第5章模拟集成电路基础罗群模电.ppt
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1、 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术第5章模拟集成电路基础罗群模电 Still waters run deep.流静水深流静水深,人静心深人静心深 Where there is life,there is hope。有生命必有希望。有生命必有希望 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术5.1概述概述 集成电路是一种将集成电路是一种将“管管”和和“路路”紧密结合的器件,紧密结合的器件,它以半它以半导体单晶硅为芯片,导体单晶硅为芯片,采用专门的制造工艺,采用专门的制造工艺,把晶体管、把晶体管、场效应管、场效应管、二极管、二极管、电阻和电容等元器件及它们之间的连线所组成的完整电电阻和电容等元器件及它们之
2、间的连线所组成的完整电路制作在一起,路制作在一起,使之具有特定的功能。使之具有特定的功能。集成电路体积小、集成电路体积小、重量轻、重量轻、耗电少、耗电少、可靠性高,可靠性高,已成为现代已成为现代电子器件的主体。电子器件的主体。集成电路分数字与模拟两大类。集成电路分数字与模拟两大类。模拟集成电路的种类很多,模拟集成电路的种类很多,有集成运算放大器有集成运算放大器(简称集成运放简称集成运放),集成功率放大器,集成功率放大器,集成模拟乘法器,集成模拟乘法器,集成锁相环,集成锁相环,集成稳压器集成稳压器等。等。在模拟集成电路中,在模拟集成电路中,集成运算放大器是最为重要、集成运算放大器是最为重要、用途
3、最广用途最广的一种,的一种,这里主要介绍集成运放的内部电路、这里主要介绍集成运放的内部电路、工作原理、工作原理、性能指性能指标及常用等效模型。标及常用等效模型。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术(1)集成电路中的元器件是在相同的工艺条件下做出的,)集成电路中的元器件是在相同的工艺条件下做出的,邻近邻近的器件具有良好的对称性,的器件具有良好的对称性,而且受环境温度和干扰的影响后的变而且受环境温度和干扰的影响后的变化也相同,化也相同,因而特别有利于实现需要对称结构的电路。因而特别有利于实现需要对称结构的电路。(2)集成工艺制造的电阻、)集成工艺制造的电阻、电容数值范围有一定的限制。集成电电容数值范
4、围有一定的限制。集成电路中的电阻是使用半导体材料的体电阻制成的,路中的电阻是使用半导体材料的体电阻制成的,因而很难制造大因而很难制造大的电阻,的电阻,其阻值一般在几十欧姆到几十千欧姆之间其阻值一般在几十欧姆到几十千欧姆之间;集成电路中的集成电路中的电容是用电容是用PN结的结电容作的。结的结电容作的。(3)集成工艺制造晶体管、)集成工艺制造晶体管、场效应管最容易,场效应管最容易,众多数量的晶体管众多数量的晶体管通过一次综合工艺完成。通过一次综合工艺完成。集成晶体管有纵向集成晶体管有纵向NPN型管型管(值高、性能值高、性能好好)、横向横向PNP 型管型管(值低、但反向耐压高)和场效应管,值低、但反
5、向耐压高)和场效应管,另外,另外,集成工艺比较容易制造多极晶体管,集成工艺比较容易制造多极晶体管,如多发射极管、如多发射极管、多集电极管等。多集电极管等。集成二极管、集成二极管、稳压管等一般用稳压管等一般用NPN管的发射结代替。管的发射结代替。5.1.1 集成电路中的元器件特点集成电路中的元器件特点 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术(1)因为硅片上不能制作大电容,所以集成运放均采用直)因为硅片上不能制作大电容,所以集成运放均采用直接耦合方式。接耦合方式。(2)因为相邻元件具有良好的对称性,而且受环境温度和)因为相邻元件具有良好的对称性,而且受环境温度和干扰等影响后的变化也相同,所以集成运放中
6、大量采用各种干扰等影响后的变化也相同,所以集成运放中大量采用各种差分放大电路(作输入级)和恒流源电路(作偏置电路或有差分放大电路(作输入级)和恒流源电路(作偏置电路或有源负载)。源负载)。(3)因为制作不同形式的集成电路,只是所用掩模不同,)因为制作不同形式的集成电路,只是所用掩模不同,增加元器件并不增加制造工序,所以集成运放允许采用增加元器件并不增加制造工序,所以集成运放允许采用复杂的电路形式,以达到提高各方面性能的目的。复杂的电路形式,以达到提高各方面性能的目的。5.1.2 集成运放的电路结构特点集成运放的电路结构特点(4)因为硅片上不宜制作高阻值电阻,所以在集成运放)因为硅片上不宜制作高
