光电检测技术复习过程.ppt

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1、光电检测技术光电检测技术教材光电检测技术与应用第二版 郭培源、付扬编著，北京航空航天大学出版社参考书目光电检测技术与系统刘铁根主编，机械工业出版社近代光学测试技术杨国光主编，浙江大学出版社光电技术与实验江月松主编，北京理工大学出版社课程主要内容 第一章绪论 光电检测技术概述 第二章光电检测器件工作原理及特性 第三章半导体光电检测器件及应用 第四章光电信号检测电路 第五章光电直接检测系统 第六章光外差检测系统 第九章光电检测技术的典型应用本章内容：1.1信息技术及光电检测技术1.2光电检测与光电传感器概念1.3光电检测系统的组成及特点1.4光电检测方法及应用发展趋势光电检测系统光发射机光学通道光

2、接收机光发射机：分为主动式和被动式主动式：光源（或加调制器）被动式：无自身光源，来自被测物体的光热辐射发射光学通道：大气、空间、水下和光纤等光接收机：收集入射的光信号并加以处理，恢复信息接收到的 光场接收透镜系统光电检测器后继检测处理器接收透镜系统：对光信号进行滤波、聚焦，入射到光检测器上光电检测器：完成光电信号的转换检测处理电路：完成电信号的放大、调理及滤波，恢复信号。光接收机的分类光接收机的分类功率检测接收机直接检测或非相干检测外差检测接收机相干检测（空间相干）透镜光电检测器接收到的光场空间滤波器频率滤波器直接检测接收机外差检测接收机合束镜光电检测器接收到的光场本地激光器本地光场聚焦光场透

3、镜课程主要内容 第一章绪论 光电检测技术概述 第二章光电检测器件工作原理及特性 第三章半导体光电检测器件及应用 第四章光电信号检测电路 第五章光电直接检测系统 第六章光外差检测系统 第九章光电检测技术的典型应用本章内容：2.1光电检测器件的物理基础2.2光电检测器件的特性参数辐射光入射到某些半导体，光子（电磁波）与物质微粒相互作用，引起光电效应和光热效应。2.1光电检测器件的物理基础光电效应光电导效应光生伏特效应本征光电导效应杂质光电导效应光热效应物理基础热释电效应辐射热计效应温差电效应物质受光照射后，材料电学性质发生了变化（发射电子、电导率的改变、产生感生电动势）现象。外光电效应：产生电子发

4、射 内光电效应：内部电子能量状态发生变化光电导效应、光生伏特效应光照射的物质电导率发生改变，光照变化引起材料电导率变光照射的物质电导率发生改变，光照变化引起材料电导率变化，是光电导器件工作的基础。化，是光电导器件工作的基础。物理本质：光照到半导体材料时，晶格原子或杂质原子的束物理本质：光照到半导体材料时，晶格原子或杂质原子的束缚态电子吸收光子能量并被激发为传导态自由电子，引起材缚态电子吸收光子能量并被激发为传导态自由电子，引起材料载流子浓度增加，因而导致材料电导率增大。料载流子浓度增加，因而导致材料电导率增大。包括本征和非本征两种，对应本征和杂质半导体材料。包括本征和非本征两种，对应本征和杂质

5、半导体材料。本征光电导效应：是指本征半导体材料发生光电导效应。入射光子能量h大于材料禁带宽度Eg的入射光，才能激光出电子空穴对，使材料产生光电导效应。针对本征半导体材料。即：hEg即存在截止波长：0=hc/Eg=1.24/Eg。基本概念：1、稳态光电流：稳定均匀光照2、暗电导和暗电流3、亮电导和亮电流4、光电导和光电流基本公式：暗电导Gd=dS/L暗电流Id=dSU/L亮电导Gl=lS/L亮电流Il=lSU/L光电导Gp=S/L光电流Ip=SU/L光电导效应示意图LS本征半导体样品光U杂质半导体中施主或受主吸收光子能量后电离中，产生自由电子或空穴，从而增加材料电导率的现象。杂质半导体禁带宽度比

6、本征小很多，因此更容易电离，响应波长比本征材料要长得多。用EI表示杂质半导体的禁带宽度，则截止波长：0=hc/EI。特点：容易受热激发产生的噪声的影响，常工作在低温状态。常用光电导材料：硅Si、锗Ge及掺杂的半导体材料，以及一些有机物。杂质光电导效应达到内部动态平衡的半导体PN结，在光照的作用下，在PN结的两端产生电动势，称为光生电动势。这就是光生伏特效应，简称光伏效应。物理本质：PN结内建电场使得载流子（电子和空穴）的扩散和漂移运动达到了动态的平衡，在光子能量大于禁带宽度的光照的作用下，激发出的电子空穴对打破原有平衡，靠近结区电子和空穴分别向N区和P区移动，形成光电流，同时形成载流子的积累，

