电子技术基础知识分解只是课件.ppt

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1、电子技术基础知识分解导体：导体：自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体，金属一般都是导体。金属一般都是导体。绝缘体：绝缘体：有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为绝缘体之间，称为半导体半导体，如锗、硅、，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。砷化镓和一些硫化物、氧化物等。半导体半导体的导电机理不同于其它物质，所以的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：它具有不同于其它物质的特

2、点。例如：当受外界热和光的作用时，它的导当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。它的导电能力明显改变。1.1.掺杂性掺杂性2.2.热敏性和光敏性热敏性和光敏性本征半导体本征半导体（纯净和具有晶体结构的半导体）（纯净和具有晶体结构的半导体）本征半导体的结构特点本征半导体的结构特点GeGeSiSi现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。的最外层电子（价电子）都是四个。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成在硅

3、和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成与其相临的原子之间形成共价键共价键，共用一对价，共用一对价电子。电子。硅和锗的晶硅和锗的晶体结构体结构：通过一定的工艺过程，可以将半导体制成通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体晶体。硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为共价

4、键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自自由电子由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。则排列，形成晶体。+4+4+4+4在绝对在绝对0 0度（度（T T=0K=0K）和没有外界激发时）和没有外界激发时,价电价电子完全被共价键束缚

5、着，本征半导体中没有可以子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即运动的带电粒子（即载流子载流子），它的导电能力为），它的导电能力为 0 0，相当于绝缘体。，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电自由电子子，同时共价键上留下一个空位，称为，同时共价键上留下一个空位，称为空穴空穴。1.1.载流子、自由电子和空穴载流子、自由电子和空穴+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子2.2.本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理+4+4+4+4+4

6、+4+4+4在其它力的作用下，在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流可以认为空穴是载流子。子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子自由电子和和空穴空穴。温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一能的一个重要的外部因素，这是

7、半导体的一大特点。大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成：1.1.自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。2.2.空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。（在本征半导体中（在本征半导体中 自由电子和空穴成对出现，自由电子和空穴成对出现，同时又不断的复合）同时又不断的复合）在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。杂半导体的某种载流

8、子浓度大大增加。P P 型半导体：型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。称为（空穴半导体）。N N 型半导体：型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。也称为（电子半导体）。一、一、N N 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷，在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷，晶体中的某些半导体原子被杂质取代，磷原晶体中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电的半导体原子形成共

9、价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。动的带正电的离子。+4+4+4+4+5+5+4+4多余多余电子电子磷原子磷原子N N 型半导体中型半导体中的载流子是什的载流子是什么？么？1.1.由磷原子提供的电子，浓度与磷原子相同。由磷原子提供的电子，浓度与磷原子相同。2.2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴

10、浓度。自由电子称为由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流多数载流子子（多子多子），空穴称为），空穴称为少数载流子少数载流子（少子少子）。）。二、二、P P 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动使得硼原子成为

11、不能移动的带负电的离子。的带负电的离子。+4+4+4+4+3+3+4+4空穴空穴硼原子硼原子P P 型半导体中空穴是多子，电子是少子型半导体中空穴是多子，电子是少子。三、杂质半导体的符号三、杂质半导体的符号P P 型半导体型半导体+N N 型半导体型半导体在同一片半导体基片上，在同一片半导体基片上，分别制造分别制造P P 型半导体和型半导体和N N 型型半导体，经过载流子的扩散，半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了在它们的交界面处就形成了PN PN 结。结。P P 型半导体型半导体N N 型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E E漂移运动漂移运动扩散的结果是使空间电扩散

12、的结果是使空间电荷区逐渐加宽。荷区逐渐加宽。内电场越强，漂移运动内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电越强，而漂移使空间电荷区变薄。荷区变薄。空间电荷区，空间电荷区，也称耗尽层。也称耗尽层。漂移运动漂移运动P P型半导体型半导体N N 型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。度固定不变。+空间空间电荷电荷区区N型区型区P型区型区电位电位VV0(1)加正向电压（正偏）加正向电压（正偏）电源正极接电

