数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案ggpz.docx

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1、 第8章章存储器与与可编程程逻辑器器件8.1存存储器概概述自测练习习1 存储器中中可以保保存的最最小数据据单位是是（ ）。（a） 位 （b） 字节 （c） 字2 指出下列列存储器器各有多多少个基基本存储储单元？多少存存储单元元？多少少字？字字长多少少？（a） 2K88位 （ ）（）（ ）（ ）（b） 25662位 （ ）（ ）（ ）（ ）（c） 1M44位（ ）（ ）（ ）（ ）3 RROM是是（ ）存存储器。 （a）非非易失性性 （bb）易失失性 （c）读读/写 （dd） 以以字节组组织的4数据据通过（ ）存储储在存储储器中。（a）读读操作 （bb）启动动操作 （cc）写操操作 （dd） 寻

2、寻址操作作5RAAM给定定地址中中存储的的数据在在（ ）情情况下会会丢失。（a）电电源关闭闭 （bb）数据据从该地地址读出出 （c）在在该地址址写入数数据 （d）答答案（aa）和（cc）6具有有2566个地址址的存储储器有（）地址址线。（aa）条 （b）条 （c）88条 （d）116条7可以以存储字字节数据据的存储储容量是是（）。（a）位 （b）位 （c）位 （dd）位答案：1 a2（aa） 204488；20048；20448；88 （bb） 5122；2556；2256；2 （cc） 10224102244；1022410224；11024410224；443a4c5d6c7b8.2随随机

3、存取取存储器器（RAAM）自测练习习1. 动态存储储器（DDRAMM）存储储单元是是利用（）存储信信息的，静静态存储储器（SSRAMM）存储储单元是是利用（）存储信信息的。2. 为了不丢丢失信息息，DRRAM必必须定期期进行（）操作。3. 半导体存存储器按按读、写写功能可可分成（）和（）两大类类。4. RAM电电路通常常由（）、（）和（）三部分分组成。5. 61166RAMM有（ ）根地址址线，（）根数据据线，其其存储容容量为（）位。答案：1栅极极电容，触触发器2刷新新3只读读存储器器，读/写存储储器4地址址译码，存存储矩阵阵，读/写控制制电路5111，8，22K8位8.3 只读存存储器（RR

4、OM）自测练习习1 ROM可可分为（ ）、（ ）、（ ）和（ ）几种种类型。2 ROM只只读存储储器的电电路结构构中包含含（ ）、（ ）和（ ）共三个组成部分。3 若将存储储器的地地址输入入作为（ ），将将数据输输出作为为（ ），则存储器可实现组合逻辑电路的功能。4 掩膜ROOM可实实现的逻逻辑函数数表达式式形式是是（ ）。5 282556型EEEPRROM有有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为（ ）位，是以字节数据存储信息的。6 EPROOM是利利用（ ）擦擦除数据据的，EEEPRROM是是利用（ ）擦擦除数据据的。7PRROM/EPRROM/EEPPROMM 分别别代表（ ）。8

5、一个个PROOM/EEPROOM能写写入（ ）（许许多，一一）次程程序。9存储储器27732AA是一个个（ ）（EPROM，RAM）。10在在微机中中，4种种存储类类型为（ ）。答案：1ROOM，PPROMM，EPPROMM，EEEPROOM2存储储矩阵，地地址译码码，输出出控制电电路3输入入，输出出4标准准与或形形式（最最小项表表达式）5155，8，332K86紫外外线，电电7可编编程的只只读存储储器，可可擦可编编程的只只读存储储器，电电可擦可可编程的的只读存存储器8一次次/许多多9EPPROMM10寄寄存器，高高速缓存存，主存存，外存存8.4 快闪存存储器（FFlassh MMemoory

6、）自测练习习1 非易失性性存储器器有（ ）。（aa）ROOM和RRAM （b）RROM和和闪存 （cc）闪存存和RAAM2 Flassh MMemoory的的基本存存储单元元电路由由（ ）构构成，它它是利用用（ ）保存存信息，具具有（ ）性的的特点。3 Flassh MMemoory 28FF2566有（ ）和（ ）两种种操作方方式。4 从功能上上看，闪闪存是（ ）存储储器，从从基本工工作原理理上看，闪闪存是（ ）存储储器。5 Flassh288F2556有（ ）根地地址线，（ ）根数数据线，其其存储容容量为 （ ）位位，编程程操作是是按字节节编程的的。答案：1b2一个个浮栅MMOS管管，浮栅