7、内建电场减小，相当于在PN加了一个正向电压，即光生电动势。光生伏特效应PNeVD无光照有光照PNeVD-eVIpPN_VDV+光照形成过程：空穴电子I+V为光生电动势，或者叫做光生电压物质受光照后，由于温度变化造成材料性质发生变化的现象。与光电效应的区别：光电效应中，光子能量直接变为光电子的能量，光热效应中，光能量与晶格相互作用使其运动加剧，造成温度的升高，从而引起物质相关电学特性变化。可分为:热释电效应、辐射热计效应及温差电效应光热效应极化晶体：晶体中的正负电荷的中心不重合，表面束缚电荷。+-+-+-+-+-+-_P(T1)P(T2)+-+-+-+-+-+-_j工作温度T1（左）和工作温度T

8、2T1（右）光辐射强度变化介质温度在光照作用下温度发生变化，介质的极化强度随温度变化而变化，引起表面电荷变化的现象。热释电效应温度变化极化强度用于描述束缚电荷的能力。极化强度变化入射光照射材料由于受热而造成电阻率变化的现象。阻值与温度变化关系：R=TRTT为电阻温度系数R为元件电阻对金属材料，温度越高，电阻越大。对半导体材料，R与T具有指数关系。辐射热计效应由两种不同材料制成的结点由于受到某种因素作用而出现了温差，就有可能在两结点间产生电动势，回路中产生电流，这就是温差电效应。xyT1T212导体a导体b温差电效应光照本章内容：2.1光电检测器件的物理基础2.2光电检测器件的特性参数热噪声热噪

9、声是由载流子无规则热运动造成的。热噪声电压和电流均方值分别为：UNT=4kTRfINT=4kTf/R其中R为导体电阻，k为玻耳兹曼常数，T为导体的热力学温度，f为测量系统的噪声带宽。热噪声与温度成正比，与频率无关，热噪声是一种白噪声。散粒噪声散粒噪声也称散弹噪声，是由穿越势垒的载流子的随机涨落（统计起伏）所造成的噪声。理论表明，在每个时间段内，穿越势垒区的载流子数或从阴极到阳极的电子数都在一个平均值上下起伏。这种起伏引起的均方噪声电流为：INSh=2qIDCfIDC为流过器件电流的直流分量（平均值），q为电子电荷散粒噪声也属于白噪声课程主要内容 第一章绪论 光电检测技术概述 第二章光电检测器件

10、工作原理及特性 第三章半导体光电检测器件及应用 第四章光电信号检测电路 第五章光电直接检测系统 第六章光外差检测系统 第九章光电检测技术的典型应用3.1光敏电阻3.2光生伏特器件3.2.1光电池3.2.2光电二极管与光电三极管3.3发光器件3.4光电耦合器件3.5光电位置敏感器件3.6光热辐射检测器件第三章 半导体光电检测器件及应用UIp电极入射光当入射光子使半导体物质中的电子由价带跃升到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，因此电阻显著减小，电导增加。光电导g与光电流Ip的表达式为：光敏电阻的工作原理g=gL-gdIp=IL-Id光敏电阻的伏安特性在一定弱光照射下，光敏电阻的光电流与

11、所加电压关系即为伏安特性。光敏电阻为一纯电阻，符合欧姆定律，伏安特性曲线为直线。光敏电阻使用时的实际功耗不应超过额定值。O10电压V/VI光/mA510050100lx10lx3.1光敏电阻3.2光生伏特器件3.2.1光电池3.2.2光电二极管与光电三极管3.3发光器件3.4光电耦合器件3.5光电位置敏感器件3.6光热辐射检测器件第三章 半导体光电检测器件及应用按用途太阳能光电池：用作电源（效率高，成本低）测量用光电池：探测器件（线性、灵敏度高等）按材料硅光电池硒光电池砷化镓光电池锗光电池3.2光生伏特器件3.2.1光电池光电池是一种利用光生伏特效应制成的不需加偏压就能将光能转化成电能的光电器

12、件。光电池的伏安特性某一光照度下，输出电流和电压的特性。无光照时，伏安特性曲线与普通二极管相同。有光照时，伏安特性曲线发生平移，平移量与光照度成正比。曲线与电压轴的交点称为开路电压Voc 曲线与电流轴的交点称为短路电流Isc 光电池的等效电路光电池的伏安特性曲线伏安特性曲线方程其中IL=SE，Is 为等效二极管的反向饱和电流，q 为电子电荷量，k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度。光电二极管与光电池的比较属于光生伏特器件，基本结构相同，核心是一个PN结。光电二极管的光敏面小，结面积小，频率特性好，虽然光生电动势相同，但光电流普遍比光电池小，为数微安。掺杂浓度：光电池约为10161019/cm3，光

13、电二极管约为10121013/cm3。光电池零偏压下工作，光电二极管反偏压下工作。3.2.2光电二极管与光电三极管1、光电二极管光电二极管的工作原理光电二极管的工作原理NP光+_外加反向偏压符号光电二极管的伏安特性光电二极管的伏安特性IUOE2E1E0E0E1E2在反向偏压U 较小时，光电流I 随反向偏压的变化较为明显在反向偏压U 较大时，光电流I 趋于饱和，取决于入射光功率E2、光光电电三极管三极管光电三级管由光窗、集电极引出线、发射极引出线和基极引出线光电三级管由光窗、集电极引出线、发射极引出线和基极引出线组成。组成。光电三级管的作用和普通三级管类似，也有电流放大作用，只是它的光电三级管的

