中国矿业大学嵌入式课件6说课材料.ppt

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1、中国矿业大学嵌入式课件中国矿业大学嵌入式课件6 6嵌入式系统的软硬件框架嵌入式系统体系结构设计串口、并口、USB、以太网等LED、LCD、触摸屏、鼠标、键盘等Linux、uCLinux、uC/OS-II等2nS3C2410是Samsung公司推出的16/32位RISC处理器，主要面向高性价比、低功耗的手持设备应用。S3C2410有S3C2410X和S3C2410A两个型号，A型是X型的改进型，具有更好的性能和更低的功耗。嵌入式硬件平台设计1、S3C2410简介31、S3C2410内部结构嵌入式硬件平台设计4S3C2410片上资源qARM920TARM920T核、工作频率核、工作频率203MHz

2、203MHz；q16KB 16KB 数据数据CacheCache，16KB 16KB 指令指令CacheCache，MMUMMU，外部存储器控制器；外部存储器控制器；qLCDLCD控制器（支持黑白、灰度、控制器（支持黑白、灰度、Color STNColor STN、TFTTFT屏），触摸屏接口；屏），触摸屏接口；qNAND FLASHNAND FLASH控制器，控制器，SD/MMCSD/MMC接口支持，接口支持，4 4个个DMADMA通道；通道；q3 3通道通道UARTUART、1 1个多主个多主I2CI2C总线控制器、总线控制器、1 1个个IISIIS总线控制器；总线控制器；q4 4通道通道

3、PWMPWM定时器及一个内部定时器；定时器及一个内部定时器；q117117个通用个通用I/OI/O口；口；2424个外部中断源；个外部中断源；q8 8通道通道1010位位ADCADC；q实时时钟及看门狗定时器等。实时时钟及看门狗定时器等。q两个两个USBUSB主主/一个一个USBUSB从；从；嵌入式硬件平台设计5S3C2410特性q内核内核:1.8V I/O:1.8V I/O及存储器及存储器 :3.3V:3.3Vq电源管理模式：电源管理模式：NormalNormal、SlowSlow、IdleIdle、Power off Power off q272-FBGA272-FBGA嵌入式硬件平台设计

4、6S3C2410的引脚分布图嵌入式硬件平台设计7总线控制信号S3C2410X的引脚信号描述8SDRAM/SRAMS3C2410X的引脚信号描述信号信号类型类型描述描述nSRASOSDRAM行地址锁存信号nSCASOSDRAM列地址锁存信号nSCS1:0OSDRAM片选DQM3:0OSDRAM数据屏蔽SCLK1:0OSDRAM时钟SCKEOSDRAM时钟使能nBE3:0O字节允许信号 nWBE3:0O写字节使能9NAND FlashS3C2410X的引脚信号描述10LCD控制信号S3C2410X的引脚信号描述11中断控制信号S3C2410X的引脚信号描述DMA控制信号12UART控制信号S3C2

5、410X的引脚信号描述ADC13IIC-BUS控制信号S3C2410X的引脚信号描述IIS-BUS控制信号14触摸屏接口控制信号S3C2410X的引脚信号描述SPI接口信号15USB从接口信号USB主接口信号S3C2410X的引脚信号描述16GPIOS3C2410X的引脚信号描述TIMER/PWM控制信号17复位和时钟信号S3C2410X的引脚信号描述18JTAG测试逻辑S3C2410X的引脚信号描述19电源S3C2410X的引脚信号描述20芯片及引脚分析q具有大量的电源和接地引脚，应注意电源电压及分配具有大量的电源和接地引脚，应注意电源电压及分配q芯片引脚主要有如下几种类型：芯片引脚主要有如

6、下几种类型：S3C2410XS3C2410X的引脚主要分为的引脚主要分为如下几类，即：数字输入（如下几类，即：数字输入（I I）、）、数字输出（数字输出（O O）、）、数字输入数字输入/输出（输出（I/OI/O）、）、模拟输入模拟输入/输出输出q输出类型的引脚主要用于输出类型的引脚主要用于S3C2410XS3C2410X对外设的控制或通信，对外设的控制或通信，由由S3C2410XS3C2410X主动发出，这些引脚的连接不会对主动发出，这些引脚的连接不会对S3C2410XS3C2410X自身自身的运行有太大的影响的运行有太大的影响q输入类型的引脚有些直接决定输入类型的引脚有些直接决定S3C241

