光敏二极管伏安测试记录表.docx
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1、光敏传感器的光电特性研究实验数据记录和处理实验1:光敏电阻的特性测试光敏二极管伏安测试记录表光照强度:20LuxUCC(V)24681012UR(V)0.7471.5292.3323.1393.9183.73UGR(V)1.2532.4713.6684.8616.0827.27Iph(mA)0.7471.5292.3323.1393.9183.73Rg()1677.3761616.0891572.8991548.5821552.3231949.062光照强度:6LuxUCC(V)24681012UR(V)0.4470.9831.5192.0042.5333.128UGR(V)1.5533.01
2、74.4815.9967.4678.872Iph(mA)0.4470.9831.5192.0042.5333.128Rg()3474.2733069.1762949.9672992.0162947.8882836.317光照强度:1LuxUCC(V)24681012UR(V)0.1870.4020.6440.8861.1531.346UGR(V)1.8133.5985.3567.1148.84710.654Iph(mA)0.1870.4020.6440.8861.1531.346Rg()9695.1878950.2498316.778029.3457673.0277915.305下图为:光敏二
3、极管伏安特性曲线:光敏二极管光照特性测试记录表EC(Lx)Iph(mA)UCC=2vUCC=4vUCC=6vUCC=8vUCC=10v0.250.0090.0310.0470.0550.06610.0270.0730.1230.1410.15530.0550.1460.2190.2920.35960.0970.2380.3670.4710.547120.1380.3520.5250.7160.879200.190.4850.7351.0061.205350.2460.6460.9461.291.551500.3060.8031.1541.5571.9771000.4241.0851.5922.
4、1352.7091500.6471.2281.8312.583.3013000.7991.552.3213.0953.9229001.0262.0072.9914.0024.995下图为光敏二极管光照特性:实验2:硅光电池特性测试硅光电池光照特性测试记录表(只含开路电源电压)EC(Lx)90050015010050352012UoC(V)0.4770.4580.4320.4160.4010.3930.3840.371下图为硅光电池光照特性曲线硅光电池伏安特性测试记录表RX()EC=900LxEC=500LxEC=300LxUSC(V)Iph(mA)USC(V)Iph(mA)USC(V)Iph(
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- 光敏 二极管 伏安 测试 记录
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