，但由于市场需求的不断变化，业内高端人才仍然较为缺乏。行业高端人才储备相对不足在一定程度上给企业快速发展带来挑战。二、 功率半导体行业的发展情况1、功率半导体器件简介功率半导体器件是电力电子产品的基础之一，也是构成电力电子变化装置的核心器件之一，主要用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等，具有应用范围广

23、、用量大等特点，在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域应用广泛。从细分市场来看，保护器件受益于智能制造、电力改造、电子通讯升级、互联网普及等趋势，销售规模不断扩大，其市场也逐步向高端推进。近年来，受益于国际电子制造产业的转移，以及下游行业需求的拉动，我国功率半导体行业保持了较快的增长态势。（1）晶闸管简介晶闸管诞生于上世纪50年代，是一种基础型功率半导体分立器件，主要用于电力变换与控制，可以用微小的信号功率对大功率的电流进行控制和变换，具有体积小、重量轻、耐压高、容量大、效率高、控制灵敏、使用寿命长等优点。晶闸管的功能包括整流、无触点开

24、关、快速接通、切断电流、交流调压、逆变变频等，实际应用中既可以用于单次开关，也可以通过调整开关的时间，控制电路的输出功率，从而改变电机的转速。晶闸管推动了半导体技术从弱电领域进入强电领域，成为工业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面广泛采用的电子元器件。晶闸管的设计技术与生产工艺至今仍在不断完善，产品性能日益提高。由于晶闸管具有技术成熟、电压电流容量较高、可靠性高、性价比高等优势，有利于提高终端产品的良品率、减少维修费用，在发电、输电、变电、配电、用电的各个应用场合占有重要地位，并被广泛应用于家用电器、汽车电子等领域，具有广泛性和不可替代性。晶闸管根据电流的控制方向分类，可以分为单向晶

25、闸管和双向晶闸管。单向晶闸管可以控制单一方向的电流，主要用于单一方向的保护，而双向晶闸管则可以控制两个方向的电流，在交流电路中有更广泛的应用。晶闸管根据电压高低分类，可以分为适用于民用电环境的600V、800V晶闸管，适用于工业用电环境的1200V晶闸管，以及适用于电力电子行业的1700V、3300V晶闸管。此外，晶闸管根据适用电流大小分类，可以分为低于55A的中小电流晶闸管，以及大于55A的大电流晶闸管。高压大功率晶闸管产品主要应用于工业制造和汽车电子领域，对产品的稳定性和可靠性有更高的要求，产品的开发技术和制造难度进一步增加。（2）保护器件简介半导体保护类器件种类较多，主要有浪涌电流抑制器

26、（TSS）、瞬态电压抑制器（TVS）、静电保护器件（ESD）、集成保护器件、Y电容、压敏电阻等，可应用于汽车电子系统、楼宇监控及安防系统、通讯设备及通讯终端、电脑各种接口保护、电子消费品、便携式电子产品、仪器仪表、家用电器和工业电器控制等各类需要防浪涌冲击、防静电的电子产品内部，用以对电路提供保护，以免受到突发的过高电压或过大电流损害。半导体保护器件可使电子产品具有抗雷电浪涌（SURGE）、静电放电（ESD）、电瞬变（EFT）电感负载切换以及交流电源波动的能力，使产品更加耐用可靠，从而降低产品的修理、维护及更新费用。由于使用场合广泛，半导体保护器件市场规模较大，并不断外延。随着节能环保和智能化

27、时代的到来，家用电器和电子产品向着高端方向演进，高效节能、绿色环保、智能化、一体化等高新技术引领行业发展。在此背景下，一方面是下游产品的技术进步和功能增加使得总体数量上需要更多的半导体保护器件，另一方面智能化和高端化的下游产品更加精致和昂贵，更加需要高性能、高可靠性的保护器件进行雷击保护和静电保护。此外，在注重用户体验的市场营销战略下，基于用户体验和产品安全的考虑，高性能、高可靠性的保护器件也将受到更多下游生产商的重视，需求将进一步扩大。（3）MOSFET简介MOSFET全名即Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，指金属氧化物半导体场效

28、应晶体管，主要分为以下几类：Planar（平面型）MOSFET，Trench（沟槽型）MOSFET，SGT（ShieldedGateTransistor，屏蔽栅沟槽型）MOSFET和SJ（SuperJunction，超结型）MOSFET等。MOSFET问世于1980年左右，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路中的场效应晶体管，用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化，起到开关或放大等作用。随着技术的发展，沟槽型MOSFET于1990年左右逐步研发成功。屏蔽栅沟槽型MOSFET和超结型MOSFET于本世纪初由英飞凌（Infineon）率先推出。对国内市场而言，MOSFET产品由于其技术及工艺的