7、0XS3C2410X是否可正常运行，是否可正常运行，设计时应特别注意设计时应特别注意q输入输入/输出类型的引脚主要是输出类型的引脚主要是S3C2410XS3C2410X与外设的双向数据与外设的双向数据传输通道传输通道S3C2410X的引脚信号描述21最小系统简介最小系统简介1、一个嵌入式处理器是不能独立工作的，必须给它供电、加上时钟信号、提供复位信号，如果芯片没有片内程序存储器，则还要加上存储器系统，然后嵌入式处理器才可能工作。2、这些提供嵌入式处理器运行所必须的条件的电路与嵌入式处理器共同构成了这个嵌入式处理器的最小系统。3、大多数基于ARM9处理器核的微控制器都有调试接口，这部分在芯片实际

8、工作时不是必需的，但因为这部分在开发时很重要，所以把这部分也归入到最小系统中。最小系统的设计22最小系统框图最小系统框图嵌入式控制器时钟电路调试测试接口复位电路存储器电路电源电路可选，当嵌入式处理器中无存储器时，或需扩充存储器时，需加上。可选，方便调试和测试，一般都加上。最小系统的设计23电源电路-概述电源系统为整个系统提供能量，是整个系统工作的基础，具有极其重要的地位。电源系统处理的好坏，将直接影响到整个系统的稳定性、可靠性等。多电源系统的设计、电源的分配、印制板设计中电源的设计等，都是必须考虑的。最小系统的设计24电源电路-考虑的因素1.输入的电压范围、电流；2.输出的电压、最大电流、最大

9、功率；3.输出纹波大小；4.安全因素；5.电池兼容和电磁干扰；6.体积要求；7.成本要求。最小系统的设计25电源电路-需求分析1、一般是多电源系统，I/O一般为3.3V供电，内核为2.5V（S3C44B0）、1.8V（S3C2410）供电，有可能还包含5V或12V等电源；2、一般将数字电源和模拟电源分别供电；3、要求电源纹波比较小，一般采用LDO（low dropout regulator,低压差线性稳压器）供电；最小系统的设计26电源电路-芯片选型1、有很多厂家均生产LDO DC-DC转换芯片，如Maxim、LinearLinear、Sipex、TI、Microchip等；2、转换到5V的芯

10、片有UA7805、TL750L05、LTC3425、REG1117-5等；3、转换到3.3V的芯片有LT1083（7.5A）、LT1084（5A）、LT1085（3A）、LT1086（1.5A），REG1117-3.3等；最小系统的设计27电源电路-参考电路最小系统的设计28时钟电路1、主时钟电路2、RTC时钟电路3、主时钟及USB时钟滤波 时钟电路用于向CPU及其它电路提供工作时钟，S3C2410X使用无源晶振，晶振的接法如下图所示主时钟电路RTC时钟电路主时钟及USB时钟滤波最小系统的设计29时钟电路1 1、根据S3C2410X的最高工作频率以及PLL电路的工作方式，选择12MHz的无源晶

11、振。12MHz的晶振频率经过S3C2410X片内的PLL电路倍频后，可达到202.8MHz的频率。2、片内的PLL电路兼有频率放大和信号提纯的功能，因此，系统可以以较低的外部时钟信号获得较高的工作频率，以降低因高速开关时钟所造成的高频噪声。最小系统的设计30复位电路q由RC电路及施密特触发器组成：最小系统的设计31JTAG调试接口电路1、JTAG(Joint Test Action GroupJTAG(Joint Test Action Group，联合测试行动小组，联合测试行动小组)是一种国际标准是一种国际标准 测试协议，主要用于芯片内部测试及对系统进行仿真、调试。测试协议，主要用于芯片内部

12、测试及对系统进行仿真、调试。2、目前大多数比较复杂的器件都支持目前大多数比较复杂的器件都支持JTAGJTAG协议，如协议，如ARMARM、DSPDSP、FPGAFPGA器件等。器件等。3 3、标准的、标准的JTAGJTAG接口是接口是4 4线：线：TMSTMS、TCKTCK、TDITDI、TDOTDO，分别为测试模式选择、，分别为测试模式选择、测试时钟、测试数据输入和测试数据输出。测试时钟、测试数据输入和测试数据输出。4 4、JTAGJTAG测试允许多个器件通过测试允许多个器件通过JTAGJTAG接口串联在一起，形成一个接口串联在一起，形成一个JTAGJTAG链，能链，能 实现对各个器件分别测

