珠宝知识培训之人工合成宝石复习过程.ppt
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1、珠宝知珠宝知识培培训之人工合成宝石之人工合成宝石2 2人造宝石人造宝石 指人工生产的非天然形成的无机材料。指人工生产的非天然形成的无机材料。狭狭义义的的人人造造宝宝石石:具具有有独独特特的的化化学学成成分分、原原子子结结构构和和物理性质的人工宝石材料;物理性质的人工宝石材料;如如YAGYAG:钇钇铝铝榴榴石石,Y Y3 3AlAl5 5O O1212 ;无无天天然然对对应应物物,广广义义的人造宝石:人工生产的宝石,包括合成宝石;的人造宝石:人工生产的宝石,包括合成宝石;2022/11/202(二二)人工制造宝石的历史人工制造宝石的历史1500年埃及人开始用玻璃模仿祖母绿、青金石和绿松石等。年埃
2、及人开始用玻璃模仿祖母绿、青金石和绿松石等。18世世纪纪中中期期和和19世世纪纪人人工工开开始始合合成成宝宝石石.由由于于矿矿物物学学研研究究的的发发展展以以及及化化学学分分析析方方法法取取得得的的进进展展,使使人人们们逐逐渐渐掌掌握握了了宝宝石石的的化化学学成成分分及及性性质质,加加上上化化学学工工业业的的发发展展以以及及对对结结晶晶过过程程的的认认识识,人人工工合合成成宝宝石才变为现实。石才变为现实。1892年年出出现现了了闻闻名名的的“日日内内瓦瓦红红宝宝石石”,这这是是用用氢氢氧氧火火焰焰使使品品质质差差的的红红宝宝石石粉粉末末及及添添加加的的致致色色剂剂铬铬熔熔融融,再再重重结结晶晶
3、形形成成优优质质红红宝宝石石的方法。随后,这种方法经改进并得以商业化。的方法。随后,这种方法经改进并得以商业化。1890年,年,助熔剂法合成红宝石获得成功;助熔剂法合成红宝石获得成功;1900年年助助熔熔剂剂法法合合成成祖祖母母绿绿成成功功。合合成成尖尖晶晶石石、蓝蓝宝宝石石、金金红红石、钛酸锶等逐渐面市。石、钛酸锶等逐渐面市。1953年年合合成成工工业业级级钻钻石石、1960年年水水热热法法合合成成祖祖母母绿绿及及1970年年宝宝石级合成钻石也相继获得成功。石级合成钻石也相继获得成功。五五十十年年代代末末,我我国国为为了了发发展展我我国国的的精精密密仪仪器器仪仪表表工工业业,从从原原苏苏联联
4、引引进进了了焰焰熔熔法法合合成成刚刚玉玉的的设设备备和和技技术术,六六十十年年代代投投产产后后,主主要要用用于于手手表表轴轴承承材材料料的的生生产产。后后来来发发展展到到有有20多多家家焰焰熔熔法法合合成成宝宝石石的的工工厂,能生长出各种品种的刚玉宝石、尖晶石、金红石和钛酸锶等。厂,能生长出各种品种的刚玉宝石、尖晶石、金红石和钛酸锶等。2022/11/203我我国国进进行行水水热热法法生生长长水水晶晶的的研研究究工工作作,始始于于1958年年。目目前前几几乎乎全全国国各各省省都都建建立立了了合合成成水水晶晶厂厂。我我国国的的彩彩色色石石英英从从1992年年开开始始生生产产,现在市场上能见到的各
5、种颜色品种的合成石英。现在市场上能见到的各种颜色品种的合成石英。七七十十年年代代,由由于于工工业业和和军军事事的的需需要要,尤尤其其是是激激光光研研究究的的需需要要,我我国国先先后后用用提提拉拉法法生生产产了了人人造造钇钇铝铝榴榴石石(YAG)和和钆钆镓镓榴榴石石(GGG)晶晶体体,它它们们曾曾一一度度被被用用于于仿仿钻钻石石。1982年年,我我国国开开始始研研究究合合成成立立方方氧氧化化锆锆的的生生产产技技术术,1983年年投投产产。由由于于合合成成立立方方氧氧化化锆锆的的折折射射率率高高、硬硬度度高高、产产量量大大、成成本本低低,很很快快取取代代了了其其它它仿仿钻钻石石的的晶晶体体材材料料