7、阻值电阻,所以在集成运放中常用有源元件(晶体管或场效应管)取代电阻。中常用有源元件(晶体管或场效应管)取代电阻。(5)集成晶体管和场效应管因制作工艺不同,性能上有)集成晶体管和场效应管因制作工艺不同,性能上有较大差异,所以在集成运放中常采用复合形式,以得到较大差异,所以在集成运放中常采用复合形式,以得到各方面性能俱佳的效果。各方面性能俱佳的效果。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术 集成运放电路中的晶体管和场效应管,除了集成运放电路中的晶体管和场效应管,除了作为放大管外,还构成电流源电路,为各级提供作为放大管外,还构成电流源电路,为各级提供合适的静态电流,或作为有源负载取代高阻值的合适的静态电流
8、,或作为有源负载取代高阻值的电阻,从而增大放大电路的电压放大倍数。本节电阻,从而增大放大电路的电压放大倍数。本节将介绍常见的电流源电路以及有源负载的应用。将介绍常见的电流源电路以及有源负载的应用。5.2 集成运放中的电流源电路集成运放中的电流源电路 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术 电流源电路是指能够输出恒定电流的电路。由第电流源电路是指能够输出恒定电流的电路。由第1章章晶体管(场效应管)的特性已知,晶体管(场效应管)的特性已知,晶体管(场效应管)晶体管(场效应管)本身便具有近似恒流的特性。本身便具有近似恒流的特性。在集成电路中,在集成电路中,常用的电流源电路有:常用的电流源电路有:镜像电流
9、源镜像电流源、精密电流源精密电流源、微电流源微电流源、比例电流源比例电流源和和多路电流源多路电流源等。等。它主要提供集成运放中各级合适的静态电流或作为有源它主要提供集成运放中各级合适的静态电流或作为有源负载代替高阻值电阻,负载代替高阻值电阻,以提高放大电路的放大倍数。以提高放大电路的放大倍数。5.2.1 电流源电路电流源电路 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术镜像电流源镜像电流源分析分析条件:两管参数对称条件:两管参数对称 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术镜像电流源分析镜像电流源分析由两只特性完全相同由两只特性完全相同的管子的管子T T0 0和和T T1 1构成,构成,U UCE0CE0=U
10、=UBE0BE0,从而保证,从而保证T T0 0工作在放大状态。工作在放大状态。集成运放中纵向晶体管的集成运放中纵向晶体管的均在百倍以上。若基本电均在百倍以上。若基本电流源中采用横向流源中采用横向PNPPNP管,则管,则只有几倍。只有几倍。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术在镜像电流源在镜像电流源T T0 0管的集电极与基极之间加管的集电极与基极之间加一个射极输出的晶体管一个射极输出的晶体管T T2 2。利用。利用T T2 2管的电流管的电流放大作用,减小了基极电流放大作用,减小了基极电流I IB0B0和和I IB1B1对基准对基准电流电流I IR R的分流。在实际电路中,有时在的分流。在实际
11、电路中,有时在T T0 0管管和和T T1 1管的基极与地之间加电阻管的基极与地之间加电阻R Re2e2,用来增,用来增大大T T2 2管的工作电流,从而提高管的工作电流,从而提高T T2 2的的。改进型镜像电流源改进型镜像电流源加射极输出器的电流源加射极输出器的电流源 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术比例电流源比例电流源分析分析 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术比例电流源分析比例电流源分析微电流微电流输出电流可以大于或小于基准电流,与基准电流成比例关系。输出电流可以大于或小于基准电流,与基准电流成比例关系。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术微电流源微电流源分析分析 模模 拟拟 电电 子子
12、 技技 术术微电流源分析微电流源分析集成运放输入级放大管的集电极(发射极)静态电流很小,往往只有几十微安,集成运放输入级放大管的集电极(发射极)静态电流很小,往往只有几十微安,甚至更小。为了只采用阻值较小的电阻,而又获得较小的输出电流,可以将比甚至更小。为了只采用阻值较小的电阻,而又获得较小的输出电流,可以将比例电流源中例电流源中R Re0e0的阻值减小到零。的阻值减小到零。在已知在已知R Re e的情况下,上式对输的情况下,上式对输出电流出电流I IC1C1而言是超越方程,可而言是超越方程,可以通过以通过图解法或累试法解出图解法或累试法解出I IC1C1。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术基