13、试。实现对各个器件分别测试。JTAGJTAG接口还常用于实现接口还常用于实现ISPISP（In-System In-System Programmable Programmable在系统编程）功能，如对在系统编程）功能，如对FLASHFLASH器件进行编程等。器件进行编程等。5 5、通过、通过JTAGJTAG接口，可对芯片内部的所有部件进行访问，因而是开发调试接口，可对芯片内部的所有部件进行访问，因而是开发调试 嵌入式系统的一种简洁高效的手段。目前嵌入式系统的一种简洁高效的手段。目前JTAGJTAG接口的连接有两种标准，接口的连接有两种标准，即即1414针接口和针接口和2020针接口。针接口。

14、最小系统的设计32JTAG调试接口电路-14针接口及定义最小系统的设计33JTAG调试接口电路-20针接口及定义最小系统的设计34JTAG接口电路设计接口电路必须接上拉20针JTAG接口最小系统的设计35硬件调试q尽可能的从简单到复杂，一个单元一个单元地焊接调试，尽可能的从简单到复杂，一个单元一个单元地焊接调试，以便在调试过程中遇到困难时缩小故障范围，在调试过程中，以便在调试过程中遇到困难时缩小故障范围，在调试过程中，应先确定电路没有短路，才能通电调试。应先确定电路没有短路，才能通电调试。q先从最小系统调试：先从最小系统调试：S3C2410X+S3C2410X+电源电路电源电路 +晶振电路晶振

15、电路 +复位电路复位电路 +JTAG+JTAG接口接口q然后加上然后加上SDRAMSDRAM，再加上再加上FLASHFLASH，然后再加上其它接口然后再加上其它接口q芯片在工作时有一定的发热是正常的，但如果有芯片特别芯片在工作时有一定的发热是正常的，但如果有芯片特别发烫，则一定有故障存在，需断电检查确认无误后方可继续发烫，则一定有故障存在，需断电检查确认无误后方可继续通电调试。通电调试。硬件系统的调试36电源、晶振及复位电路调试q调试电源电路之前，尽量少接器件，通电之前检查有无短调试电源电路之前，尽量少接器件，通电之前检查有无短路现象路现象q用示波器观测，晶振的输出应为用示波器观测，晶振的输出

16、应为12MHz12MHzq复位电路的复位电路的nRESETnRESET端在未按按钮时输出应为高电平端在未按按钮时输出应为高电平（3.3V3.3V），），按下按钮后变为低电平，按钮松开后应恢复到高按下按钮后变为低电平，按钮松开后应恢复到高电平电平硬件系统的调试37S3C2410X扩展系统qS3C2410XS3C2410X最小系统最小系统 +SDRAM+FLASH+SDRAM+FLASH电路可构成一个完全的电路可构成一个完全的嵌入式系统嵌入式系统q可运行于可运行于SDRAMSDRAM中的程序，也可以运行中的程序，也可以运行FLASHFLASH中的程序中的程序q程序大小可以很大，如果将程序保存到程序

17、大小可以很大，如果将程序保存到FLASHFLASH中，掉电后不中，掉电后不会丢失，因此，既可以通过会丢失，因此，既可以通过JTAGJTAG接口调试程序，也可以将程序接口调试程序，也可以将程序烧写到烧写到FLASHFLASH，然后运行然后运行FLASHFLASH中的程序中的程序q在此基础上加入必要的接口及其他电路，就构成了具体的在此基础上加入必要的接口及其他电路，就构成了具体的S3C2410XS3C2410X应用系统应用系统最小系统的设计38JXARM9-2410JXARM9-2410教学系统教学系统39存储器系统的层次结构存储器系统设计存储器系统设计40n在这种存储器分层结构中，上面一层的存储

18、器作为下一层存储器的高速缓存。nCPU寄存器就是cache的高速缓存，寄存器保存来自cache的字；ncache又是内存层的高速缓存，从内存中提取数据送给CPU进行处理，并将CPU的处理结果返回到内存中；n内存又是主存储器的高速缓存，它将经常用到的数据从Flash等主存储器中提取出来，放到内存中，从而加快了CPU的运行效率。n嵌入式系统的主存储器容量是有限的，磁盘、光盘或CF、SD卡等外部存储器用来保存大信息量的数据。n在某些带有分布式文件系统的嵌入式网络系统中，外部存储器就作为其他系统中被存储数据的高速缓存。存储器系统设计存储器系统设计41高速缓冲存储器高速缓冲存储器ncache能够减少内存

