数字超大规模集成电路设计 (7).pdf
( 4.5 )《数字超大规模集成电路设计 (7).pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《数字超大规模集成电路设计 (7).pdf（6页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
第二讲 MOS场效应晶体管引言理想开关第2章 MOS场效应晶体管3Ron=0（Ion=）Roff=（Ioff=0）开关状态切换的延时=0栅（G）源漏|VGS|VGS|VT|断开(off)(G=0)导通(on)(G=1)Ron真实的开关寄生效应：芯片性能：第2章 MOS场效应晶体管4导通电阻漏电流寄生电容使得状态的切换存在延时延时功耗可靠性MOS管的原理与阈值电压第2章 MOS场效应晶体管5MOS场效应管原理第2章 MOS场效应晶体管6当Vg=0，n-p-n结构，源漏之间截止p-SiO2En+n+衬底栅VGDS当VGVT，出现沟道，源漏之间导通NMOS：平板电容结构衬底与源、漏区之间的pn结应该始终保持反偏！p-En+n+衬底VGDS+-
- 配套讲稿：
如PPT文件的首页显示word图标，表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制：
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片，仅作为作品整体效果示例展示，禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词：
- 数字超大规模集成电路设计 7 数字 超大规模 集成电路设计
淘文阁 - 分享文档赚钱的网站所有资源均是用户自行上传分享，仅供网友学习交流，未经上传用户书面授权，请勿作他用。
关于本文
限制150内