14、作用和普通三级管类似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路的电流控制，也可以受光的控制。集电极电流不只是受基极电路的电流控制，也可以受光的控制。光电三极管与光电二极管的比较光电三极管与光电二极管的比较光电三级管的灵敏度比光电二极管高，输出电流也比光电二极管光电三级管的灵敏度比光电二极管高，输出电流也比光电二极管大，多为毫安级。大，多为毫安级。光电特性不如光电二极管好，在较强的光照下，光电流与照度不光电特性不如光电二极管好，在较强的光照下，光电流与照度不成线性关系，所以多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。成线性关系，所以多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。发射极发射极集电极集电极

15、基基极极发射极发射极集电极集电极光电三极管的工作原理光电三极管的工作原理cbeIcIpIbVo工作过程：一、光电转换，二、光电流放大。工作过程：一、光电转换，二、光电流放大。正常运用时，集电极加正电压，集电结为反偏置，发射结为正偏置。正常运用时，集电极加正电压，集电结为反偏置，发射结为正偏置。当光照到集电结上时，集电结即产生光电流，向基区注入，同时在当光照到集电结上时，集电结即产生光电流，向基区注入，同时在集电极电路即产生了一个被放大的电流。集电极电路即产生了一个被放大的电流。光电三极管等效于一个光电二极管与普通三极管集电极光电三极管等效于一个光电二极管与普通三极管集电极-基极的并联。基极的并

16、联。伏安特性光电三极管在不同的照度下的伏安特性，就像一般三级管在不同的基极电流时的输出特性一样。只要将入射光照在集电极与基极之间的PN结附近，所产生的光电流看作基极电流，就可将光敏三极管看作一般的晶体管。光电三极管的主要特性光电三极管的主要特性3.1光敏电阻3.2光生伏特器件3.2.1光电池3.2.2光电二极管与光电三极管3.3发光器件3.4光电耦合器件3.5光电位置敏感器件3.6光热辐射检测器件第三章 半导体光电检测器件及应用发光二极管（发光二极管（LED）发光二极管是少数载流子在发光二极管是少数载流子在PN结区的注入和复合而产生结区的注入和复合而产生发光的一种半导体光源，也称注入式场致发光

17、光源。发光的一种半导体光源，也称注入式场致发光光源。表面发光二极管发光二极管发光二极管侧面发光二极管平面发光二极管圆顶形发光二极管超发光二极管介于激光和荧光之间通信显示、报警、计算发光二极管的工作原理发光二极管的工作原理基本结构：PN结工作偏压：正向偏压发光二极管的光谱特性发光二极管的光谱特性光谱特性决定了发光颜色半导体材料不同，光谱特性不同3.1光敏电阻3.2光生伏特器件3.2.1光电池3.2.2光电二极管与光电三极管3.3发光器件3.4光电耦合器件3.5光电位置敏感器件3.6光热辐射检测器件第三章 半导体光电检测器件及应用3.4 光电耦合器件光电耦合器件光电耦合器件把发光器件和光接收器件组

18、合的一种器件，它是以光作为媒质把输入端的电信号耦合到输出端，因此也称为光耦合器。光电耦合器件由发光器件和受光器件封装在一个组件内构成；当发光二极管流过电流IF时发出红外光，光敏三极管受光激发后导通，并在外电路作用下产生电流IC。3.1光敏电阻3.2光生伏特器件3.2.1光电池3.2.2光电二极管与光电三极管3.3发光器件3.4光电耦合器件3.5光电位置敏感器件3.6光热辐射检测器件第三章 半导体光电检测器件及应用P层i层0AxAI1I2I0N层LL入射光1、一维光电位置敏感器件（PSD）的工作原理依图中所示，电流I0、I1、I2、入射光位置xA和电极间距2L之间有如下关系：一维PSD器件可用来

19、测量光斑在一维方向上的位置和位置移动量。3.5光电位置敏感器件（PSD）2、二维光电位置敏感器件（PSD）的工作原理测量光束在二维坐标中的位置3.1光敏电阻3.2光生伏特器件3.2.1光电池3.2.2光电二极管与光电三极管3.3发光器件3.4光电耦合器件3.5光电位置敏感器件3.6光热辐射检测器件第三章 半导体光电检测器件及应用1、热热敏敏电电阻阻p热敏电阻是用金属氧化物或半导体材料作为电阻体的温热敏电阻是用金属氧化物或半导体材料作为电阻体的温敏元件。敏元件。p有三种基本类型：有三种基本类型：p正温度系数，正温度系数，PTCp负温度系数，负温度系数，NTCp临界温度系数临界温度系数CTCp特点

