材料科学基础I__第九章-2__(回复与再结晶)教学文稿.ppt
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1、材料科学基础I_第九章-2_(回复与再结晶)冷变形金属在加热过程中性能随温度升高而变化,在再结晶冷变形金属在加热过程中性能随温度升高而变化,在再结晶阶段发生突变。阶段发生突变。9-7 回复回复一、回复过程的特征一、回复过程的特征1、回复过程中组织不发生变化;、回复过程中组织不发生变化;2、宏观一类应力全部消除,微观二类应力部分消除;、宏观一类应力全部消除,微观二类应力部分消除;3、力学性能变化很小,电阻率显著降低,密度增加;、力学性能变化很小,电阻率显著降低,密度增加;4、变形储存的能量部分释放。、变形储存的能量部分释放。二、回复过程机制二、回复过程机制低温回复低温回复(0.10.3)Tm低温
2、回复阶段主要是低温回复阶段主要是空位浓度明显降低空位浓度明显降低。原因:。原因:1、空位迁移到金属表面或晶界而消失;、空位迁移到金属表面或晶界而消失;2、空位与间隙原子结合而消失;、空位与间隙原子结合而消失;3、空位与位错交互作用而消失;、空位与位错交互作用而消失;4、空位聚集成片,晶体崩塌而转变成位错环。、空位聚集成片,晶体崩塌而转变成位错环。中温回复中温回复 此阶段由于位错运动会导致异号位错合并而相互抵消,位错此阶段由于位错运动会导致异号位错合并而相互抵消,位错密度有所降低,但降幅不大。所以力学性能只有很少恢复。密度有所降低,但降幅不大。所以力学性能只有很少恢复。高温回复高温回复 高温回复
3、的主要机制为高温回复的主要机制为多边化多边化。由于同号刃位错的塞积而导致晶体点阵弯曲,在退火过程中由于同号刃位错的塞积而导致晶体点阵弯曲,在退火过程中通过刃型位错的攀移和滑移,使同号刃型位错沿垂直于滑移面通过刃型位错的攀移和滑移,使同号刃型位错沿垂直于滑移面的方向排列成小角度的亚晶界。此过程称为的方向排列成小角度的亚晶界。此过程称为多边(形)化多边(形)化。(0.30.5)Tm(0.5)Tm 多晶体多晶体金属塑性变形时,金属塑性变形时,滑移通常是在许多互相交滑移通常是在许多互相交截的滑移面上进行,产生截的滑移面上进行,产生由缠结位错构成的胞状组由缠结位错构成的胞状组织。因此,多边化后不仅织。因
4、此,多边化后不仅所形成的亚晶粒小得多,所形成的亚晶粒小得多,而且许多亚晶界是由位错而且许多亚晶界是由位错网组成的。网组成的。右图:右图:a)缠结位错缠结位错b)位错线伸直位错线伸直c)位错网络位错网络d)大的稳定网络大的稳定网络三、回复退火的应用三、回复退火的应用 回复退火主要用作去除残余应力,使冷变形的金属件在基本回复退火主要用作去除残余应力,使冷变形的金属件在基本保持应变硬化状态的条件下,降低其内应力,以免变形或开裂,保持应变硬化状态的条件下,降低其内应力,以免变形或开裂,并改善工件的耐蚀性。并改善工件的耐蚀性。例如例如,冷拉钢丝卷制弹簧,在卷成弹簧后要在,冷拉钢丝卷制弹簧,在卷成弹簧后要
5、在250300进行退进行退火,以降低内应力并使其定型。火,以降低内应力并使其定型。对铸件、焊件的去应力退火,也是通过回复作用来实现的。对铸件、焊件的去应力退火,也是通过回复作用来实现的。9-8 再结晶再结晶一、再结晶过程的特征一、再结晶过程的特征 再结晶是一种形核和长大的过程。再结晶是一种形核和长大的过程。靠原子的扩散进行靠原子的扩散进行。冷变形金属加热时组织与性能最显著的变化就是在再结晶阶冷变形金属加热时组织与性能最显著的变化就是在再结晶阶段发生的。段发生的。特点特点:1、组织发生变化,由冷变形的伸长晶粒变为新的等轴晶粒;、组织发生变化,由冷变形的伸长晶粒变为新的等轴晶粒;2、力学性能发生急