13、于比例电流源的多路电流源基于比例电流源的多路电流源集成运放是一个集成运放是一个多级放大电路,多级放大电路,因而需要多路电因而需要多路电流源分别给各级流源分别给各级提供合适的静态提供合适的静态电流。可以利用电流。可以利用一个基准电流去一个基准电流去获得多个不同的获得多个不同的输出电流,以适输出电流,以适应各级的需要。应各级的需要。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术多集电极管构成的多路电流源多集电极管构成的多路电流源T T多为横向多为横向PNPPNP型管,型管,当基极电流一定时,集当基极电流一定时,集电极电流之比等于它们的集电区面积之比。电极电流之比等于它们的集电区面积之比。设设各集电区面积分别为
14、各集电区面积分别为S S0 0、S S1 1、S S2 2。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术MOSMOS管多路电流源管多路电流源由场效应管同样可以组成镜像电流源、比例电流源等。由场效应管同样可以组成镜像电流源、比例电流源等。T T0 0T T3 3均为均为N N沟道增强型沟道增强型MOSMOS管,它们的开启电压管,它们的开启电压U UGS(th)GS(th)等参数相等。等参数相等。在栅在栅-源电压相等时,源电压相等时,MOSMOS管的漏极管的漏极电流正比于沟道的宽长比。电流正比于沟道的宽长比。设宽长比设宽长比W/L=SW/L=S,且,且T T0 0T T3 3的宽长比分别为的宽长比分别为S
15、S0 0、S S1 1、S S2 2、S S3 3。这样就可以通过改变场效应管的几何尺寸来获得各种数值的电流。这样就可以通过改变场效应管的几何尺寸来获得各种数值的电流。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术例一:例一:图示电路是型号为图示电路是型号为F007F007的通用型集成运放的电流源部分。其中的通用型集成运放的电流源部分。其中T T1010与与T T1111为纵向为纵向NPNNPN管;管;T T1212与与T T1313是横向是横向PNPPNP型管,其型管,其均为均为5 5。各管的。各管的b-b-e e间电压值均约为间电压值均约为0.7V0.7V。试求出各管的集电极电流。试求出各管的集电极电
16、流。解:解:图中图中R5上的电流是基准电流,根据上的电流是基准电流,根据R5所在回路可以求出所在回路可以求出T10与与T11构成微电流源构成微电流源利用累试法或图解法求出利用累试法或图解法求出T12与与T13构成镜像电流源构成镜像电流源在电流源电路的分析中,首先应求出基准电流在电流源电路的分析中,首先应求出基准电流IR,IR常常是集成运放电路中唯一能够通常常是集成运放电路中唯一能够通过列回路方程直接求出的电流;然后利用与过列回路方程直接求出的电流;然后利用与IR的关系,分别求出各路输出电流。的关系,分别求出各路输出电流。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术例二:例二:多路电流源电路如图所示,已知
17、所有晶体管的特多路电流源电路如图所示,已知所有晶体管的特性均相同,性均相同,U UBEBE均为均为0.7V0.7V,R=136kR=136k。试求。试求I IC1C1、I IC2C2各为各为多少多少?解:解:当当(1+)3时时 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术思考:思考:电路如图所示,已知电路如图所示,已知0 0=1 1=2=100,各,各管的管的UBE均为均为0.7V,R=136k。试求试求IC2的值。的值。分析分析:模模 拟拟 电电 子子 技技 术术思考思考:在下图电路中,在下图电路中,T1、T2管的特性相同,管的特性相同,已知已知VCC=15V,1=2=,UBE1=UBE2=0.6V。
18、(1)试证明当)试证明当 2时,时,IC2IR;(2)若要求)若要求IC2=28A,电阻,电阻R应取多大?应取多大?模模 拟拟 电电 子子 技技 术术思考思考:在下图电路中在下图电路中(1)指出电路为何种电流源电路;)指出电路为何种电流源电路;(2)根据二极管电流方程,)根据二极管电流方程,导出导出T1、T2管的工作电流管的工作电流IC1、IC2的关系式;的关系式;(3)若测得)若测得IC228A,IC10.73mA,估,估算电阻算电阻Re和和R的阻值;的阻值;(4)说明微电流源和上题所示镜像电流源的异同。)说明微电流源和上题所示镜像电流源的异同。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术 在共射放大