20、：特点：p温度系数大、灵敏度高温度系数大、灵敏度高p电阻值大、引线电阻可忽略电阻值大、引线电阻可忽略p体积小，热响应快，廉价体积小，热响应快，廉价p互换性差、测温范围窄互换性差、测温范围窄p在汽车、家电领域得到大量应用在汽车、家电领域得到大量应用热端T+T冷端TABII温差热电偶T+TJ1BAJ2IGc辐射热电偶T+TNPTTRLI+_涂黑金箔半导体辐射热电偶基于温差电效应，多用于测温。采用金属材料制成，用于探测入射辐射，温升小，对材料的要求高，结构严格且复杂，成本高。P型半导体冷端带正电，N型半导体冷端带负电，最小可检测功率一般为10-11W。2、热电热电偶偶 “自发极化的电介质，其自发极化

21、强度Ps（单位面积上的电荷量）与温度存在着如下关系：当温度升高时，极化强度减低，当温度升高一定值时，自发极化消失，这个温度称为”居里点“。在居里点以下，Ps是温度t的函数，利用这一关系制造出热释电器件，温度的升高，电极化强度减小，相当于热”释放了“部分电荷，可由放大器转变成电压输出。TcPsTOPsTOTc 热释电器件不同于其它光电器件的特点：在恒定辐射作用情况下输出信号电压为零，只有在交变辐射作用下才会有信号输出。3、热释电热释电器件器件课程主要内容 第一章绪论 光电检测技术概述 第二章光电检测器件工作原理及特性 第三章半导体光电检测器件及应用 第四章光电信号检测电路 第五章光电直接检测系统

22、 第六章光外差检测系统 第九章光电检测技术的典型应用光电器件光电器件输入电路输入电路前置放大器前置放大器光光电电器器件件是是实实现现光光电电转转换换的的核核心心器器件件，是是沟沟通通光光学学量量和和电电子子系系统统的接口环节，把被测光信号转换成相应的电信号。的接口环节，把被测光信号转换成相应的电信号。输输入入电电路路是是为为光光电电器器件件提提供供正正常常的的工工作作条条件件，进进行行电电参参量量的的变变换换，同时完成和前置放大器的电路匹配。同时完成和前置放大器的电路匹配。前前置置放放大大器器将将光光电电器器件件输输出出的的微微弱弱电电信信号号进进行行放放大大，同同时时匹匹配配后后置处理电路与

23、检测器件之间的阻抗。置处理电路与检测器件之间的阻抗。第四章第四章 光电信号检测电路光电信号检测电路4.1 光电检测电路的设计要求光电检测电路的设计要求4.2 光电信号输入电路的静态计算光电信号输入电路的静态计算4.3 光电信号检测电路的动态计算光电信号检测电路的动态计算4.4 光电信号检测电路的噪声光电信号检测电路的噪声4.5 前置放大器前置放大器4.1 光电检测电路的设计要求光电检测电路的设计要求设计原则：设计原则：根据光电信号的根据光电信号的性质、强弱、性质、强弱、光学的和器件的光学的和器件的噪声噪声电平电平以及以及输出电平输出电平和和通频带通频带等技术要求来确定电路的连接形式等技术要求来

24、确定电路的连接形式和电路参数，保证光电器件和后续电路最佳的工作状态，使整和电路参数，保证光电器件和后续电路最佳的工作状态，使整个检测电路满足下列要求：个检测电路满足下列要求：1.灵敏的灵敏的光电转换能力光电转换能力：光电灵敏度。：光电灵敏度。2.快速的快速的动态响应能力动态响应能力：频率响应及选择特性。：频率响应及选择特性。3.最佳的最佳的信号检测能力信号检测能力：信噪比：信噪比(SNR)、等效噪声功率、等效噪声功率(NEP)。4.长期工作的长期工作的稳定性和可靠性。稳定性和可靠性。第四章第四章 光电信号检测电路光电信号检测电路4.1 光电检测电路的设计要求光电检测电路的设计要求4.2 光电信

25、号输入电路的静态计算光电信号输入电路的静态计算4.3 光电信号检测电路的动态计算光电信号检测电路的动态计算4.4 光电信号检测电路的噪声光电信号检测电路的噪声4.5 前置放大器前置放大器4.2 光电信号输入电路的静态计算光电信号输入电路的静态计算静静态态计计算算法法是是对对缓缓慢慢变变化化的的光光信信号号采采用用直直流流电路检测时使用的设计方法。电路检测时使用的设计方法。由由于于光光电电检检测测器器件件的的非非线线性性伏伏安安特特性性，所所采采用用的的方方法法包包括括非非线线性性电电路路的的图图解解法法和和分分段段线线性性化化的解析法的解析法。光光电电器器件件按按照照伏伏安安特特性性的的基基本