19、平均访问时间。nCache可以分为统一cache和独立的数据程序cache。n当CPU更新了cache的内容时，要将结果写回到主存中，可以采用写通法（write-through）和写回法（write-back）。q写通法是指CPU在执行写操作时，必须把数据同时写入cache和主存。采用写通法进行数据更新的cache称为写通cache。q写回法是指CPU在执行写操作时，被写的数据只写入cache不写入主存。仅当需要替换时，才把已经修改的cache块写回到主存中。采用写回法进行数据更新的cache称为写回cache。存储器系统设计存储器系统设计42n当进行数据写操作时，cache分为两类:读操作分

20、配cache和写操作分配cache。n对于读操作分配cache，当进行数据写操作时，如果cache未命中，只是简单地将数据写入主存中。主要在数据读取时，才进行cache内容预取。n对于写操作分配cache，当进行数据写操作时，如果cache未命中，cache系统将会进行cache内容预取，从主存中将相应的块读取到cache中相应的位置，并执行写操作，把数据写入到cache中。存储器系统设计存储器系统设计43存储管理单元nMMU（Memory Manage Unit,存储管理单元）在CPU和物理内存之间进行地址转换，将地址从逻辑空间映射到物理空间，这个转换过程一般称为内存映射。nMMU主要完成以

21、下工作：q（1）虚拟存储空间到物理存储空间的映射。q（2）存储器访问权限的控制。q（3）设置虚拟存储空间的缓冲的特性。存储器系统设计存储器系统设计441）按在系统中的地位分类）按在系统中的地位分类存存储储器部件的几种分器部件的几种分类类主存储器（主存储器（Main Memory），（内存、主存），（内存、主存）辅助存储器（辅助存储器（Auxiliary Memory、Secondary Memory），），（外存、辅存）（外存、辅存）CPU直接访问直接访问速度快，用于存放系统软速度快，用于存放系统软件、参数以及当前要运行件、参数以及当前要运行的应用软件和数据、系统的应用软件和数据、系统软件的部

22、分软件。软件的部分软件。速度慢，存放全部应用软速度慢，存放全部应用软件及剩余系统软件。件及剩余系统软件。通过专门设备通过专门设备将数据先置于将数据先置于内存内存存储器系统设计存储器系统设计452）按信息存取方式分类）按信息存取方式分类存存储储器部件的几种分器部件的几种分类类随机存取存储器随机存取存储器RAM只读存储器只读存储器ROMRandomly Access MemoryRead Only Memory掩膜式掩膜式ROM可编程只读存储器可编程只读存储器PROM可改写的只读存储器可改写的只读存储器EPROM静态静态RAM动态动态RAM准静态准静态RAM按功能分按功能分按信息存储的方式分按信息

23、存储的方式分存储器系统设计存储器系统设计46类型基本技术特点FLASH非易失、低成本、高密度、高速度、低功耗、高可靠性。ROM 成熟技术、高密度、可靠、低成本、不挥发、掩模耗时长、适合稳定编码的大规模生产。SRAM 最快访问速度、高功耗、低密度、高成本。EPROM 高密度、不挥发、擦除时必须用紫外线光照射。EEPROM 电可擦除、可进行单字节的读/擦除/写、低可靠性、不挥发、高成本、低密度。数据保持时间最少10年。DRAM 高密度、低成本、高速度、高功耗。存储器系统设计存储器系统设计47S3C2410的存储器映射嵌入式硬件平台设计48两种类型的FlashnNor Flash，称为或非型闪存，或

24、者NOR闪存nNand Flash，称为与非型闪存，或者NAND闪存nNor Flash是在EEPROM基础上发明的。qIntel公司于1983年首次提出，在1988年商品化。nNand Flash是1989年东芝公司和三星公司发明的。n十几年以来，世界主要闪存生产商分成Nor和Nand两大技术阵营，积极开展研发和生产。qNor阵营主要有Intel和AMD公司qNand阵营主要有Toshiba和Samsung公司存储器系统设计存储器系统设计49Nor Flash和Nand Flash的共同特点n向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空，然后再写入。n闪存擦写的次数都是有限的，当闪存的使用寿命