19、电路中,为了提高在共射放大电路中,为了提高Au,行之有效的方法是,行之有效的方法是增大集电极电阻增大集电极电阻Rc。然而,为了维持晶体管的静态电流不然而,为了维持晶体管的静态电流不变,在增大变,在增大Rc时必须提高电源电压。当电源电压增大到一时必须提高电源电压。当电源电压增大到一定程度时,电路的设计就变得不合理了。另外在集成电路定程度时,电路的设计就变得不合理了。另外在集成电路中,不能使用过大的电阻,而且中,不能使用过大的电阻,而且Rc增大,直流功耗也增大,增大,直流功耗也增大,对电源电压的要求也会提高,因此对电源电压的要求也会提高,因此Au的增加受到的增加受到Rc取值的取值的限制。限制。如果
20、用恒流源来代替如果用恒流源来代替Rc,则由于恒流源的直流电阻,则由于恒流源的直流电阻不大,故恒流源两端的直流电压并不大,但恒流源的动不大,故恒流源两端的直流电压并不大,但恒流源的动态交流电阻很大,该交流电阻与交流通道中的态交流电阻很大,该交流电阻与交流通道中的Rc等效,等效,Au可以大大提高。可以大大提高。由于晶体管和场效应管是有源器件,由于晶体管和场效应管是有源器件,而上述电路又以它们为负载,故称为有源负载。而上述电路又以它们为负载,故称为有源负载。5.2.2 有源共射放大电路有源共射放大电路 模模 拟拟 电电 子子 技技 术术有源共射放大电路有源共射放大电路 模模 拟拟 电电 子子 技技
21、术术5.3 差动放大电路(差动放大电路(差分放大电路差分放大电路)零点漂移的严重性零点漂移的严重性根据集成电路结构形式上的特点,集成电路的级间耦合方根据集成电路结构形式上的特点,集成电路的级间耦合方式一般采用直接耦合。直接耦合存在式一般采用直接耦合。直接耦合存在温度漂移温度漂移问题。为了问题。为了抑制抑制温度漂移温度漂移,一种比较有效的电路就是,一种比较有效的电路就是差动放大电路。差动放大电路。差动放大电路是构成多级直接耦合放大电路的基本单元电差动放大电路是构成多级直接耦合放大电路的基本单元电路。路。如果零点漂移的大小足以和输出的有用信号相比拟,就如果零点漂移的大小足以和输出的有用信号相比拟,
22、就无法正确地将两者加以区分。因此,为了使放大电路能无法正确地将两者加以区分。因此,为了使放大电路能正常工作,必须有效地抑制零点漂移。正常工作,必须有效地抑制零点漂移。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术5.3.1 差动放大电路差动放大电路(Differential Amplifier)1.电路组成电路组成 特点:特点:a.两只完全相同的两只完全相同的管子;管子;b.元件参数对称元件参数对称差动放大电路是由典型的工作点稳定电路演变而来的。差动放大电路是由典型的工作点稳定电路演变而来的。所谓所谓“差动差动”,是指只有当两个输入端,是指只有当两个输入端uI1与与uI2之间有之间有差别(即变化量)时,输
23、出电压才有变动(即变化量)差别(即变化量)时,输出电压才有变动(即变化量)的意思。的意思。对对于于差差动动放放大大电电路路的的分分析析,多多是是在在理理想想情情况况下下,即即电电路路参参数数理理想想对对称称情情况况下下进进行行的的。所所谓谓电电路路参参数数理理想想对对称称,是是指指在在对对称称位位置置的的电电阻阻值值绝绝对对相相等等,两两只只晶晶体体管管在在任任何何温温度度下下输输入入特特性性曲曲线线与与输输出出特特性性曲曲线线都都完完全全重重合合。应应当当指指出出,由由于于电电阻阻的的阻阻值值误误差差各各不不相相同同,特特别别是是晶晶体体管管特特性性的的分分散散性性,实实际际的的电电路路参参
24、数数不不可可能能理理想想对对称称。模模 拟拟 电电 子子 技技 术术2.输入输出方式输入输出方式输入端:输入端:同相输入端、反相输入端同相输入端、反相输入端输入方式:输入方式:双端输入:双端输入:若信号同时加到同相输入端和反相输入端。若信号同时加到同相输入端和反相输入端。单端输入:单端输入:若信号仅从一个输入端加入,若信号仅从一个输入端加入,另一个输入端接地。另一个输入端接地。输出方式:输出方式:双端输出:双端输出:若从若从C1和和C2两端输出。两端输出。单端输出:单端输出:仅从集电极仅从集电极C1或或C2对地输出称为单端输出。对地输出称为单端输出。输出端:输出端:一个是一个是T1的集电极的集
25、电极C1,另一个是另一个是T2的集电极的集电极C2差动电路的工作模式:差动电路的工作模式:(1)双端输入、双端输入、双端输出(双入双端输出(双入双出)双出)(2)双端输入、双端输入、单端输出(双入单端输出(双入单出)单出)(3)单端输入、单端输入、双端输出(单入双端输出(单入双出)双出)(4)单端输入、单端输入、单端输出(单入单端输出(单入单出)单出)模模 拟拟 电电 子子 技技 术术3.差模信号与共模信号差模信号与共模信号差模输入信号:差模输入信号:差模信号是两个输入端信号之差差模信号是两个输入端信号之差差模信号:差模信号:指在两个输入端加上大小相等,指在两个输入端加上大小相等,极性相反的信
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