介电材料及其测量.ppt
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1、介电材料及其测量介电材料及其测量介电材料及其测量介电材料及其测量摘要摘要1介电材料的研究背景介电材料的研究背景2介电材料的介电性能介电材料的介电性能3介电材料的电化学测量介电材料的电化学测量4以后要做的工作以后要做的工作1制备介电材料制备介电材料的相关背景的相关背景 介电材料介电材料又称电介质,是电的绝缘材料。主要用又称电介质,是电的绝缘材料。主要用于制造电容器。要求材料的电阻率高,介电常量大。高于制造电容器。要求材料的电阻率高,介电常量大。高介电材料是指介电常数是大于二氧化硅介电材料是指介电常数是大于二氧化硅(k=3.9)的介电的介电材料的泛称材料的泛称.概念材料的电介质基本特征介电陶瓷制成
2、的电路元器件 是以感应而并非传导的是以感应而并非传导的方式传递电的作用和影响。方式传递电的作用和影响。电介质中束缚着的电荷,在电介质中束缚着的电荷,在电的作用下以正负电荷重心电的作用下以正负电荷重心不重合的电极化方式传递和不重合的电极化方式传递和记录电的作用和影响。记录电的作用和影响。为为什什么么选择选择高介高介电电常常数数陶瓷作陶瓷作为电为电路元器件?路元器件?A.日益增长的信息技术对更高集成度,高速,低功耗日益增长的信息技术对更高集成度,高速,低功耗集成集成电电路的电电路的需求使晶体管的尺寸迅速减小。需求使晶体管的尺寸迅速减小。B.在动态随机存储器中,二进制的数字信息是以电容器所在动态随机
3、存储器中,二进制的数字信息是以电容器所储存的电荷来表示的,所以在集成度更高的情况下要保储存的电荷来表示的,所以在集成度更高的情况下要保持足够的电容。持足够的电容。电容电容公式如下公式如下,通过增加栅极表面积和通过增加栅极表面积和降低栅介质厚度均可提高栅极电容。降低栅介质厚度均可提高栅极电容。而而芯片上晶体管的芯片上晶体管的数目数目跳跃式增加跳跃式增加,这就对增加栅极表面积产生了极大的这就对增加栅极表面积产生了极大的制约。因此在以往半导体技术的发展过程中制约。因此在以往半导体技术的发展过程中,降低栅介降低栅介质质 的厚度的厚度与采用高与采用高k的陶瓷的陶瓷就变成推进器件性能提高的就变成推进器件性
4、能提高的首要手段。首要手段。C=S/d为为什什么么选择选择高介高介电电常常数数陶瓷作陶瓷作为电为电路元器件?路元器件?C.电介质的厚度小到一定程度后,又会产生电子的隧道穿电介质的厚度小到一定程度后,又会产生电子的隧道穿透效应致使该器件无法工作,此时厚度为它的临界厚度。透效应致使该器件无法工作,此时厚度为它的临界厚度。因此需要一种高因此需要一种高k陶瓷作为电路元器件以满足其集成化要求陶瓷作为电路元器件以满足其集成化要求2介电材料的介电性能介电材料的介电性能表征材料介电性表征材料介电性能的基本参数能的基本参数介电系数介电损耗电导率击穿强度介电系数介电系数是电介质极化的宏观特性,其在电场的作用下将产
5、生介电系数是电介质极化的宏观特性,其在电场的作用下将产生极化并贮存电荷。极化并贮存电荷。电介质的相对介电系数定义为电容器充以电介质时的电容量电介质的相对介电系数定义为电容器充以电介质时的电容量C与真空时的电容量与真空时的电容量C0的比值即的比值即r=C/C0电容器两极板之间充满均匀的电介质,在外电场的作用下,其电容器两极板之间充满均匀的电介质,在外电场的作用下,其内部沿着电场方向产生了感应电偶极矩,在电场中介质的表面内部沿着电场方向产生了感应电偶极矩,在电场中介质的表面出现感应电荷,其产生的电场与极板上的自由电荷所形成的电出现感应电荷,其产生的电场与极板上的自由电荷所形成的电场方向相反,这种由
6、感应电荷所产生的场强称为退极化场。场方向相反,这种由感应电荷所产生的场强称为退极化场。由于在极化过程中,外加极化电压未变,极板间的距离不变,由于在极化过程中,外加极化电压未变,极板间的距离不变,为了保持场强不变,必须得到补充电荷,从而引起电荷面密度为了保持场强不变,必须得到补充电荷,从而引起电荷面密度的改变,以致电容的改变。的改变,以致电容的改变。电子极化离子极化固有电矩的取向极化极化机制传统的介电材料传统的介电材料:非晶二氧化硅非晶二氧化硅引入高介电系数材料:比如钛酸锶钡(引入高介电系数材料:比如钛酸锶钡(BST)介电系数 是是 BaTiO3 和和 SrTiO3的固溶的固溶体体,BaTiO3
