最新电大《光伏电池原理与工艺》形考作业任务01-04网考试题及答案.docx

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1、最新电大光伏电池原理与工艺形考作业任务01-04网考试题及答案最新电大光伏电池原理与工艺形考作业任务01-04网考试题及答案 100%通过 考试说明：光伏电池原理与工艺形考共有4个任务。任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中多次抽取试卷，直到出现01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷，就可以根据该套试卷答案答题。做考题时，利用本文档中的查找工具，把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内，就可快速查找到该题答案。本文库还有其他教学考一体化答案，敬请查看。 01任务 01任务_0001 一、单项选择题（共10道试题，共20分。） 1.轨道杂化

2、，是共价（）结构晶体的一个共同特点。 A.四面体 B.五面体 C.六面体 D.多面体 2.色心属于（）。A.点缺陷 B.线缺陷 C.面缺陷 D.体缺陷 3.布喇菲格子的特点是每个格点四周的环境都（）。A.相同 B.不同 C.部分相同 D.部分不同 4.（）层位于对流层之外，属太阳大气层中的最底层或最里层。A.光球 B.色球 C.日冕 D.针状体 5.若原子脱离格点后，形成填隙原子，这样的热缺陷称为（）缺陷。A.弗仑克尔 B.肖特基 C.组成 D.以上皆不是 6.在固体物理学中，只考虑晶格的周期性，选取（）的重复单元作为固体物理学原胞，简称原胞。A.最大 B.最小 C.中间 D.以上皆不是 7.

3、晶胞（）是体积最小的重复单元，结点一般不仅在顶点，而且可以在体心、面心上。A.肯定 B.肯定不 C.不肯定 D.以上皆不是 8.当杂质原子取代基质原子占据晶格的格点位置时，形成（）杂质。A.替位式 B.间隙式 C.组成式 D.以上皆不是 9.太阳常数的参考值为Isc=（）7W/m2。A.1357 B.1367 C.1377 D.1387 10.非晶硅有两个致命缺点。一是工作性能不稳定，寿命短。二是它的光电转化效率比晶体硅太阳电池（）。A.高 B.低 C.一样 D.未知 二、多项选择题（共10道试题，共30分。） 1.依据晶体缺陷在空间延长的线度，晶体缺陷可分为（）。A.点缺陷 B.线缺陷 C.

4、面缺陷 D.体缺陷 2.以下（）地区属于我国太阳能热能资源分布三类地区。A.山西北部 B.山东 C.河南 D.吉林 3.弗仑克尔缺陷的特点有（）。A.空位和填隙原子成对地产生 B.空位和填隙原子数目相等 C.肯定的温度下，缺陷的产生和复合过程达到平衡 D.肯定的温度下，晶体内部的空位和表面上的原子处于平衡 4.并网光伏供电系统的组成结构主要有（）。A.太阳电池阵列 B.限制器 C.蓄电池 D.逆变器 E.沟通负载 5.地球太阳能资源丰富程度最低地区有（）。A.北非 B.加拿大 C.西北欧洲 D.中美洲 6.立方晶系的下列（）面是完全等价的。A.（100） B.（010） C.（001） D.1

5、00 7.太阳从中心向外可分为（）。A.核反应区 B.辐射区 C.对流区 D.太阳大气 8.点缺陷对材料性能的影响有（）。A.提高材料的电阻 B.加快原子的扩散迁移 C.形成其他晶体缺陷 D.变更材料的力学性能 9.我国（）等西部地区光照资源尤为丰富。A.青藏高原 B.内蒙古 C.宁夏 D.陕西 10.地球太阳能资源丰富程度最高地区有（）。A.印度 B.巴基斯坦 C.澳大利亚 D.中国 三、推断题（共10道试题，共20分。） 1.点缺陷的特点：在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子。A.错误 B.正确 2.一般而言，晶体在同一方向上具有相同的周期性，而不同方向上具有不同周期性。