26、本性性质质可可分分为为三三种类型：种类型：恒流源型、光伏型和可变电阻恒流源型、光伏型和可变电阻。负载线与对应输入光通量为负载线与对应输入光通量为0时的器件的伏安特性曲线时的器件的伏安特性曲线交点交点Q，即为输入电路的静态工作点。，即为输入电路的静态工作点。1、图解计算法：、图解计算法：利用包含非线性元件的串联电路的图解法利用包含非线性元件的串联电路的图解法对恒流源器件的输入电路进行计算。对恒流源器件的输入电路进行计算。负载线方程：负载线方程：UUbRLI图解法适用于大信号状态下的电路分析图解法适用于大信号状态下的电路分析。2、解析计算法：、解析计算法：对光电器件的非线性伏安特性进对光电器件的非

27、线性伏安特性进行分段折线化，称为折线化伏安特性。行分段折线化，称为折线化伏安特性。折线化的画法一折线化的画法一折线化的画法二折线化的画法二折折线线化的画法化的画法折折线线化伏安特性可用下列参数化伏安特性可用下列参数确定：确定：转转折折电压电压U0对应对应于曲于曲线转线转折点折点M处处的的电压值电压值。初始初始电导电导G0非非线线性区近似性区近似直直线线的初始斜率。的初始斜率。结间结间漏漏电导电导G线线性区各平性区各平行直行直线线的平均斜率。的平均斜率。光光电电灵敏度灵敏度S单单位位输输入光入光功率所引起的光功率所引起的光电电流流值值。P为输入光功率为输入光功率Ip为对应的光电流为对应的光电流折

28、折线线化的分析原化的分析原则则：利用折利用折线线化的伏安特性，化的伏安特性，可将可将线线性区内任意性区内任意Q点点处处的的电电流流值值I表示表示为为两个两个电电流分量的和：流分量的和：Id 为与二极管端电压为与二极管端电压U成正比，成正比，由结间漏电导形成的无光照电流由结间漏电导形成的无光照电流（暗电流）。（暗电流）。Ip为与端电压无关，仅取决于为与端电压无关，仅取决于输入光功率输入光功率的光电流。有：的光电流。有：那么理想的光电二极管等效那么理想的光电二极管等效电路可表示为：电路可表示为：折折线线化伏安特性的分析：化伏安特性的分析：在在输输入光通量入光通量变变化范化范围围minmax为为已知

29、的条件下，用解已知的条件下，用解析法析法计计算算输输入入电电路的工作状路的工作状态态：1、确定、确定线线性工作区域：性工作区域：由最大由最大输输入光通量的伏安曲入光通量的伏安曲线线弯曲弯曲处处即可确定即可确定转转折点折点M。相。相应应的有的有转转折折电压电压U0和初始和初始电导电导G0，在，在转转折点折点M有关系：有关系：由此可得：由此可得：或或2、计计算算负载电负载电阻和偏置阻和偏置电压电压：为为保保证证最最大大线线性性输输出出条条件件，负负载载线线和和与与对对应应的的伏伏安安曲曲线线交交点点不不能能低低于于转转折折点点M。设设负负载载线线通通过过M点，可得关系：点，可得关系：当当Ub已知时

30、，可得负已知时，可得负载电导载电导GL或电阻或电阻RL：当当RL已知时，可得偏置电源电压已知时，可得偏置电源电压Ub为：为：3、计计算算输输出出电压电压幅度：幅度：在输入光通量由在输入光通量由min变化到变化到max时，输出电压幅度为：时，输出电压幅度为：由由H和和M点电流值计算：点电流值计算：联合求解：联合求解：求得求得U：4、计算输出电流幅度：、计算输出电流幅度：输出电流幅度：输出电流幅度：由下式由下式可得：可得：通常通常 ，上式可简化为：，上式可简化为：5、计算输出电功率：、计算输出电功率：由功率关系：由功率关系：可得：可得：已知某 Si 光电二极管的灵敏度为0.5A/W，结间电导为0.

31、01s（微西），转折电压为10V，入射光功率的变化范围为15W至25W，偏压为Ub=50V。求最大线性输出时的负载RL，输出电流I，输出电压U，和输出功率PL。第四章第四章 光电信号检测电路光电信号检测电路4.1 光电检测电路的设计要求光电检测电路的设计要求4.2 光电信号输入电路的静态计算光电信号输入电路的静态计算4.3 光电信号检测电路的动态计算光电信号检测电路的动态计算4.4 光电信号检测电路的噪声光电信号检测电路的噪声4.5 前置放大器前置放大器光光电电检检测测电电路路接接收收交交变变光光信信号号时时，与与缓缓变变光光信信号号相相比比，交交变信号有更丰富的频率分量，信号微弱还需要多级放

32、大。变信号有更丰富的频率分量，信号微弱还需要多级放大。在在分分析析和和设设计计交交变变光光信信号号检检测测电电路路时时，需需要要解解决决下下面面的的动动态计算问题：态计算问题：1 1、确确定定检检测测电电路路的的动动态态工工作作状状态态，使使交交变变光光信信号号作作用用下下负载上能获得负载上能获得最小非线性失真的电信号输出最小非线性失真的电信号输出。2 2、使使检检测测电电路路具具有有足足够够的的频频率率响响应应，以以能能对对复复杂杂的的瞬瞬变变光信号或周期光信号进行光信号或周期光信号进行无频率失真的变换和传输无频率失真的变换和传输。光电二极管交流检测电路光电二极管交流检测电路检检测测电电路路

