项目六、单向晶闸管调光电路.docx
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1、项目六、单向晶闸管调光电路江苏省张家港其次职业高级中学实习备课记录 总第课时 实习课题 单向晶闸管调光电路 教学课时 40 课时教学目标 通过本项目的学习,驾驭两个器件和一个电路,进一步提高电子电路的安装、调试和检测水平;进一步熟识示波器的运用。理论要求 1、熟识单结晶体管和晶闸管的结构、符号,驾驭它们的特性分析和在电路中的 连接。2、驾驭单结晶体管触发电路的组成、工作原理和基本分析方法 实践要求 1、提高元器件的安装和焊接水平,进一步娴熟示波器的运用 2、学会单结晶体管和晶闸管的检测 3、学会单向晶闸管调光电路的安装、调试和检测 教学程序 教学仪器 电铬铁、尖镊子、电子剪、尖嘴钳、万用表、示
2、波器、多媒体演示台 理论内容 一、单向晶闸管 1结构 (1)外形结构图 16-1-1 晶闸管的照片(2)内部结构和符号 晶闸管有三个电极,阳极 A、阴极 K 和限制极 G,图 16-1-2 为晶闸管的符号和内部结构。晶闸管由 PNPN 四层半导体构成,中间形成三个 PN 结:J 1 、J 2 、J 3 。,用铝片和钼片作为衬底。图 16-1-2晶闸管的内部结构示意图及电路符号2特性 (1)伏安特性(2)单向可控导电性 晶闸管的导通条件为:在晶闸管的阳极和阴极之间加上肯定大小的正向电压;在限制极和阴极之间加上正向触发电压。晶闸管的关断条件为:阳极电压降到足够小或反向,以使阳极电流降到HI(晶闸管
3、的最小维持电流)以下。注:满意以上两个条件,晶闸管才能由阻断变为导通,但晶闸管一旦触发导通后,限制极就失去了限制作用,这时只有满意关断条件才能由导通变阻断,否则始终处于导通状态。(3)试验验证晶闸管特性 I (A)V (V)I HI G 0OI GUBOU BRU TABC增大正向特性反向特性断态通态 图-1-7晶闸管的伏安特性 阳极阴极 限制极硅片铝片钼片P 1N 1P 2N 2J 3J 1J 2KGA GKAHLRPEGAHLRPEKGKUGAHLRPEKGKUGKAHLRPE GKAHLRPE(a) (b)(c)(d) (e) 图 16-1-3晶闸管的试验 第一步:按图 16-1-3(a
4、)接线,晶闸管不导通,指示灯不亮。其次步:见图 16-1-3(b),在晶闸管的栅极阴极间加触发电压 U GK ,晶闸管导通,指示灯亮。第三步:按图 16-1-3(c)接线,去掉触发电压,晶闸管仍导通,指示灯亮。第四步:按图 16-1-3(d)接线,去掉触发电压,将电位器阻值加大,晶闸管电流减小,当电流减小到肯定值时,晶闸管关断,指示灯熄灭。第五步:按图 16-1-3(e)接线,去掉触发电压,将电源极性反接,晶闸管关断,指示灯熄灭。3主要参数 (1)电压定额 正向转折电压BOU ;阻断态重复峰值电压(正向阻断峰值电压)DRMU ;反向转折电压(反向击穿电压)BRU ;反向重复峰值电压(反向阻断峰
5、值电压)RRMU; 额定电压DU; 额定电压DU 通常把DRMU 和RRMU 中较小的一个;正向平均电压FU ,又称管压降,一般在 0.6V1.2V 范围内;其中:V 100BO DRM- =U UV 100R B RRM- =U U注:选用晶闸管时,额定电压应为正常工作峰值电压的 23 倍,以避开瞬时过电压损坏晶闸管。管压降与正向平均电流的乘积就是正向损耗,它是造成元件发热的主要缘由。(2)电流定额 额定正向平均电流FI 在额定环境温度及标准散热条件下,允许通过工频正弦半波电流的平均值。当散热条件较差、环境温度较高和器件导通角较小时,所允许的电流要降低。一般FI 为正常工作平均电流的 1.5
6、2 倍。擎住电流LaI 由断态到通态的临界电流。维持电流HI 是指由通态到断态的最小电流。浪涌电流FSMI 指允许电流过载值。(3)限制极定额 限制极触发电压GU 、电流GI 一般GU 为 15V,GI 为几十到几百毫安,为保证牢靠触发,实际值应大于额定值。限制极反向电压 按规定,限制极所加反向电压不得超过 10V,以免损坏晶闸管。4检测方法 (1)判别各电极 通过用万用表 R×100Ω或 R×1k 档测量一般晶闸管各引脚之间的电阻值,即能确定三个电极。详细方法是:将万用表黑表笔任接晶闸管某一极,红表笔依次去触碰另外两个电极。若测量结果有一次阻值为几千欧姆(
7、kΩ),而另一次阻值为几百欧姆(Ω),则可判定黑表笔接的是门极 G。在阻值为几百欧姆的测量中,红表笔接的是阴极K,而在阻值为几千欧姆的那次测量中,红表笔接的是阳极 A,若两次测出的阻值均很大,则说明黑表笔接的不是门极 G,应用同样方法改测其它电极,直到找出三个电极为止 (2)推断好坏 用万用表 R×1k 档测量一般晶体管阳极 A 与阴极 K 之间的正、反向电阻,正常时均应为无穷大(∞)若测得 A、K 之间的正、反向电阻值为零或阻值较小,则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。测量门极 G 与阴极 K 之间的正、反向电阻值,正常时应有类似二极管的正、反向电