7、栅上的电电荷，非非易失3只读读存储方方式，读读/写存存储方式式4RAAM，RROM5155，8，332K88.5存存储器的的扩展自测练习习1 存储器的的扩展有有（ ）和（ ）两两种方法法。2 如果用22K16位位的存储储器构成成16KK32位位的存储储器，需需要（ ）片片。 （aa） 4 （bb） 8 （c） 1663 用4片22564位的的存储器器可构成成容量为为（ ）位的的存储器器。4 若将4片片61116 RRAM扩扩展成容容量为44K16位位的存储储器，需需要（ ）根地地址线。（a） 10 （b） 11 （c） 12 （d）135 将多片11K4位的的存储器器扩展成成8K4位的的存储器

8、器是进行行（ ）扩展展；若扩扩展成11K16位位的存储储器是进进行（ ）扩扩展。6 的存储器器有（）根根数据线线，（）根根地址线线，若该该存储器器的起始始地址为为，则最最高地址址为（），欲欲将该存存储器扩扩展为的的存储系系统，需需要的存存储器（）个个。答案：1字扩扩展，位位扩展2C3255616/1K44C5字，位位64，88，FFF，88.6 可编程程阵列逻逻辑PAAL自测练习习1 PAL的的常用输输出结构构有（ ）、（ ）、（ ）和和 （ ）4种种。2 字母PAAL代表表（ ）。3 PAL与与PROOM、EEPROOM之间间的区别别是（ ）。（a）PAL的与阵列可充分利用（b）PAL可实现

9、组合和时序逻辑电路（c）PROM和EPROM可实现任何形式的组合逻辑电路4 具有一个个可编程程的与阵阵列和一一个固定定的或阵阵列的PPLD为为（ ）。（a）PROM （b）PLA （c）PAL5 一个三态态缓冲器器的三种种输出状状态为（ ）。（a）高电平、低电平、接地 （b）高电平、低电平、高阻态（c）高电平、低电平、中间状态6 查阅资料料，确定定下面各各PALL器件的的输入端端个数、输输出端个个数及输输出类型型。 （aa）PAAL122H6 （ ）（ ）（ ）（b）PPAL220P88 （ ）（ ）（ ） （c）PPAL116L88 （ ）（ ）（ ）答案：1输出出结构，可可编程输输入/输输

10、出结构构，寄存存器输出出结构，异异或输出出结构2可编编程阵列列逻辑3B4C5B6（aa）122，6，高高电平 （bb）200，8，可可编程极极性输出出 （cc）166，8，低低电平8.7 通用阵阵列逻辑辑GALL自测练习习1GAAL具有有（ ）（a）一个可编程的与阵列、一个固定的或阵列和可编程输出逻辑（b）一个固定的与阵列和一个可编程的或阵列（c）一次性可编程与或阵列（d）可编程的与或阵列2GAAL166V8具具有（ ）种工工作模式式。3GAAL166V8在在简单模模式工作作下有（ ）种种不同的的OLMMC配置置；在寄寄存器模模式工作作下有（ ）种种不同的的OLMMC配置置；在复复杂模式式工作

11、下下有（ ）种种不同的的OLMMC配置置。4GAAL166V8具具有（ ）。（a）16个专用输入和8个输出（b）8个专用输入和8个输出（c）8个专用输入和8个输入/输出（d）10个专用输入和8个输出5如果果一个GGAL116V88需要110个输输入，那那么，其其输出端端的个数数最多是是（ ）。（a）8个 （b）6个 （c）4个6若用用GALL16VV8的一一个输出出端来实实现组合合逻辑函函数，那那么此函函数可以以是（ ）与与项之和和的表达达式。（aa）166个 （bb）8个个 （cc）100个7与、或或、非、异异或逻辑辑运算的的ABEEL表示示法分别别为（ ）。8逻辑辑表达式式用ABBEL语语