6、剧变化,强度、硬度急剧下降,塑性迅速升、力学性能发生急剧变化,强度、硬度急剧下降,塑性迅速升 高,高,应变硬化全部消除应变硬化全部消除,恢复到变形前的状态;,恢复到变形前的状态;3、变形储能在再结晶过程中全部释放。三类应力(点阵畸变)、变形储能在再结晶过程中全部释放。三类应力(点阵畸变)消除,位错密度明显降低。消除,位错密度明显降低。二、再结晶的形核二、再结晶的形核 由于再结晶形核的区域不同,形核方式有:亚晶粒合并形核,由于再结晶形核的区域不同,形核方式有:亚晶粒合并形核,亚晶粒长大形核,凸出形核。亚晶粒长大形核,凸出形核。1、亚晶粒合并形核、亚晶粒合并形核 相邻两亚晶粒之间的晶界是由位错构成
7、的。在再结晶温度,位相邻两亚晶粒之间的晶界是由位错构成的。在再结晶温度,位错发生攀移和滑移并入到邻近的晶界中。这样两个亚晶粒就合并错发生攀移和滑移并入到邻近的晶界中。这样两个亚晶粒就合并成为一个晶粒了。驱动力来自晶界能,晶界减少,形核自发进行。成为一个晶粒了。驱动力来自晶界能,晶界减少,形核自发进行。这种形核方式一般出现在冷变形量很大的金属中。通过再结晶这种形核方式一般出现在冷变形量很大的金属中。通过再结晶前多边化形成较小的亚晶,前多边化形成较小的亚晶,亚晶界曲率不大亚晶界曲率不大,不易迁移,但某些,不易迁移,但某些亚晶界中的位错可通过攀移和滑移而迁移走,使亚晶界消失,亚亚晶界中的位错可通过攀
8、移和滑移而迁移走,使亚晶界消失,亚晶合并。晶合并。2、亚晶粒长大形核、亚晶粒长大形核 当变形量很大时,较大的无应变亚晶(多边化时产生)为基础当变形量很大时,较大的无应变亚晶(多边化时产生)为基础直接长大,吞食周围的亚晶,亚晶界向周围迁移。直接长大,吞食周围的亚晶,亚晶界向周围迁移。由于变形大,位错密度高,由于变形大,位错密度高,亚晶界曲率大亚晶界曲率大,易于迁移。亚晶界,易于迁移。亚晶界迁移过程中清除并吸收其扫过亚晶的位错,使迁移亚晶界的位错迁移过程中清除并吸收其扫过亚晶的位错,使迁移亚晶界的位错增多,变成大角度晶界。当尺寸超过临界晶核时就成了再结晶的增多,变成大角度晶界。当尺寸超过临界晶核时
9、就成了再结晶的核心。核心。3、凸出形核、凸出形核 当冷变形量较当冷变形量较小时,再结晶在小时,再结晶在原晶界处形核。原晶界处形核。对于多晶体,不同晶粒的变形对于多晶体,不同晶粒的变形程度不同,变形大的位错密度高,程度不同,变形大的位错密度高,畸变能高;变形小的位错密度低,畸变能高;变形小的位错密度低,畸变能低。低畸变区向高畸变区畸变能低。低畸变区向高畸变区伸展,以降低总的畸变能。伸展,以降低总的畸变能。三、再结晶核心的长大三、再结晶核心的长大 再结晶核心形成后,在变形基体中长大。实质是具有临界曲再结晶核心形成后,在变形基体中长大。实质是具有临界曲率半径的大角度晶界向变形基体迁移,直至再结晶晶粒
10、相遇,率半径的大角度晶界向变形基体迁移,直至再结晶晶粒相遇,变形基体全部消失。变形基体全部消失。温度越高,扩散越快,再结晶速度越快,时间越长,再结晶温度越高,扩散越快,再结晶速度越快,时间越长,再结晶晶粒越粗大。晶粒越粗大。四、再结晶温度四、再结晶温度 冷变形金属开始进行再结晶的温度,称为冷变形金属开始进行再结晶的温度,称为再结晶温度再结晶温度。可以采。可以采用不同的方法来测定,用不同的方法来测定,常用方法常用方法有:有:1、金相法、金相法 以显微镜观察到第一个新晶粒或晶界因凸出形核而出现锯齿状以显微镜观察到第一个新晶粒或晶界因凸出形核而出现锯齿状边缘的退火温度定为再结晶温度。适用于变形量边缘
