材料化学试卷A与答案.doc

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1、优质文本1、以下材料属于结构材料的是超耐热合金2、以下各项不是液晶分子排列形式的是 B A：向列相 B：多晶相 C：近晶相 D：胆甾相3、位错线平行于滑移方向的是螺旋位错4、产生X射线衍射效应的条件是满足 A 课本是CA：朗伯比尔定律 B：摩西利定律C：布拉格定律 D：费克定律5、和是 B 的英文缩写。B：化学气相传输和X射线衍射分析方法6、晶须材料的长径比一般为 A A：51000 7、紫外分光光谱中，紫外光区的波长范围是 A A：0.10.4m 8、水热法制晶体材料过程中，不可能用到的设备是 C A：烘箱 B：高压釜C：振荡仪 D：高温炉9、以下哪种方法不能用来制备晶体材料 C A：局部氧

2、化法 B：陶瓷法 C：快速冷却法 D：化学气象沉积法10、以下波谱分析技术中属于吸收波谱的是 A A：紫外分光光谱 1、晶体的对称要素中，点对称要素种类有 对称面 、 对称中心 、 对称轴 、 旋转反演轴 ；含有平移操作的对称要素种类有 滑移面 、 螺旋轴 。2、晶体的宏观对称性中有八种对称元素，他们分别是1 、 2 、 3 、 4 、 6 、 I 、 m 、 4 。3、相变推动力主要有 过冷度 、 过饱和度 和 过饱和蒸汽压 三种。4、四面体型分子3具有_1度旋转轴 、_3度旋转轴_、_对称面_等对称元素。5、不属于非晶体材料根本特性的是长程无 、短程有序和 热力学亚稳态 三种。 6、晶体材

3、料主要具有 均匀性 、 各向异性 和 多面体外形 的特征。7、液晶材料按分子排列的结构可分为 向列相 、 胆甾相 和 近晶相 三种。8、晶体结构中的点缺陷类型共分 间隙原子 、 空位 和 杂质 原子三种。9、能与C、N、B形成硬质合金的元素包括 B 、 B 和 B族金属。10、在氯化氢气氛中焙烧时，晶体中将产生2+空位缺陷和离子取代S2的杂质缺陷，这两种缺陷可以分别用符号 和 * 来表示。11、和是 透射电子显微镜 、差热分析 和 红外分子吸收光谱法的英文缩写。三、名词解释每题6分，共12分1、弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷。 答：弗伦克尔缺陷：当晶体热振动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到

4、晶格点的间隙中，形成间隙原子，而原来位置上形成空位，这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。 3分肖特基缺陷：如果正常格点上原子，热起伏后获得能量离开平衡位置，跃迁到晶体的外表，在原正常格点上留下空位，这种缺陷称为肖特基缺陷。3分2、刃位错与螺位错。答：刃位错：滑移方向与位错线垂直的位错称为刃位错； 3分螺位错：位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺位错。 3分四、简答题1、2、3题每题6分，4、5题每题5分，共28分1、用能带理论说明金属、半导体和绝缘体的区别。答：根据晶体的能带理论，金属晶体中布里渊区一般有重叠，且局部充填。同一区相邻状态相应的能级非常接近，只要很下的电场就能把电子提升到相邻的较高能级，导

5、电性好；2分半导体物质，第一布里渊区是填满的，和空的第二布里渊区之间只有较小的能量间隙，温度升高时，第一布里渊区顶部的电子受到激发，进入到第二布里渊区底部，向自由电子一样，在外加电场的作用下，表现出导电性；温度越高，激发到第二布里渊区的电子越多，其导电性也越强；2分绝缘体物质，电子填满最低的一系列能带，满带与空带之间的能量间隙很大，电子不能被激发到空带中，因此不能导电。2分2、什么是非化学计量化合物？试举几个常见的例子至少三个。答：非化学计量化合物是指化合物原子数量的比例,不符合定比定律,即非简单的固定比例关系。 3分例如化合物：1+、K3、1+ 3分3、相变的含义是什么？从热力学角度来划分，

6、相变可以分为哪几类？ 解： 随自由能的变化而发生的相的结构的变化； 2分一级相变、二级相变。 各2分4、在缺陷反响方程式中，以化合物为例，说明位置平衡、电中性、质量平衡是指什么？答：位置平衡是指在化合物中，M格点数与X格点数保持正确的比例关系，即M：b； 2分电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷； 2分质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。 1分5、何为均匀成核和非均匀成核？答：均相成核：当母相整个体系在化学上、能量上和结构上都相同时，发生的成相为均相成核，这种成核是在整个体系内发生的。 2分非均相成核：母液中存在某界面空位、杂质、位错，成核会优先在界面上进行，这种成核系统为非均相

7、成核。 3分五、分析答复以下问题每题10分，共20分1、列举2种常用的晶体材料的制备方法，并且简要介绍各种方法的原理和过程。答：常用的晶体材料的制备方法有陶瓷法和化学气相沉积法等方法；2分（1） 陶瓷法：是恒温条件利用固体化合物反响制备材料的方法，晶体物质互相混合，通过接触的界面发生离子的自扩散和互扩散，或原有化学键的断裂和新化学键的形成及新物相的生成，晶体结构产生变化，这种变化向固体原料内部或深度扩散，导致了一种新多晶材料的生成。 4分（2） 化学气相沉积法：是基质材料外表可以采用一种易挥发的、稳定的化合物在低于基质材料熔点的温度下在其外表成层，该化合物然后经历某些化学反响形成稳定的、附着力

8、强的镀层，即所谓的化学气相沉积法。4分2、如图是三元系统相图，根据相图答复以下问题：1写出点O、P、Q的成分；2设有3，问需要多少何种成分的合金W才可混熔成8kg成分为P的合金。 学生班级学生学号：学生姓名：装订线装订线装订线试卷须与答题纸一并交监考教师装订线装订线装订线解：1点O、P、Q的成分分别为： O P Q A 70 30 20 B 10 40 20 C 20 30 60 (1分) (1分)(1分) （3） 设需组成为a，b，c的W合金N 可满足条件，那么可通过列以下方程计算：30.2 + Na = 80.3 (1分)30.2 + Nb = 80.4 (1分)30.6 + Nc = 80.3 (1分)a + b + c =1 解方程得： N = 5 (1分) a = 0.36 (1分) b = 0.52 (1分) c = 0.12 (1分)答：需要5组成为36, 52,12C的合金W可满足题中要求。注：具体算法可有其他，结果正确均可得分。