6、。广广西西宝宝石石研研究究所所1993年年成成功功生生产产水水热热法法合合成成祖祖母母绿绿,现现已已能能生生产产水水热热法合成其它颜色的绿柱石及红、蓝宝石。法合成其它颜色的绿柱石及红、蓝宝石。合合成成工工业业用用钻钻石石在在我我国国是是l963年年投投产产的的,至至八八十十年年代代末末,我我国国已已有有300余余家家合合成成工工业业用用钻钻石石的的厂厂家家。但但宝宝石石级级合合成成钻钻石石的的生生产产还还在在探探索索之之中中。l995年年,我我国国采采用用化化学学气气相相沉沉积积法法生生长长出出了了多多晶晶金金刚刚石石薄薄膜,已在首饰方面应用。膜,已在首饰方面应用。2022/11/204二、合
7、成宝石的二、合成宝石的晶体生长基本理论晶体生长基本理论 晶体生长的发生最初是从溶液或熔体中形成固相的晶体生长的发生最初是从溶液或熔体中形成固相的小晶芽,即成核。晶核形成后,就形成了晶体小晶芽,即成核。晶核形成后,就形成了晶体-介质介质的界面,晶体生长最重要的过程就是界面过程。科学的界面,晶体生长最重要的过程就是界面过程。科学家们提出了许多生长机制或模型,结合热力学和动力家们提出了许多生长机制或模型,结合热力学和动力学探讨了这一过程。学探讨了这一过程。尽管晶体生长理论已有一百多年的发展历程,但晶尽管晶体生长理论已有一百多年的发展历程,但晶体生长理论还并不完善,现有的晶体生长模型还不能体生长理论还
8、并不完善,现有的晶体生长模型还不能完全用于指导晶体生长实践,为了提高晶体质量还有完全用于指导晶体生长实践,为了提高晶体质量还有许多实际问题尚待解决。许多实际问题尚待解决。2022/11/2051 1成核成核成核过程实际是一个相变过程。相是一个体系中均成核过程实际是一个相变过程。相是一个体系中均匀一致的部分,它与另外的其它部分有明显的分界线。匀一致的部分,它与另外的其它部分有明显的分界线。化化学学成成分分相相同同的的物物质质,在在不不同同的的温温压压条条件件下下,可可以以呈呈不不同同的的结结构构(同同质质多多象象)、或或不不同同的的状状态态如如固固相相、液液相相和气相。和气相。相相变变:当当某某
9、一一体体系系在在外外界界条条件件改改变变时时,会会发发生生状状态态的的改改变变,这这种种现现象象即即相相变变。宝宝石石合合成成的的过过程程即即生生长长晶晶体体,从从液液相相变变为为固固相相,或或固固相相变变为为固固相相、气气相相变变为为固固相相;相相变过程受温压条件、介质组分的控制。变过程受温压条件、介质组分的控制。相图:相图:根据相变理论公式(克拉帕珑方程),即反根据相变理论公式(克拉帕珑方程),即反映压力、温度和组分的关系,作出的表示相变、温度、映压力、温度和组分的关系,作出的表示相变、温度、压力、组分关系的图解。压力、组分关系的图解。2022/11/206石石墨墨的的相相图图是是一一元元
10、相相图图,如如图图所所示示。这这个个相相图图表表明明,在在很很大大的的压压力力和和温温度度范范围围内内存存在在碳碳的的固固态态相相变变。它它是是根根据据热热力力学学原原理理,结结合合多多次次实实验验和和外外推推等等做做出出的的。石石墨墨在在温温度度 1400-16000C和和4.5-6109Kb的的压压力力下下会会转转变变为为钻钻石石,该该图图是是合合成成钻钻石石的的依据。依据。石墨石墨-钻石的相图钻石的相图 2022/11/207在在合合成成晶晶体体过过程程中中,为为了了获获得得理理想想的的晶晶体体,人人为为提提供供的晶核称为的晶核称为种晶或籽晶种晶或籽晶。种种晶晶一一般般都都是是从从已已有
