模拟电子技术b复习提纲.ppt
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1、 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 优秀精品课件文档资料 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第2页考试时间:考试时间:2012年年1月月6日日 上午上午 10:20-12:20考试地点:考试地点:17211 17212总评成绩:总评成绩:70%考试成绩考试成绩+20%平时成绩平时成绩+10%实验成绩实验成绩考试范围:考试范围:第第17章、第章、第9章章 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第3页复 习 提 要 1.熟悉各章的基本概念和定义;熟悉各章的基本概念和定义;2.熟练使用常用的电路分析方法;熟练使用常用的电路分析方法;3.熟练掌握典型电路的计算公式;熟练掌握典
2、型电路的计算公式;4.熟悉典型电路的分析过程和计算过程;熟悉典型电路的分析过程和计算过程;5.熟练掌握典型电路的例题(教材和课件);熟练掌握典型电路的例题(教材和课件);6.把对应各章的典型电路的例题(分析过程、计算公把对应各章的典型电路的例题(分析过程、计算公式、求解过程)弄清楚,弄明白。式、求解过程)弄清楚,弄明白。7.熟悉对应各章的课堂练习和作业计算分析。熟悉对应各章的课堂练习和作业计算分析。模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第4页第第1 1章章 常用半导体器件常用半导体器件 1.N型半导体,型半导体,P型半导体如何产生?型半导体如何产生?在硅或锗的晶体中掺入少量的在硅或锗的晶
3、体中掺入少量的 5 价价杂质元素,如杂质元素,如磷、锑、磷、锑、砷砷等,即构成等,即构成 N 型半导体。型半导体。在硅或锗的晶体中掺入少量的在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价价杂质元素,如硼、镓、杂质元素,如硼、镓、铟等,即构成铟等,即构成 P 型半导体型半导体。2.PN结的形成,空间电荷区的变化(正偏,反偏);结的形成,空间电荷区的变化(正偏,反偏);正偏空间电荷区变窄,正偏空间电荷区变窄,反偏空间电荷区变宽反偏空间电荷区变宽3.温度对温度对IS(反向饱和电流)的影响?(反向饱和电流)的影响?4.稳压二极管工作在什么区域?稳压二极管工作在什么区域?5.晶体管共射电流放大系统;晶体管共射电流放
4、大系统;6.晶体管的截止区、放大区、饱和区分析判断。晶体管的截止区、放大区、饱和区分析判断。模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第5页三极管工作状态的判断三极管工作状态的判断【例例】:测量某测量某NPN型型BJT各电极对地的电压值如下,各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域?试判别管子工作在什么区域?(1 1)V VC C 6V6V V VB B 0.7V0.7V V VE E 0V0V(2 2)V VC C 6V6V V VB B 4V4V V VE E 3.6V3.6V(3 3)V VC C 3.6V3.6V V VB B 4V4V V VE E 3.4V3.4V【解解】
5、:原则:原则:正偏正偏反偏反偏反偏反偏集电结正偏正偏正偏正偏反偏反偏发射结饱和饱和放大放大截止截止对对NPN管而言,放大时管而言,放大时V VC C V VB B V VE E 对对PNP管而言,放大时管而言,放大时V VC C V VB B V VE E (1)放大区)放大区(2)截止区)截止区(3)饱和区)饱和区 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第6页【例例】某放大电路中某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。三个电极的电流如图所示。IA-2mA,IB-0.04mA,IC+2.04mA,试判断管脚、管型。试判断管脚、管型。【解解】:电流判断法。:电流判断法。电流的正方向电流的
6、正方向 IE=IB+ICABC IAIBICC为发射极为发射极B为基极为基极A为集电极。为集电极。管型为管型为NPN管。管。模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第7页第第2章章 基本放大电路基本放大电路 本章要求本章要求 1.熟悉放大电路的性能指标(放大倍数,输入电阻和熟悉放大电路的性能指标(放大倍数,输入电阻和输出电阻);输出电阻);2.熟悉基本共射放大电路的工作原理(熟悉基本共射放大电路的工作原理(Q点分析);点分析);3.饱和失真和截止失真的判断,饱和失真和截止失真的判断,Q点的合适位置;点的合适位置;4.熟练掌握等效电路法分析具体放大电路;熟练掌握等效电路法分析具体放大电路;5
7、.熟练掌握典型熟练掌握典型共射、共集共射、共集放大电路的等效电路图分放大电路的等效电路图分析方法;并熟练分析求解电路析方法;并熟练分析求解电路静态工作点静态工作点和电路的和电路的放大倍数(电压)、输入电阻、输出电阻放大倍数(电压)、输入电阻、输出电阻。6.共射、共集、共基放大电路的特点(输入电阻、输共射、共集、共基放大电路的特点(输入电阻、输出电阻、电流、电压放大能力,频带等)出电阻、电流、电压放大能力,频带等)模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第8页第第2章章 基本放大电路部分概念基本放大电路部分概念1.放大电路的最基本要求放大电路的最基本要求?2.直流通路、交流通路;直流通路、交