12、言描述述时，应应写为（ ）。答案：1A2333，22，24B专专用输入入，专用用组合输输出，复复合输入入/输出出（I/O），寄寄存器组组合I/O，寄寄存器输输出5C687B8&，#，!，$9A&B#AA&!BB#!A&B8.8 CPLLD、FFPGAA和在系系统编程程技术简简介自测练习习1PLLD器件件的设计计一般可可分为（ ）、（ ）和和( )三个步步骤以及及 ( )、 ( ) 和( ) 三个设设计验证证过程.2ISSP表示示（ ）。（a）在系统编程的（b）集成系统编程的（c）集成硅片程序编制器3CPPLD表表示（ ）。（a）简单可编程逻辑阵列 （b）可编程交互连接阵列（c）复杂可编程逻辑阵

13、列 （d）现场可编程逻辑阵列4FPPGA是是（ ）。（a）快速可编程门阵列 （b）现场可编程门阵列（c）文档可编程门阵列 （d）复杂可编程门阵列5FPPGA是是采用（ ）技技术实现现互连的的。（）熔丝丝（）CCMOSS（）EEECMMOS （dd）SRRAM6PLLD的开开发需要要有（ ）的的支持。（a）硬件和相应的开发软件（b）硬件和专用的编程语言（c）开发软件（d）专用的编程语言答案：1 设计输入入，设计计实现，编编程，功功能仿真真，时序序仿真，测测试2 a3 c4 b5 d6 a习题8 存储器有有哪些分分类？各各有何特特点？8 ROM和和RAMM的主要要区别是是什么？它们各各适用于于哪些

14、场场合？8 静态存储储器SRRAM和和动态存存储器DDRAMM在电路路结构和和读写操操作上有有何不同同？8 Flassh MMemoory有有何特点点和用途途？它和其其它存储储器比较较有什么么不同？8 某台计算算机系统统的内存存储器设设置有220位的的地址线线，166位的并并行输入入/输出出端，试试计算它它的最大大存储容容量？8 试用4片片21114（1102444位的的RAMM）和33-8译译码器组组成400964位的的存储器器8 试用4片片21114RAAM连接接成2K8位的存存储器。8 PROMM实现的的组合逻逻辑函数数如图PP888所示。（1） 分析电电路功能能，说明明当ABBC取何何

15、值时，函函数F11=F2=1；（2） 当ABBC取何何值时，函函数F11=F2=0。 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1F1F2ABC图P888 用PROOM实现现全加器器，画出出阵列图图，确定定PROMM的容量量。8 用PROOM实现现下列多多输出函函数，画画出阵列列图。FF1=+ABBDF2=+F3=+F4=8 PAL器器件的结结构有什什么特点点？8 描述PAAL与PPROMM、EPPROMM之间的的区别。8 任何一个个组合逻逻辑电路路都可以以用一个个PALL来实现现吗？为为什么？8 选用适当当的PAAL器件件设计一一个3位二进进制可逆逆计数器器。当XX=0时时，实现现加法

16、计计数；当当X=11时，实实现减法法计数。8 为什么GGAL能能取代大大多数的的PALL器件？8 试用GAAL166V8实实现一个个84221码十十进制计计数器。习题解答答：81存存储器有有哪些分分类？各各有何特特点？（基基本题，第第1、22、3、44节）答答：半导导体存储储器可分分类为：ROMM、RAAM和FFlassh存储储器。ROM属属于非易易失性存存储器，断断电后所所存数据据不丢失失。ROOM又可可分为：掩膜RROM、PPROMM、EPPROMM和EEEPROOM。掩掩模ROOM和PPROMM是一次次性编程程的，EEPROOM和EEEPRROM是是可以重重复编程程的。掩掩模ROOM、P

17、PROMM和EPPROMM在正常常工作时时，所存存数据是是固定不不变的，只只能读出出，不能能写入。只只有EEEPROOM在正正常工作作时所存存数据是是可以读读出，也也可以写写入。RAM也也称为读读/写存存储器，是是易失性性存储器器，断电电后所存存数据全全部丢失失。在正正常工作作时可以以随时读读出，也也可以随随时写入入，因而而使用灵灵活，读读写方便便。RAAM分静静态（SSRAMM）和动动态（DDRAMM）存储储器，它它们的不不同的特特点是：DRAAM需要要刷新电电路保存存数据，而而SRAAM不需需要。Flassh闪存存是理想想的大容容量、非非易失性性和可读读可写的的存储器器，且存存储速度度较快

