电子科技大学传感器实验报告.doc

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1、电 子 科 技 大 学实 验 报 告学生姓名：*学 号：03课程名称：传感器原理及应用指导教师：彭杰刚实验地点：主楼c2-108 实验日期： 2013 年 6 月 21 日实验评分：电 子 科 技 大 学实 验 报 告学生姓名：* 学 号：03 指导教师：彭杰刚实验地点：主楼c2-108 实验室名称：传感器实验室实验项目名称：实验一 应变片单臂电桥性能实验实验学时：2实验目的： 了解电阻应变片的工作原理与应用并掌握应变片测量电路。实验原理： 电阻应变式传感器是在弹性元件上通过特定工艺粘贴电阻应变片来组成。一种利用电阻材料的应变效应将工程结构件的内部变形转换为电阻变化的传感器。此类传感器主要是通

2、过一定的机械装置将被测量转化成弹性元件的变形，然后由电阻应变片将弹性元件的变形转换成电阻的变化，再通过测量电路将电阻的变化转换成电压或电流变化信号输出。它可用于能转化成变形的各种非电物理量的检测，如力、压力、加速度、力矩、重量等，在机械加工、计量、建筑测量等行业应用十分广泛。1、应变片的电阻应变效应所谓电阻应变效应是指具有规则外形的金属导体或半导体材料在外力作用下产生应变而其电阻值也会产生相应地改变，这一物理现象称为“电阻应变效应”。以圆柱形导体为例：设其长为：L、半径为r、材料的电阻率为时，根据电阻的定义式得 （11）当导体因某种原因产生应变时，其长度L、截面积A和电阻率的变化为dL、dA、

3、d相应的电阻变化为dR。对式（11）全微分得电阻变化率 dR/R为： （12）式中：dL/L为导体的轴向应变量L; dr/r为导体的横向应变量r 由材料力学得： L= - r (13)式中：为材料的泊松比，大多数金属材料的泊松比为0.30.5左右；负号表示两者的变化方向相反。将式（13）代入式（12）得： （14）式（14）说明电阻应变效应主要取决于它的几何应变（几何效应）和本身特有的导电性能（压阻效应）。2、应变灵敏度 它是指电阻应变片在单位应变作用下所产生的电阻的相对变化量。 (1)、金属导体的应变灵敏度K：主要取决于其几何效应；可取 （15）其灵敏度系数为：K= 金属导体在受到应变作用时

4、将产生电阻的变化，拉伸时电阻增大，压缩时电阻减小，且与其轴向应变成正比。金属导体的电阻应变灵敏度一般在2左右。 (2)、半导体的应变灵敏度：主要取决于其压阻效应；dR/R100kHz)输入到点，由低电平E1跃到高电平E2时，电容CX1和CX2两端电压均由E1充到E2。充电电荷一路由点经D3到b点，再对CX1充电到O点(地)；另一路由由点经C4到c点，再经D5到d点对CX2充电到O点。此时，D4和D6由于反偏置而截止。在t1充电时间内，由到c点的电荷量为：Q1CX2(E2-E1) （71） 当高频激励电压由高电平E2返回到低电平E1时，电容CX1和CX2均放电。CX1经b点、D4、c点、C4、点

5、、L1放电到O点；CX2经d点、D6、L1放电到O点。在t2放电时间内由c点到点的电荷量为：Q2CX1(E2-E1) （72）当然，（71）式和（72）式是在C4电容值远远大于传感器的CX1和CX2电容值的前提下得到的结果。电容C4的充放电回路由图72中实线、虚线箭头所示。在一个充放电周期内（t1t2），由c点到点的电荷量为：Q2-Q1(CX1-CX2)(E2-E1)CX E （73）式中：CX1与CX2的变化趋势是相反的（传感器的结构决定的，是差动式）。设激励电压频率f1/T，则流过ac支路输出的平均电流i为：iffCX E （74） 式中：E激励电压幅值；CX传感器的电容变化量。由（74）

6、式可看出：f、E一定时，输出平均电流i与CX成正比，此输出平均电流i经电路中的电感L2、电容C5滤波变为直流I输出，再经Rw转换成电压输出Vo1I Rw。由传感器原理已知C与X位移成正比，所以通过测量电路的输出电压Vo1就可知X位移。2、 电容式位移传感器实验原理方块图如图73图73电容式位移传感器实验方块图实验器材（设备、元器件）： 主机箱15V直流稳压电源、电压表；电容传感器、电容传感器实验模板、测微头。实验步骤及内容：1、按图74示意安装、接线。图74 电容传感器位移实验安装、接线示意图2、将实验模板上的Rw调节到中间位置(方法：逆时针转到底再顺时传圈)。3、将主机箱上的电压表量程切换开

7、关打到2V档，检查接线无误后合上主机箱电源开关，旋转测微头改变电容传感器的动极板位置使电压表显示0V ，再转动测微头(同一个方向)6圈，记录此时的测微头读数和电压表显示值为实验起点值。以后，反方向每转动测微头1圈即X=0.5mm位移读取电压表读数(这样转12圈读取相应的电压表读数)，将数据填入表7(这样单行程位移方向做实验可以消除测微头的回差)。4根据表7数据作出实验曲线，实验完毕关闭电源开关。实验数据及结果分析：电容传感器数据表：x=10mm时，电压 v=0v，取起始值x=5mm第一次测量数据：X(mm) 15.00814.50814.00813.50813.00812.50812.0081

8、1.50811.00810.508V(mV) -0.585-0.520-0.455-0.384-0.322-0.266-0.212-0.146-0.099-0.042X(mm) 10.0089.5089.0088.5088.0087.5087.0086.5086.0085.508V(mV) 0.0150.0710.1250.1890.2410.2860.3370.3890.4360.487第一次测量数据曲线第二次测量数据：X(mm) 15.00814.50814.00813.50813.00812.50812.00811.50811.00810.508V(mV)-0.575-0.510-0.4