6、A.错误 B.正确 3.在倒格子中，以某一倒格点为原点，离原点最近的多面体称为第一布里渊区。A.错误 B.正确 4.电子在原子之间的转移不是随意的，电子只能在能量相同的轨道之间发生转移。A.错误 B.正确 5.对于原胞，结点只出现在顶点上。A.错误 B.正确 6.大气层的影响不仅与太阳光的入射方向有关，而且还与大气中汲取、散射、反射太阳辐射的物质有关。A.错误 B.正确 7.当天空晴朗，太阳在头顶直射且阳光在大气中经过的光程最短时，到达地球表面的太阳辐射最强。A.错误 B.正确 8.每个正格子都有一个倒格子与之相对应。A.错误 B.正确 9.依据各地接受太阳总辐射量的多少，可将我国划分为五类地

7、区。A.错误 B.正确 10.太阳常数的常用单位为W/m2。A.错误 B.正确 四、连线题（共10道试题，共30分。） 1. 将下列我国太阳电池发展历程一一对应。（1）1958年A.我国起先研制太阳电池 （2）1971年B.我国放射的其次颗人造卫星科学试验卫星实践一号上首次应用太阳电池 （3）1979年C.我国起先利用半导体工业废次硅材料生产单晶硅太阳电池 （1）-A、（2）-B、（3）-C 2. 将下列事务与时间关系等一一对应。（1）1839年A.法国物理学家A.E.Becqueral第一次在试验室中发觉液体的光生伏特效应 （2）1877年B.制作了第一片硒太阳电池 （3）1954C.贝尔试

8、验室Chapin等人开发出第一块好用的效率为6的单晶硅光电池 （1）-A、（2）-B、（3）-C 3. 将下列晶体缺陷与特征一一对应。（1）点缺陷A.在一维尺寸小，在另二维尺寸大，可被光学显微镜视察到 （2）线缺陷B.在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电镜视察到 （3）面缺陷C.在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子 （1）-C、（2）-B、（3）-A 4. 将下列定义与公式一一对应。（1）太阳高度角A. （2）太阳方位角B. （3）太阳入射角C. （1）-C、（2）-A、（3）-B 5. 将下列太阳大气结构与名称一一对应。（1）光球A.最外层 （2）色球B.中层 （3）日冕C

9、.最底层 （1）-C、（2）-B、（3）-A 6. 将下列地球太阳能资源分布状况与地区一一对应。（1）丰富程度最高地区A.中国 （2）丰富程度中高地区B.印度 （3）丰富程度中低地区C.日本 （1）-B、（2）-A、（3）-C 7. 将下列世界气候带一一对应。（1）赤道带A.纬度10回来线（23.5） （2）热带B.回来线至极圈（23.566.5） （3）温带C.南北纬10以内 （1）-C、（2）-A、（3）-B 8. 将下列省份地区与太阳能资源分布状况一一对应。（1）山东A.二类 （2）江西B.三类 （3）宁夏南部C.四类 （1）-B、（2）-C、（3）-A 9. 将下列晶胞所含原子个数的计

10、算方法一一对应。（1）顶点的原子A.同时为2个晶胞所共有 （2）棱上的原子B.同时为4个晶胞所共有 （3）面心的原子C.同时为8个晶胞所共有 （1）-C、（2）-B、（3）-A 10. 将下列概念与意义一一对应。（1）太阳常数A.描述大气层上的太阳辐射强度 （2）太阳光谱B.太阳放射的电磁辐射在大气顶上随波长的分布 （3）大气光学质量C.太阳光线穿过地球大气的路径与太阳光线在天顶角方向时穿过大气路径之比 （1）-A、（2）-B、（3）-C 02任务 02任务_0001 一、单项选择题（共10道试题，共20分。） 1.以下（）为价带的有效状态密度计算公式。A. B. C. D. 2.下列哪项不属

11、于配位数的可能值（）。A.12 B.9 C.8 D.6 3.自然界的晶体结构只有（）种。A.200 B.210 C.220 D.230 4.空间点阵可分为（）晶系。A.四种 B.五种 C.六种 D.七种 5.PN结中的总的电子电流计算公式为（）。A. B. C. D. 6.在PN结中施主掺杂浓度为，受主掺杂浓度为，在300K时Si突变结的接触电势差VD为（） A.0.736V B.0.976V C.0.686V D.0.876V 7.300K时，在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体，欲使得锗中的费米能级低于导带底能量0.15eV，施主掺杂浓度ND为（）。A. B. C. D. 8.在下列公

