台式电脑维修手册附录45131.docx

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1、第三部分-附录 每个用户的硬盘中都存放着大量的有用数据，而硬盘又是一个易出毛病的部件。为了有效的保存硬盘中的数据，除了有效的保存硬盘中的数据，备份工作以外，还要学会在硬盘出现故障时如何救活硬盘，或者提取其中的有用数据，把损失降到最小程度。 1、系统不承认硬盘 此类故障比较常常见，即从硬硬盘无法启动动，从其它盘盘启动也无法法进入C盘，使使用CMOSS中的自动监监测功能也无无法发现硬盘盘的存在。这这种故障大都都出现在连接接电缆或IDDE口端口上上，硬盘本身身的故障率很很少，可通过过重新插拔硬硬盘电缆或者者改换IDEE口及电缆等等进行替换试试验，可很快快发现故障的的所在。如果果新接上的硬硬盘不承认，

2、对对于IDE硬硬盘，还有一一个常见的原原因就是硬盘盘上的主从条条线，如果硬硬盘接在IDDE的主盘位位置，则硬盘盘必须跳为主主盘状，跳线线错误一般无无法检测到硬硬盘。 2、CMOS引引起的故障 CMOS的正确确与否直接影影响硬盘的正正常使用，这这里主要指其其中的硬盘类类型。好在现现在的机器都都支持IDDEautoodetecct的功能能，可自动检检测硬盘的类类型。当连接接新的硬盘或或者更换新的的硬盘后都要要通过此功能能重新进行设设置类型。当当然，现在有有的类型的主主板可自动识识别硬盘的类类型。当硬盘盘类型错误时时，有时干脆脆无法启动系系统，有时能能够启动，但但会发生读写写错误。比如如CMOS中中

3、的硬盘类型型小于实际的的硬盘容量，则则硬盘后面的的扇区将无法法读写，如果果是多分区状状态则个别分分区将丢失。还还有一个重要要的故障原因因，由于目前前的IDE都都支持逻辑参参数类型，硬硬盘可采用NNormall、LBA、LLarge等等。如果在一一般的模式下下安装了数据据，而又在CCMOS中改改为其他的模模式，则会发发生硬盘的读读写错误故障障，因为其物物理地质的映映射关系已经经改变，将无无法读取原来来的正确硬盘盘位置。 3、主引导程序序引起的启动动故障 硬盘的主引导扇扇区是硬盘中中的最为敏感感的一个部件件，其中的主主引导程序是是它的一部分分，此段程序序主要用于检检测硬盘分区区的正确性，并并确定活

4、动分分区，负责把把引导权移交交给活动分区区的DOS或或其他操作系系统。此段程程序损坏将无无法从硬盘引引导，但从软软区或光区之之后可对硬盘盘进行读写。修修复此故障的的方法较为简简单，使用高高版本DOSS的fdissk最为方便便，当带参数数/mbr运运行时，将直直接更换(重重写)硬盘的的主引导程序序。实际上硬硬盘的主引导导扇区正是此此程序建立的的，fdissk.exee之中包含有有完整的硬盘盘主引导程序序。虽然DOOS版本不断断更新，但硬硬盘的主引导导程序一直没没有变化，从从DOS3.x到目前有有winDOOS95的DDOS，所以以只要找到一一种DOS引引导盘启动系系统并运行此此程序即可修修复。

5、4、分区表错误误引导的启动动故障 分区表错误是硬硬盘的严重错错误，不同错错误的程度会会造成不同的的损失。如果果是没有活动动分区标志，则则计算机无法法启动。但从从软驱或光驱驱引导系统后后可对硬盘读读写，可通过过fdiskk重置活动分分区进行修复复。如果是某某一分区类型型错误，可造造成某一分区区的丢失。分分区表的第四四个字节为分分区类型值，正正常的可引导导的大于322mb的基本本DOS分区区值为06，而而扩展的DOOS分区值是是05。如果果把基本DOOS分区类型型改为05则则无法启动系系统，并且不不能读写其中中的数据。如如果把06改改为DOS不不识别的类型型如efh，则则DOS认为为改分区不是是D

6、OS分区区，当然无法法读写。很多多人利用此类类型值实现单单个分区的加加密技术，恢恢复原来的正正确类型值即即可使该分区区恢复正常。分分区表中还有有其他数据用用于纪录分区区的起始或终终止地址。这这些数据的损损坏将造成该该分区的混乱乱或丢失，一一般无法进行行手工恢复，唯唯一的方法是是用备份的分分区表数据重重新写回，或或者从其他的的相同类型的的并且分区状状况相同的硬硬盘上获取分分区表数据，否否则将导致其其他的数据永永久的丢失。在在对主引导扇扇区进行操作作时，可采用用nu等工具具软件，操作作非常的方便便，可直接对对硬盘主引导导扇区进行读读写或编辑。当当然也可采用用debugg进行操作，但但操作繁琐并并且

7、具有一定定的风险。 5、分区有效标标志错误引起起的硬盘故障障 在硬盘主引导扇扇区中还存在在一个重要的的部分，那就就是其最后的的两个字节:55aahh，此字为扇扇区的有效标标志。当从硬硬盘，软盘或或光区启动时时，将检测这这两个字节，如如果存在则认认为有硬盘存存在，否则将将不承认硬盘盘。此标志时时从硬盘启动动将转入roombasiic或提示放放入软盘。从从软盘启动时时无法转入硬硬盘。此处可可用于整个硬硬盘的加密技技术。可采用用debugg方法进行恢恢复处理。另另外，DOSS引导扇区仍仍有这样的标标志存在，当当DOS引导导扇区无引导导标志时，系系统启动将显显示为:mmissinngoperratin

