XXXX年中国及海外太阳能光伏产业发展报告3557.docx
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1、Evaluation Warning: The document was created with Spire.Doc for .NET. 20111年中国国及海外外太阳能能光伏产产业发展报告告目 录录第一章太太阳能光光伏简介介- 44 -第一节 太太阳能简简介- 44 -一、什么是是太阳能能- 44 -二、太阳能能光热转转换- 44 -三、太阳能能光电转转换- 55 -第二节 太太阳能光光伏简介介- 55 -一、太阳能能光伏概概况- 55 -二、太阳能能电池的的原理- 66 -三、太阳能能电池的的分类- 77 -四、太阳能能光伏系系统分类类- 99 -五、太阳能能光伏系系统设备备- 110
2、-第三节 太太阳能的的利弊分分析- 111 -第二章 世世界光伏伏市场概概况- 112 -第一节 光光伏产业业背景- 112 -第二节 世世界光伏伏市场- 112 -一、历史概概况- 112 -二、世界各各国中长长期规划划- 113 -三、世界各各国光伏伏发展政政策- 114 -第三节 世世界各国国光伏市市场分析析- 115 -一、德国光光伏市场场回顾与与展望- 115 -二、美国光光伏市场场回顾与与展望- 116 -三、意大利利光伏市市场回顾顾与展望望- 117 -四、日本光光伏市场场回顾与与展望- 117 -五、西班牙牙市场回回顾与展展望- 118 -六、法国光光伏市场场回顾与与展望- 1
3、19 -七、韩国光光伏市场场回顾与与展望- 220 -八、希腊光光伏市场场回顾与与展望- 220 -九、葡萄牙牙光伏市市场回顾顾与展望望- 221 -第三章 光光伏产业业链- 222 -第一节晶晶硅太阳阳能电池池产业链链- 222 -一、产业链链构成- 222 -二、 光伏伏产业价价值链分分析- 222 -三、 全球球厂商总总体分析析- 223 -四、 光伏伏产业链链各环节节目前技技术现状状- 224 -第二节 晶晶体硅原原料- 224 -一、多晶硅硅产能扩扩张后等等待需求求复苏- 224 -二、多晶硅硅生产工工艺- 225 -三、硅片- 226 -第三节 电电池、组组件生产产- 227 -一
4、、电池分分类- 227 -二、非晶硅硅薄膜太太阳能电电池- 228 -三、晶硅电电池与薄薄膜电池池优缺点点比较- 228 -第四章 中中国光伏伏市场概概况- 229 -第一节 中中国太阳阳能资源源- 229 -第二节 中中国光伏伏市场回回顾- 330 -第三节 中中国光伏伏市场特特点- 331 -一、生产大大国 消消费小国国- 331 -二、两头在在外的市市场格局局- 332 -三、研发和和创新能能力薄弱弱- 333 -四、光伏发发电成本本尚待降降低- 333 -五、政府政政策支持持- 333 -六、未来市市场发展展空间巨巨大- 334 -第三节 中中国光伏伏产业现现状分析析- 335 -一、
5、产业链链各环节节产值分分布- 335 -二、多晶硅硅产能快快速扩张张- 335 -三、电池片片产量占占据全球球四成- 336 -四、薄膜电电池发展展相对缓缓慢- 337 -五、产业链链下游优优势明显显强于上上游- 338 -六、光伏设设备行业业刚刚起起步- 339 -七、中国光光伏产业业集聚区区分析- 441 -第五章 价价值链与与投资机机会分析析- 442 -第一节 光光伏行业业展望与与预测- 442 -一、政策是是决定光光伏装机机的关键键因素- 442 -二、中国将将成为世世界太阳阳能重要要的发动动机- 442 -三、20111年光光伏市场场:恢复复数量性性增长- 442 -四、技术进进步