11、的退火温度定为再结晶温度。适用于变形量70%)的冷变形金属,经过的冷变形金属,经过1小时完全再结晶退火的最低温度定为再结晶温度。小时完全再结晶退火的最低温度定为再结晶温度。可见,可见,再结晶温度是靠实验测出来的再结晶温度是靠实验测出来的。对于对于纯金属纯金属的再结晶温度,可用经验公式计算:的再结晶温度,可用经验公式计算:Tr=(0.350.4)Tm公式使用条件:工业纯金属,大变形量,退火时间公式使用条件:工业纯金属,大变形量,退火时间0.51小时。小时。五、影响再结晶的因素五、影响再结晶的因素1、温度、温度 加热温度越高,再结晶速度越快,产生一定体积分数的再结加热温度越高,再结晶速度越快,产生
12、一定体积分数的再结晶组织需要的时间越短。晶组织需要的时间越短。2、变形程度、变形程度 变形程度越大,储能越多,变形程度越大,储能越多,再结晶驱动力越大,因此变形再结晶驱动力越大,因此变形程度越大,再结晶速度越快。程度越大,再结晶速度越快。3、材料的纯度、材料的纯度 微量的溶质原子对再结晶影微量的溶质原子对再结晶影响巨大。响巨大。溶质或杂质原子偏聚在位错和晶界处,对位错的运动和晶界溶质或杂质原子偏聚在位错和晶界处,对位错的运动和晶界的迁移起阻碍作用,因此不利于再结晶,使再结晶温度升高。的迁移起阻碍作用,因此不利于再结晶,使再结晶温度升高。例如例如,纯铜,纯铜50%再结晶的温度为再结晶的温度为14
13、0C,加入,加入0.01%Ag后升高到后升高到205C,若加入,若加入0.01%Cd(镉)后升高到(镉)后升高到305C。4、原始晶粒尺寸、原始晶粒尺寸 其他条件相同时,原始晶粒越细,冷变形抗力越大,变形后其他条件相同时,原始晶粒越细,冷变形抗力越大,变形后储存能越多,再结晶温度越低。储存能越多,再结晶温度越低。同样变形度,原始晶粒越细,晶界总面积越大,可供再结晶同样变形度,原始晶粒越细,晶界总面积越大,可供再结晶形核的地方越多,形核率高,再结晶速度快。形核的地方越多,形核率高,再结晶速度快。5、第二相粒子、第二相粒子 根据粒子尺寸和间距的大小,可分为二种情况:根据粒子尺寸和间距的大小,可分为
14、二种情况:1)粒子较粗大,间距较远粒子较粗大,间距较远促进再结晶促进再结晶 原因:粒子对位错运动、亚晶界迁移的阻碍作用小;另一方原因:粒子对位错运动、亚晶界迁移的阻碍作用小;另一方面,加速再结晶形核。面,加速再结晶形核。2)粒子细小,间距小粒子细小,间距小阻碍再结晶阻碍再结晶 原因:粒子阻碍位错运动和亚晶界迁移,使亚晶粒生长减慢原因:粒子阻碍位错运动和亚晶界迁移,使亚晶粒生长减慢或停止,就阻碍了再结晶的形核与长大。或停止,就阻碍了再结晶的形核与长大。例如例如,钢中加入少量的,钢中加入少量的V,Ti,Nb,Zr,Al时,可生成弥散分布的时,可生成弥散分布的化合物,其尺寸、间距都很小,都会提高钢的
15、再结晶温度。所化合物,其尺寸、间距都很小,都会提高钢的再结晶温度。所以,含有这些元素的钢一般都有较高的使用温度。以,含有这些元素的钢一般都有较高的使用温度。六、再结晶后晶粒大小六、再结晶后晶粒大小 再结晶后的晶粒呈等轴状,再结晶后的晶粒呈等轴状,其大小受多种因素的影响其大小受多种因素的影响,主要,主要有有变形度变形度、退火温度退火温度、退火时间退火时间、杂质及合金成分杂质及合金成分等。等。上面讨论的影响再结晶的因素,凡是促进再结晶的都会使再上面讨论的影响再结晶的因素,凡是促进再结晶的都会使再结晶晶粒尺寸变得更大。下面再对变形度的影响讨论一下。结晶晶粒尺寸变得更大。下面再对变形度的影响讨论一下。