13、源正极接P区，负极接区，负极接N区区 外电场的方向与内电场方向相反。外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场外电场削弱内电场 耗尽层变窄耗尽层变窄 扩散运动扩散运动漂移运动漂移运动多子多子扩散形成正向电流扩散形成正向电流I I F F正向电流正向电流(2)(2)加反向电压加反向电压电源正极接电源正极接N N区，负极接区，负极接P P区区 外电场的方向与内电场方向相同。外电场的方向与内电场方向相同。外电场加强内电场外电场加强内电场耗尽层变宽耗尽层变宽 漂移漂移运动扩散运动扩散运动运动少子漂移形成反向电流少子漂移形成反向电流I I R RP PN N 在一定的温度下，在一定的温度下，由本征激

14、发产生的少子浓由本征激发产生的少子浓度是一定的，故度是一定的，故I IR R基本上与基本上与外加反压的大小无关外加反压的大小无关，所所以称为以称为反向饱和电流反向饱和电流。但。但I IR R与温度有关。与温度有关。PN PN结加正向电压时，具有较大的正结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，向扩散电流，呈现低电阻，PN PN结导通；结导通；PNPN结加反向电压时，具有很小的反结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，向漂移电流，呈现高电阻，PN PN结截止。结截止。由此可以得出结论：由此可以得出结论：PNPN结具有单向结具有单向导电性。导电性。半导体二极管实物图片半导体二

15、极管实物图片PN PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。引线引线外壳线外壳线触丝线触丝线基片基片点接触型点接触型PN结结面接触型面接触型PN二极管的电路符号：二极管的电路符号：阳极阳极+阴极阴极-伏安特性伏安特性UI死区电压死区电压 硅管硅管0.5V,锗管锗管0.1V。导通压降导通压降:硅硅管管0.60.7V,锗锗管管0.20.3V。反向击穿反向击穿电压电压UBR1.1.最大整流电流最大整流电流 I IOMOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。正向平均电流。3.3.反向击穿电压反向击穿电压U U

16、BRBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压坏。手册上给出的最高反向工作电压U UWRMWRM一般是一般是U UBRBR的一半。的一半。2.2.反向工作峰值电压反向工作峰值电压U UBWMBWM保证二极管不被击穿时的反向峰值电压。保证二极管不被击穿时的反向峰值电压。4.4.反向电流反向电流 I IR R指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因反向电流大，说

17、明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。几百倍。5.微变电阻微变电阻 rDiDuDIDUDQ iD uDrD 是二极管特性曲线上工是二极管特性曲线上工作点作点Q 附近电压的变化与附近电压的变化与电流的变化之比：电流的变化之比：显然，显然，rD是对是对Q附近的微小附近的微小变化区域内的电阻。变化区域内的电阻。6.二极管的极间电容二极管的极间电容（结电容）（结电容）二极管的两极之间

18、有电容，此电容由两部分组成：二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容势垒电容CB和和扩散电容扩散电容CD。势垒电容：势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是的电容是势垒电容势垒电容。当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应地随之改变，即应地随之改变，即PNPN结中存储的电荷量要随结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。之变化，就像电容充放电一样。当外加正向电压不当外加正向电压不

19、同时，同时，PNPN结两侧堆积结两侧堆积的少子的数量及浓度的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相梯度也不同，这就相当电容的充放电过程当电容的充放电过程。电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来扩散电容：扩散电容：为了形成正向为了形成正向电流（扩散电流），注入电流（扩散电流），注入P P 区的少子（电子）在区的少子（电子）在P P 区区有浓度差，越靠近有浓度差，越靠近PNPN结浓结浓度越大，即在度越大，即在P P 区有电子区有电子的积累。同理，在的积累。同理，在N N区有空区有空穴的积累。正向电流大，穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。积累的电荷多。这样所产

20、这样所产生的电容就是扩散电容生的电容就是扩散电容.CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。PN结高频小信号时的等效电路：结高频小信号时的等效电路：势垒电容和扩散电势垒电容和扩散电容的综合效应容的综合效应rd二极管：二极管：死区电压死区电压=0.5V=0.5V，正向压降，正向压降 0.7V(0.7V(硅二极管硅二极管)理想二极管：理想二极管：死区电压死区电压=0=0，正向压降，正向压降=0 =0 RLuiuouiuott二极管的应用举例二极管的应用举例1 1：二极管半波整流