6、替代代产能扩扩张成为为关键所所在- 443 -五、组件厂厂商竞争争加剧,产产能略有有过剩- 444 -第二节 价价值链分分析- 444 -一、利润从从产业链链的上游游往下游游转移- 444 -二、硅料成成本大幅幅下降,促促使太阳阳电池成成本下行行- 445 -三、光伏并并网发电电投资与与运营成成本- 446 -第三节 未未来投资资热点- 447 -一、BIPPV光伏新新兴市场场- 447 -二、聚光太太阳能(CPVV)将成成为未来来之星- 447 -第一章 太阳能光伏伏简介第一节 太太阳能简简介一、什么是是太阳能能太阳能(SSolaar)是是太阳内内部连续续不断的的核聚变变反应过过程产生生的能
7、量量,是各种种可再生生能源中中最重要要的基本本能源,也也是人类类可利用用的最丰丰富的能能源。太太阳每年年投射到到地面上上的辐射射能高达达1.005110188 千瓦瓦时,相相当于11.31066 亿吨吨标准煤煤,大约约为全世世界目前前一年耗耗能的一一万多倍倍。按目目前太阳阳的质量量消耗速速率计,可可维持6610010 年年,可以以说它是是“取之之不尽,用用之不竭竭”的能能源。地球上的风风能、水能、海洋温温差能、波浪能能和生物物质能以以及部分分潮汐能能都是来来源于太太阳;即即使是地地球上的的化石燃燃料(如如煤、石石油、天然气气等)从从根本上上说也是是远古以以来贮存存下来的的太阳能能,所以以广义的
8、的太阳能能所包括括的范围围非常大大,狭义义的太阳阳能则限限于太阳阳辐射能能的光热热、光电电和光化化学的直直接转换换。太阳阳能既是是一次能能源,又又是可再再生能源源。它资资源丰富富,既可可免费使使用,又又无需运运输,对对环境无无任何污污染。太阳能的利利用主要要通过光光热、光光电、光光化学学、光生物质质等几种种转换方方式实现现。二、太阳能能光热转转换 现代的太阳阳能科技技可以将将阳光聚聚合,并并运用其其能量产产生热水水、蒸汽汽和电力力。集热热式太阳阳能(SSolaar TTherrmall)。原原理是将将镜子反反射的太太阳光,聚聚焦在一一条叫接接收器的的玻璃管管上,而而该中空空的玻璃璃管可以以让油
9、流流过。从从镜子反反映的太太阳光会会令管子子内的油油升温,产产生蒸气气,再由由蒸气推推动轮机发发电。除了运用适适当的科科技来收收集太阳阳能外,建建筑物亦亦可利用用太阳的的光和热热能,方方法是在在设计时时加入合合适的装装备,例例如巨型型的向南南窗户或或使用能能吸收及及慢慢释释放太阳阳热力的的建筑材材料。在在适当地地点,太太阳能的的长期使使用成本本已经接接近甚至至低于传传统的化化石燃料料。 三、太阳能能光电转转换光电转换又又称太阳阳能光伏伏。就是是利用太太阳电池池直接将将太阳光光能转化化为电能能,而太太阳能电电池通常常是利用用半导体体器件的的光伏效效应原理理进行光光电转换换,因此此太阳能能发电又又
10、称为光光伏发电电。太阳能板是是一种暴暴露在阳阳光下便便会产生生直流电电的发电电装置,由由几乎全全部以半半导体物物料(例例如硅)制制成的薄薄身固体体太阳能能电池组组成。由由于没有有活动的的部分,故故可以长长时间操操作而不不会导致致任何损损耗。简简单的光光伏电池池可为手手表及计计算机提提供能源源,较大大的光伏伏系统可可为房屋屋照明,并并为电网网供电。 太阳能板可可以制成成不同形形状,而而又可连连接,以以产生更更多电力力。近年年,天台台及建筑筑物表面面开始使使用光伏伏板组件件,被用用作窗户户、天窗窗或遮蔽蔽装置的的一部分分,这些些光伏设设施通常常被称为为附设于于建筑物物的光伏伏系统。 第二节 太太阳
11、能光光伏简介介一、太阳能能光伏概概况太阳能光伏伏技术(PPhottovooltaaic)是是将太阳阳能转化化为电力力的技术术,其核核心是可可释放电电子的半半导体物物质。最最常用的的半导体体材料是是硅。地地壳硅储储量丰富富,可以以说是取取之不尽尽、用之之不竭。太太阳能光光伏电池池有两层层半导体体,一层层为正极极,一层层为负极极。阳光光照射在在半导体体上时,两两极交界界处产生生电流。阳阳光强度度越大,电电流就越越强。太太阳能光光伏系统统不仅只只在强烈烈阳光下下运作,在在阴天也也能发电电。其优优点有:燃料免免费、没没有会磨磨损、毁毁坏或需需替换的的活动部部件、保保持系统统运转仅仅需很少少的维护护、系
