XXXX年中国及海外太阳能光伏产业发展报告2810.docx
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1、 20011年中国国及海外外太阳能能光伏产产业发展报告告目 录第一章太阳能能光伏简简介- 44 -第一节 太阳能能简介- 44 -一、什么么是太阳阳能- 44 -二、太阳阳能光热热转换- 44 -三、太阳阳能光电电转换- 55 -第二节 太阳能能光伏简简介- 55 -一、太阳阳能光伏伏概况- 55 -二、太阳阳能电池池的原理理- 66 -三、太阳阳能电池池的分类类- 77 -四、太阳阳能光伏伏系统分分类- 99 -五、太阳阳能光伏伏系统设设备- 110 -第三节 太阳能能的利弊弊分析- 111 -第二章 世界光光伏市场场概况- 112 -第一节 光伏产产业背景景- 112 -第二节 世界光光伏
2、市场场- 112 -一、历史史概况- 112 -二、世界界各国中中长期规规划- 113 -三、世界界各国光光伏发展展政策- 114 -第三节 世界各各国光伏伏市场分分析- 115 -一、德国国光伏市市场回顾顾与展望望- 115 -二、美国国光伏市市场回顾顾与展望望- 116 -三、意大大利光伏伏市场回回顾与展展望- 117 -四、日本本光伏市市场回顾顾与展望望- 117 -五、西班班牙市场场回顾与与展望- 118 -六、法国国光伏市市场回顾顾与展望望- 119 -七、韩国国光伏市市场回顾顾与展望望- 220 -八、希腊腊光伏市市场回顾顾与展望望- 220 -九、葡萄萄牙光伏伏市场回回顾与展展望
3、- 221 -第三章 光伏产产业链- 222 -第一节晶硅太太阳能电电池产业业链- 222 -一、产业业链构成成- 222 -二、 光光伏产业业价值链链分析- 222 -三、 全全球厂商商总体分分析- 223 -四、 光光伏产业业链各环环节目前前技术现现状- 224 -第二节 晶体硅硅原料- 224 -一、多晶晶硅产能能扩张后后等待需需求复苏苏- 224 -二、多晶晶硅生产产工艺- 225 -三、硅片片- 226 -第三节 电池、组件生生产- 227 -一、电池池分类- 227 -二、非晶晶硅薄膜膜太阳能能电池- 228 -三、晶硅硅电池与与薄膜电电池优缺缺点比较较- 228 -第四章 中国光
4、光伏市场场概况- 229 -第一节 中国太太阳能资资源- 229 -第二节 中国光光伏市场场回顾- 330 -第三节 中国光光伏市场场特点- 331 -一、生产产大国 消费小小国- 331 -二、两头头在外的的市场格格局- 332 -三、研发发和创新新能力薄薄弱- 333 -四、光伏伏发电成成本尚待待降低- 333 -五、政府府政策支支持- 333 -六、未来来市场发发展空间间巨大- 334 -第三节 中国光光伏产业业现状分分析- 335 -一、产业业链各环环节产值值分布- 335 -二、多晶晶硅产能能快速扩扩张- 335 -三、电池池片产量量占据全全球四成成- 336 -四、薄膜膜电池发发展
5、相对对缓慢- 337 -五、产业业链下游游优势明明显强于于上游- 338 -六、光伏伏设备行行业刚刚刚起步- 339 -七、中国国光伏产产业集聚聚区分析析- 441 -第五章 价值链链与投资资机会分分析- 442 -第一节 光伏行行业展望望与预测测- 442 -一、政策策是决定定光伏装装机的关关键因素素- 442 -二、中国国将成为为世界太太阳能重重要的发发动机- 442 -三、20011年年光伏市市场:恢恢复数量量性增长长- 442 -四、技术术进步替替代产能能扩张成成为关键键所在- 443 -五、组件件厂商竞竞争加剧剧,产能能略有过过剩- 444 -第二节 价值链链分析- 444 -一、利