21、二极管半波整流二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。要应用于整流、限幅、保护等等。二极管的应用举例二极管的应用举例2 2：tttuiuRuoRRLuiuRuoUIIZIZmax UZ IZ稳压稳压误差误差曲线越陡，曲线越陡，电压越稳电压越稳定。定。+-UZ动态电阻：动态电阻：r rz z越小，稳越小，稳压性能越压性能越好。好。（4 4）稳定电流）稳定电流I IZ Z、最大、最小稳定电流最大、最小稳定电流I Izmaxzmax、I Izminzmin。（5 5）最大允许功耗）最大允许功耗稳压二极管的参数稳压二极管的参数:（1

22、 1）稳定电压）稳定电压 U UZ Z（2 2）电压温度系数）电压温度系数 U U（%/%/）稳压值受温度变化影响的的系数。稳压值受温度变化影响的的系数。（3 3）动态电阻）动态电阻在电路中稳压管只有与适当的在电路中稳压管只有与适当的电阻连接才能起到稳压作用。电阻连接才能起到稳压作用。UIIZIZmax UZ IZUZ反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。IU照度增加照度增加有正向电流流过有正向电流流过时，发出一定波长范时，发出一定波长范围的光，目前的发光围的光，目前的发光管可以发出从红外到管可以发出从红外到可见波段的光，它的可见波段的光，它的电特性与一般二极管电特性

23、与一般二极管类似。类似。常见三极管的外形结构常见三极管的外形结构 实物照片实物照片BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区：较薄，基区：较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：集电区：面积较大面积较大发射区：掺发射区：掺杂浓度较高杂浓度较高BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结发射结集电结集电结BECIBIEICNPN型三极管型三极管BECIBIEICPNP型三极管型三极管符号符号ICmA AVVUCEUBERBIBECEB 一一.一个实验一个实验结论结论:1.IE=IC+

24、IB3.IB=0,IC=ICEO4.4.要使晶体管放大要使晶体管放大,发射结必须正偏发射结必须正偏,集电结必须集电结必须反偏。反偏。二二.电流放大原理电流放大原理BECNNPEBRBECIE基区空穴基区空穴向发射区向发射区的扩散可的扩散可忽略。忽略。IBE进入进入P区的电子区的电子少部分与基区的少部分与基区的空穴复合，形成空穴复合，形成电流电流IBE ，多数，多数扩散到集电结。扩散到集电结。发射结正发射结正偏，发射偏，发射区电子不区电子不断向基区断向基区扩散，形扩散，形成发射极成发射极电流电流IE。BECNNPEBRBECIE集电结反偏，有集电结反偏，有少子形成的反向少子形成的反向电流电流IC

25、BO。ICBOIC=ICE+ICBO ICEIBEICE从基区扩散从基区扩散来的电子作来的电子作为集电结的为集电结的少子，漂移少子，漂移进入集电结进入集电结而被收集，而被收集，形成形成ICE。IB=IBE-ICBO IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBEICE与与IBE之比称为电流放大倍数之比称为电流放大倍数一一.输入特性输入特性UCE 1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：工作压降：硅管硅管UBE 0.60.7V,锗管锗管UBE 0.20.3V。UCE=0VUCE=0.5V 死区电死区电压，硅管压，硅管0.5V，锗，

26、锗管管0.1V。二、二、输出特性输出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域满此区域满足足IC=IB称为线性称为线性区（放大区（放大区）。区）。当当UCE大于一大于一定的数值时，定的数值时，IC只与只与IB有关，有关，IC=IB。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中UCE UBE,集电结集电结正偏，正偏，IBIC，UCE 0.3V称为饱称为饱和区。和区。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区

27、域中:IB=0,IC=ICEO,UBE I IC C，U UCECE 0.3V0.3V (3)(3)截止区：截止区：U UBEBE 0、UGK0时时T1导通导通ib1=i giC1=ig=ib2ic2 =ib2=ig=ib1T2导通导通形成正反馈形成正反馈晶闸管迅速导通；晶闸管迅速导通；T1进一步导通进一步导通晶闸管开始工作时晶闸管开始工作时，UAK加反向电压，加反向电压，或不加触发信号（即或不加触发信号（即UGK=0）；）；晶闸管导通后，晶闸管导通后，UGK，去掉去掉依靠正反馈，依靠正反馈，晶闸管仍维持导通状态；晶闸管仍维持导通状态；晶闸管截止的条件：晶闸管截止的条件：（1）（2）晶闸管正向

