清华版模电课件-第5章-频率响应10上课讲义.ppt
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1、清华版模电课件-第5章-频率响应10本章本章讨论的问题讨论的问题:1.为什么为什么要研究放大电路的频率响应要研究放大电路的频率响应?2.如何如何测定一个测定一个RC网络的频率响应网络的频率响应?怎样画出频率特怎样画出频率特性曲线性曲线?3.晶体管的晶体管的h参数等效模型在高频信号下还适用吗参数等效模型在高频信号下还适用吗?4.什么什么是放大电路的通频带是放大电路的通频带?哪些因素响应通频带哪些因素响应通频带?5.如何确定放大电路的通频带?如何确定放大电路的通频带?5.15.1 频率响应概述频率响应概述一、频率响应的一、频率响应的概念概念三、三、简单简单RC电路的电路的频率响应频率响应二、放大电
2、路的频率参数二、放大电路的频率参数四、波特图四、波特图一、一、频率响应的概念频率响应的概念Au(f)幅频响应幅频响应(特性)(特性)(f)相频响应相频响应(特性)(特性)频率频率响应响应(特性)(特性)-放大电路对信号频率的适应程度,即放大电路对信号频率的适应程度,即信号频率对放信号频率对放大倍数的影响大倍数的影响,也就是,也就是Au与与 f 的关系的关系。为什么为什么Au与与 f 有关呢?有关呢?-由于放大电路中由于放大电路中有有耦合电容、旁路电容、半导体器件极耦合电容、旁路电容、半导体器件极间电容间电容以及线路间分布电容以及线路间分布电容的存在,使放大倍数为频率的函数。的存在,使放大倍数为
3、频率的函数。1.频率响应频率响应 什么是频率响应?什么是频率响应?一、一、频率响应的概念频率响应的概念2.频率频率失真失真q 幅频失真和相频失真总称幅频失真和相频失真总称频率失真频率失真频率失真频率失真-线性失真线性失真q 因放大电路对不同频率信号的因放大电路对不同频率信号的放大倍数放大倍数放大倍数放大倍数不同,不同,使输出波形产生的失真使输出波形产生的失真幅度频率失真幅度频率失真幅度频率失真幅度频率失真(幅频失真)(幅频失真)q 放大电路对不同频率信号的放大电路对不同频率信号的相移相移相移相移不同,使输出波不同,使输出波形产生失真形产生失真相位频率失真相位频率失真相位频率失真相位频率失真(相
4、频失真)(相频失真)一、一、频率响应的概念频率响应的概念2.频率频率失真(举例)失真(举例)二、二、放大电路的频率参数放大电路的频率参数 在低频段,随着信号频率逐渐降在低频段,随着信号频率逐渐降低,低,耦合电容、旁路电容耦合电容、旁路电容等的容抗等的容抗增大,使动态信号损失,放大能力增大,使动态信号损失,放大能力下降。下降。在高频段,随着信号频率逐渐升高,在高频段,随着信号频率逐渐升高,晶体管极间电容和分布晶体管极间电容和分布电容、寄生电容等电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小,使动态信号损失,杂散电容的容抗减小,使动态信号损失,放大能力下降。放大能力下降。二、二、放大电路的频率参数放大电路的频
5、率参数-通频带、上限截止频率、下限截止频率通频带、上限截止频率、下限截止频率耦合电耦合电容造成容造成三极管结三极管结电容造成电容造成fL下限截止下限截止频率频率fH上限截止上限截止频率频率ffbw=fH fL中频电压放大倍数中频电压放大倍数 通频带通频带放大倍数随频率变化曲线放大倍数随频率变化曲线幅频特性曲线幅频特性曲线三、三、简单简单RC电路的频率响应电路的频率响应1.RC高通电路的频率响应高通电路的频率响应高通电路高通电路-信号频率越高,输出电压越接近输入电压。信号频率越高,输出电压越接近输入电压。频率特性频率特性:1.RC高通电路的频率响应高通电路的频率响应三、三、简单简单RC电路的频率
6、响应电路的频率响应90 fO|Au|10.707O45 fLf幅频特性幅频特性相频特性相频特性2.RC低通电路的频率特性低通电路的频率特性 低通电路低通电路-信号频率越低,输出电压越接近输入电压。信号频率越低,输出电压越接近输入电压。三、三、简单简单RC电路的频率响应电路的频率响应 频率特性频率特性:2.RC低通电路的频率特性低通电路的频率特性 三、三、简单简单RC电路的频率响应电路的频率响应fO|Au|10.707O45 90 fHf幅频特性幅频特性相频特性相频特性几个结论几个结论 电路低频段的放大倍数需乘因子电路低频段的放大倍数需乘因子 当信号频率等于当信号频率等于fL或或fH 时,放大倍
7、数幅值约降到时,放大倍数幅值约降到0.707倍倍,而且产生而且产生45 的相移;的相移;电路截止频率决定于电容所在回路的时间常数,即电路截止频率决定于电容所在回路的时间常数,即电路高频段的放大倍数需乘因子电路高频段的放大倍数需乘因子 频率响应有频率响应有幅频特性幅频特性和和相频特性相频特性两条曲线。两条曲线。四、四、波特图波特图q 由由对数幅频特性对数幅频特性和和对数相频特性对数相频特性两部分组成两部分组成;q 横轴横轴 f 采用对数坐标采用对数坐标;q 幅频特性的纵轴采用幅频特性的纵轴采用20lg|u|,单位是分贝单位是分贝(dB);q 相频特性的纵轴仍用相频特性的纵轴仍用 表示表示。为简单
