第06章-二极管及整流电路教学教材.ppt
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1、第06章-二极管及整流电路第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路二、本征半导体二、本征半导体 本征半导体就是指纯净的、未掺杂任何杂质并且没有晶本征半导体就是指纯净的、未掺杂任何杂质并且没有晶格缺陷的完整的半导体。格缺陷的完整的半导体。共价键结构中,原子最外层拥有八个电子并处于相对稳共价键结构中,原子最外层拥有八个电子并处于相对稳定状态,但在一定条件下,外层电子可能受到激发成为定状态,但在一定条件下,外层电子可能受到激发成为自由自由电子电子。并在其原来所在的晶格原子的外层轨道上留下一个空。并在其原来所在的晶格原子的外层轨道上留下一个空位,叫做位,叫做空穴空穴。空穴和自由电子都可称为本征
2、半导体中的。空穴和自由电子都可称为本征半导体中的载载流子流子,其定向移动形成半导体中的其定向移动形成半导体中的电流电流。在热能、外电场或其他能量激发下,自由电子不断产生。在热能、外电场或其他能量激发下,自由电子不断产生。当自由电子移动到一个空穴附近,就会填补到这个空穴上,当自由电子移动到一个空穴附近,就会填补到这个空穴上,该过程叫做该过程叫做复合复合。2第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路三、杂质半导体三、杂质半导体N型半导体型半导体P型半导体型半导体3第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路N型半导体型半导体 在本征半导体硅(或锗)在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的中掺入
3、微量的V族元素(例族元素(例如磷如磷P),在本征硅晶体结),在本征硅晶体结构没有发生改变的前提下,构没有发生改变的前提下,硅晶体中某些位置的硅原子硅晶体中某些位置的硅原子被磷原子取代。被磷原子取代。具有多余电子的半导体具有多余电子的半导体材料。材料。自由电子为多数载流子自由电子为多数载流子(简称(简称“多子多子”),空穴为),空穴为少数载流子(简称少数载流子(简称“少子少子”)。)。4第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路P型半导体型半导体 在本征半导体硅(或锗)在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的中掺入微量的III族元素(例族元素(例如硼如硼B),在本征硅晶体结),在本征硅晶体结构没
4、有发生改变的前提下,构没有发生改变的前提下,硅晶体中某些位置的硅原子硅晶体中某些位置的硅原子被硼原子取代。被硼原子取代。空穴为空穴为 多子多子,自由电子,自由电子为为 少子少子。注意:注意:无论无论N型半导体还是型半导体还是P型半导体都是电中性,对外不显电性。型半导体都是电中性,对外不显电性。5第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路2 PN 结结 一、一、PN结的形成结的形成PN结结:在同一片半导体基片上:在同一片半导体基片上P型半导体材料和型半导体材料和N型半导体型半导体 材料相结合的区域。材料相结合的区域。P区与区与N区中载流子的扩散运动区中载流子的扩散运动 6第第6 6章章 二
5、极管及整流电路二极管及整流电路平衡状态下形成空间电荷区平衡状态下形成空间电荷区 扩散运动扩散运动扩散电流扩散电流浓度差异浓度差异空间电荷区空间电荷区 内电场内电场漂移运动漂移运动漂移电流漂移电流一个稳定的一个稳定的PN结,其内结,其内部的总电流部的总电流为零,并且为零,并且空间电荷区空间电荷区的宽度相对的宽度相对稳定稳定 7第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路二、二、PN结的特性结的特性1、PN结单相导电性结单相导电性PN 结结 P 区电位高于区电位高于 N 区电位的情况称为区电位的情况称为正向偏置正向偏置 内电场减弱,内电场减弱,扩散大于漂扩散大于漂移,形成正移,形成正向电流向电
6、流8第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路PN 结结 N 区电位高于区电位高于 P 区电位的情况称为区电位的情况称为反相偏置反相偏置 内电场加强,内电场加强,扩散停止,扩散停止,少量漂移,少量漂移,形成较小反形成较小反向电流向电流9第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路2、PN结伏安特性结伏安特性反向击穿电压反向击穿电压反向漏电反向漏电流,流,A级级导通压降,硅管导通压降,硅管0.6-0.8V,锗管,锗管0.2-0.3V死区死区10第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路3、PN结的反向击穿结的反向击穿热击穿热击穿电击穿电击穿雪崩击穿雪崩击穿齐纳击穿齐纳击穿反向电压
7、超过反向电压超过7V 反向电压低于反向电压低于4V 4、PN结的电容效应结的电容效应结电容结电容Cj扩散电容扩散电容Cd势垒电容势垒电容Cb反向偏置时起主导作用反向偏置时起主导作用正向偏置时起主导作用正向偏置时起主导作用11第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路3 半导体二极管半导体二极管 半导体二极管是由用外壳封装起来的半导体二极管是由用外壳封装起来的PN结结 一、二极管的分类一、二极管的分类按材料分类按材料分类硅半导体二极管硅半导体二极管锗半导体二极管锗半导体二极管按结构分类按结构分类点接触型点接触型面接触型面接触型平面型平面型12第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路
8、二、半导体二极管的伏安特性二、半导体二极管的伏安特性UBR 反向击穿电压反向击穿电压IS 反向饱和电流反向饱和电流UON 开启电压开启电压13第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路三、半导体二极管的主要参数三、半导体二极管的主要参数1、最大整流电流、最大整流电流 IF2、最大反向工作电压、最大反向工作电压 UDRM3、反向电流、反向电流 IR4、最高工作频率、最高工作频率fMAX14第第6 6章章 二极管及整流电路二极管及整流电路四、半导体二极管的等效电路四、半导体二极管的等效电路理想等效电路理想等效电路正向导通正向导通反向截至反向截至管压降为零管压降为零反向电流为零反向电流为零15
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