28、导通后，令其截止，必须晶闸管正向导通后，令其截止，必须减小减小UAK，或加大回路电阻，使晶闸管，或加大回路电阻，使晶闸管中电流的正反馈效应不能维持。中电流的正反馈效应不能维持。1.1.晶闸管具有单向导电性晶闸管具有单向导电性（正向导通条件：（正向导通条件：A A、K K间加正向电压，间加正向电压，G G、K K间加触发信号）；间加触发信号）；2.2.晶闸管一旦导通，控制极失去作用晶闸管一旦导通，控制极失去作用若使其关断，必须降低若使其关断，必须降低U UAKAK或加大回路电或加大回路电阻，把阳极电流减小到维持电流以下。阻，把阳极电流减小到维持电流以下。门电路是用以实现逻辑关系的电子电门电路是用

29、以实现逻辑关系的电子电路，与我们所讲过的基本逻辑关系相对应，路，与我们所讲过的基本逻辑关系相对应，门电路主要有：门电路主要有：与门与门、或门或门、与非门与非门、或或非门非门、异或门异或门等。等。在数字电路中，一般用高电平代表在数字电路中，一般用高电平代表1、低点平代表低点平代表0，即所谓的，即所谓的正逻辑系统正逻辑系统。分立元件门电路分立元件门电路 门电路的基本概念门电路的基本概念A、B、C条件都具备时，事件条件都具备时，事件F才发生。才发生。EFABC&ABCF逻辑符号逻辑符号F=ABC逻辑式逻辑式逻辑乘法逻辑乘法逻辑与逻辑与AFBC00001000010011000010101001101

30、111真值表真值表二极管与门二极管与门FD1D2AB+12V设二极管的饱和压降设二极管的饱和压降为为0.3伏。伏。0101BFA0011输输 入入0001输出输出 真值表真值表A、B、C只有一个条件具备时，事件只有一个条件具备时，事件F就就发生。发生。1ABCF逻辑符号逻辑符号AEFBCF=A+B+C逻辑式逻辑式逻辑加法逻辑加法逻辑或逻辑或AFBC00001001010111010011101101111111真值表真值表二极管或门二极管或门FD1D2AB-12V0101BFA0011输输 入入0111输出输出 真值表真值表A条件具备时条件具备时，事件，事件F不发生；不发生；A不具备不具备时，

31、事件时，事件F发生。发生。逻辑符号逻辑符号AEFRAF逻辑式逻辑式逻辑非逻辑非逻辑反逻辑反真值表真值表AF0110R1DR2AF+12V+3V三极管非门三极管非门嵌位二极管嵌位二极管（三极管的饱和压降（三极管的饱和压降假设为假设为0.3V）FA01输输 入入10输输 出出真值表真值表R1DR2F+12V+3V三极管非门三极管非门D1D2AB+12V二极管与门二极管与门几种常用的逻辑关系逻辑几种常用的逻辑关系逻辑“与与”、“或或”、“非非”是三种基本的是三种基本的逻辑关系，任何其它的逻辑关系都可以以逻辑关系，任何其它的逻辑关系都可以以它们为基础表示。它们为基础表示。与非：与非：条件条件A、B、C

32、都具都具备，则备，则F 不发不发生。生。&ABCF或非：或非：条件条件A、B、C任一任一具备，则具备，则F不不 发生。发生。1ABCF异或：异或：条件条件A、B有一个具有一个具备，另一个不备，另一个不具备则具备则F 发生。发生。=1ABCF1.体积大、工作不可靠。体积大、工作不可靠。2.需要不同电源。需要不同电源。3.各种门的输入、输出电平不匹配。各种门的输入、输出电平不匹配。分立元件门电路的缺点分立元件门电路的缺点与分立元件电路相比，集成电路与分立元件电路相比，集成电路具有体积小、可靠性高、速度快的具有体积小、可靠性高、速度快的特点，而且输入、输出电平匹配，特点，而且输入、输出电平匹配，所以

33、早已广泛采用。根据电路内部所以早已广泛采用。根据电路内部的结构，可分为的结构，可分为DTL、TTL、HTL、MOS管集成门电路等。管集成门电路等。+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC C+VBANNNNPPPPCCR1+V131T1CRBACC1.任一输入为低电平（任一输入为低电平（0.3V）时）时“0”1V不足以让不足以让T2、T5导通导通三个三个PN结结导通需导通需2.1V+5VFR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABC +5VFR4R2R13kR5T3T4T1b1c1ABC1.任一输入为低电平（任一输入为低电平（0.3V）时）时“0”1Vu