8、流通路;3.静态工作点静态工作点Q点的四个参数;点的四个参数;4.饱和失真和截止失真的判断;饱和失真和截止失真的判断;5.三种组态(三种组态(共射、共集、共基共射、共集、共基)的特点。)的特点。Ri 共集最大,共基最小共集最大,共基最小 Ro 共集最小,共基最大共集最小,共基最大 高频特性高频特性 共基最好共基最好 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第9页常见的两种共射放大电路常见的两种共射放大电路 Q点分析计算点分析计算(1)直接耦合放大电路直接耦合放大电路IBQIb2Ib1已知已知 Ib2=Ib1+IBQ Ube=UBEQUbeICQ IBQUCEQ=VCC ICQ RC(RL)
9、模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第10页(2).阻容耦合放大电路阻容耦合放大电路IBQ 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第11页交流等效电路交流等效电路基区体电阻基区体电阻发射结电阻发射结电阻发射区体电阻发射区体电阻数值小可忽略数值小可忽略利用利用PNPN结的电流方程可求得结的电流方程可求得动态电阻动态电阻 rbe 的近似表达式的近似表达式 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第12页共射放大电路动态参数的分析共射放大电路动态参数的分析 电路动态参数的分析就是电路动态参数的分析就是求解电路电压放大倍数、输入电求解电路电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。阻、输出电阻
10、。模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第13页静态工作点稳定的典型电路静态工作点稳定的典型电路 直流通路?直流通路?Ce为旁路电容,在交流为旁路电容,在交流通路中可视为短路通路中可视为短路1.电路组成和电路组成和Q点稳定原理点稳定原理 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第14页2.Q 点分析点分析 IBQI1 I1I2 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 3.动态分析动态分析RO 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第16页2.7 电电路路如如图图P2.7所所示示,晶晶体体管管的的 80,=100。分分别别计计算算RL和和RL3k时的时的Q点、点、AU、Ri
11、和和Ro。【解解】在空载和带负载情况下,在空载和带负载情况下,电路的静态电流、电路的静态电流、rbe均相等,它均相等,它们分别为们分别为 空载和带负载时,空载和带负载时,UCEQ不等不等 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第17页 空空载载(RL)时时,静静态态管管压压降降、电电压压放放大大倍倍数数、输输入入电电阻阻和输出电阻分别为和输出电阻分别为。UCEQ=VCC-ICRC=15-5 1.766.2V 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第18页 RL3k时,静态管压降、电压放大倍数等分别为时,静态管压降、电压放大倍数等分别为 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第
12、19页2.9 已知图已知图P2.9所示电路中晶体管的所示电路中晶体管的 100,rbe=1k。(1)现已测得静态管压降)现已测得静态管压降UCEQ6V,估算,估算Rb约为多少千欧;约为多少千欧;(2)若测得)若测得Ui和和Uo的有效值分别为的有效值分别为1mV和和100mV,则负载电阻,则负载电阻RL为多少为多少千欧?千欧?模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第20页 【解解】:(1)求解Rb (2)求解RL:模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第21页2.11 电路如图电路如图P2.11所示,晶体管的所示,晶体管的 100,rbb=100。(1)求电路的)求电路的Q点、点、A
13、u、Ri和和Ro;(2)若)若=200,则,则Q点如何变化?点如何变化?(3)若电容)若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第22页【解】这是一个典型的稳定电路(1)静态分析静态分析:求解次序求解次序:UBQIEQIBQUCEQ 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第23页(1)动态分析:模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第24页(2)=200时:求解次序不变求解次序不变:UBQIEQIBQUCEQ 即即变化时,只有变化时,只有IBQ发生变化发生变化,其它参数
14、,其它参数IEQ、UCEQ保保持不变持不变。模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第25页(3)若电容若电容Ce开路开路,其等效电路为,其等效电路为:Rf+Re Ro 不变 Ri 增大|Au|减小 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第26页2.12 电路如图电路如图P2.12所示,晶体管的所示,晶体管的 80,rbe=1k。(1)求出)求出Q点;点;(2)分别求出)分别求出RL和和RL3k时电路的时电路的Au、Ri和和Ro。模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第27页 【解解】:(1)求解Q点:(2)求动态参数:RL时 模拟电子技术模拟电子技术B复习提纲复习提纲 第28
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