11、有的的大大晶晶体体上上切切取取的的。种种晶晶上上的的缺缺陷陷,如如位位错错、开开裂裂、晶晶格格畸畸变变等等在在一一定定的的范范围围内内会会“遗遗传传”给新生长的晶体。在选择种晶时要避开缺陷。给新生长的晶体。在选择种晶时要避开缺陷。根根据据晶晶体体生生长长习习性性和和应应用用的的要要求求,种种晶晶可可采采用用粒粒状状、棒棒状状、片片状状等等不不同同的的形形态态。种种晶晶的的光光性性方方位位对对合合成成晶晶体体的的形形态态、生生长长速速度度等等有有很很大大的的影影响响。所所以以种种晶晶的的选选择择非非常常重重要。要。2022/11/2082.晶体生长界面稳定性:晶体生长界面稳定性:晶晶核核出出现现
12、后后,过过冷冷或或过过饱饱和和,驱驱使使质质点点按按一一定定的的晶晶体体结结构构在在晶晶核核上上排排列列生生长长。温温度度梯梯度度和和浓浓度度梯梯度度直直接接影影响响界界面的稳定性,从而影响晶面的生长速度、晶体的形态。面的稳定性,从而影响晶面的生长速度、晶体的形态。晶晶体体生生长长过过程程中中,介介质质的的温温度度、浓浓度度会会影影响响晶晶体体与与介介质质的的界界面面的的宏宏观观形形状状,如如是是凸凸起起、凹凹陷陷或或平平坦坦光光滑滑。界界面面为为平平坦坦光光滑滑状状态态,则则界界面面稳稳定定性性;如如果果生生长长条条件件的的干干扰扰,界面会产生凹凸不平,即形成不稳定界面。界面会产生凹凸不平,
13、即形成不稳定界面。2022/11/2093晶体生长的界面模型晶体生长的界面模型晶晶体体生生长长最最重重要要的的过过程程是是一一个个界界面面过过程程,涉涉及及生生长长基基元元如如何何从从母母液液相相传传输输到到生生长长界界面面以以及及如如何何在在界界面面上上定定位位成为晶体的一部分。成为晶体的一部分。A完整光滑界面生长模型完整光滑界面生长模型 此此模模型型又又称称为为成成核核生生长长理理论论模模型型,或或科科塞塞尔尔-斯斯特特兰兰斯斯基基(Kossel-Stranski)理理论论模模型型。该该模模型型是是1927年年,由科塞尔首先提出,后经斯特兰斯基加以发展由科塞尔首先提出,后经斯特兰斯基加以发
14、展。2022/11/2010在在晶晶核核形形成成以以后后,结结晶晶物物质质的的质质点点继继续续向向晶晶核核上上粘粘附附,晶晶体体则则得得以以生生长长。质质点点粘粘附附就就是是按按晶晶体体格格子子构构造造规规律律排排列列在在晶晶体体上上。质质点点向向晶晶核核上上粘粘附附时时,在在晶晶体体不不同同部部位位的的晶晶体体格格子子构构造造对对质质点点的的引引力力是是不不同同的的。也也就就是是说说,质质点点粘粘附附在在晶晶体体不不同同部部位位所所释释放放出出的的能能量量是是不不一一样样的的。由由于于晶晶体体总总是是趋趋向向于于具具有有最最小小的的内内能能,所所以以,质质点点在在粘粘附附时时,首首先先粘粘附
15、附在引力最大、可释放能量最大的部位,使之最稳定。在引力最大、可释放能量最大的部位,使之最稳定。成核生长理论模型成核生长理论模型 在理想的条件下,在理想的条件下,结晶物质的质点向结晶物质的质点向晶体上粘附有三种晶体上粘附有三种不同的部位(图):不同的部位(图):2022/11/2011质质点点粘粘附附在在晶晶体体表表面面三三面面凹凹角角的的1处处,此此时时质质点点受受三三个个最最近近质质点点的的吸吸引引,若若质质点点粘粘附附在在晶晶体体表表面面两两面面凹凹角角的的2处处,则则受受到到两两个个最最近近质质点点的的吸吸引引,此此处处质质点点所所受受到到的的吸吸引引力力不不如如1处处大大,若若质质点点