33、交变光信号输入光照度：交变光信号输入光照度：在通频带内，视电容短路，在通频带内，视电容短路，负载为负载为Rb和和RL并联。并联。画交流负载线，通过画交流负载线，通过M点，点，以便充分利用线性空间。以便充分利用线性空间。交流负载线与交流负载线与E0的伏安特性的伏安特性交点为静态工作点交点为静态工作点Q，通过，通过Q点可以得到点可以得到Rb和和Ub。在三角形在三角形MHQ中，交流负载线中，交流负载线MN的斜率的斜率GL+Gb。交流负载电。交流负载电流峰值为流峰值为 Im，有：，有：计算负载计算负载RL（或后续电路输入阻抗）的输出电压和输出功率值（或后续电路输入阻抗）的输出电压和输出功率值由交流负载

34、线由交流负载线MN有电流关系：有电流关系：负载电阻负载电阻RL上输出功率上输出功率PL为：为：对对 RL求偏微分，计算最大功率输出下的负载电阻求偏微分，计算最大功率输出下的负载电阻 RL0，可得：可得：上式称为上式称为阻抗匹配条件阻抗匹配条件。此时。此时负载上负载上输出电压输出电压峰值峰值Um0、最大输出功率有效值最大输出功率有效值PLm和和输出电流峰值输出电流峰值Im0为：为：求解最大功率输出条件的直流求解最大功率输出条件的直流负载电阻负载电阻Rb0和偏置电压和偏置电压Ub由解析法，由解析法，Q点的电流值满足：点的电流值满足：由负载线得：由负载线得：由两式得：由两式得：另外，在电压轴上另外，

35、在电压轴上Q点处的电压点处的电压UQ为：为：由由UQ的两个式子可计算出的两个式子可计算出第四章第四章 光电信号检测电路光电信号检测电路4.1 光电检测电路的设计要求光电检测电路的设计要求4.2 光电信号输入电路的静态计算光电信号输入电路的静态计算4.3 光电信号检测电路的动态计算光电信号检测电路的动态计算4.4 光电信号检测电路的噪声光电信号检测电路的噪声4.5 前置放大器前置放大器等效噪声等效噪声电电路路将噪声等效将噪声等效为为相同形式的均方相同形式的均方值值（或有效（或有效值值）电电流源的形式，便于与其流源的形式，便于与其它它电电器件以器件以统统一的方式建立起等效噪声一的方式建立起等效噪声

36、电电路。路。如如图图示示为简单电为简单电阻的噪声等效阻的噪声等效电电路，路，由由热热噪声噪声电电流源流源IT和和电电阻并阻并联联。若两个若两个电电阻串并阻串并联组联组成合成成合成电电路，路，综综合噪声合噪声电电流表示流表示为为：R为为合成合成电电阻。阻。确定检测器件和前级电路的噪声源；确定检测器件和前级电路的噪声源；计算等效电阻和复合阻抗下的噪声等效带宽，计算等效电阻和复合阻抗下的噪声等效带宽，画出检测电路的噪声等效电路；画出检测电路的噪声等效电路；根据噪声等效电路计算噪声输出电压、信噪比根据噪声等效电路计算噪声输出电压、信噪比和最小输出光功率值。和最小输出光功率值。噪声估算的具体步骤：噪声估

37、算的具体步骤：第四章第四章 光电信号检测电路光电信号检测电路4.1 光电检测电路的设计要求光电检测电路的设计要求4.2 光电信号输入电路的静态计算光电信号输入电路的静态计算4.3 光电信号检测电路的动态计算光电信号检测电路的动态计算4.4 光电信号检测电路的噪声光电信号检测电路的噪声4.5 前置放大器前置放大器4.5前置放大器光电系统中微弱的光信号被深埋在噪声之中，要有效地利用这种信号，必要对其进行放大。光电检测系统中，光电器件的输出端紧密连接一个低噪声前置放大器。低噪声前置放大器的任务：1、放大光电检测器件所输出的微弱电信号；2、匹配后置处理电路与检测器件之间的阻抗。对前置放大器的要求：1、

38、性能上：低噪声、高增益、低输出阻抗、足够的信号 带宽和负载能力，以及良好的线性和抗干扰能力。2、结构上：紧凑、靠近检测器件，良好的接地与屏蔽。放大器的噪声模型将放大器内的所有噪声源折算到输入端，一个阻抗为零的噪声电压源En串联在输入端和阻抗为无限大噪声电流源In与输入端并联。放大器内部成为一个无噪声放大器。En和In通过测量得到。这种等效模型称为放大器的En-In噪声模型。信号源电阻信号源热噪声电压信号源电压噪声系数噪声系数是描述放大器或其它电路的噪声性能，噪声系数F的定义为放大器总输出噪声功率与源电阻在放大器输出端的噪声功率之比，可表示为：Ap为放大器的功率增益；Pni为放大器的输入噪声功率