6、润润从产业业链的上上游往下下游转移移- 444 -二、硅料料成本大大幅下降降,促使使太阳电电池成本本下行- 445 -三、光伏伏并网发发电投资资与运营营成本- 446 -第三节 未来投投资热点点- 447 -一、BIIPV光伏新新兴市场场- 447 -二、聚光光太阳能能(CPPV)将将成为未未来之星星- 447 -第一章 太阳能光光伏简介介第一节 太阳能能简介一、什么么是太阳阳能太阳能(SSolaar)是是太阳内内部连续续不断的的核聚变变反应过过程产生生的能量量,是各种种可再生生能源中中最重要要的基本本能源,也也是人类类可利用用的最丰丰富的能能源。太太阳每年年投射到到地面上上的辐射射能高达达1
7、.005110188 千瓦瓦时,相相当于11.31066 亿吨吨标准煤煤,大约约为全世世界目前前一年耗耗能的一一万多倍倍。按目目前太阳阳的质量量消耗速速率计,可可维持6610010 年年,可以以说它是是“取之之不尽,用用之不竭竭”的能能源。地球上的的风能、水能、海洋温温差能、波浪能能和生物物质能以以及部分分潮汐能能都是来来源于太太阳;即即使是地地球上的的化石燃燃料(如如煤、石石油、天然气气等)从从根本上上说也是是远古以以来贮存存下来的的太阳能能,所以以广义的的太阳能能所包括括的范围围非常大大,狭义义的太阳阳能则限限于太阳阳辐射能能的光热热、光电电和光化化学的直直接转换换。太阳阳能既是是一次能能
8、源,又又是可再再生能源源。它资资源丰富富,既可可免费使使用,又又无需运运输,对对环境无无任何污污染。太阳能的的利用主主要通过过光热热、光电、光光化学学、光生物质质等几种种转换方方式实现现。二、太阳阳能光热热转换 现代的太太阳能科科技可以以将阳光光聚合,并并运用其其能量产产生热水水、蒸汽汽和电力力。集热热式太阳阳能(SSolaar TTherrmall)。原原理是将将镜子反反射的太太阳光,聚聚焦在一一条叫接接收器的的玻璃管管上,而而该中空空的玻璃璃管可以以让油流流过。从从镜子反反映的太太阳光会会令管子子内的油油升温,产产生蒸气气,再由由蒸气推推动轮机发发电。除了运用用适当的的科技来来收集太太阳能
9、外外,建筑筑物亦可可利用太太阳的光光和热能能,方法法是在设设计时加加入合适适的装备备,例如如巨型的的向南窗窗户或使使用能吸吸收及慢慢慢释放放太阳热热力的建建筑材料料。在适适当地点点,太阳阳能的长长期使用用成本已已经接近近甚至低低于传统统的化石石燃料。 三、太阳阳能光电电转换光电转换换又称太太阳能光光伏。就就是利用用太阳电电池直接接将太阳阳光能转转化为电电能,而而太阳能能电池通通常是利利用半导导体器件件的光伏伏效应原原理进行行光电转转换,因因此太阳阳能发电电又称为为光伏发发电。太阳能板板是一种种暴露在在阳光下下便会产产生直流流电的发发电装置置,由几几乎全部部以半导导体物料料(例如如硅)制制成的薄
10、薄身固体体太阳能能电池组组成。由由于没有有活动的的部分,故故可以长长时间操操作而不不会导致致任何损损耗。简简单的光光伏电池池可为手手表及计计算机提提供能源源,较大大的光伏伏系统可可为房屋屋照明,并并为电网网供电。 太阳能板板可以制制成不同同形状,而而又可连连接,以以产生更更多电力力。近年年,天台台及建筑筑物表面面开始使使用光伏伏板组件件,被用用作窗户户、天窗窗或遮蔽蔽装置的的一部分分,这些些光伏设设施通常常被称为为附设于于建筑物物的光伏伏系统。 第二节 太阳能能光伏简简介一、太阳阳能光伏伏概况太阳能光光伏技术术(Phhotoovolltaiic)是是将太阳阳能转化化为电力力的技术术,其核核心是
11、可可释放电电子的半半导体物物质。最最常用的的半导体体材料是是硅。地地壳硅储储量丰富富,可以以说是取取之不尽尽、用之之不竭。太阳能能光伏电电池有两两层半导导体,一一层为正正极,一一层为负负极。阳阳光照射射在半导导体上时时,两极极交界处处产生电电流。阳阳光强度度越大,电电流就越越强。太太阳能光光伏系统统不仅只只在强烈烈阳光下下运作,在在阴天也也能发电电。其优优点有:燃料免免费、没没有会磨磨损、毁毁坏或需需替换的的活动部部件、保保持系统统运转仅仅需很少少的维护护、系统统为组件件,可在在任何地地方快速速安装、无噪声声、无有有害排放放和污染染气体等等。早在18839年年,法国国科学家家贝克雷雷尔(BBe