16、在在一一层层面面网网之之上上的的一一般般位位置置3处处,所所受受到到的的吸吸引引力力最最小小。由由此此可可见见,质质点点粘粘附附在在晶晶体体的的不不同同部部位位,所所受受到到的的引引力力或或所所释释放放出出的的能能量量是是不不同同的的。而而且且,它它首首先先会会粘粘附附在在三三面面凹凹角角1处处,其其次次于于两两面面凹凹角角2处处,最最后后才才是是粘粘附在一层新的面网上附在一层新的面网上(即即3处处)。由由此此得得出出晶晶体体生生长长过过程程应应该该是是:先先长长一一条条行行列列,再再长长相相邻邻的的行行列列,长长满满一一层层面面网网,然然后后开开始始长长第第二二层层面面网网,晶晶面面(晶晶体
17、体上上最最外外层层面面网网)是是逐逐层层向向外外平平行行推推移移的的。这这便便是是科科塞尔一斯特兰斯基所得出的晶体生长理论。塞尔一斯特兰斯基所得出的晶体生长理论。2022/11/2012B.非完整光滑界面生长模型非完整光滑界面生长模型此此模模型型又又称称为为螺螺旋旋生生长长理理论论模模型型,或或BCF理理论论模模型型。该该模模型型于于1949年年由由弗弗朗朗克克首首先先提提出出,后后由由弗弗朗朗克克等等人人(Buston、Cabresa、Frank)进进一一步步发发展展并并提提出出一一系系列列与与此此相相关关的的动动力力学学规规律律,总总称称BCF理理论论模模型型。该该理理论论模模型型认认为为
18、,晶晶面面上上存存在在的的螺螺旋旋位位错错露露头头点点可可以以作作为为晶晶体体生生长长的的台台阶阶源源(下下图图),促促进进光光滑滑界界面面的的生生长长。这这种种台台阶阶源源永永不不消消失失,因因此此不不需需要要形形成成二二维维核核。这这一一理理论论成成功功的的解解释释了了晶晶体体在在很很低低的的饱饱和和度度下下仍仍能能生生长长,而而且且生生长长出出光光滑滑的的晶晶体体界界面面的现象。的现象。2022/11/2013螺螺旋旋错错位位形形成成的的台台阶阶源源,围围绕绕螺螺旋旋位位错错线线形形成成螺螺旋旋状状阶阶梯梯层层层层上上升升,按按1、2、3、4、5(见见左左下下图图)的的顺顺序序,依依次次
19、生生长长,1高高于于2,2高高于于3,最最后后形形成成一一螺螺旋旋线线的的锥锥形形。由由于于螺螺旋旋位位错错的的存存在在,晶晶体体生生长长速速率率大大大大加加快快。在在许许多多实实际际晶晶体体表表面面,利利用用电电子子显显微微镜镜或或干干涉涉显显微微镜镜很很容容易易观观察察到到晶晶面面中中间间有有螺螺旋旋位位错错露露头头点点的的生生长长丘丘(图图右右下下图图)。这这一一理理论可以解释许多实际晶体的生长。论可以解释许多实际晶体的生长。绿柱石表面由于螺旋位错造绿柱石表面由于螺旋位错造成的生长丘(干涉显微镜下)成的生长丘(干涉显微镜下)螺旋位错生长示意图螺旋位错生长示意图2022/11/20144人
20、工晶体生长方法人工晶体生长方法1从熔体中生长单晶体:从熔体中生长单晶体:粉粉末末原原料料加加热热熔熔化化冷冷却却超超过过临临界界过过冷冷度度结晶,结晶,从从熔熔体体中中生生长长晶晶体体的的方方法法是是最最早早的的研研究究方方法法,也也是是广广泛泛应应用用的的合合成成方方法法。从从熔熔体体中中生生长长单单晶晶体体的的最最大大优优点点是是生生长长速速率率大大多多快快于于在在溶溶液液中中的的生生长长速速率率。二二者者速速率率的的差差异异在在10-1000倍。倍。从从熔熔体体中中生生长长晶晶体体的的方方法法主主要要有有焰焰熔熔法法、提提拉拉法法、冷冷坩埚法和区域熔炼法。坩埚法和区域熔炼法。2022/1