34、ouo=5-uR2-ube3-ube4 3.6V高电平！高电平！CT74LS00CT74LS00是是一一种种典典型型的的TTLTTL与与非非门门器器件件，内内部部含含有有4 4个个2 2输输入端与非门，共有入端与非门，共有1414个引脚。个引脚。其性能优良、工作可靠、使用安全，技术先进其性能优良、工作可靠、使用安全，技术先进其性能优良、工作可靠、使用安全，技术先进其性能优良、工作可靠、使用安全，技术先进。保护范围；保护范围；保护范围；保护范围；过载保护过载保护过载保护过载保护 断相保护断相保护断相保护断相保护 短路保护短路保护短路保护短路保护 漏电保护漏电保护漏电保护漏电保护 电动机电子综合保

35、护装置是一种以各种电子电动机电子综合保护装置是一种以各种电子电动机电子综合保护装置是一种以各种电子电动机电子综合保护装置是一种以各种电子元件为基础，实现对电动机进行各种保护功能的元件为基础，实现对电动机进行各种保护功能的元件为基础，实现对电动机进行各种保护功能的元件为基础，实现对电动机进行各种保护功能的装置装置装置装置 由取样与整定电路获得与温度或电流成正比的电压信号，由取样与整定电路获得与温度或电流成正比的电压信号，由取样与整定电路获得与温度或电流成正比的电压信号，由取样与整定电路获得与温度或电流成正比的电压信号，通过过载鉴幅电路，判断是否过载。通过过载鉴幅电路，判断是否过载。通过过载鉴幅电

36、路，判断是否过载。通过过载鉴幅电路，判断是否过载。在已过载的情况下，使信号电压（必要时经过放大环节）在已过载的情况下，使信号电压（必要时经过放大环节）在已过载的情况下，使信号电压（必要时经过放大环节）在已过载的情况下，使信号电压（必要时经过放大环节）输入定时电路，定时电路的作用主要是充分模拟电机的发输入定时电路，定时电路的作用主要是充分模拟电机的发输入定时电路，定时电路的作用主要是充分模拟电机的发输入定时电路，定时电路的作用主要是充分模拟电机的发热与冷却特性，在必须切断电源或可以重新送电时，定时热与冷却特性，在必须切断电源或可以重新送电时，定时热与冷却特性，在必须切断电源或可以重新送电时，定时

37、热与冷却特性，在必须切断电源或可以重新送电时，定时电路通过后级动作鉴幅电路，将发出一个阶跃信号，使执电路通过后级动作鉴幅电路，将发出一个阶跃信号，使执电路通过后级动作鉴幅电路，将发出一个阶跃信号，使执电路通过后级动作鉴幅电路，将发出一个阶跃信号，使执行电路电动作，最后发出跳闸或恢复信号，完成过载保护行电路电动作，最后发出跳闸或恢复信号，完成过载保护行电路电动作，最后发出跳闸或恢复信号，完成过载保护行电路电动作，最后发出跳闸或恢复信号，完成过载保护或使过载后自复。或使过载后自复。或使过载后自复。或使过载后自复。断相保护电路与过载保护电路比较，引断相保护电路与过载保护电路比较，引入了不平衡鉴幅电路

38、。因为流入电动机绕入了不平衡鉴幅电路。因为流入电动机绕组电流不平衡，达到一定程度就是故障状组电流不平衡，达到一定程度就是故障状态，而断一相则是最严重、最常见情况，态，而断一相则是最严重、最常见情况，故必须引入不平衡鉴幅电路。引入定时电故必须引入不平衡鉴幅电路。引入定时电路的目的是考虑到可能出现的瞬时不平衡路的目的是考虑到可能出现的瞬时不平衡状态。状态。因煤矿低压开关的过流保护是作为因煤矿低压开关的过流保护是作为馈电开关的后备保护，因此在速动的前馈电开关的后备保护，因此在速动的前提下，仍要有一定的延时，故必须引入提下，仍要有一定的延时，故必须引入定时电路。此外，为了使过流保护具有定时电路。此外，