8、阻值(实际测量结果较一般二极管的正、反向电阻值小一些),即正向电阻值较小(小于 2 kΩ),反向电阻值较大(大于 80 kΩ)。若两次测量的电阻值均很大或均很小,则说明该晶闸管 G、K 极之间开路或短路。若正、反电阻值均相等或接近,则说明该晶闸管已失效,其 G、K 极间 PN 结已失去单向导电作用。测量阳极 A 与门极 G 之间的正、反向电阻,正常时两个阻值均应为几百千欧姆(kΩ)或无穷大,若出现正、反向电阻值不一样(有类似二极管的单向导电),则是 G、A 极之间反向串联的两个 PN 结中的一个已击穿短路。(3)触发实力检测 对于小功率(工作电流为 5A 以
9、下)的一般晶闸管,可用万用表 R×1 档测量。测量时黑表笔接阳极 A,红表笔接阴极 K,此时表针不动,显示阻值为无穷大(∞)。用镊子或导线将晶闸管的阳极 A 与门极短路,相当于给 G 极加上正向触发电压,此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆(详细阻值依据晶闸管的型号不同会有所差异),则表明晶闸管因正向触发而导通。再断开 A 极与 G 极的连接(A、K 极上的表笔不动,只将 G 极的触发电压断掉),若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动,则说明此晶闸管的触发性能良好。二、单结晶体管 1结构、符号及等效电路(1)结构 单结晶体管有三个极:第一基极 B1、其次基极 B2、放射
10、极 E,内部结构如图所示,内部只有一个 PN 结。 单结晶体管内部结构示意图 (2)符号(3)等效电路 2特性 (1)伏安特性 在基极电源电压 U BB 肯定时,单结管的电压电流特性可用放射极电流 I E 和放射极与第一基极 B 1 之间的电压 U BE1 的 关系曲线来表示,该曲线又称单结管伏安特性,如下图所示单结晶体管伏安特性曲线单结晶体管等效电路 (2)三个区域 截止区:截止区对应曲线中的起始段(OP)。此段 U E <U D +U A, 电流微小,E和 B 1 两电极间呈现高阻。负阻区:负阻区对应曲线中的 PV 段。当 U E >U D +U A 后,等效二极管导通,使 R
11、 B1 快速减小,增大;又进一步促使 R B1 减小。从 E、B 1 两端看,U E随 的增大而减小,即具有负阻特性,这是单结管特有的。饱和区:饱和区对应曲线中的 V 点以后段,过 V 点后再接着增大,R B1 将变大,单结管进入饱和导通状态,又呈现正阻特性,与二极管正向特性相像。(3)三个区域的分界点 P、V(分别称为峰点和谷点)。U P 、I P 分别称为峰点电压和峰点电流;U V 、I V 分别称为谷点电压和谷点电流。其中式中 称单结管分压比,一般为 0.50.8。上式表明峰点电压随基极电压变更而变更,好用中应留意这一点。(4)特点 当放射极电压等于峰点电压 U P 时,单结管导通。导通
12、之后,当放射电压减小到 u E <U V 时,管子由导通变为截止。一般单结管的谷点电压在 25V。 单结管的放射极与第一基极之间的 R B1 是一个阻值随放射极电流增大而变小的电阻,R B2 则是一个与放射极电流无关的电阻。 不同的单结管有不同的 U P 和 U V 。同一个单结管,若电源电压 U BB 不同,它的 U P 和 U V 也有所不同。在触发电路中常选用 U V 低一些或 I V 大一些的单结管 3检测方法 推断单结晶体管放射极 E 的方法是:把万用表置于 R*100 挡或 R*1K 挡,黑表笔接假设的放射极,红表笔接另外两极,当出现两次低电阻时,黑表笔接的就是单结晶体管的放
13、射极。单结晶体管 B1 和 B2 的推断方法是:把万用表置于 R*100 挡或 R*1K 挡,用黑表笔接放射极,红表笔分别接另外两极,两次测量中,电阻大的一次,红表笔接的就是 B1 极。一、 单结晶体管振荡电路 单结晶体管振荡电路能产生一系列脉冲信号,用来触发晶闸管。B BBB BBA A D PU UR RRV U U U h =+= + =2 112 21B BBR RR+= h1电路图 2波形图和工作原理 (1)波形图:(2)工作原理 当合上开关 S 后,电源通过 R 1 、R 2 加到单结管的两个基极上,同时又通过R、RP 向电容器 C 充电,u C 按指数规律上升。在 u C (u
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- 项目 单向 晶闸管 调光 电路
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