29、先进性，很大程度上仍依赖进口，国产化空间巨大。近二十年来，消费电子领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，MOSFET和IGBT逐渐成为主流，国内外MOSFET市场规模增长迅速，长期来看仍将保持重要地位。此外随着新能源汽车的崛起，将会对MOSFET产生巨大的需求，带来新一轮显著的市场需求增长。2、功率半导体器件行业发展情况及市场规模近年来，随着国家政策的大力扶持，国内企业在生产技术和工艺方面快速追赶国外企业，功率半导体器件国产替代趋势不断加快，加之消费电子、汽车电子、工业电子、5G通讯等众多下游行业呈现爆发式增长，直接拉动国内功率半导体行业的蓬勃发展，使得国产功率半导体器件在下游行业的应用越

30、来越广泛，功率半导体产品的产销规模持续、快速增长。（1）我国家用电器领域市场需求分析根据国家统计局的统计数据，2021年我国国内生产总值为114.37万亿元，保持着8.1%的增长率，2021年我国人均GDP达到80976元，按年平均汇率折算达12551美元，超过世界人均GDP水平。全年全国居民人均可支配收入35128元，比上年实际增长8.1%，快于人均GDP增速，与GDP增速同步。整体来看，国民经济运行稳定恢复，国民收入持续增长，生活水平不断提升。对于更高生活质量的追求使得人们对于家电的投入也不断增加，并对家电的质量和性能提出了更高的要求。同时由于疫情影响，人们居家办公、隔离成为常态，在家生活

31、的时间增长已成普遍现象。在疫情常态化背景和我国严控疫情的政策态度下，人们不可避免地需要为居家生活进行准备，因此对于家庭内部环境的关注增加。此外新冠肺炎疫情进一步加强了消费者对于健康家电的需求，如空气净化器和新风系统，具备杀菌消毒洗护功能的洗衣机，侧重杀菌消毒功能的洗碗机、光波炉等家电产品，都将迎来更多的市场关注。根据奥维云网数据显示，2021年，我国家电市场零售额规模为7,603亿元新冠疫情影响之下，家用电器行业面临的短期的内外不确定性与波动有所增加，但从中长期来看，产业结构升级、居民收入稳定、消费多元化、国家政策对绿色、智能产业发展引导以及家电行业产品标准的升级都带来了新的机会点和增长点。我

32、国家电产业和家电市场显示出强大的生命力和市场韧性。据工信部消费品工业司数据，2021年，中国家电行业主营业务收入为1.73万亿元，利润为1,218亿元。整体来看，虽受疫情影响出现短暂动荡，但家电市场总体发展良好。作为现代电器的必要组成部分，半导体分立器件广泛应用于电饭锅、电冰箱等各种家用电器中，家电市场的向好发展为半导体分立器件提供了大量的需求量，为半导体分立器件产业的稳定发展提供了重要保障。近年来为解决发展增速放缓，经济发展驱动力不足的问题，我国提出了供给侧改革与拉动内需的经济发展新方向，通过国内消费潜力的释放为经济发展提供新的驱动力。作为我国国民经济的重要的支柱性产业，家电行业在其发展中也

33、得到了我国政策的全方位支持。国家对于家电行业的政策支持主要从两方面出发，一方面是对于家电制造销售企业的生产规范与政策支持，鼓励企业进行产品的创新与升级；另一方面是对于消费者的购买欲望刺激政策，鼓励智能家电等新型家电的购买。双管齐下，共同推动家电市场的升级与拓展。2019年1月发改委、工信部、财政部、住建部等联合发布进一步优化供给推动消费平稳增长促进形成强大国内市场的实施方案（2019年）提出支持绿色、智能家电销售。有条件的地方可对产业链条长、带动系数大、节能减排协同效应明显的新型绿色、智能化家电产品销售，给予消费者适当补贴。2020年5月发改委、工信部、财政部、生态环境部、住建部、商务部、市场

34、监管总局联合发布关于完善废旧家电回收处理体系推动家电更新消费的实施方案提出促进家电加快更新升级。鼓励企业加快产品创新迭代，优化产品功能款式，开展个性化定制业务，提高家电供给水平。引导消费者加快家电消费升级，使用网络化、智能化、绿色化产品，有条件的地方可对消费者购置节能型家电产品给予适当补贴。按照法治化、市场化原则，发展二手家电交易。6月又通过家电“以旧换新”倡议书呼吁广大消费者通过以旧换新等方式，推动家电更新消费。2021年“十四五”规划更是将应用感应控制、语音控制、远程控制等技术手段，发展智能家电等智能设备列入宏观规划中，体现出国家对于未来国内家电行业发展的重视态度。家电行业的智能化和数字化