8、起见,常为简单起见,常用用近似折线近似折线代替代替实际曲线实际曲线画出的画出的波特图波特图称为称为近似近似近似近似波特图波特图波特图波特图,是分析放大电路频率响应的是分析放大电路频率响应的重要手段。重要手段。1.RC高通电路的高通电路的波特图波特图四、四、波特图波特图对数对数幅频特性为:幅频特性为:相频特性不变:相频特性不变:频率特性频率特性90 fO|Au|10.707O45 fLf1.RC高通电路的高通电路的波特图波特图f 10 fL20lg|Au|=0 dBf=fL20lg|Au|=20lg0.707=-3 dBf 0.1 fL20lg|Au|=20lg f/fLf/fLO20lg|Au
9、|/dB20O45 90 400.1 1 100.1 1 10f/fL四、四、波特图波特图+20 dB/十倍频十倍频 3 dB波特图波特图 45/十倍频十倍频四、四、波特图波特图高通电路的波特图高通电路的波特图在在 时,是一条斜率为时,是一条斜率为+20dB/十倍频程十倍频程的直线;的直线;在在 时,是一条时,是一条0dB的水平的水平直线;直线;在在近似分析中,可用折线化近似分析中,可用折线化的近似波特图来描述放大电路的的近似波特图来描述放大电路的频率特性。频率特性。在在对数幅频特性中,由两段直线近似,对数幅频特性中,由两段直线近似,以截止频率以截止频率fL为拐点:为拐点:在在对数相频特性中,
10、由三段直线近似,以截止频率对数相频特性中,由三段直线近似,以截止频率0.1fL和和10fL为拐点:为拐点:当当 时,时,用用 的的直线直线近似近似;当当 时,时,用用 的的直线直线近似近似;当当 时,时,随随f 线性下降线性下降,当,当f=fL时时 。四、四、波特图波特图对数对数幅频特性为:幅频特性为:2.RC低通电路的波特图低通电路的波特图 相频特性不变:相频特性不变:90 f0|Au|10.707045 fHf频率特性频率特性四、四、波特图波特图2.RC低通电路的波特图低通电路的波特图 f/fH020lg|Au|/dB20045 90 fH400.1 1 10 1000.1 1 10f/f
11、H波特图波特图f 0.1 fH20lg|Au|=0 dBf=fH20lg|Au|=20lg0.707=-3 dBf 10 fH20lg|Au|=-20lg f/fH 3 dB 20 dB/十倍频十倍频 45/十倍频十倍频四、四、波特图波特图低通电路的波特图低通电路的波特图在在 时,是一条斜率为时,是一条斜率为 -20dB/十倍频程十倍频程的直线;的直线;在在对数幅频特性中,由两段直线近似,对数幅频特性中,由两段直线近似,以截止频率以截止频率fH为拐点:为拐点:在在 时,是一条时,是一条0dB水平水平直线直线。在在对数相频特性中,由三段直线近似,以截止频率对数相频特性中,由三段直线近似,以截止频
12、率0.1fH和和10fH为拐为拐点:点:当当 时,时,用用 的的直线直线近似近似;当当 时,时,用用 的的直线直线近似近似;当当 时,时,随随f 线性下降线性下降,当,当 f=fL 时时 。四、四、波特图波特图作作幅幅频特性频特性波特图的方法:波特图的方法:1、横轴上标出、横轴上标出0.1fL、fL 和和 fH、10 fH 点,点,2、纵轴上标出、纵轴上标出-20dB点,点,3、点、点(0.1fL,-20dB)与与(fL,0dB),点点(10 fH,-20dB)与与(fH,0dB),连线。,连线。特点:忽略了特点:忽略了-3dB的误差,以的误差,以fL、fH为拐点,得为拐点,得 “折线折线”一
13、级一级RC电路电路幅频特性幅频特性的斜率为的斜率为20dB/十倍频十倍频四、四、波特图波特图作作相相频特性频特性波特图的方法:波特图的方法:1、横轴上标出、横轴上标出0.1fL、fL、10fL点,在纵轴上标出点,在纵轴上标出00、+450、+900点,点,(0.1fL、+900)(fL、+450)(10fL、00)连线。连线。2、横轴上标出、横轴上标出0.1fH、fH、10 fH点,在纵轴上标出点,在纵轴上标出00、-450、-900点,点,(0.1fH、00)(fH、-450)(10fH、-900)连线。连线。一级一级RC电路相电路相频特性频特性的最大相移为的最大相移为905.2 晶体管的高
14、频等效模型晶体管的高频等效模型一、晶体管的混合一、晶体管的混合模型模型二二、晶体管的频率参数、晶体管的频率参数结构:结构:由体电阻、结电阻、结电容组成。由体电阻、结电阻、结电容组成。rbb:基区体电阻:基区体电阻rbe:发射结电阻:发射结电阻C:发射结电容:发射结电容re:发射区体电阻:发射区体电阻rbc:集电结电阻:集电结电阻C:集电结电容:集电结电容rc:集电区体电阻:集电区体电阻因多子浓度因多子浓度高而阻值小高而阻值小因面积大而因面积大而阻值小阻值小一、一、晶体管的晶体管的混合混合模型模型-形状像形状像,参数量纲各不相同,参数量纲各不相同1.完整的混合完整的混合模型模型-忽略小电阻,考虑
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