25、快到时，经常会出现写操作失败。n为了延长使用寿命，不要对某个特定区域反复地进行写操作。n闪存的读写操作不仅是一个物理操作，还需要算法支持。一般在驱动程序的内存技术设备内存技术设备（MTDMTD，Memory Technology Drivers）模块中或者在闪存转闪存转换层换层（FTLFTL，Flash Translation Layer）内实现，具体算法同芯片生产商以及芯片信号有关。50闪存驱动nNor Flash存储器可以进行字节读写，所以在Nor Flash存储器上运行代码基本上不需要软件支持。nNand Flash存储器由于其物理特性独特，数据读写比较复杂，对其存储的数据管理方法与其他

26、存储设备的管理方法不同，需要软件支持。nNand Flash的存储单位有字节、页和块。一页大小为512字节，依次分成两个256字节主数据区（512字节，正好等于磁盘一个扇区大小），最后是16字节空闲区（Spare Data）。若干页组成一块，通常为32页。一个存储设备又由若干块组成。51Flash ROMMX 29 LV 040 C T C 70 GOptions:G:Lead-free package R:Restricted VCC(3.0V3.6V)Q:Restricted VCC(3.0V3.6V)with Lead-free package Speed:55:55ns 70:70ns

27、 90:90ns 12:120ns Temperature range:C:Commercial(070oC)I:Industrial(-4085oC)Vendor:Macronix InternationalPackage:Q:PLCC T:TSOPDevice:29:FlashType:L,LV:3VDensity&Mode:040:4M,x8 Equal SectorRevision:C存储器系统设计存储器系统设计52FLASH接口电路设计FLASH简介qFlashFlash存储器是一种可在系统（存储器是一种可在系统（In-SystemIn-System）进行电擦写，掉进行电擦写，掉电后

28、信息不丢失的存储器。电后信息不丢失的存储器。q它具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系它具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系统编程（烧写）、擦除等特点，并且可由内部嵌入的算法完成对统编程（烧写）、擦除等特点，并且可由内部嵌入的算法完成对芯片的操作，因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。芯片的操作，因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。q作为一种非易失性存储器，作为一种非易失性存储器，FlashFlash在系统中通常用于存放程序在系统中通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。存储器系

29、统设计存储器系统设计53FLASH接口电路设计FLASH选型q常用的常用的FlashFlash为为8 8位或位或1616位的数据宽度，编程电压为单位的数据宽度，编程电压为单3.3V3.3V。主要的生产厂商为主要的生产厂商为INTELINTEL、ATMELATMEL、AMDAMD、HYUNDAIHYUNDAI等。等。q以以INTELINTEL的的TE28F128J3ATE28F128J3A为例。为例。qTE28F128J3ATE28F128J3A存储容量为存储容量为16M16M字节，工作电压为字节，工作电压为3.3V3.3V，采用采用5656脚脚TSOPTSOP封装或封装或4848脚脚FBGAF

30、BGA封装，封装，1616位数据宽度。位数据宽度。qTE28F128J3ATE28F128J3A仅需单仅需单3.3V3.3V电压即可完成在系统的编程与擦除电压即可完成在系统的编程与擦除操作，通过对其内部的命令寄存器写入标准的命令序列，可对操作，通过对其内部的命令寄存器写入标准的命令序列，可对FlashFlash进行编程（烧写）、整片擦除、按扇区擦除以及其他操作。进行编程（烧写）、整片擦除、按扇区擦除以及其他操作。存储器系统设计存储器系统设计54FLASH接口电路设计TE28F128J3A引脚分布存储器系统设计存储器系统设计55FLASH接口电路设计TE28F128J3A引脚信号描述存储器系统设

31、计存储器系统设计56FLASH接口电路设计FLASH接口电路存储器系统设计存储器系统设计57中国中国中国中国矿业矿业大学信息与大学信息与大学信息与大学信息与电电气工程学院气工程学院气工程学院气工程学院SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器同步动态随机存取存储器:同步同步 是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态动态 是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机随机 是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM存储器系统设计存储器系统设计58现现代代SDR

32、AMHY XX X XXX XX X X X XX XX XXX XHYNIXProduct Family:57 :sdram 5D :DDR sdramProcess&Power Supply:V :CMOS,3V U :CMOS,2.5VDensity&Refresh:4 :4M bits,1K Ref16 :8M bits,4K RefData Width:40 :x480 :x8Bank:1 :2 Banks 2 :4 BanksInterface:0 :LVTTL1 :SSTL2 :SSTL2I :Industrial TempatureE :Extended TempatureSp