18、，读读写方便便。所存存数据在在没有电电源的情情况下可可以无限限定地保保存下来来。82 ROOM和RRAM的的主要区区别是什什么？它它们各适适用于哪哪些场合合？（基基本题，第第1、22、3节节）答：ROMM和RAAM的主主要区别别是：RROM属属于非易易失性存存储器，断断电后所所存数据据不丢失失；而RRAM是是易失性性存储器器，断电电后所存存数据全全部丢失失。ROOM通常常用来存存放不需需要经常常修改的的程序或或数据，如如计算机机系统中中的BIIOS程程序、系系统监控控程序、显显示器字字符发生生器中的的点阵代代码等。静态RAAM存储储电路由由于MOOS管较较多，集集成度不不高，但但不需要要刷新电

19、电路，外外部控制制逻辑电电路简单单，且存取速速度比动动态RAAM快，因因而通常常用作微微型计算算机系统统中的高高速缓存存(Caachee)。动态RAAM与静静态RAAM相比比，其基基本存储储单元所用用的MOOS管少少，存储储密度高高、功耗耗低。但但存取速速度比静静态RAAM慢，需需要定时时刷新。但但由于DDRAMM的高存存储密度度、低功功耗及价价格便宜宜等突出出优点，使使之非常常适用于于在需要要大容量量的系统统中用作作主存储储器。现现代计算算机均采采用各种种类型的的DRAAM作为为可读写写主存。8 静态存储储器SRRAM和和动态存存储器DDRAMM在电路路结构和和读写操操作上有有何不同同？（基

20、本题题，第、22、3节节）答： SSRAMM和DRRAM在在电路结结构上的的不同是是：DRRAM电电路中有有刷新电电路，而而SRAAM没有有。这是是因为DDRAMM电路是是利用栅栅极电容容保存信信息的，而而电容存存在漏电电效应，为为保证信信息不因因漏电丢丢失，所所以必须须定期对对电路进进行刷新新。SRAMM和DRRAM的的读/写写操作由由片选信信号、读读/写信信号（和输出允允许信号号）控制。当当=0时时，RAAM为正正常工作作状态，若若=1，则则执行读读操作，存存储单元元里的数数据将送送到输入入/输出出端上；若=00，则执执行写操操作，加加到输入入/输出出端上的的数据将将写入存存储单元元；当=

21、1时，RRAM的的输入/输出端端呈高阻阻状态，即即不能对对RAMM进行读读/写操操作。所所不同的的是对于于动态存存储器DDRAMM的每一一次的读读/写操操作实质质上是对对单管动动态存储储电路信信息的一一次恢复复或增强强。84 说明FFlassh MMemoory有有何特点点和用途途。它和和其它存存储器比比较有什什么不同同？（基基本题，第第4节）答：Fllashh Meemorry是一一种具有有较高存存储容量量、较低低价格、可可在线擦擦除与编编程的新新一代读读写存储储器，从从基本工工作原理理上看，闪闪存属于于ROMM型存储储器，但但由于它它又可以以随时改改写其中中的信息息，所以以从功能能上看，它

22、它又相当当于随机机存储器器RAMM。从这这个意义义上说，传传统的RROM与与RAMM的界限限和区别别在闪存存上已不不明显。它它的这些些独特性性能使其其广泛应应用于包包括嵌入入式系统统、仪器器仪表、汽汽车器件件以及数数码影音音产品中中。 Flaash Memmoryy和其它它存储器器比较其其不同点可可通过下下表体现现：内存类型型非易失性性高密度一个晶体体管单元元系统内部部写能力力闪存是是是是SRAMM不是不是不是是DRAMM不是是是是ROM是是是不是EPROOM是是是不是EEPRROM是不是不是是85 某台台计算机机系统的的内存储储器设置置有200位的地地址线，116位的的并行输输入/输输出端，

23、试试计算它它的最大大存储容容量？ （基本本题，第第1节）答：它的最大存储容量为：22016位=1M16位I/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0I/O1I/O2I/O33-8译码器A0A 1A9A10A110100A Y0B Y1C Y2G1 Y3 Y786 试用用4片221144（100244位的的R