9、55-0.376-0.314-0.261-0.207-0.147-0.095-0.037X(mm) 10.0089.5089.0088.5088.0087.5087.0086.5086.0085.508V(mV)0.0200.0730.1230.1840.2340.2780.3260.3800.4300.478第二次测量数据曲线实验结论： 当极板面积和介质一定时极板距离越近电容量越大。总结及心得体会：1.当极板面积和介质一定时极板距离与电压成反比。2.养成良好的实验习惯。对本实验过程及方法、手段的改进建议： 报告评分： 指导教师签字： 电 子 科 技 大 学实 验 报 告学生姓名：* 学 号：

10、03 指导教师：彭杰刚实验地点：主楼c2-108 实验室名称：传感器实验室 实验项目名称：实验八 线性霍尔传感器位移特性实验实验学时：2实验目的：了解霍尔式传感器原理与应用。实验目的：了解霍尔式传感器原理与应用。掌握测量方法。实验原理： 霍尔式传感器是一种磁敏传感器，基于霍尔效应原理工作。它将被测量的磁场变化（或以磁场为媒体）转换成电动势输出。霍尔效应是具有载流子的半导体同时处在电场和磁场中而产生电势的一种现象。如图81（带正电的载流子）所示，把一块宽为b，厚为d的导电板放在磁感应强度为B的磁场中，并在导电板中通以纵向电流I ，此时在板图81霍尔效应原理的横向两侧面,之间就呈现出一定的电势差，

11、这一现象称为霍尔效应（霍尔效应可以用洛伦兹力来解释），所产生的电势差UH称霍尔电压。霍尔效应的数学表达式为：UHRHKHIB 式中：RH-1(ne)是由半导体本身载流子迁移率决定的物理常数，称为霍尔系数；KH RHd灵敏度系数，与材料的物理性质和几何尺寸有关。具有上述霍尔效应的元件称为霍尔元件，霍尔元件大多采用N型半导体材料（金属材料中自由电子浓度很高，因此RH很小，使输出UH极小，不宜作霍尔元件），厚度d只有1m左右。 霍尔传感器有霍尔元件和集成霍尔传感器两种类型。集成霍尔传感器是把霍尔元件、放大器等做在一个芯片上的集成电路型结构，与霍尔元件相比，它具有微型化、灵敏度高、可靠性高、寿命长、功

12、耗低、负载能力强以及使用方便等等优点。本实验采用的霍尔式位移（小位移1mm2mm）传感器是由线性霍尔元件、永久磁钢组成，其它很多物理量如：力、压力、机械振动等本质上都可转变成位移的变化来测量。霍尔式位移传感器的工作原理和实验电路原理如图82 (a)、(b)所示。将磁场强度相同的两块永久磁钢同极性相对放置着，线性霍尔元件置于两块磁钢间的中点，其磁感应强度为0，(a)工作原理 (b)实验电路原理图82霍尔式位移传感器工作原理图设这个位置为位移的零点，即X0，因磁感应强度B0，故输出电压UH0。当霍尔元件沿X轴有位移时，由于B0，则有一电压UH输出，UH经差动放大器放大输出为V。V与X有一一对应的特

13、性关系。注意：线性霍尔元件有四个引线端。涂黑二端是电源输入激励端，另外二端是输出端。接线时，电源输入激励端与输出端千万不能颠倒，否则霍尔元件就损坏。实验器材（设备、元器件）： 主机箱中的2V10V（步进可调）直流稳压电源、15V直流稳压电源、电压表；霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、测微头。实验步骤及内容：1、调节测微头的微分筒(0.01mm/每小格)，使微分筒的0刻度线对准轴套的10mm 刻度线。按图83示意图安装、接线，将主机箱上的电压表量程切换开关打到2V档，2V10V（步进可调）直流稳压电源调节到4V档。2、检查接线无误后，开启主机箱电源，松开安装测微头的紧固螺钉，移动测微头的安装套，使

14、传感器的PCB板（霍尔元件）处在两园形磁钢的中点位置(目测)时，拧紧紧固螺钉。再调节RW1使电压表显示。图83 霍尔传感器(直流激励)位移实验接线示意图3、测位移使用测微头时，当来回调节微分筒使测杆产生位移的过程中本身存在机械回程差，为消除这种机械回差可用单行程位移方法实验：顺时针调节测微头的微分筒3周，记录电压表读数作为位移起点。以后，反方向(逆时针方向) 调节测微头的微分筒(0.01mm/每小格)，每隔X=0.25mm(总位移可取34mm)从电压表上读出输出电压Vo值，将读数填入表8(这样可以消除测微头的机械回差)。4、根据表8数据作出实验曲线，实验完毕，关闭电源。实验数据及结果分析：X

15、:位移量。V1：第一次实验测到的输出电压值。V2：第二次实验测到的输出电压值。实验数据如下：表8 ：霍尔传感器(直流激励)位移实验数据表（V1,V2）x=13mm-7mm x=0.25mmX（mm）7.5007.7508.0008.2508.5008.7509.0009.2509.5009.750V1（mV）-1.609-1.428-1.258-1.089-0.922-0.759-0.599-0.447-0.293-0.142V2（mV）-1.601-1.418-1.249-1.089-0.914-0.752-0.596-0.438-0.288-0.136X（mm）10.00010.25010.50010.75011.00011.25011.50011.75012.00012.250V1（mV）0.0070.1580.3080.4620.6130.7710.9271.0921.2551.430V2（mV）0.0120.1640.3140.4660.