电工学与电子技术B复习题答案bsfz.docx
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1、电工学与与电子技技术B复复习题参参考答案案一、 选择题1、 一含源二二端网络络,测得得其开路路电压为为1000V,短短路电流流为100A,当当外接110负载电电阻时,负负载电流流是(BB)A100A;BB;C;、电动动势为110V、内内阻为22的电压压源变换换成电流流源时,电电流源的的电流和和内阻是是(C)A100A,22;B10AA,2;C5A,22;2A,553、正弦弦交流电电压u=1000sinn(6228t+60)V,它它的频率率为(AA)A1000Hzz;B50HHz;CC600Hz;6628HHz4、一阻阻值为33、感抗抗为4的电感感线圈接接在交流流电路中中,其功功率因数数为(BB
2、)A0.3;BB0.6;CC0.5;0.45、电力力系统负负载大部部分是感感性负载载,要提提高电力力系统的的功率因因数常采采用(BB)A串联联电容补补偿;BB并联联电容补补偿;CC串联联电感补补偿;并联联电感补补偿。6、欲使使放大器器净输入入信号削削弱,应应采取的的反馈类类型是(DD)A串联联反馈;B并联联反馈;C正正反馈;负负反馈。7、由一一个三极极管组成成的基本本门电路路是(BB)A与门门;B非门;C或或门;异或或门。8、在脉脉冲门电电路中,应应选择(BB)的三三极管。A放大大能力强强;B开关速速度快;C价价格便宜宜;集电极极最大耗耗散功率率高。9、数字字集成门门电路中中,目前前生产最最多
3、且应应用最普普遍的门门电路是是(D)A与门门;B非门;C或或门;与非非门。10、在在Y形联联接的三三相对称称电路中中,相电电流与线线电流的的相位关关系是(CC)A相电电流超前前线电流流30;B线电流流超前相相电流330;C相电流流与线电电流同相相;相电流流超前线线电流660。11、在在三相四四线制中中性点接接地供电电系统中中,线电电压指的的(A)的的电压。A相线线之间;B零零线对地地间;CC相线线对零线线间;相线线对地间间。12、三三相四线线制供电电的相电电压为2220VV,则线线电压为为(D)A2220V;B2250VV;C3111V;3880V13、纯纯电感电电路中,(CC)A电流流与电压
4、压同相位位; BB电流流与电压压反相位位;C电压超超前电流流90;电压滞滞后电流流90。14、阻阻值为44的电阻阻和容抗抗为3的电容容串联,总总复数阻阻抗为(DD)AZ=3+jj4;BBZ=3-jj4;CCZ=4+jj3;Z=4-jj3。15、额额定电压压都为2220VV的400W、660W和和1000W三只只灯泡串串联在2220VV的电源源中,它它们的发发热量由由大到小小排列为为(B)A1000W、660W、440W;B440W、660W、1100WW;C1000W、440W、660W;660W、1100WW、400W。16、应应用戴维维南定理理求含源源二端网网络的输输入等效效电阻的的方法是
5、是将网络络内的电电动势(DD)A串联联;B并联;CC开路路;短接。17、用用一只额额定值为为1100V/1100WW的白炽炽灯和一一只额定定值为1110VV/400W的白白炽灯串串联后接接到2220V的的电源上上,当开开关闭合合时,(CC)A能正正常工作作;B1000W的灯灯丝烧毁毁;C40WW的灯丝丝烧毁;两两只灯丝丝全烧毁毁。18、有有一2220V/10000W的的电炉,今今欲接在在3800V的电电源上使使用,可可串联的的变阻器器是(BB)A1000/3A;BB500/5A;CC300/10AA;50/3A。19、应应用叠加加定理计计算线性性电路时时,(BB)A电压压不可叠叠加;BB电流流
6、可以叠叠加;CC功率率可以叠叠加;电压压、电流流和功率率都可叠叠加。20、工工程上,电路的暂态过程从t=-0大致经过(B)时间,就可认为到达稳定状态了。A;BB;CC;。21、有有一正弦弦交流电电流,其其初相位位,初始始值iOO=10AA,则该该电流的的幅值IIm为(A)A200A;B14AA;C10AA;28A。22、电电感性负负载并联联电容器器提高电电路功率率因数后后,线路路电流减减小了,则则测量用用电量的的瓦时计计走字速速度将(AA)A不变变;B加快;C减减慢;或快快或慢。23、正正弦交流流电路的的视在功功率的定定义为(AA)A电压压有效值值与电流流有效值值的乘积积;B平均功功率;C瞬时
7、时功率的的最大值值;有功功功率。24、对对半导体体而言,其其正确的的说法是是(C)AP型型半导体体多数载载流子为为空穴,所所以它带带正电;BNN型半导导体多数数载流子子为自由由电子,所所以它带带负电;CPP型半导导体和NN型半导导体本身身都不带带电;D在在型半半导体中中,空穴穴是多子子,自由由电子是是少子25、在在放大电电路中,若若测得某某晶体管管3个极极的电位位分别为为9V、44V、33.7VV,则这这3 个个极分别别为(AA)A CC、B、EE; BC、EE、B; CE、CC、B。26、在在放大电电路中,若若测得某某晶体管管3个极极的电位位分别为为-6VV、-22.3VV、-22V,则则这