24、AMM）和33-8译译码器组组成400964位的的存储器器。解：将4片片21114扩展展成400964位的的存储器器，只须须字扩展展，位不不变，地地址线为为12个个，其中中低100位作为为21114的地地址输入入。由于于译码器器要求采采用3-8译码码器，故故译码器器的地址址输入端端只有两两位A10A11，高高位设置置为0，另外的3个控制信号应如图所示。（综合题，第5节）87 试用用4片21114 RAMM连接成成2K8位的存存储器。（综合题，第5节）解：将44片21114扩扩展成22K8位的存存储器，字位均需扩展，即先进行位扩展，再进行字扩展。位扩展时，将4片2114分成2组，每组2片，2片2

25、114的地址线、均连在一起，数据输入/输出线并行作为输入/输出线；再将2组进行字扩展，扩展时，地址线的低10位与2组的地址线相连，高位地址接其中一组的片选，再经一非门接另一组的片选，所有的2114的接在一起，2组的数据输入/输出线对应连在一起作为扩展后的数据输入/输出线。I/O0I/O1I/O2I/O3 I/O4I/O5I/O6I/O7I/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSI/O0 I/O

26、1 I/O2 I/O32114 RAMA0 A1A9 R/W CSA0A 1A9A1018 PROMM实现的的组合逻逻辑函数数如图PP888所示。（综合题，第3节）分析：（11）说明明当ABBC取何何值时，函函数F11=F2=1；（2） 当ABBC取何何值时，函函数F11=F2=0。 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1F1F2ABC图P88解：根据据PROOM的点点阵图可可写出输输出函数数：F1=mm0+m1+m3+m5F2= m3+m5 +mm6+m7可知（11）当AABC=0111或ABBC=1101时时，F1=F2=1（22）当AABC=0100或ABBC=1100时时，

27、F1=F2=089 用PROMM实现全全加器，画画出阵列列图，确确定PROMM的容量量。（综综合题，第第1、33节）解解：列全全加器真真值表如如下AiBiiCi-11SiCii+10 0 00 00 0 11 00 1 01 00 1 10 11 0 01 01 0 10 11 1 00 11 1 11 1 根据真真值表可可得输出出函数 SSi = m1+m2+m4+m7Ci+11=m3+m5+m6+m7 其其点阵图图如下，PPROMM的容量量为82位。 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 1SiCi+1AiBiC i-18100 用用PROOM实现现下列多多输出函函数，画画出阵列

28、列图。（综合合题，第第3节）F1=+ +ABDF2=+F3=+F4=解：由于于PROOM实现现的逻辑辑函数的的形式为为最小项项形式，首首先将输输出函数数转化成成最小项项形式，即即有： FF1=+ABBD=m（00，2，33，7，110，111，114，115）FF2=+=m（0，22，4，66，9，110，111，112，114）FF3=+=m（11，5，110，111，112，）F4=m（0，2，5，7，8，10，11，13，15）故可选用用164位的的PROOM，如如图习题题810点点阵图所所示。F1F2F3F4 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 W10 W11

29、W12 W 13 W14 W151习题810点阵图8111 PPAL器器件的结结构有什什么特点点？（基基本题，第第6节）答：PAAL器件件的结构构由可编编程的与与阵列、固固定的或或阵列和和可编程程的输出出逻辑电电路三部部分组成成。其输输出逻辑辑可分为为多种输输出及反反馈电路路，因而而构成了了各种型型号的PPAL器器件。根根据PAAL器件件的输出出结构和和反馈电电路的不不同，可可将它们们大致分分成专用用输出结结构、可可编程输输入/输输出结构构、寄存存器输出出结构、异异或输出出结构等等几种类类型。在在实际应应用中，可可根据具具体的要要求不同同，选用用不同的的输出结结构的PPAL器器件。8122 描

30、述述PALL与PRROM、EEPROOM之间间的区别别。（综综合题，第第3、66节）答：区别别是PRROM和和EPRROM由由固定的的与阵列列和可编编程的或或阵列构构成，而而PALL是由可可编程的的与阵列列、固定定的或阵阵列和可可编程输输出逻辑辑电路三三部分组组成，因因此PRROM和和EPRROM只只能实现现组合逻逻辑电路路，而PPAL由由于有可可编程的的输出逻逻辑电路路，不仅仅可以实实现组合合逻辑电电路，而而且可以以实现时时序逻辑辑电路。8133 任任何一个个组合逻逻辑电路路都可以以用一个个PALL来实现现吗？为为什么？（基本本题，第第6节）答：不可可以，一一个PAAL的输输入变量量是一定定