12、式中计算本征半导体费米能级的是（） A. B. C. D. 9.体心立方积累空间利用率为（）。A.68% B.67% C.66% D.65% 10.空穴的漂移电流为（）。A. B. C. D. 二、多项选择题（共10道试题，共30分。） 1.晶体结合的基本形式可分为（） A.高子键合 B.金属键合 C.共价键合 D.分子键合 2.点缺陷对材料造成的影响有（）。A.提高材料的电阻 B.加快原子的扩散迁移 C.形成其它晶体缺陷 D.变更材料的力学性能 3.本征半导体电子浓度和空穴浓度是（） A.电子浓度>空穴浓度 B.相等的 C.电子浓度<空穴浓度 D.费米能级通常在带隙中心旁边 4.

13、平衡PN结其扩散电流与漂移电流（） A.大小相等 B.大小不等 C.方向相反 D.方向一样 5.PN结在光照作用下发生的改变是（） A.产生电子和空穴对数 B.电子和空穴对在内建电场作用下产生漂移运动 C.形成光照电流 D.光能转化为电能的光电效应 6.正格子原胞体积与倒格子原胞体积互为倒数，表达正确的是（） A. B. C. D. 7.以下对弗仑克尔缺陷的特点描述正确的是（）。A.空位和填隙原子成对产生 B.只留下空位，而没有填隙原子 C.空位和填隙原子数目相等 D.在肯定温度下，缺陷的产生和复合过程达到平衡 8.P型半导体是在本征半导体中掺入受主杂质在扩散作用下形成的，其特征为（） A.多

14、数载流子是空穴 B.少数载流子是电子 C.费米能级在价带顶之上 D.费米能级的位置在本征费米能级之下 9.晶体缺陷根据缺陷的几何形态和涉及的范围可以分为（）。A.点缺陷 B.线缺陷 C.面缺陷 D.体缺陷 10.以下对半导体性能描述正确的是（） A.N型半导体电子浓度远大于空穴浓度 B.P型半导体电子浓度远大于空穴浓度 C.半导体的导电性能跟施主杂质浓度有关 D.半导体的导电性能跟受主的杂质浓度无关 三、推断题（共10道试题，共20分。） 1.晶体在不同方向上具有相同的周期性。A.错误 B.正确 2.在熔化过程中，晶体的长程序解体时对应着肯定的熔点，非晶体也有固定的熔点。A.错误 B.正确 3

15、.组成缺陷包括替位式杂质原子和填隙式杂质原子。A.错误 B.正确 4.对于肯定的晶格，结点所占的体积是肯定的，面间距大的晶面上，格点的面密度小。A.错误 B.正确 5.非晶体内部的原子、分子排列整齐，有周期性规律。A.错误 B.正确 6.晶体缺陷是固体物理中的重要探讨领域。A.错误 B.正确 7.在不同的带轴方向上，晶体中原子排列状况不同，晶体性质也不同。A.错误 B.正确 8.在晶体中，位于晶格点阵上的原子是静止不动的。A.错误 B.正确 9.晶体内的位错滑移是使临界切应力大为减小的主要缘由。A.错误 B.正确 10.对于结构相同的晶体，滑移方向和滑移面通常不相同。A.错误 B.正确 四、连

16、线题（共10道试题，共30分。） 1. 依据均摊法，将晶胞中处于不同位置上的原子与晶胞所含原子个数的计算方法一一对应。（1）处于顶点的原子A.每个原子有1/4属于该晶胞 （2）处于棱上的原子B.每个原子有1/8属于该晶胞 （3）处于面心的原子C.每个原子有1/2属于该晶胞 （1）-B、（2）-A、（3）-C 2. 将晶体金属中原子积累方式一一对应。（1）六方密积累A.铜型积累 （2）面心立方密积累B.钾型积累 （3）体心立方积累C.镁型积累 （1）-C、（2）-A、（3）-B 3. P型半导体的费米能级随受主杂质浓度的增加而改变，依据改变图将以下符号表达的意义一一对应。（1）EcA.费米能级

