第十二届三束(电子束、离子束、光子束)学术会议533.docx
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1、第十二届届全国电电子束、离离子束、光光子束学学术年会会征文通知知为发展我我国电子子束、离离子束、光光子束技技术,由由中国电电子学会会半导体体与集成成技术分分会和生生产技术术分会联联合主办办的“第十二二届全国国电子束束、离子子束、光光子束学学术年会会”将于220033年的金金秋在北北京市近近郊召开开,会议议由中国国科学院院微电子子中心和和中国科科学院电电工研究究所联合合承办。现将学术术会议的的征文工工作通知知如下:一、征文文范围: 1. 电子子束、离离子束光光刻及微微细加工工工艺 2. 电子子束、离离子束辐辐照材料料改性 3. 电子子束曝光光及相关关技术 4. 半导导体离子子注入与与离子束束合成
2、(包包括器件件和集成成电路) 5. 离子子注入及及相关技技术 6. 光子子束的薄薄膜淀积积、杂质质及材料料加工工工艺 7. X-射线光光刻(包包括掩模模) 8. 分子子束外延延(MBBE)、CCBE、MMOCVVD及其其他新外外延技术术 9. 等离离子体加加工技术术(包括括PECCVD、溅溅射等技技术) 10. 借助助电子束束、离子子束、光光子束的的测试分分析技术术 11. 电子子束、离离子束、光光子束与与材料相相互作用用以及新新效应的的研究与与计算机机模拟12. 光学光光刻(包包括相移移光刻、远远紫外光光刻、激激光光刻刻) 13. 抗蚀蚀剂及干干法刻蚀蚀技术 14. 半导导体纳米米技术,纳纳
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