12、统统为组件件,可在在任何地地方快速速安装、无无噪声、无无有害排排放和污污染气体体等。早在18339年,法法国科学学家贝克克雷尔(BBecqqureel)就就发现,光光照能使使半导体体材料的的不同部部位之间间产生电电位差。这这种现象象后来被被称为“光光生伏打打效应”,简简称“光光伏效应应”。119544年,美美国科学学家恰宾宾和皮尔尔松在美美国贝尔尔实验室室首次制制成了光光电转换换效率为为4.55%的单单晶硅太太阳电池池,诞生生了将太太阳光能能转换为为电能的的实用光光伏发电电技术。 此后太阳能能光伏产产业技术术水平不不断提高高,生产产规模持持续扩大大。在119900-20006 年这十十几年里里
13、,全球球太阳能能电池产产量增长长了500 多倍倍。随着着全球能能源形势势趋紧,太太阳能光光伏发电电作为一一种可持持续的能能源替代代方式,于于近年得得到迅速速发展,并并首先在在太阳能能资源丰丰富的国国家,如如德国和和日本,得得到了大大面积的的推广和和应用。在在国际市市场和国国内政策策的拉动动下,中中国的光光伏产业业逐渐兴兴起,并并迅速成成为后起起之秀,涌涌现了无无锡尚德德、常州州天合和和天威英英利等一一大批优优秀的光光伏企业业,带动动了上下下游企业业的发展展,中国国光伏发发电产业业链正在在形成。据欧洲光伏伏工业协协会EPPIA 预测,太太阳能光光伏发电电在211世纪会会占据世世界能源源消费的的重
14、要席席位,不不但要替替代部分分常规能能源,而而且将成成为世界界能源供供应的主主体。预预计到220300年,可可再生能能源在总总能源结结构中将将占到330以以上,而而太阳能能光伏发发电在世世界总电电力供应应中的占占比也将将达到110以以上;到到20440年,可可再生能能源将占占总能耗耗的500以上上,太阳阳能光伏伏发电将将占总电电力的220以以上;到到21世世纪末,可可再生能能源在能能源结构构中将占占到800以上上,太阳阳能发电电将占到到60以上。这这些数字字足以显显示出太太阳能光光伏产业业的发展展前景及及其在能能源领域域重要的的战略地地位。世界能源结结构预测测(资料料来源:欧盟联联合研究究中心
15、,220044年)二、太阳能能电池的的原理太阳能光伏伏电池是是一种由由于光生伏伏特效应应而将太太阳光能能直接转转化为电电能的器器件,是是一个半半导体光光电二极极管。太太阳光照照在半导导体p-n结上上,形成成新的空空穴-电电子对,在在p-nn结电场场的作用用下,空空穴由nn区流向向p区,电电子由pp区流向向n区,接接通电路路后就形形成电流流。这就就是光生生伏特效效应太阳阳能电池池的工作作原理。由于半导体体不是电电的良导导体,电电子在通通过p-n结后后如果在在半导体体中流动动,电阻阻非常大大,损耗耗也就非非常大。但但如果在在上层全全部涂上上金属,阳阳光就不不能通过过,电流流就不能能产生,因因此一般
16、般用金属属网格覆覆盖p-n结,以以增加入入射光的的面积。另外硅表面面非常光光亮,会会反射掉掉大量的的太阳光光,不能能被电池池利用。为为此,科科学家们们给它涂涂上了一一层反射射系数非非常小的的保护膜膜,将反反射损失失减小到到5甚甚至更小小。一个个电池所所能提供供的电流流和电压压毕竟有有限,于于是人们们又将很很多电池池(通常常是366个)并并联或串串联起来来使用,形形成有比比较大输输出功率率的太阳阳能光电电板。三、太阳能能电池的的分类太阳能电池池根据所所用材料料的不同同,太阳阳能电池池还可分分为:晶晶硅太阳阳能电池池、多元元化合物物薄膜太太阳能电电池、聚聚合物多多层修饰饰电极型型太阳能能电池等等。
17、1.晶硅硅太阳能能电池晶晶硅太阳阳能电池池分为单单晶硅太太阳能电电池、多多晶硅太太阳能电电池和非非晶硅薄薄膜太阳阳能电池池三种。(1)单单晶硅太太阳能电电池目前单晶硅硅太阳能能电池的的光电转转换效率率为199%左右右,最高高的达到到24,这是是目前所所有种类类的太阳阳能电池池中光电电转换效效率最高高的技术术也最为为成熟但但制作成成本很大大,以致致于它还还不能被被大量广广泛和普普遍地使使用。由由于单晶晶硅一般般采用钢钢化玻璃璃以及防防水树脂脂进行封封装,因因此其坚坚固耐用用,使用用寿命一一般可达达15年年,最高高可达225年。单单晶硅太太阳能电电池的构构造和生生产工艺艺已定型型,产品品已广泛泛用