17、（2）EvB.价带顶能量 （3）EfC.导带底能量 （1）-C、（2）-B、（3）-A 4. 将下列不同半导体的费米能级求解公式一一对应。（1）本征半导体费米能级A. （2）N型半导体费米能级B. （3）P型半导体费米能级C. （1）-A、（2）-B、（3）-C 5. 将下列定义与其计算公式一一对应 （1）导带的有效状态密度A. （2）导带中电子浓度B. （3）价带中空穴浓度C. （1）-A、（2）-C、（3）-B 6. 将下列关于晶体结构的描述一一对应。（1）晶棱A.相互平行的晶棱的共同方向 （2）晶带B.晶面的交线 （3）晶带带轴C.晶棱相互平行的晶面的组合 （1）-B、（2）-C、（3）

18、-A 7. 将以下物质室温下的本征载流子浓度一一对应。（1）SiA. （2）GaAsB. （3）GeC. （1）-A、（2）-B、（3）-C 8. 同一品种的晶体，两个对应晶面间的夹角恒定不变。将石英晶体的各面间夹角状况一一对应。（1）a、bA.14147 （2）a、cB.12000 （3）b、cC.11308 （1）-A、（2）-C、（3）-B 9. 对称操作过程中保持不变的几何要素称为对称元素，将以下对称元素的定义一一对应。（1）点A.旋转轴 （2）线B.反演中心。（3）面C.反映面 （1）-B、（2）-A、（3）-C 10.将下列晶体缺陷类型与描述一一对应。（1）点缺陷A.在一维尺寸小，

19、在另二维尺寸大,可被光学显微镜视察到。（2）线缺陷B.在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电镜视察到 （3）面缺陷C.在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子 （1）-C、（2）-B、（3）-A 03任务 03任务_0001 一、单项选择题（共10道试题，共20分。） 1.太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其中光谱辐照度为（）。A.500W/ B.1000W/ C.1500W/ D.2000W/ 2.悬浮区熔方法制备的区熔单晶硅，纯度（）,电学性能（）。A.高匀称 B.高不匀称 C.低匀称 D.低不匀称 3.内圆切割机切片的速度（），硅材料的损耗很（），效率

20、（），切片后硅片的表面损伤大。A.慢大低 B.慢小低 C.快大高 D.快小高 4.太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其中电池温度为（）。A.15 B.20 C.25 D.30 5.常规电池的厚度（），开路电压及填充因子（）。A.减小下降 B.减小上升 C.减小不变 D.增加不变 6.目前的拉晶工艺几乎都采纳平放肩工艺,肩部形成一个近（）的夹角。A.30 B.45 C.90 D.180 7.粒子（）差别的存在是产生扩散运动的必要条件。A.浓度 B.大小 C.颜色 D.重量 8.电池烧结前先对电极进行（），之后再进行烧结。A.氧化 B.加热 C.烘干 D.铜化 9.常规硅太

21、阳电池工艺中,形成电池PN结的主要方法是（）。A.扩散法 B.离子注入法 C.合金法 D.分别法 10.硅片清洗必需根据的次序清洗，才能除去硅片表面的油脂、蜡等有机物。A.甲苯-丙酮-酒精-水 B.丙酮-甲苯-酒精-水 C.水-甲苯-丙酮-酒精 D.水-丙酮-甲苯-酒精 二、多项选择题（共10道试题，共30分。） 1.太阳电池的光电转换效率哪些因素有关（）。A.结构 B.材料性质 C.工作温度 D.环境改变 2.太阳电池的测试方法包括（）。A.阳极氧化法测结深 B.四探针法测薄层电阻 C.少子寿命的测试 D.太阳电池负载特性的测试 3.制备背电场电池较常用的方法还有硼扩散法，硼扩散法的优点是（