39、为了使过流保护具有自锁的特性，在动作鉴幅电路或执行电自锁的特性，在动作鉴幅电路或执行电路中必须有记忆特性。路中必须有记忆特性。漏电闭锁只能在交流接触器分断后才投入，漏电闭锁只能在交流接触器分断后才投入，但由于电弧熄灭需要一定时间，电动机绕但由于电弧熄灭需要一定时间，电动机绕组断电产生的反电势及电动机的惯性在绕组断电产生的反电势及电动机的惯性在绕组产生剩磁电势，会对保护电路造成危害，组产生剩磁电势，会对保护电路造成危害，故为安全起见，一般常在检测电路前增设故为安全起见，一般常在检测电路前增设延时闭合接点延时闭合接点JS。电动机电子综合保护装置电动机电子综合保护装置的电子电路主要包括取样电的电子电

40、路主要包括取样电路、鉴幅电路、放大电路定路、鉴幅电路、放大电路定时电路记忆电路、执行电路时电路记忆电路、执行电路及进行综合时所需要的逻辑及进行综合时所需要的逻辑控制电路和电源电路。控制电路和电源电路。鉴幅电路在整个综合保护装置中占据十鉴幅电路在整个综合保护装置中占据十分重要的地位，除了要求温度变化与电压分重要的地位，除了要求温度变化与电压波动有较好的稳定性外还要求；波动有较好的稳定性外还要求；1 1、具有良好的阶跃特性，使保护装置动、具有良好的阶跃特性，使保护装置动作干脆。作干脆。2 2、具有一定的可调节回差。、具有一定的可调节回差。3 3、具有较高的输入电阻。、具有较高的输入电阻。4 4、输

41、出幅度大且具有一定的负载能力。、输出幅度大且具有一定的负载能力。1、稳压管鉴幅电路。、稳压管鉴幅电路。2、稳压管与晶体管组合鉴幅电、稳压管与晶体管组合鉴幅电路。路。3、施密特电路射极耦合电路。、施密特电路射极耦合电路。4、JEC2集成触发器。集成触发器。5、集成运放鉴幅器。、集成运放鉴幅器。为了使电子保护装置具有很宽的整定范围，采用空心互感器，所为了使电子保护装置具有很宽的整定范围，采用空心互感器，所为了使电子保护装置具有很宽的整定范围，采用空心互感器，所为了使电子保护装置具有很宽的整定范围，采用空心互感器，所以取出的电压信号非常微弱，为了使后级电路可靠工作，必须对过载以取出的电压信号非常微弱

42、，为了使后级电路可靠工作，必须对过载以取出的电压信号非常微弱，为了使后级电路可靠工作，必须对过载以取出的电压信号非常微弱，为了使后级电路可靠工作，必须对过载信号进行放大。信号进行放大。信号进行放大。信号进行放大。另外为了获得过载保护优良的反时限特性，要求另外为了获得过载保护优良的反时限特性，要求另外为了获得过载保护优良的反时限特性，要求另外为了获得过载保护优良的反时限特性，要求2020过载动作时过载动作时过载动作时过载动作时间为间为间为间为20min20min，而，而，而，而5050过载动作时间为过载动作时间为过载动作时间为过载动作时间为3min3min，二者相差几乎，二者相差几乎，二者相差几

43、乎，二者相差几乎7 7倍，可是倍，可是倍，可是倍，可是如在整定电流时过载信号电压取如在整定电流时过载信号电压取如在整定电流时过载信号电压取如在整定电流时过载信号电压取3V3V，则，则，则，则2020过载时取过载时取过载时取过载时取3.6V3.6V，5050过过过过载时取载时取载时取载时取4.5V4.5V、二者相差仅、二者相差仅、二者相差仅、二者相差仅0.9V0.9V，这样微小的电压差要获得相差，这样微小的电压差要获得相差，这样微小的电压差要获得相差，这样微小的电压差要获得相差7 7倍的倍的倍的倍的动作时间，给定时电路的时间带来很大的困难。因此需要对信号电压动作时间，给定时电路的时间带来很大的困

