最新存储器原理与接口 (2)PPT课件.ppt
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1、存储器原理与接口存储器原理与接口(2)(2)5.1存储器分类一、有关存储器几种分类存储介质分类半导体存储器半导体存储器磁盘和磁带等磁表面存储器磁盘和磁带等磁表面存储器光电存储器光电存储器 n编程编程n使栅极带电n擦除擦除nEPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口n当一定光强的紫外线透过窗口照射时,所有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄放掉,使浮栅恢复初态。n一般照射2030分钟后,读出各单元的内容均为FFH,说明EPROM中内容已被擦除。浮栅隧道氧化层浮栅隧道氧化层MOS管管Flotox(FloatinggateTunnelOxide):浮栅与漏区间的氧化物层极薄(:浮栅与漏区间的氧化物层极薄(
2、20纳纳米以下),称为隧道区。当隧道区电场大于米以下),称为隧道区。当隧道区电场大于107V/cm时时隧道区双向导通。隧道区双向导通。当隧道区的等效电容当隧道区的等效电容极小时,加在控制栅和极小时,加在控制栅和漏极间的电压大部分降漏极间的电压大部分降在隧道区,有利于隧道在隧道区,有利于隧道区导通。区导通。擦除和写入均利擦除和写入均利用隧道效应用隧道效应10ms可用电擦除、可编程的E2PROM分分类类掩模掩模ROM可编程可编程ROM(PROM)可擦除可编程可擦除可编程ROM(EPROM)随机存储器随机存储器RAM静态存储器静态存储器SRAM动态存储器动态存储器DRAM按按功功能能(Read-On
3、lyMemory)(RandomAccessMemory)(ProgrammableROM)(ErasablePROM)UVEPROMEEPROM只读存储器只读存储器ROMFlashMemory(Ultra-Violet)(Electrically)电可擦除电可擦除紫外线擦除紫外线擦除(StaticRAM)快闪存储器快闪存储器(DynamicRAM)只能读出不能只能读出不能写入写入,断电不失断电不失还可以按制造工艺还可以按制造工艺分为双极型和分为双极型和MOS型两种。型两种。主要指标:存储容量、存取速度。主要指标:存储容量、存取速度。存储容量存储容量:用字数用字数位数表示,也可只用位数表示。如
4、,某动位数表示,也可只用位数表示。如,某动态存储器的容量为态存储器的容量为109位位/片。片。三、多层存储结构概念1、核心是解决容量、速度、价格间的矛盾,建立起多层存储结构。一个金字塔结构的多层存储体系充分体现出容量和速度关系2、多层存储结构寄存器Cache(高速缓存)内存磁盘磁道、光盘Cache主存层次:解决CPU与主存的速度上的差距;主存辅存层次:解决存储的大容量要求和低成本之间的矛盾。5.2、主存储器结构一、主存储器的主要技术指标n n存储容量n n存取速度n n可靠性n n功耗1、容量存储容量 存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量(寻址空间,由CPU的地址线决定)实际存储容量:在计
5、算机系统中具体配置了多少内存。2、存取速度 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间,又称为读写周期。SDRAM:12ns 10ns 8nsRDRAM:1ns 0.625ns3、可靠性可靠性是用平均故障间隔时间来衡量(MTBF,MeanTimeBetweenFailures)4、功耗 功耗通常是指每个存储元消耗功率的大小 二、主存储器的基本组成MOS型器件构成的RAM,分为静态和动态RAM两种,静态RAM通常有6管构成的触发器作为基本存储电路静态存储单元,动态RAM通常用单管组成基本存储电路。1 1、静态存储单元、静态存储单元、静态存储单元、静态存储单元(2 2)动态存储单元)
6、动态存储单元)动态存储单元)动态存储单元(3 3 3 3)、结构)、结构)、结构)、结构 地址译码地址译码地址译码地址译码 输入输出控制输入输出控制输入输出控制输入输出控制 存储体存储体存储体存储体 地地址址线线控制线控制线数据线数据线存储体存储体译译码码器器输输入入输输出出控控制制单译码结构单译码结构地址译码器:接收来自地址译码器:接收来自CPUCPU的的n n位地址,经译码位地址,经译码后产生后产生2 2n n个地址选择信号,实现对片内存储单个地址选择信号,实现对片内存储单元的选址。元的选址。控制逻辑电路:接收片选信号控制逻辑电路:接收片选信号CSCS及来自及来自CPUCPU的读的读/写控
7、制信号,形成芯片内部控制信号,控制写控制信号,形成芯片内部控制信号,控制数据的读出和写入数据的读出和写入(双向双向)。存储体:是存储芯片的主体,由基本存储元按存储体:是存储芯片的主体,由基本存储元按照一定的排列规律构成。照一定的排列规律构成。译码器译码器译码器译码器矩阵译码电路矩阵译码电路行线行线列线列线地地址址线线地址线地址线一一、8086CPU的管脚及功能的管脚及功能 8086是16位CPU。它采用高性能的N沟道,耗尽型负载的硅栅工艺(HMOS)制造。由于受当时制造工艺的限制,部分管脚采用了分时复用的方式,构成了40条管脚的双列直插式封装5.3、8086CPU总线产生二、二、8086的两种
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