21、1/20152从液体中生长单晶体:从液体中生长单晶体:原原料料加加热热溶溶解解(迁迁移移、反反应应)过过饱饱和和析析出出结晶结晶由由两两种种或或两两种种以以上上的的物物质质组组成成的的均均匀匀混混合合物物称称为为溶溶液液,溶溶液液由由溶溶剂剂和和溶溶质质组组成成。合合成成晶晶体体所所采采用用的的溶溶液液包包括括:低低温温溶溶液液(如如水水溶溶液液、有有机机溶溶液液、凝凝胶胶溶溶液液等等)、高高温温溶溶液液(即熔盐)与热液等。(即熔盐)与热液等。从溶液中生长晶体的方法主要有助熔剂法和水热法从溶液中生长晶体的方法主要有助熔剂法和水热法。2022/11/20163从气相中生长单晶体的方法从气相中生长
22、单晶体的方法气相生长可分为单组分体系和多组分体系生长两种。气相生长可分为单组分体系和多组分体系生长两种。单单组组分分气气相相生生长长要要求求气气相相具具备备足足够够高高的的蒸蒸气气压压,利利用用在在高高温温区区汽汽化化升升华华、在在低低温温区区凝凝结结生生长长的的原原理理进进行行生生长长。但但这这种种方方法法应应用用不不广广,所所生生长长的的晶晶体体大大多多为为针针状状、片片状状的单晶体。的单晶体。多多组组分分气气相相生生长长一一般般多多用用于于外外延延薄薄膜膜生生长长,外外延延生生长长是是一一种种晶晶体体浮浮生生在在另另一一种种晶晶体体上上。主主要要用用于于电电子子仪仪器器、磁性记忆装置和集
23、成光学等方面的工作元件的生产上。磁性记忆装置和集成光学等方面的工作元件的生产上。合合成成金金刚刚石石薄薄膜膜的的化化学学气气相相沉沉淀淀(CVD)法法以以及及合合成成碳碳化硅单晶生产技术,就属于此类。化硅单晶生产技术,就属于此类。2022/11/2017二、合成宝石的合成方法二、合成宝石的合成方法(一一)焰熔法合成方法焰熔法合成方法 最最早早是是1885年年由由弗弗雷雷米米(E.Fremy)、弗弗尔尔(E.Feil)和和乌乌泽泽(Wyse)一一起起,利利用用氢氢氧氧火火焰焰熔熔化化天天然然的的红红宝宝石石粉粉末末与与重重铬铬酸酸钾钾而而制制成成了了当当时时轰轰动动一一时时的的“日日内内瓦瓦红红
24、宝宝石石”。后后来来于于1902年年弗弗雷雷米米的的助助手手法法国国的的化化学学家家维维尔尔纳纳叶叶(Verneuil)改改进进并并发发展展这这一一技技术术使使之之能能进进行行商商业业化化生生产产。因因此此,这种方法又被称为这种方法又被称为维尔纳叶法。维尔纳叶法。2022/11/2018(一)从熔体中结晶(一)从熔体中结晶将适当组分的固体粉末熔化后再结晶的方法将适当组分的固体粉末熔化后再结晶的方法,进一进一步分为四种步分为四种,即维尔纳叶法、丘克拉斯基法、冷坩埚即维尔纳叶法、丘克拉斯基法、冷坩埚法和区域熔炼法。法和区域熔炼法。1.维尔纳叶法或称焰熔法维尔纳叶法或称焰熔法(1)基本原理)基本原理
25、将适当组分的细粉末落入烈焰之中熔化将适当组分的细粉末落入烈焰之中熔化,然后固化形然后固化形成单晶。成单晶。(2)生产过程)生产过程加料加料点燃点燃熔化熔化烧结锥烧结锥单晶单晶冷却。冷却。焰熔法合成装置由供料系统、燃烧系统和生长系统焰熔法合成装置由供料系统、燃烧系统和生长系统组成,合成过程是在组成,合成过程是在维尔纳叶炉维尔纳叶炉中进行的。中进行的。合成不同颜色的红宝石和蓝宝石取决于添加不同的致合成不同颜色的红宝石和蓝宝石取决于添加不同的致色元素。色元素。2022/11/2019A供料系统供料系统原原料料:成成分分因因合合成成品品的的不不同同而而变变化化。原原料料的的粉粉末末经经过过充分拌匀,放
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