半导体激光器工作原理及基本结构复习进程.ppt
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1、半导体激光器工作原理及基本(jbn)结构李璟第一页,共15页。半导体激光器工作原理及基本(jbn)结构n工作原理n分类(fn li)n材料及器件结构第二页,共15页。半导体激光器工作(gngzu)原理n半导体激光器n 是一种(y zhn)在电流注入下能够发出相干辐射光(相位相同、波长基本相同、强度较大)的光电子器件。第三页,共15页。半导体激光器工作(gngzu)原理n工作三要素:n 受激光辐射、谐振腔、增益(zngy)大于等于损耗。第四页,共15页。自发自发(zf)光辐射和受激光辐射光辐射和受激光辐射n自发光辐射(发光二极管)n 当给器件加正向偏压时,n区向p区注入电子,p区向n区注入空穴,
2、在激活区电子和空穴自发地复合形成电子-空穴对,将多余的能量以光子的形式释放出来,所发射的光子相位和方向各不相同,这种辐射叫做自发辐射。n受激光辐射(半导体激光器)n 在材料(cilio)设计时,考虑将p区和n区重掺杂等工艺,使得辐射光严格在pn结平面内传播,单色性较好,强度也较大,这种光辐射叫做受激光辐射。第五页,共15页。法布里-珀罗谐振腔(形成(xngchng)相干光)n垂直于结面的两个平行(pngxng)的晶体解理面形成法布里-珀罗谐振腔,两个解理面是谐振腔的反射镜面。在两个端面上分别镀上高反膜和增透膜,可以提高激射效率.n一定波长的受激光辐射在谐振腔内形成振荡的条件:n 腔长=半波长的
3、整数倍n L=m(/2n)第六页,共15页。增益(zngy)和阈值电流n增益:在注入电流的作用下,激活区受激辐射不断(bdun)增强。n损耗:受激辐射在谐振腔中来回反射时的能量损耗。包括载流子吸收、缺陷散射及端面透射损耗等。n阈值电流:增益等于损耗时的注入电流。第七页,共15页。半导体激光器的分类(fn li)(材料和波长)n可见光:GaAs衬底 n InGaN/GaAs 480490nm 蓝绿光n InGaAlP/GaAs 630680nmn AlGaAs/GaAs 720760nmn近红外长波长(bchng):GaAs衬底 AlGaAs/GaAs 760900nm InGaAs/GaAs
4、980nmn远红外长波长(bchng):InP衬底 n InGaAsP/InP 1.3um 1.48um 1.55um第八页,共15页。半导体激光器材料(cilio)和器件结构n808大功率激光器结构(jigu)第九页,共15页。半导体激光器材料(cilio)生长采用采用MOCVD方法制备外延层,外延层包括缓冲层、限制层、方法制备外延层,外延层包括缓冲层、限制层、有源层、顶层、帽层。有源层包括上下波导层和量子阱。有源层、顶层、帽层。有源层包括上下波导层和量子阱。有源层的带隙比有源层的带隙比P型和型和N型限制层的小,折射率比它们大,因型限制层的小,折射率比它们大,因此由此由P面和面和N面注入面注
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- 半导体激光器 工作 原理 基本 结构 复习 进程
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