22、）。A.安排系数比铝大 B.结匀称 C.电极牢度好 D.所需温度低 4.固态氮化硼扩散与液态硼扩散比较，其有如下的特点（）。A.设备困难、操作麻烦 B.扩散效率高，更适于大批量生产 C.扩散后硅片的匀称性、重复性和表面质量都较好 D.产品的合格率较高 5.多晶硅绒面制备时采纳的酸腐蚀液主要由（）组成。A.HN03 B.HF C.H20 D.CH3CH2OH 6.硅材料的选料主要包括（）。A.导电类型 B.电阻率 C.晶向、位错、寿命 D.形态、尺寸、厚度 7.离子注入法具有的特点主要有（）。A.精确的剂量限制 B.匀称性好 C.掺杂深度小 D.不受固溶度限制 8.常用的酸性腐蚀液配方中硝酸与氢

23、氟酸与醋酸之比为（）。A.6:3:3 B.5:3:3 C.5:1:1 D.6:1:1 9.单晶硅锭的两种常见生产工艺有（）。A.浇铸法 B.直拉法 C.直熔法 D.区熔法 10.碱腐蚀法的酸腐蚀法对比，其优点是（）。A.成本较低 B.对环境的污染小 C.外观平整 D.光亮度高 三、推断题（共10道试题，共20分。） 1.水汽氧化是平面工艺最常用的方法。A.错误 B.正确 2.制作背场可以较大地改善太阳电池的性能。A.错误 B.正确 3.串、并联电阻对填充因子的影响微小，可以忽视不计。A.错误 B.正确 4.利用区熔单晶硅制备的太阳电池的光电转换效率高，且生产成本低，应用广泛。A.错误 B.正确

24、 5.晶面间的共价键密度越低，则该晶面越简单被腐蚀。A.错误 B.正确 6.光伏电池具有对称的电子学结构。A.错误 B.正确 7.光伏电池可以用于微波中继站电源供应，作为无线电通讯系统电源。A.错误 B.正确 8.多晶硅一般采纳碱溶液对进行表面腐蚀制绒。A.错误 B.正确 9.硅片进行表面腐蚀，其作用是去除表面的切片机械损伤。A.错误 B.正确 10.常规硅太阳电池工艺中,形成电池PN结的主要方法是合金法。A.错误 B.正确 四、连线题（共10道试题，共30分。） 1.提高硅太阳电池效率的几种途径，请匹配。（1）紫光电池A采纳0.10.15m浅结和30条/cm精细密栅 （2）M1S电池B在金属

25、和半导体之间加入15一30nm绝缘层 （3）聚光电池C电池面积小，低成本 （1）-A（2）-B（3）-C 2.硅片表面污染的杂质可分类为。（1）分子型杂质AK+,Na+,Ca2+,F-,CL-,CO32 （2）离子型杂质B油脂、腊、松香 （3）原子型杂质C金、铂、铜、铁 （1）-B（2）-A（3）-C 3.太阳电池组件的测量必需在标准条件下进行，测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其条件是。（1）光谱辐照度A25 （2）光谱B1000W/ （3）电池温度CAM1.5 （1）-B（2）-C（3）-A 4.硅片的一般清洗依次是，请按步骤一一匹配。（1）有机溶剂去油A热王水或I号、号清洗液

26、（2）去除残留的有机和无机杂质B热的浓硫酸 （3）清洗液彻底清洗C甲苯 （1）-C（2）-B（3）-A 5.将下列常用几种氧化方法一一匹配。（1）水汽氧化法A生长速率最慢，生成的二氧化硅薄膜结构致密、匀称性好 （2）干氧氧化法B生长速率介于两者之间,钝化效果不好，进一步降低体寿命 （3）湿氧氧化法C生长速率最快，生长的二氧化硅层结构疏松，表面有斑点 （1）-C（2）-A（3）-B 6.将下列概念与意义作用一一匹配。（1）腐蚀A降低了表面反射提高光生载流子的收集 （2）扩散B由热运动所引起的杂质原子和基体原子的输运过程 （3）绒面C去除表面的切片机械损伤 （1）-C（2）-B（3）-A 7.太阳