35、转型将更加契合消费者的需求，从而迎来市场的进一步扩大。在家用电器行业自身发展壮大的同时，也将带动包括半导体分立器件在内的上游产业共同发展。随着物联网、5G等新一代技术的普及应用以及为了应对人们对于生活质量要求的不断提高，家电行业也出现智能化潮流。“十三五”期间，我国智能家电产业数字化转型趋势明显，生产制造、品种种类、营销服务等模式不断创新。产品方面，数字化车间、智能工厂、未来工厂数量大幅度增加，涌现出智能油烟机、智能空调、智能马桶盖、智能迷你壁挂洗衣机等一大批引领市场需求的智能家电产品。销售手段方面，家电行业内大量企业充分利用互联网+、5G等新一代信息技术，充分应用直播、电商等营销手段，构建B

36、2C的高效率营销服务模式。从市场规模来看，虽然传统家电品类集体增速放缓，但新品类依旧保持增长，高端化、智能化和健康化依旧是产品升级发展的主要特征，2016-2020年我国智能家电市场规模不断增长，2020年我国智能家电市场规模达5,155亿元。2021年我国智能家电市场规模将达5,760亿元。当代社会人们生活方式持续高速变化，家电的应用场景也随之丰富和改变。消费者对于家电的性能和功能有着更多样的需求，这些需求不可避免地推动家电行业与高新技术结合。预计未来，在新兴技术的加持下，智能家电行业将加速发展并迎来更加广阔的市场空间。而智能家电相比传统家电对于组成部件中的半导体分立器件的性能提出了更高要求

37、的同时，也为半导体分分立器件厂商提供了更加广阔的市场空间。预计随着智能家电的更新换代，半导体分立器件也将会迎来稳定的市场增长。（2）我国消费电子领域市场需求分析消费电子作为半导体分立器件重要的应用领域之一，近年来，我国消费电子产业的发展尤为迅速，智能手机、平板电脑、可穿戴设备等新产品持续涌现，产业整体呈现稳定的发展态势。根据中国信通院的数据显示，2020年我国手机市场总体出货量累计3.08亿部，其中智能手机累计出货量2.96亿部，占同期手机出货量的96.0%；5G手机累计出货量1.63亿部，占比为52.9%。虽2020年我国手机出货量出现一定的下滑，但5G手机的发展势头依然向好，全年出货量及新

38、机型上市量都有所提高。平板电脑领域，根据中商产业研究院的数据显示，2015至2018年间，我国平板电脑市场一直处于下行状态，2019年中国平板电脑市场有所回暖，2020全年出货量约2,385万台，同比增长6.43%。受益于国内在线教育的蓬勃发展及影音游戏等娱乐需求的不断提升，预计2021年国内平板市场将延续2020年的增长势头，出货量达2,506.6万台，同比增长5.1%。在新一代信息技术应用及消费升级的背景下，我国消费电子产品的深度与广度持续扩展，需求逐渐迈向品质化、多元化和智能化。消费电子产品的功能和性能得到了大幅提升，也进一步推动了对半导体分立器件需求的增加。一方面，由于消费电子产品功能

39、的不断丰富使得其内部结构日趋复杂，需要更多的TVS/ESD保护器件对其电路进行保护；另一方面，产品内部模块数量的相应增加也需要更多的电源管理芯片对内部电路电源的升压、降压、充放电等进行管理。半导体分立器件在消费电子领域有着广阔的应用空间。（3）我国汽车领域市场需求分析半导体分立器件作为内嵌于汽车电子产品中的基础元器件，其市场需要与汽车产业的发展息息相关。近年来随着我国汽车行业持续向新四化（电动化、网联化、智能化、共享化）发展，各类汽车电子产品不断普及，汽车电子化程度持续提高，我国庞大的汽车市场规模为半导体分立器件提供了广阔的发展空间。根据中国汽车工业协会数据统计，2015年至2021年间，我国

40、汽车产销量均已超过2,400.00万辆。2021年，汽车产销分别完成2,608.20万辆和2,627.50万辆，同比分别上升3.4%和3.8%，但我国汽车销量在全球汽车销量已超过44%，连续13年蝉联全球第一。第三章 项目背景、必要性一、 全球半导体行业情况近年来，在各下游应用领域快速发展的趋势下，半导体作为各类电子产品零部件的核心原材料，其市场需求快速增长。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的数据，2017年全球半导体市场规模达到4,122亿美元，相较于2016年同比增速达到21.63%；2018年全球半导体行业仍保持较快速增长，市场规模达到4,688亿美元，同比增速为13.73%，但2