16、超过超过临界变形度临界变形度后,随变形量增加,储存能增加,使再结晶驱后,随变形量增加,储存能增加,使再结晶驱动力增加,形核率和长大速率同时提高,但由于形核率增加更快,动力增加,形核率和长大速率同时提高,但由于形核率增加更快,所以再结晶后晶粒细化。所以再结晶后晶粒细化。对于有些金属或合金,当变形量相当大时,再结晶晶粒又会重对于有些金属或合金,当变形量相当大时,再结晶晶粒又会重新粗化。这就是二次再结晶(异常长大)造成的。新粗化。这就是二次再结晶(异常长大)造成的。退火温度对临界变形度影响很大退火温度对临界变形度影响很大,温度越高,临界变形度越小。,温度越高,临界变形度越小。临界变形度越小,再结晶后
17、的晶粒越粗大。临界变形度越小,再结晶后的晶粒越粗大。变形度对再结晶后晶粒大小的影响见下图。变形量很小时,金变形度对再结晶后晶粒大小的影响见下图。变形量很小时,金属中储存变形能很少,不足以发生再结晶,故退火后晶粒尺寸不属中储存变形能很少,不足以发生再结晶,故退火后晶粒尺寸不变。能够发生再结晶的最小变形度通常在变。能够发生再结晶的最小变形度通常在28%范围内。但此时范围内。但此时再结晶驱动力小,形核率低,由于再结晶后的晶粒数量少,所以再结晶驱动力小,形核率低,由于再结晶后的晶粒数量少,所以晶粒特别粗大。此变形度称为晶粒特别粗大。此变形度称为临界变形度临界变形度。注意:图中纵坐标,向上表示晶粒数少,
18、尺寸大。注意:图中纵坐标,向上表示晶粒数少,尺寸大。9-9 再结晶后的晶粒长大再结晶后的晶粒长大 冷变形金属完成再结晶后,继续加热时会发生晶粒长大。冷变形金属完成再结晶后,继续加热时会发生晶粒长大。晶粒长大又可分为晶粒长大又可分为正常长大正常长大和和异常长大异常长大(二次再结晶二次再结晶)。)。一、晶粒的正常长大一、晶粒的正常长大 再结晶刚完成时得到的是细小的、无畸变和内应力的等轴晶再结晶刚完成时得到的是细小的、无畸变和内应力的等轴晶粒。温度继续升高或延长保温时间,晶粒仍可以继续长大,若粒。温度继续升高或延长保温时间,晶粒仍可以继续长大,若是是均匀地连续生长均匀地连续生长,就称为,就称为正常长
19、大正常长大。1、晶粒长大的驱动力、晶粒长大的驱动力 晶粒长大的驱动力晶粒长大的驱动力从整体上看从整体上看是是晶粒长大前后总的界面能差晶粒长大前后总的界面能差。即晶粒长大后总界面积减小,总界面能降低,因而晶粒长大是即晶粒长大后总界面积减小,总界面能降低,因而晶粒长大是自发过程。自发过程。从微观上看从微观上看,晶粒长大是靠晶界的迁移实现的。然而,此时晶,晶粒长大是靠晶界的迁移实现的。然而,此时晶界两边的晶体已没有能量差别,界两边的晶体已没有能量差别,晶界会向哪边迁移晶界会向哪边迁移?驱使晶界迁驱使晶界迁移的驱动力从何而来移的驱动力从何而来?假设半径为假设半径为R的球形的球形B晶粒存在于晶粒存在于A
20、晶粒晶粒中:中:界面面积为界面面积为4R2,总界面能为:总界面能为:E=4R2。半径半径R变化引起界面能的变化就是作用于变化引起界面能的变化就是作用于晶界的力晶界的力F,指向曲率中心;,指向曲率中心;单位面积上的驱动力为单位面积上的驱动力为p:BA 可见,晶界迁移的驱动力可见,晶界迁移的驱动力p随随增大而增大,随曲率半径增大而增大,随曲率半径R增增大而减小。因此,弯曲的晶界将向曲率中心迁移。上图中晶粒大而减小。因此,弯曲的晶界将向曲率中心迁移。上图中晶粒B逐渐缩小,直至消失,晶粒逐渐缩小,直至消失,晶粒A则在长大。则在长大。2、晶粒的稳定形貌、晶粒的稳定形貌 当当3个晶粒相交于一点,两两相交于
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