44、难。因此需要对信号电压动作时间，给定时电路的时间带来很大的困难。因此需要对信号电压动作时间，给定时电路的时间带来很大的困难。因此需要对信号电压进行放大，以增加不同过载时信号电压的差值。进行放大，以增加不同过载时信号电压的差值。进行放大，以增加不同过载时信号电压的差值。进行放大，以增加不同过载时信号电压的差值。对放大电路的要求是；对放大电路的要求是；对放大电路的要求是；对放大电路的要求是；1 1、放大电路增益稳定，不随温度、电压等外部条件变化而变化。、放大电路增益稳定，不随温度、电压等外部条件变化而变化。、放大电路增益稳定，不随温度、电压等外部条件变化而变化。、放大电路增益稳定，不随温度、电压等

45、外部条件变化而变化。2 2、增益调节方便。、增益调节方便。、增益调节方便。、增益调节方便。3 3、有足够高的输入阻抗。、有足够高的输入阻抗。、有足够高的输入阻抗。、有足够高的输入阻抗。能满足上述要求的理想放大器，是由集成运放组成的比例放大器与能满足上述要求的理想放大器，是由集成运放组成的比例放大器与能满足上述要求的理想放大器，是由集成运放组成的比例放大器与能满足上述要求的理想放大器，是由集成运放组成的比例放大器与各种加法器、减法器。各种加法器、减法器。各种加法器、减法器。各种加法器、减法器。定时电路是为了获得各种保护所需要的动作定时电路是为了获得各种保护所需要的动作时间，对于漏电保护、短路保护

46、和断相保护，时间，对于漏电保护、短路保护和断相保护，由于仅要求速动或某一固定时限，其定时电由于仅要求速动或某一固定时限，其定时电路设计简单，对过载保护，定时电路要模拟路设计简单，对过载保护，定时电路要模拟电动机的发热特性与冷却特性。电动机的发热特性与冷却特性。常用电路有；常用电路有；1 1、平方电路。、平方电路。2 2、时间常数可变定时电路。、时间常数可变定时电路。记忆电路是为了实现短路保护的自锁功能，主要要求；1、具有很强的抗干扰能力。2、具有一定的快速性 常用电路有；双稳态电路。施密特触发器。有触点电路。执行电路主要由灵敏继电器构成。灵敏继电器动执行电路主要由灵敏继电器构成。灵敏继电器动执

47、行电路主要由灵敏继电器构成。灵敏继电器动执行电路主要由灵敏继电器构成。灵敏继电器动作可由起开关作用的晶体管或可控硅的导通来实现。作可由起开关作用的晶体管或可控硅的导通来实现。作可由起开关作用的晶体管或可控硅的导通来实现。作可由起开关作用的晶体管或可控硅的导通来实现。主要连接方式有主要连接方式有主要连接方式有主要连接方式有 （1 1）代替交流接触器的自保接点实现控制。）代替交流接触器的自保接点实现控制。）代替交流接触器的自保接点实现控制。）代替交流接触器的自保接点实现控制。（2 2）将灵敏继电器触点串入控制回路，这种控制方）将灵敏继电器触点串入控制回路，这种控制方）将灵敏继电器触点串入控制回路，

48、这种控制方）将灵敏继电器触点串入控制回路，这种控制方式继电器的接点要求承受较大的冲击电流，但串入式继电器的接点要求承受较大的冲击电流，但串入式继电器的接点要求承受较大的冲击电流，但串入式继电器的接点要求承受较大的冲击电流，但串入控制回路，当电机绝缘下降后，继电器的接点打开控制回路，当电机绝缘下降后，继电器的接点打开控制回路，当电机绝缘下降后，继电器的接点打开控制回路，当电机绝缘下降后，继电器的接点打开使电动机不能起动，能够实现漏电闭锁。使电动机不能起动，能够实现漏电闭锁。使电动机不能起动，能够实现漏电闭锁。使电动机不能起动，能够实现漏电闭锁。（3 3）通过触发可控硅实现控制）通过触发可控硅实现

49、控制）通过触发可控硅实现控制）通过触发可控硅实现控制1 1、二极管的结构及特性？、二极管的结构及特性？2 2、三极管的结构、特性、放大原理及其三个、三极管的结构、特性、放大原理及其三个区域的特征？区域的特征？3 3、集成运算放大器的组成及基本电路应用？、集成运算放大器的组成及基本电路应用？4 4、晶闸管的结构、特性及其原理、晶闸管的结构、特性及其原理?5 5、基本门电路的分类及组成？、基本门电路的分类及组成？6 6、电动机综合保护器常用的电子电路有哪几、电动机综合保护器常用的电子电路有哪几种？种？此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