39、，即源电阻产生的噪声功率；ApPni表示了源电阻在放大器输出端产生的噪声功率；Pno为放大器输出端总的噪声功率。引入Ap（输出信号功率Pso与输入信号Psi之比），噪声系数可表示为：噪声匹配式表明噪声系数与源电阻Rs有关。在其中某个Rs值时，噪声系数存在一个最小值，此时放大器在源热噪声基础上噪声增加最小，这个源电阻称做最佳源电阻R0。可得：上式被称为噪声匹配条件，此时得噪声系数最小值为：满足噪声匹配条件时最小噪声系数与放大器的En和In的乘积有关。课程主要内容 第一章绪论 光电检测技术概述 第二章光电检测器件工作原理及特性 第三章半导体光电检测器件及应用 第四章光电信号检测电路 第五章光电直接

40、检测系统 第六章光外差检测系统 第九章光电检测技术的典型应用相干检测相干检测光源：相干光源光源：相干光源原理：利用光的振幅、频率、相位携带信原理：利用光的振幅、频率、相位携带信息，检测时需要用光波相干原理。息，检测时需要用光波相干原理。调制方法：光振幅调制、相位调制，频率调制方法：光振幅调制、相位调制，频率调制调制测量精度（灵敏度）更高，作用距离更远。测量精度（灵敏度）更高，作用距离更远。非相干检测非相干检测光源：非相干或相干光源光源：非相干或相干光源原理：利用光强度携带信息，将光强度转原理：利用光强度携带信息，将光强度转换为电信号，解调电路检出信息。换为电信号，解调电路检出信息。调制方法：光

41、强度调制、偏振调制调制方法：光强度调制、偏振调制直接检测是一种简单实用的方法。直接检测是一种简单实用的方法。光光外外差差检检测测直直接接检检测测光光电电检检测测系系统统第五章第五章 光电直接检测系统光电直接检测系统主要内容：主要内容：5.1 光电直接检测系统的基本工作原理光电直接检测系统的基本工作原理5.2 光电直接检测系统的基本特性光电直接检测系统的基本特性5.3 光电直接检测系统的距离方程光电直接检测系统的距离方程5.4 光电直接检测系统举例光电直接检测系统举例5.1 光电直接检测系统的基本工作原理光电直接检测系统的基本工作原理光电直接检测系统是将待测光信号直接入射到光检测器光敏面上，光检

42、测器响应光辐射强度（幅度）并输出相应的电流和电压。检测系统经光学天线或直接由检测器接收光信号，前端还可经过频率滤波和空间滤波等处理。强度调制器光学天线光学通道接收天线及光电检测器光电信号处理器光源信号发射机背景噪声场接收机电路噪声回收的信息强度调制直接检测模型强度调制直接检测模型5.15.1光电直接检测系统的基本工作原理光电直接检测系统的基本工作原理假定入射光信号电场为：光场平均光功率为：表示的时间平均值；光检测器输出电流为：称为光电变换比例常数光检测器的平方律特性：光检测器输出的电功率正比于入射 光功率的平方。5.15.1光电直接检测系统的基本工作原理光电直接检测系统的基本工作原理若光检测器

43、负载电阻RL，则光检测器输出电功率为：如果入射光是调幅波，即其中d(t)为调制信号，可推导出光检测器的输出电流为:式中第一项为直流项，若光检测器输出端有隔直电容，则输出光电流只包含第二项，称为包络检测。第五章第五章 光电直接检测系统光电直接检测系统主要内容：主要内容：5.1 光电直接检测系统的基本工作原理光电直接检测系统的基本工作原理5.2 光电直接检测系统的基本特性光电直接检测系统的基本特性5.3 光电直接检测系统的距离方程光电直接检测系统的距离方程5.4 光电直接检测系统举例光电直接检测系统举例5.2 光电直接检测系统的基本特性光电直接检测系统的基本特性5.2.1直接检测系统的信噪比光检测

44、器输出的总功率包括信号电功率和噪声功率，可表示为：考虑到信号和噪声的独立性，有：由信噪比定义，输出功率信噪比为：5.2.15.2.1直接检测系统的信噪比直接检测系统的信噪比说明输出信噪比是输入信噪比的平方，可见，直接检测系统不适用于输入信噪比小于1或微弱光信号的检测。输出信噪比是输入信噪比的一半，即经过光电转换，信噪比损失了3dB。直接检测不能改善输入信噪比。(1)若，则有：(2)若，则有：5.2.2 直接直接检测检测系系统统的的检测检测极限极限考虑直接检测系统中存在的所有噪声，则输出噪声总功率为：输出信噪比为：5-13分别为信号光、背景光和暗电流引起的散粒噪声。为负载电阻和放大器的热噪声之和