8、-22.3 V的那那个极为为(B)A集电电极;BB基极;C发射射极。27、在在放大电电路中,若若测得某某晶体管管3个极极的电位位分别为为6V、11.2VV、1VV,则该该管为(CC)ANPPN型硅硅管;BB PNNP型锗锗管; CNPNN型锗管管;D PPNP型型硅管。28、对对某电路路中的一一个NPPN型硅硅管测试试,测得得UBEE0,UBCC0,UCEE0,则此管工工作在(BB)A放大大区;BB饱和区区;C截止止区。29、对对某电路路中的一一个NPPN型硅硅管测试试,测得得UBEE0,UBCC0,则此管工工作在(CC)A放大大区;BB饱和区区;C截止止区。30、对对某电路路中的一一个NPP
9、N型硅硅管测试试,测得得UBEE0,UBCC0,则此管工工作在(AA)A放大大区;BB饱和区区;C截止止区。31、晶晶体三极极管的控控制方式式为(BB)A输入入电流控控制输出出电压;B输入电电流控制制输出电电流;C输入入电压控控制输出出电压。32、场场效晶体体管的控控制方式式为(CC)A输入入电流控控制输出出电压;B输入电电压控制制输出电电压;C输入入电压控控制输出出电流。33、射射极输出出器(AA)A有电电流放大大作用,没没有电压压放大作作用;BB有电电流放大大作用,也也有电压压放大作作用;C没有有电流放放大作用用,也没没有电压压放大作作用。34、某某测量放放大电路路,要求求输入电电阻高,输
10、输出电流流稳定,应应引入(BB)A并联联电流负负反馈;B串联电电流负反反馈;C串联联电压负负反馈;C并并联电压压负反馈馈。35、与与相等的的为(CC)A;BB;C。36、与与相等的的为(BB)AA+B;BBA+BC;C。37、若若,则(CC)AABBC=0001;BAABC=1100;CABBC=1100。38、已已知函数数,则它它的“与非与非”表达式式为( B )。 A. B. CC.ABB BCC39、组组合逻辑辑电路的的分析是是指(CC)。A已知知逻辑图图,求解解逻辑表表达式的的过程;B已知真真值表,求求解逻辑辑功能的的过程;C已知逻逻辑图,求求解逻辑辑功能的的过程。40、某某电路有有3
11、个节节点和77条支路路,采用用支路电电流法求求解各支支路电流流时,应应列出KKCL方方程数和和KVLL方程数数为( B)。A3个个KCLL和4个个KVLL方程; B2个KCCL和55个KVVL方程程;C2个KCCL和44个KVVL方程程。41、如如图1所所示的电电路中,UUab为:( D )A3VV; B3V; C6V; D9V42、如如图2所所示的电电路中,已已知USS、U、RR,求II的公式式为:( AA )A ;B ;C; DD43、如如图3 所示是是某电路路中的一一个结点点,已知知,则II4为( AA )(图 1)+6V+3Vba(图 2)R+EIU+(图 3)I4I3I2I1A 22
12、0A ; BB 110A; C 5AA; D 044、在在RL串联联电路中中,下列列表达式式中正确确的是:( C )A; B; C;.=+。45、将将三相对对称负载载接在同同一三相相电源上上,作星星形联接接时负载载消耗的的功率是是作三角角形联接接时的( D )倍倍?A 33; BB; C; DD。(图 4)46、如如图4所所示的晶晶体管,测测得三电电极的电电位分别别是,则该该晶体管管的类型型及各电电极的名名称为:( AA )ANPPN型,是集电极、是基极、发射极BPNNP型,是发射极、是基极、集电极CNPPN型,是集电极、发射极、基极DPNNP型,是集电极、发射极、基极47、PPNP型型晶体三
13、三极管处处于放大大状态时时,各极极电位关关系必须须满足:( B )AUCCUBUE; BUCUB UUE UB;48、家家用单相相三孔插插座口常常标有LL和N字字样,NN代表的的含义是是(CC)A.火线线; B.地地线; C.零零线; D.保护地地线.49、已已知流过过某负载载的电流流为 AA,负载载两端的的电压为为V,该负负载的性性质是:( AA )A感性性; BB容性性; CC电阻阻性; D纯电感感电路50、共共集电极极放大电电路的电电压放大大倍数AAu( B )A大于于1; B小小于并接接近1 ; C等等于1 ; DD远大大于151、一一个输出出电压几几乎不变变的设备备,有载载运行。当当