27、电池的等效电路中，暗电流表达式 式中各项分别指代。（1）-C（2）-A、（3）-B （1）UA电子电量 （2）QB二极管曲线因子，取值在12之间 （3）AC等效二极管的端电压 8.电池的总短路电流是全部光谱段贡献的总和，用表达式表示如下： 式中各项分别指代。（1）0A表面反射率 （2）R()B本征汲取波长限 （3）F()C太阳光谱中波长为ll+dl间隔内的光子数 （1）-B（2）-A（3）-C 9.将下列常用减反射膜一一匹配。（1）SiO膜A折射率在1.82.5，具有明显的表面钝化和体钝化作用 （2）TiO2膜B折射率为1.81.9，是最常用的减反射膜材料 （3）Si3N4膜C折射率为2.02

28、.7，可得到比较志向的太阳电池减反射膜。（1）-B（2）-C（3）-A 10.将下列扩散源一一匹配。（1）液态源扩散A五氧化二磷 （2）涂布源扩散B硼酸三甲酯 （3）固态源扩散C氮化硼 （1）-B（2）-A（3）-C 04任务 04任务_0001 一、单项选择题（共10道试题，共20分。） 1.要提高微晶硅太阳电池性能，核心技术是（），可使光电转换效率超过20%。A.陷光技术 B.掺杂工艺 C.大面积匀称性技术 D.抗光致衰减技术 2.因转化率低，而且存在光致衰退，因此在太阳能发电市场多用于功率小的小型电子产品市场。如电子计算器、玩具等的太阳能电池是（）。A.单晶硅电池 B.多晶硅太阳电池 C

29、.铜铟镓硒太阳电池 D.非晶硅太阳电池 3.下列哪个不是染料敏化太阳电池（DSSC）的优点（） A.结构简洁 B.光电转换效率高 C.对环境无污染 D.成本低廉、易于制造 4.硅太阳电池地面应用倾向于采纳电阻率为()的材料，以获得高的转换效率。A.0.1至50cm B.10至200cm C.零点几至2cm D.小于0.01 5.目前产业化太阳电池中,所占比例最大的是（）。A.MIS光伏电池 B.硅基太阳电池 C.碲化镉太阳电池（a-Si） D.铜铟镓硒太阳电池 6.下列不是半导体异质结太阳电池的是（）。A.硫化亚铜-硫化镉太阳电池 B.碲化镉太阳电池 C.砷化镓太阳电池 D.非晶硅薄膜太阳电池

30、 7.目前，制备薄膜的主要方法中（）是一种高效、低成本、适合大面积生产的方法。A.化学沉积法 B.电沉积法（ED） C.喷涂法（SP） D.物理气相沉积法（PVD） 8.（）接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。A.半导体与半导体 B.金属与半导体 C.金属与金属 D.金属与绝缘体 9.单晶硅的生产工艺在太阳电池领域主要应用的是（）。A.浇铸法 B.直熔法 C.区熔法 D.直拉法 10.MIS光伏电池是什么结构()。A.金属-绝缘层-半导体结构 B.金属-绝缘层-金属结构 C.半导体-绝缘层-半导体结构 D.绝缘层-金属-半导体结构 二、多项选择题（共10道试题，共30分。） 1.多晶硅可采

31、纳哪种溶液对进行表面腐蚀制绒（）。A.NaOH B.HN03、HF、H20 C.KOH D.CH3CH2OH 2.MIS结构事实上是一个（）。A.金属-绝缘层-半导体 B.金属 C.电阻 D.电容 3.染料敏化太阳电池主要由组成（）。A.纳米多孔薄膜 B.染料敏化剂 C.电解质 D.对电极 4.铸造多晶硅主要的工艺有（）。A.直熔法 B.浇铸法 C.直拉法 D.区熔法 5.王水几乎能溶解全部不活泼金属如铜、银以及金、铂等。具有极强的（）。A.强碱性 B.氧化性 C.腐蚀性 D.强酸性 6.电池的优缺点有（）。A.可在不同的衬底上制作，特别适合于大规模自动化生产 B.电池生产成本低廉。C.效率低