18、于空空间和地地面。这这种太阳阳能电池池以高纯纯的单晶晶硅棒为为原料。(2)多多晶硅太太阳能电电池板 多晶硅硅太阳电电池的制制作工艺艺与单晶晶硅太阳阳电池差差不多,但但是多晶晶硅太阳阳能电池池的光电电转换效效率则要要降低不不少,其其光电转转换效率率约177左右右。从制制作成本本上来讲讲,比单单晶硅太太阳能电电池要便便宜一些些,材料料制造简简便,节节约电耗耗,总的的生产成成本较低低,因此此得到大大量发展展。此外外,多晶晶硅太阳阳能电池池的使用用寿命也也要比单单晶硅太太阳能电电池短。多晶硅硅太阳能能电池的的生产需需要消耗耗大量的的高纯硅硅材料,而而制造这这些材料料工艺复复杂,电电耗很大大,在太太阳能
19、电电池生产产总成本本中己超超二分之之一。(3)非非晶体薄薄膜太阳阳能电池池非晶硅薄薄膜太阳阳能电池池与单晶晶硅和多多晶硅太太阳电池池的制作作方法完完全不同同,工艺艺过程大大大简化化,硅材材料消耗耗很少,电电耗更低低,成本本低重量量轻,转转换效率率较高,便便于大规规模生产产,它的的主要优优点是在在弱光条条件也能能发电,有有极大的的潜力。但但非晶硅硅太阳电电池存在在的主要要问题是是光电转转换效率率偏低,目目前国际际先进水水平为110左左右,且且不够稳稳定,随随着时间间的延长长,其转转换效率率衰减,直直接影响响了它的的实际应应用。如如果能进进一步解解决稳定定性问题题及提高高转换率率问题,那那么,非非
20、晶硅大大阳能电电池无疑疑是太阳阳能电池池的主要要发展产产品之一一。 2多元元化合物物薄膜太太阳能电电池 多元元化合物物薄膜太太阳能电电池材料料为无机机盐,其其主要包包括砷化化镓IIII-VV族化合合物、硫硫化镉、硫硫化镉及及铜锢硒硒薄膜电电池等。硫化镉、碲碲化镉多多晶薄膜膜电池的的效率较较非晶硅硅薄膜太太阳能电电池效率率高,成成本较单单晶硅电电池低,并并且也易易于大规规模生产产,但由由于镉有有剧毒,会会对环境境造成严严重的污污染,因因此,并并不是晶晶体硅太太阳能电电池最理理想的替替代产品品。 砷化镓镓(GaaAs)IIII-V化合合物电池池的转换换效率可可达288%,GGaAss化合物物材料具
21、具有十分分理想的的光学带带隙以及及较高的的吸收效效率,抗抗辐照能能力强,对热不不敏感,适适合于制制造高效效单结电电池。但但是GaaAs材材料的价价格不菲菲,因而而在很大大程度上上限制了了用GaaAs电电池的普普及。CIS铜铜铟硒薄薄膜电池池(简称称CISS)适合合光电转转换,不不存在光光致衰退退问题,转转换效率率和多晶晶硅一样样。具有有价格低低廉、性性能良好好和工艺艺简单等等优点,将将成为今今后发展展太阳能能电池的的一个重重要方向向。唯一一的问题题是材料料的来源源,由于于铟和硒硒都是比比较稀有有的元素素,因此此,这类类电池的的发展又又必然受受到限制制。 3聚合合物多层层修饰电电极型太太阳能电电
22、池 在太太阳能电电池中以以聚合物物代替无无机材料料是刚刚刚开始的的一个太太阳能电电池制爸爸的研究究方向。其其原理是是利用不不同氧化化还原型型聚合物物的不同同氧化还还原电势势,在导导电材料料(电极极)表面面进行多多层复合合,制成成类似无无机PN结的的单向导导电装置置。其中中一个电电极的内内层由还还原电位位较低的的聚合物物修饰,外外层聚合合物的还还原电位位较高,电电子转移移方向只只能由内内层向外外层转移移;另一一个电极极的修饰饰正好相相反,并并且第一一个电极极上两种种聚合物物的还原原电位均均高于后后者的两两种聚合合物的还还原电位位。当两两个修饰饰电极放放入含有有光敏化化剂的电电解波中中时光光敏化剂
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