45、。5.2.25.2.2直接检测系统的检测极限直接检测系统的检测极限2、当散粒噪声远大于热噪声时，直接检测系统受散粒噪声限制，信噪比为：5-153、当背景噪声是直接检测系统的主要噪声源时，直接检测系统受背景噪声限制，信噪比为：1、当热噪声是直接检测系统的主要噪声源时，直接检测系统受热噪声限制，信噪比为：5.2.25.2.2直接检测系统的检测极限直接检测系统的检测极限假定光波长=0.7m，检测器的量子效率=1，测量带宽f=1，由上式得到系统在量子极限下的最小可检测功率为4、当入射信号光波所引起的噪声为直接检测系统的主要噪声源时，直接检测系统受信号噪声限制，这时信噪比为：5-17该式为光电直接检测在

46、理论上的极限信噪比，称为直接检测系统的量子极限，又称量子限灵敏度。若用等效噪声功率NEP值表示，在量子极限下，直接检测系统理论上可测量的最小功率为：第第5章章 光电直接检测系统光电直接检测系统主要内容：主要内容：5.1 光电直接检测系统的基本工作原理光电直接检测系统的基本工作原理5.2 光电直接检测系统的基本特性光电直接检测系统的基本特性5.3 光电直接检测系统的距离方程光电直接检测系统的距离方程5.4 光电直接检测系统举例光电直接检测系统举例5.4光电直接检测系统举例两块光栅互相重叠，并使它们之间的栅线形成一个较小的夹角。当光栅对之间有一相对运动时，透过光栅对看另一边的光源，就会发现有一组垂

47、直于光栅运动方向的明暗相间的条纹移动，这就形成莫尔条纹。5.4.1莫尔条纹测长仪在两光栅的刻线重合处，光从缝隙透过，形成亮带；在两光栅刻线的错开处，由于相互挡光作用而形成暗带。组成莫尔条纹的两块计量光栅的相邻刻线之间的宽度称为光栅的节距。常用光栅的节距大于0.01mm，称为黑白光栅。此时节距远大于波长。主光栅指示光栅莫尔条纹黑白光栅莫尔条纹的数学形式设标尺光栅和指示光栅的节距分别为P1和P2主光栅的刻线方程为指示光栅的刻线与x轴的交点为莫尔条纹的方程为莫尔条纹1的（i=j）斜率为莫尔条纹1的（i=j）方程为莫尔条纹2和3的方程分别为莫尔条纹是周期函数，周期为，也叫做莫尔条纹的宽度B。实际中夹角

48、很小，可以认为莫尔条纹与y轴垂直，为“横向莫尔条纹”。时，得到严格的横向莫尔条纹。时，莫尔条纹的斜率为时，得到纵向莫尔条纹。莫尔条纹有如下特征：1）平均效应：莫尔条纹是由光栅的大量刻线共同形成的，对光栅的刻划误差有平均作用，从而能在很大程度上消除光栅刻线不均匀引起的误差。2）对应关系：当指示光栅沿与栅线垂直的方向作相对移动时，莫尔条纹则沿光栅刻线方向移动（两者的运动方向相互垂直）；指示光栅反向移动，莫尔条纹亦反向移动。3）放大作用：莫尔条纹的间距是放大了的光栅栅距，它随着指示光栅与主光栅刻线夹角而改变。越小，B越大，相当于把微小的栅距P扩大了倍。由此可见，莫尔条纹起到光学放大器的作用。5.4.

49、2 激光激光测测距距仪仪 激光测距是光波测距中的一种测距方式。激光测距是光波测距中的一种测距方式。如果光以速度如果光以速度c在空气中传播在在空气中传播在A,B两点间往返一次所需时间为两点间往返一次所需时间为t，则，则A,B两点间距离两点间距离D可用下列表示：可用下列表示：D=ct/2由上式可知，要测量由上式可知，要测量A,B距离实际上是要测量光传播的时间距离实际上是要测量光传播的时间t。根据测量时间方法的不同，激光测距仪通常可分为脉冲式和相根据测量时间方法的不同，激光测距仪通常可分为脉冲式和相位式两种测量形式。位式两种测量形式。1、脉冲激光测距仪激光器发射光束回波光束启动按钮复原电路控制电路整

50、形电路放大电路时钟振荡器电子门计数器干涉滤光片测器光电检小孔光阑取样器由光电器件得到的电脉冲，经放大电路和整形电路以后，输出一定形状的负脉冲至控制电路。由启动信号产生的负脉冲A，经控制电路去打开电子门。这时振荡频率一定的时钟振荡器产生的时钟脉冲，可以通过电子门进入计数显示电路，计时开始。当反射回来经整形后的测距信号B到来时，关闭电子门，计时停止。计数和显示的脉冲数如图(g)所示。从计时开始到计时停止的时间正比于参考信号与测距信号之间的时间。则被测距离为：2/t=ncD2、相位激光测距仪相位激光测距仪是通过测量从测距仪发出的连续调制光在待测距离上往返所产生的相位移来计算待测距离的。测距时，调制激