32、，缺少硅电池那种固有的稳定性 D.系统其他部分的成本高 7.直拉单晶硅的制备工艺一般包括（）。A.晶硅的装料和熔化 B.种晶 C.引细颈、放肩、等径 D.收尾 8.铜铟镓硒薄膜太阳电池受到全世界广泛探讨的缘由是（）。A.性能稳定 B.成本低 C.抗辐射实力强 D.光电转换效率高 9.下面关于硅太阳电池的形态、尺寸、厚度，说法正确的是（）。A.125125mm2 B.156156mm2 C.基体厚度为200m左右 D.球形 10.硝酸(HNO3)不能溶解的有（）。A.金 B.铂 C.铜 D.铁 三、推断题（共10道试题，共20分。） 1.硅片清洗必需根据酒精-水-甲苯-丙酮的次序清洗，才能除去有

33、机物及有机溶剂分子。A.错误 B.正确 2.N型半导体样品，热端的空穴向冷端扩散，冷端带正电，热端带负电。A.错误 B.正确 3.金属-绝缘层-半导体(MIS)结构事实上是一个电容。A.错误 B.正确 4.非晶硅薄膜太阳电池一般被设计成pin结构。A.错误 B.正确 5.II号清洗液是由去离子水、含量为30%的过氧化氢和含量为37%的浓盐酸混合而成。A.错误 B.正确 6.太阳电池工艺成本低，大面积匀称性好，可以自动化生产。A.错误 B.正确 7.用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。A.错误 B.正确 8.多晶硅一般采纳酸溶液对进行表面腐蚀制绒。A.错误 B.正确 9.非晶硅薄膜太

34、阳电池可以制备在玻璃、不锈钢、陶瓷等衬底上。A.错误 B.正确 10.微晶硅同非晶硅一样，都是间接汲取，具有低汲取系数。A.错误 B.正确 四、连线题（共10道试题，共30分。） 1.将下列太阳电池尺寸一一对应。（1）单晶硅片的厚度A125125mm2 (2)硅太阳电池的尺寸B700mm700mm300mm (3)多晶硅铸锭的尺寸C200300m （1）-C（2）-A（3）-B 2.将下列溶剂名称一一对应。（1）王水A有机溶剂 (2)硝酸B混合溶剂 (3)甲苯C无机溶剂 （1）-B（2）-C（3）-A 3.将下列太阳电池与其关键词一一对应。（1）非晶硅A陷光效应 (2)微晶硅B光致衰减效应 (

35、3)铜铟镓硒C敏感的元素配比 （1）-B（2）-A（3）-C 4.将下列生产工艺与主要特点一一对应。(1)区熔单晶硅A利用高频感应线圈和协助线圈加热多晶硅棒 (2)直拉单晶硅的制备工艺B每一炉须要消耗一支坩埚 (3)直熔法生长的铸造多晶硅C有种晶、引细颈、放肩过程 （1）-A（2）-C（3）-B 5.I号清洗液是由去离子水、含量为30%的过氧化氢和含量为25%的浓氨水混合而成体积所占比例对应为。（1）去离子水A5/8 (2)过氧化氢B2/8 (3)氨水C1/8 （1）-A（2）-B（3）-C 6.将下列太阳电池与研制年份一一对应。（1）同质结GaAs太阳电池A1973年 (2)染料敏化太阳电池

36、B1956年 (3)GaAs三层结构异质结太阳电池C1991年 （1）-B（2）-C（3）-A 7.将下列太阳电池与其缺陷一一对应。（1）铜铟镓硒A效率低，稳定性差 (2)非晶硅B严峻的光致衰减效应 (3)C困难结构和敏感的元素配比， （1）-C（2）-B（3）-A 8.将下列太阳电池概念一一对应。（1）第一代电池A聚光电池 (2)其次代电池B单晶硅太阳电池 (3)第三代电池C非晶硅薄膜太阳电池 （1）-B（2）-C（3）-A 9.将下列等效状况一一对应。（1）欧姆接触A等效电容 (2)金属-绝缘层-半导体结构B等效为一个带正电荷的电子 (3)空穴C等效成一个小电阻 （1）-C（2）-A（3）-B 10.单晶硅的制绒工艺困难，请将以下工艺时间一一对应。（1）腐蚀时间A1020min。(2)加无水乙醇的间隔B4060mim (3)用HF溶液浸泡C35min （1）-B（2）-A（3）-C