33、eed:5 :5ns 55 :5.5ns5 :6ns 65 :6.5ns7 :7ns 75 :7.5nsPackage:TC :400Mil,TSOPIITQ:100Pin-TQFPPower Consumption:Blank:Normal PowerL :Low PowerDie Generation:Blank:1st GenerationA :2nd GenerationB :3rd GenerationC :4th GenerationD :5th Generation存储器系统设计存储器系统设计59SDRAM接口电路设计SDRAM简介q与与FlashFlash存储器相比较，存储器相

34、比较，SDRAMSDRAM不具有掉电保持数据的特性，不具有掉电保持数据的特性，但其存取速度大大高于但其存取速度大大高于FlashFlash存储器，且具有读存储器，且具有读/写的属性，因写的属性，因此此，SDRAMSDRAM在系统中在系统中主要用作程序的运行空间，数据及堆栈区。主要用作程序的运行空间，数据及堆栈区。q当系统启动时，当系统启动时，CPUCPU首先从复位地址首先从复位地址0 x00 x0处读取启动代码，在处读取启动代码，在完成系统的初始化后，程序代码一般应调入完成系统的初始化后，程序代码一般应调入SDRAMSDRAM中运行，以提中运行，以提高系统的运行速度，同时，系统及用户堆栈、运行

35、数据也都放高系统的运行速度，同时，系统及用户堆栈、运行数据也都放在在SDRAMSDRAM中。中。qSDRAMSDRAM具有单位空间存储容量大和价格便宜的优点，已广泛具有单位空间存储容量大和价格便宜的优点，已广泛应用在各种嵌入式系统中。应用在各种嵌入式系统中。SDRAMSDRAM的存储单元可以理解为一个电的存储单元可以理解为一个电容，总是倾向于放电，为避免数据丢失，必须定时刷新（充电）容，总是倾向于放电，为避免数据丢失，必须定时刷新（充电）。因此，要在系统中使用。因此，要在系统中使用SDRAMSDRAM，就要求微处理器具有刷新控制就要求微处理器具有刷新控制逻辑，或在系统中另外加入刷新控制逻辑电路

36、。逻辑，或在系统中另外加入刷新控制逻辑电路。S3C2410XS3C2410X在片在片内具有独立的内具有独立的SDRAMSDRAM刷新控制逻辑，可方便地与刷新控制逻辑，可方便地与SDRAMSDRAM接口。接口。存储器系统设计存储器系统设计60SDRAM接口电路设计SDRAM选型q目前常用的目前常用的SDRAMSDRAM为为8 8位位/16/16位的数据宽度，工作电压一般为位的数据宽度，工作电压一般为3.3V3.3V。主要的生产厂商为主要的生产厂商为HYUNDAIHYUNDAI、WinbondWinbond等。他们生产的同等。他们生产的同型器件一般具有相同的电气特性和封装形式，可通用。型器件一般具

37、有相同的电气特性和封装形式，可通用。q以使用以使用WinbondWinbond的的57V56162057V561620。q57V56162057V561620存储容量为存储容量为4 4组组64Mbit64Mbit，工作电压为，工作电压为3.3V3.3V，常见常见封装为封装为5454脚脚TSOPTSOP，兼容兼容LVTTLLVTTL接口，支持自动刷新（接口，支持自动刷新（Auto-Auto-RefreshRefresh）和自刷新（和自刷新（Self-RefreshSelf-Refresh），），1616位数据宽度。位数据宽度。存储器系统设计存储器系统设计61SDRAM接口电路设计57V56162

38、057V561620引脚分布存储器系统设计存储器系统设计62总线控制信号S3C2410X的引脚信号描述63SDRAM/SRAMS3C2410X的引脚信号描述信号信号类型类型描述描述nSRASOSDRAM行地址锁存信号nSCASOSDRAM列地址锁存信号nSCS1:0OSDRAM片选DQM3:0OSDRAM数据屏蔽SCLK1:0OSDRAM时钟SCKEOSDRAM时钟使能nBE3:0O字节允许信号 nWBE3:0O写字节使能64SDRAM接口电路设计 57V56162057V561620引脚信号描述存储器系统设计存储器系统设计65SDRAM接口电路设计SDRAM接口电路存储器系统设计存储器系统设计66结束！结束！