12、cqqureel)就就发现,光光照能使使半导体体材料的的不同部部位之间间产生电电位差。这种现现象后来来被称为为“光生生伏打效效应”,简简称“光光伏效应应”。119544年,美美国科学学家恰宾宾和皮尔尔松在美美国贝尔尔实验室室首次制制成了光光电转换换效率为为4.55%的单单晶硅太太阳电池池,诞生生了将太太阳光能能转换为为电能的的实用光光伏发电电技术。 此后太阳阳能光伏伏产业技技术水平平不断提提高,生生产规模模持续扩扩大。在在19990-220066 年这这十几年年里,全全球太阳阳能电池池产量增增长了550 多多倍。随随着全球球能源形形势趋紧紧,太阳阳能光伏伏发电作作为一种种可持续续的能源源替代方
13、方式,于于近年得得到迅速速发展,并并首先在在太阳能能资源丰丰富的国国家,如如德国和和日本,得得到了大大面积的的推广和和应用。在国际际市场和和国内政政策的拉拉动下,中中国的光光伏产业业逐渐兴兴起,并并迅速成成为后起起之秀,涌涌现了无无锡尚德德、常州州天合和和天威英英利等一一大批优优秀的光光伏企业业,带动动了上下下游企业业的发展展,中国国光伏发发电产业业链正在在形成。据欧洲光光伏工业业协会EEPIAA 预测测,太阳阳能光伏伏发电在在21世世纪会占占据世界界能源消消费的重重要席位位,不但但要替代代部分常常规能源源,而且且将成为为世界能能源供应应的主体体。预计计到20030年年,可再再生能源源在总能能
14、源结构构中将占占到300以上上,而太太阳能光光伏发电电在世界界总电力力供应中中的占比比也将达达到100以上上;到220400年,可可再生能能源将占占总能耗耗的500以上上,太阳阳能光伏伏发电将将占总电电力的220以以上;到到21世世纪末,可可再生能能源在能能源结构构中将占占到800以上上,太阳阳能发电电将占到到60以上。这些数数字足以以显示出出太阳能能光伏产产业的发发展前景景及其在在能源领领域重要要的战略略地位。世界能源源结构预预测(资资料来源源:欧盟盟联合研研究中心心,20004年年)二、太阳阳能电池池的原理理太阳能光光伏电池池是一种种由于光生伏伏特效应应而将太太阳光能能直接转转化为电电能的
15、器器件,是是一个半半导体光光电二极极管。太太阳光照照在半导导体p-n结上上,形成成新的空空穴-电电子对,在在p-nn结电场场的作用用下,空空穴由nn区流向向p区,电电子由pp区流向向n区,接接通电路路后就形形成电流流。这就就是光生生伏特效效应太阳阳能电池池的工作作原理。由于半导导体不是是电的良良导体,电电子在通通过p-n结后后如果在在半导体体中流动动,电阻阻非常大大,损耗耗也就非非常大。但如果果在上层层全部涂涂上金属属,阳光光就不能能通过,电电流就不不能产生生,因此此一般用用金属网网格覆盖盖p-n结,以以增加入入射光的的面积。另外硅表表面非常常光亮,会会反射掉掉大量的的太阳光光,不能能被电池池
16、利用。为此,科科学家们们给它涂涂上了一一层反射射系数非非常小的的保护膜膜,将反反射损失失减小到到5甚甚至更小小。一个个电池所所能提供供的电流流和电压压毕竟有有限,于于是人们们又将很很多电池池(通常常是366个)并并联或串串联起来来使用,形形成有比比较大输输出功率率的太阳阳能光电电板。三、太阳阳能电池池的分类类太阳能电电池根据据所用材材料的不不同,太太阳能电电池还可可分为:晶硅太阳阳能电池池、多元元化合物物薄膜太太阳能电电池、聚聚合物多多层修饰饰电极型型太阳能能电池等等。1.晶晶硅太阳阳能电池池晶硅太阳阳能电池池分为单单晶硅太太阳能电电池、多多晶硅太太阳能电电池和非非晶硅薄薄膜太阳阳能电池池三种
17、。(1)单单晶硅太太阳能电电池目前单晶晶硅太阳阳能电池池的光电电转换效效率为119%左右右,最高高的达到到24,这是是目前所所有种类类的太阳阳能电池池中光电电转换效效率最高高的技术术也最为为成熟但但制作成成本很大大,以致致于它还还不能被被大量广广泛和普普遍地使使用。由由于单晶晶硅一般般采用钢钢化玻璃璃以及防防水树脂脂进行封封装,因因此其坚坚固耐用用,使用用寿命一一般可达达15年年,最高高可达225年。单晶硅硅太阳能能电池的的构造和和生产工工艺已定定型,产产品已广广泛用于于空间和和地面。这种太太阳能电电池以高高纯的单单晶硅棒棒为原料料。(2)多多晶硅太太阳能电电池板 多晶晶硅太阳阳电池的的制作工