14、负载增增加时,是是指(CC )。A负载载电阻越越来越大大;B负载载功率越越来越小小;C电源源输出电电流越来来越大。52、PP型半导导体中的的多数载载流子是是( BB )A自由由电子; B空穴; C正离子子。二、判断断题1任何何电流源源都可转转换成电电压源。(NN)2三相相对称负负载作联接,若若每相负负载的阻阻抗为110,接在在线电压压为3880V的的三相交交流电路路中,则则电路的的线电流流为388A。(NN)3若开开环电压压放大倍倍数Auo=22105用分贝贝表示,等等于1000分贝贝。(NN)4三相相形联接的的电路中中,线电电流是指指流过相相线中的的电流。( YY )5对用用电器来来说,提提
15、高功率率因数就就是提高高用电器器的效率率。(NN)6锗二二极管的的导通电电压是00.3伏伏( YY )。7电容容元件对对直流电电而言可视视为开路路(Y)8电感感元件对对直流电电而而言言可视为为短路(YY) 9饱和失失真是由由于静态态工作点点Q太高高(Y) 100截止止失真是是由于静静态工作作点Q太太低(YY)11.并并联后的的总电阻阻值小于于并联中中任一电电阻值。( Y ) 12.电电路中每每一段不不分支的的电路称称为支路路。( YY ) 13.非非门电路路只有一一个输入入端和一一个输出出端。(YY)14.PPN结在在反向电电压作用用下导通通。( NN )15.交交流电表表指示的的数值是是其有
16、效效值。( Y )16. 电路中中两点电电位都很很高,则则这两点点间的电电压一定定很高。( N )17.星星形接法法和三角角形接法法的三相相对称负负载的功功率都可可用同一一个公式式计算。( Y )18.三三极管有有三个工工作区域域,能起起放大作作用的是是截止区区域。( N )19.线线性电阻阻的伏安安特性是是一条通通过原点点的直线线。( Y )20.正正弦量的的有效值值是其最最大值的的2倍。(N )21三三态TTTL门电电路除高高电平、低低电平外外的第三三种状态态是高阻阻态。( Y )22稳稳压管是是三极管管。(NN )23所所有二极极管都不能工工作于反反向击穿穿状态。(NN)24输输出电阻阻
17、ro是反映映放大电电路的带带负载能能力的一一个动态态指标。(YY)25输输入电阻阻ri是反映映放大电电路从信信号源获获取信号号能力的的一个动动态指标标。(YY)26射射随器可可作为集集成运算算放大器器的输出出级。(YY)27串串联电阻阻上的电电压分配配与电阻阻成正比比。(YY)28并并联电阻阻上的电电流分配配与电阻阻成反比比。(YY)29在在电压表表上串联联一个大大电阻可可扩大其其测量范范围。(YY)30在在电流表表上并联联一个小小电阻可可扩大其其测量范范围。(YY)31与与非逻辑辑关系是是与逻辑辑和或逻逻辑的组组合。(N )32.在在布尔代代数中均均正确。( N )33.最最基本的的逻辑关关
18、系有与与、或和和非逻辑辑。( Y )34理理想运算算放大器器的差模模输入电电阻为,开环环输出电电阻为00,开环环电压放放大倍数数为,共模模模抑制制比为。(Y )35.两两个电流流大小不不等的独独立电流流源可以以并联使使用,不不可以串串联。( Y )36.应应用叠加加定理时时,不作作用的电电压源和和电流源源分别用用短路和和开路代代替。( Y )37.电电容器的的容抗大大小仅与与电容大大小有关关,而与与交流电电源的频频率无关关.( N )38在在P型半半导体中中,空穴穴是多子子,自由由电子是是少子( Y )39在在布尔代代数中,( N )40在在布尔代代数中,若A+AB=A+AAC,则B=C( N
19、 )41.集集成稳压压器W78815的输输出电压压为+115V( Y )42.集集成稳压压电器W79912的输输出电压压为-112V( Y )43.型型号KPP2000-188F的FF代表晶晶闸管导导通时平平均电压压为0.9V(Y )44.22AP是是N型锗锗材料小小信号普普通二极极管( Y )45.33DG11B是NNPN型型硅材料料高频小小功率三三极管( Y )三、填空空题1两只只电阻串串联时的的等效电电阻值为为10,并联联时的等效电电阻值为为2.55,则这两只电电阻的阻阻值分别别为 5 和 55 。2某正正弦交流流电压为为,则电压压为有效效值为 2200V ,频率率为 550Hzz ,初
20、初相角为为 -60。3对称称三相交交流电压压的特征征是:各各相电压压的最大大值 相等 ;频频率 相同 ;彼彼此间的的相位互互差 1200 度度。4由三三根 相 线和和一根 零 线所所组成的的供电网网络,称称为三相相四线制制电网。三三相电压压达到最最大值的的先后次次序称为为 相序 。习惯惯上的相相序为UU1V1W1。5三相相对称负负载作三三角形联联接,接接入三相相对称电电源后,各各相负载载两端的的电压等等于电源源线电压,线线电流数数值上等等于倍相相电流,相相位上滞滞后相电电流300。6最常常用的半半导体材材料有硅硅和锗两种。7晶体体二极管管导通时时的正向向压降:硅管约约为 0.660.7 V,锗
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