31、的，所所以PAAL的应应用受输输入变量量的限制制。8144 选选用适当当的PAAL器件件设计一一个3位二进进制可逆逆计数器器。当XX=0时时，实现现加法计计数；当当X=11时，实实现减法法计数。（综合题，第6节） 解：33位二进进制可逆逆计数器器是一个个时序逻逻辑电路路，且有有3个输出出，故选选用PAAL166R4较较合适。根据要求，3位二进制可逆计数器的状态表如下：XQ2Q11Q0Q2n+1Q1n+11Q0n+11XQ2Q11Q0Q2n+1Q1n+11Q0n+1100000011000111000101011111100010011111010100111001101100010010111

32、00011010111010110100110111101000101110001001000由状态表表可得次次态方程程：Q2n+1=Q1n+1=Q0n+1=由于PAAL166R4的的输出端端设置为为反相三三态缓冲冲器，故故次态方方程应取取反，则则有：D2=nn+1=D1=nn+1=D0=nn+1=Q0其电路图图如习题题814电路图图所示。8155为什么么GALL能取代代大多数数的PAAL器件件？（基基本题，第第7节）答： 这这是因为为GALL的输出出结构配配置了输输出逻辑辑宏单元元OLMMC（OOutpput Loggic Maccro Celll），用用户可以以通过编编程选择择输出结结构，

33、它它既可以以编程为为组合逻逻辑电路路输出，又又可以编编程为寄寄存器输输出；既既可以输输出低电电平有效效，又可可以输出出高电平平有效等等等。这这样GAAL器件件就可以以在功能能上通过过编程代代替PAAL的各各种输出出结构。8166试用GGAL116V88实现一一个84421码码十进制制计数器器。（综综合题，第第7节）解：84421码码十进制制计数器器的状态态表如下下所示：Q3Q22Q1Q0Q3n+1Q2n+11Q1n+11Q0n+11CQ3Q22Q1Q0Q3n+1Q2n+11Q1n+11Q0n+11C000000001101000010011000011001000100110000010010

34、000111010100dddddd0011101000010111dddddd0100001011011000dddddd0101101100011011dddddd0110001111011100dddddd0111110000011111dddddd根据状态态表可得得次态方方程： Q3n+11=Q2n+1=Q1n+1=Q0n+1=进位输出出函数： C=Q3Q0考虑计数数器的实实用性，增增加了清清零、送送数功能能，修改改后的状状态方程程为：Q3n+1=（）+LDD3Q2n+1=（）+LDD2Q1n+1=（）+LDD1Q0n+1=+LDD0进位输出出函数： C=Q3Q0上式中，为清零信号，L

35、D为置数信号。适用于FFM软件件规范的的用户源源文件如如下： GAL116V881 202 193 184 175 166 157 148 139 1210 11VCCCQ3Q2Q1 Q0NCNCNCCLKLD3LD2LD1 LD0NCNCNCGNDGAL16V8习题816引脚配置DECIIMALL COOUNTTERWU AAND SHEECOUNNTCLK CLRR LDD3 LLD2 LD11 LDD0 NNC NNC NNC GGNDOE NNC NNC NNC QQ0 QQ1 QQ2 QQ3 CC VCCC；EQUUATIIONSSQ3：=Q3*/Q1*/QQ0*/CLRR+Q22*Q11*Q00*/CCLR+LD33Q2：=Q2*/Q1*/CLRR+/QQ2*Q1*Q00*/CCLR+Q2*Q1*/Q00+LDD2Q1：=Q1*/Q0*/CLRR+/QQ3*/Q1*Q0+LD11Q0：=/Q0*/CLRR+LDD0C：=QQ3* QQ0*/CLRRCOEE=VCCCDESRRIPTTIONN 实现84421码码十进制制计数器器的引脚脚配置如如习题88166引脚配配置所示。其具具体的实实现过程程，请参参考相应应的GAAL应用用资料。191817161514131211123456789CLKXQ2Q1 Q0 D Q D Q D Q D Q 习题814 电路图图29