41、018年下半年由于中美贸易摩擦等因素出现增速放缓；2019年受到国际贸易环境恶化的影响，市场规模下滑到4,123亿美元，同比下滑12.05%，面临较为严峻的挑战；2020年全球半导体市场逐渐回暖，2020年全球半导体市场规模为4,404亿美元，同比增速为6.82%；2021年全球半导体市场规模达到5,560亿美元，同比增速为26.25%；2022年，全球半导体市场规模将达到6,460亿美元，增长16.19%，到2023年达到6,796亿美元，继续增长5.20%。未来随着新兴应用领域快速增长，预计全球半导体产业整体将呈现增长趋势。从全球竞争格局来看，半导体产业集中度较高。根据市场调研机构Gart

42、ner的统计，2021年全球前十大半导体厂商的销售额占比为54.60%，仍然以海外头部企业为主导。二、 功率半导体行业的发展情况1、功率半导体器件简介功率半导体器件是电力电子产品的基础之一，也是构成电力电子变化装置的核心器件之一，主要用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等，具有应用范围广、用量大等特点，在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域应用广泛。从细分市场来看，保护器件受益于智能制造、电力改造、电子通讯升级、互联网普及等趋势，销售规模不断扩大，其市场也逐步向高端推进。近年来，受益于国际电子制造产业的转移，以及下游行业需求的拉动，

43、我国功率半导体行业保持了较快的增长态势。（1）晶闸管简介晶闸管诞生于上世纪50年代，是一种基础型功率半导体分立器件，主要用于电力变换与控制，可以用微小的信号功率对大功率的电流进行控制和变换，具有体积小、重量轻、耐压高、容量大、效率高、控制灵敏、使用寿命长等优点。晶闸管的功能包括整流、无触点开关、快速接通、切断电流、交流调压、逆变变频等，实际应用中既可以用于单次开关，也可以通过调整开关的时间，控制电路的输出功率，从而改变电机的转速。晶闸管推动了半导体技术从弱电领域进入强电领域，成为工业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面广泛采用的电子元器件。晶闸管的设计技术与生产工艺至今仍在不断完善，产

44、品性能日益提高。由于晶闸管具有技术成熟、电压电流容量较高、可靠性高、性价比高等优势，有利于提高终端产品的良品率、减少维修费用，在发电、输电、变电、配电、用电的各个应用场合占有重要地位，并被广泛应用于家用电器、汽车电子等领域，具有广泛性和不可替代性。晶闸管根据电流的控制方向分类，可以分为单向晶闸管和双向晶闸管。单向晶闸管可以控制单一方向的电流，主要用于单一方向的保护，而双向晶闸管则可以控制两个方向的电流，在交流电路中有更广泛的应用。晶闸管根据电压高低分类，可以分为适用于民用电环境的600V、800V晶闸管，适用于工业用电环境的1200V晶闸管，以及适用于电力电子行业的1700V、3300V晶闸管

45、。此外，晶闸管根据适用电流大小分类，可以分为低于55A的中小电流晶闸管，以及大于55A的大电流晶闸管。高压大功率晶闸管产品主要应用于工业制造和汽车电子领域，对产品的稳定性和可靠性有更高的要求，产品的开发技术和制造难度进一步增加。（2）保护器件简介半导体保护类器件种类较多，主要有浪涌电流抑制器（TSS）、瞬态电压抑制器（TVS）、静电保护器件（ESD）、集成保护器件、Y电容、压敏电阻等，可应用于汽车电子系统、楼宇监控及安防系统、通讯设备及通讯终端、电脑各种接口保护、电子消费品、便携式电子产品、仪器仪表、家用电器和工业电器控制等各类需要防浪涌冲击、防静电的电子产品内部，用以对电路提供保护，以免受到

46、突发的过高电压或过大电流损害。半导体保护器件可使电子产品具有抗雷电浪涌（SURGE）、静电放电（ESD）、电瞬变（EFT）电感负载切换以及交流电源波动的能力，使产品更加耐用可靠，从而降低产品的修理、维护及更新费用。由于使用场合广泛，半导体保护器件市场规模较大，并不断外延。随着节能环保和智能化时代的到来，家用电器和电子产品向着高端方向演进，高效节能、绿色环保、智能化、一体化等高新技术引领行业发展。在此背景下，一方面是下游产品的技术进步和功能增加使得总体数量上需要更多的半导体保护器件，另一方面智能化和高端化的下游产品更加精致和昂贵，更加需要高性能、高可靠性的保护器件进行雷击保护和静电保护。此外，在

47、注重用户体验的市场营销战略下，基于用户体验和产品安全的考虑，高性能、高可靠性的保护器件也将受到更多下游生产商的重视，需求将进一步扩大。（3）MOSFET简介MOSFET全名即Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，指金属氧化物半导体场效应晶体管，主要分为以下几类：Planar（平面型）MOSFET，Trench（沟槽型）MOSFET，SGT（ShieldedGateTransistor，屏蔽栅沟槽型）MOSFET和SJ（SuperJunction，超结型）MOSFET等。MOSFET问世于1980年左右，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路中的场效应晶体管，用于将输入电压的变化