18、工艺与单单晶硅太太阳电池池差不多多,但是是多晶硅硅太阳能能电池的的光电转转换效率率则要降降低不少少,其光光电转换换效率约约17左右右。从制制作成本本上来讲讲,比单单晶硅太太阳能电电池要便便宜一些些,材料料制造简简便,节节约电耗耗,总的的生产成成本较低低,因此此得到大大量发展展。此外外,多晶晶硅太阳阳能电池池的使用用寿命也也要比单单晶硅太太阳能电电池短。多晶晶硅太阳阳能电池池的生产产需要消消耗大量量的高纯纯硅材料料,而制制造这些些材料工工艺复杂杂,电耗耗很大,在在太阳能能电池生生产总成成本中己己超二分分之一。(3)非非晶体薄薄膜太阳阳能电池池非晶硅硅薄膜太太阳能电电池与单单晶硅和和多晶硅硅太阳电
19、电池的制制作方法法完全不不同,工工艺过程程大大简简化,硅硅材料消消耗很少少,电耗耗更低,成成本低重重量轻,转转换效率率较高,便便于大规规模生产产,它的的主要优优点是在在弱光条条件也能能发电,有有极大的的潜力。但非晶晶硅太阳阳电池存存在的主主要问题题是光电电转换效效率偏低低,目前前国际先先进水平平为100左右右,且不不够稳定定,随着着时间的的延长,其其转换效效率衰减减,直接接影响了了它的实实际应用用。如果果能进一一步解决决稳定性性问题及及提高转转换率问问题,那那么,非非晶硅大大阳能电电池无疑疑是太阳阳能电池池的主要要发展产产品之一一。 2多多元化合合物薄膜膜太阳能能电池 多元元化合物物薄膜太太阳
20、能电电池材料料为无机机盐,其其主要包包括砷化化镓IIII-VV族化合合物、硫硫化镉、硫化镉镉及铜锢锢硒薄膜膜电池等等。硫化镉镉、碲化化镉多晶晶薄膜电电池的效效率较非非晶硅薄薄膜太阳阳能电池池效率高高,成本本较单晶晶硅电池池低,并并且也易易于大规规模生产产,但由由于镉有有剧毒,会会对环境境造成严严重的污污染,因因此,并并不是晶晶体硅太太阳能电电池最理理想的替替代产品品。 砷化化镓(GGaAss)IIII-VV化合物物电池的的转换效效率可达达28%,GaaAs化化合物材材料具有有十分理理想的光光学带隙隙以及较较高的吸吸收效率率,抗辐辐照能力力强,对对热不敏敏感,适适合于制制造高效效单结电电池。但但
21、是GaaAs材材料的价价格不菲菲,因而而在很大大程度上上限制了了用GaaAs电电池的普普及。CIS铜铟硒硒薄膜电电池(简简称CIIS)适适合光电电转换,不不存在光光致衰退退问题,转转换效率率和多晶晶硅一样样。具有有价格低低廉、性性能良好好和工艺艺简单等等优点,将将成为今今后发展展太阳能能电池的的一个重重要方向向。唯一一的问题题是材料料的来源源,由于于铟和硒硒都是比比较稀有有的元素素,因此此,这类类电池的的发展又又必然受受到限制制。 3聚聚合物多多层修饰饰电极型型太阳能能电池 在太太阳能电电池中以以聚合物物代替无无机材料料是刚刚刚开始的的一个太太阳能电电池制爸爸的研究究方向。其原理理是利用用不同
22、氧氧化还原原型聚合合物的不不同氧化化还原电电势,在在导电材材料(电电极)表表面进行行多层复复合,制制成类似似无机PPN结结的单向向导电装装置。其其中一个个电极的的内层由由还原电电位较低低的聚合合物修饰饰,外层层聚合物物的还原原电位较较高,电电子转移移方向只只能由内内层向外外层转移移;另一一个电极极的修饰饰正好相相反,并并且第一一个电极极上两种种聚合物物的还原原电位均均高于后后者的两两种聚合合物的还还原电位位。当两两个修饰饰电极放放入含有有光敏化化剂的电电解波中中时光光敏化剂剂吸光后后产生的的电子转转移到还还原电位位较低的的电极上上,还原原电位较较低电极极上积累累的电子子不能向向外层聚聚合物转转
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