7、 和和 SrTiO3 是钙钛矿结构的高介是钙钛矿结构的高介电系数的铁电材料,而电系数的铁电材料,而BaTiO3SrTiO3 的的固溶体将居里温度由纯固溶体将居里温度由纯 BaTiO3的的 130C 左左右调节到室温附近,使得材料的介电系数在右调节到室温附近,使得材料的介电系数在工作温度下最高。其体相材料具有非常大的工作温度下最高。其体相材料具有非常大的介电常数介电常数钙钛矿结构钛酸锶钡钛酸锶钡 介电系数介电常数大的晶体所具备的条件是:有介电常数大的晶体所具备的条件是:有比较特殊的点阵结构,而且含有尺寸大、比较特殊的点阵结构,而且含有尺寸大、电荷小、电子壳层易变形的阴离子(如电荷小、电子壳层易变
8、形的阴离子(如氧离子)以及尺寸小、电荷大、易产生氧离子)以及尺寸小、电荷大、易产生离子位移极化的阳离子(如离子位移极化的阳离子(如Ti4+)。在外)。在外电场的作用下,这两类离子通过晶体内电场的作用下,这两类离子通过晶体内附加内电场产生强烈的极化,因而导致附加内电场产生强烈的极化,因而导致相当高的介电常数。相当高的介电常数。通过相关计算可得出介电系数介电损耗产生原因:如果外加电场不断地改变,介质内的极化也就产生原因:如果外加电场不断地改变,介质内的极化也就不断地随之改变。当电场变化的频率非常高时,某些极化不断地随之改变。当电场变化的频率非常高时,某些极化就会滞后,表现为介电弛豫现象,介质极化这
9、种弛豫过程就会滞后,表现为介电弛豫现象,介质极化这种弛豫过程在变动电场的作用下就会引起介质损耗在变动电场的作用下就会引起介质损耗。下面以平行板电容器为例,说明下面以平行板电容器为例,说明复介电系数以及介电损耗的概念复介电系数以及介电损耗的概念由电工学知识,我们可以知道一个理想的平板电容器的两由电工学知识,我们可以知道一个理想的平板电容器的两个极板之间为真空,改电容器的容量为个极板之间为真空,改电容器的容量为C0,当在其两个极板当在其两个极板上施加角频率为上施加角频率为的正旋交变电压的正旋交变电压V=V0exp(it)时,则)时,则流过电容器的电流的相位较之电压的相位超前流过电容器的电流的相位较
10、之电压的相位超前900介电损耗若在此电容器的两个极板之间充满介电系数为若在此电容器的两个极板之间充满介电系数为r的电介质,并假设的电介质,并假设该电介质为理想电介质,则其容量该电介质为理想电介质,则其容量C=rC0,其电流的相位仍应超前其电流的相位仍应超前电压电压900.但是对于实际电介质来说,电流超前电压的相位角总是但是对于实际电介质来说,电流超前电压的相位角总是小于小于900。如图,此时可以把实际电容器的电流。如图,此时可以把实际电容器的电流I分解为两个电流分分解为两个电流分量量I1和和 I2,CCPRPCSRSII1I2V图 充满电介质的电容器的等效电路以及电流和电压之间的相位关系介电损
11、耗其中其中,I1的相位角超前于电压的相位角超前于电压900,这部分电流不损耗功率,称为,这部分电流不损耗功率,称为无功电流;无功电流;I2与电压同相位,该电流是消耗功率的,称为有功电与电压同相位,该电流是消耗功率的,称为有功电流。这两个电流分量与电压之间的关系可以用下面的式子表示:流。这两个电流分量与电压之间的关系可以用下面的式子表示:上式中的上式中的g称为介质的电导。这个电导并不一定代表由载流子迁称为介质的电导。这个电导并不一定代表由载流子迁移而产生的直流电导,而是代表介质中存在有损耗机制,使电容移而产生的直流电导,而是代表介质中存在有损耗机制,使电容器上的能量部分地消耗为热的物理过程。由上
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- 材料 及其 测量
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