8、ggsysteem。其修修复的方法可可采用的主引引导扇区修复复方法，只是是地址不同，更更方便的方法法是使用下面面的DOS系系统通用的修修复方法。 6、DOS引导导系统引起的的启动故障 DOS引导系统统主要由DOOS引导扇区区和DOS系系统文件组成成。系统文件件主要包括iio.syss、msdoos.syss、commmand.ccom，其中中commaand.coom是DOSS的外壳文件件，可用其他他的同类文件件替换，但缺缺省状态下是是DOS启动动的必备文件件。在Winndows995携带的DDOS系统中中，msdoos.syss是一个文本本文件，是启启动winddows必须须的文件。但但只启

9、动DOOS时可不用用此文件。但但DOS引导导出错时，可可从软盘或光光盘引导系统统，之后使用用sys c:传送系系统即可修复复故障，包括括引导扇区及及系统文件都都可自动修复复到正常状态态。 7、fat表引引起的读写故故障 fat表纪录着着硬盘数据的的存储地址，每每一个文件都都有一组连接接的fat链链指定其存放放的簇地址。ffat表的损损坏意味着文文件内容的丢丢失。庆幸的的是DOS系系统本身提供供了两个faat表，如果果目前使用的的fat表损损坏，可用第第二个进行覆覆盖修复。但但由于不同规规格的磁盘其其fat表的的长度及第二二个fat表表的地址也是是不固定的，所所以修复时必必须正确查找找其正确位置

10、置，由一些工工具软件如nnu等本身具具有这样的修修复功能，使使用也非常的的方便。采用用debugg也可实现这这种操作，即即采用其m命命令把第二个个fat表移移到第一个表表处即可。如如果第二个ffat表也损损坏了，则也也无法把硬盘盘恢复到原来来的状态，但但文件的数据据仍然存放在在硬盘的数据据区中，可采采用chkddsk或sccandissk命令进行行修复，最终终得到*.cchk文件，这这便是丢失ffat链的扇扇区数据。如如果是文本文文件则可从中中提取并可合合并完整的文文件，如果是是二进制的数数据文件，则则很难恢复出出完整的文件件。 8、目录表损坏坏引起的引导导故障 目录表纪录着硬硬盘中文件的的文

11、件名等数数据，其中最最重要的一项项是该文件的的起始簇号，目目录表由于没没有自动备份份功能，所以以如果目录损损坏将丢失大大量的文件。一一种减少损失失的方法也是是采用上面的的chkdssk或scaandiskk程序的方法法，从硬盘中中搜索出chhk文件，由由目录表损坏坏时是首簇号号丢失，在ffat为损坏坏的情况下所所形成的chhk文件一般般都比较完整整的文件数据据，每一个cchk文件即即是一个完整整的文件，把把其改为原来来的名字可恢恢复大多数文文件。 9、误删除分区区时数据的恢恢复 当用fdiskk删除了硬盘盘分区之后，表表面现象是硬硬盘中的数据据已经完全消消失，在未格格式化时进入入硬盘会显示示无

12、效驱动器器。如果了解解fdiskk的工作原理理，就会知道道，fdissk只是重新新改写了硬盘盘的主引导扇扇区(0面00道1扇区)中的内容。具具体说就是删删除了硬盘分分区表信息，而而硬盘中的任任何分区的数数据均没有改改变，可仿造造上述的分区区表错误的修修复方法，即即想办法恢复复分区表数据据即可恢复原原来的分区即即数据，但这这只限于除分分区或重建分分区之后。如如果已经对分分区用forrmat格式式化，在先恢恢复分区后，在在按下面的方方法恢复分区区数据。 10、误格式化化硬盘数据的的恢复 在DOS高版本本状态下，格格式化操作fformatt在缺省状态态下都建立了了用于恢复格格式化的磁盘盘信息，实际际

13、上是把磁盘盘的DOS引引导扇区，ffat分区表表及目录表的的所有内容复复制到了磁盘盘的最后几个个扇区中(因因为后面的扇扇区很少使用用)，而数据据区中的内容容根本没有改改变。这样通通过运行uunformmatc:即可恢复原原来的文件分分配表及目录录表，从而完完成硬盘信息息的恢复。另另外DOS还还提供了一个个mirorr命令用于纪纪录当前的磁磁盘的信息，供供格式化或删删除之后的恢恢复使用，此此方法也比较较有效。 附录一 各类类故障判断思思路（流程）（一）加电类故故障判断流程程启动与关闭类故故障判断流程程（三）磁盘盘类故障判断断流程（四）显示类故故障判断流程程（五）安装类故故障判断流程程（六）局域网

14、类类故障判断流流程（八）Inteernet类类故障判断流流程（九）端口与外外设类故障判判断流程（十）音视频类类故障判断流流程附录二 部分部部件、设备的的技术规格（一） 内存技术规格识识别 从PC1100标准开开始内存条上上带有SPDD芯片，SPPD芯片是内内存条正面右右侧的一块88管脚小芯片片，里面保存存着内存条的的速度、工作作频率、容量量、工作电压压、CAS、ttRCD、ttRP、tAAC、SPDD版本等信息息。当开机时时，支持SPPD功能的主主板BIOSS就会读取SSPD中的信信息，按照读读取的值来设设置内存的存存取时间。我我们可以借助助SiSofft Sanndra20001（下载载地址

15、）这类类工具软件来来查看SPDD芯片中的信信息，例如软软件中显示的的SDRAMM PC1333U-3333-5422就表示被测测内存的技术术规范。内存存技术规范统统一的标注格格式，一般为为PCx-xxxx-xxxx，但是不不同的内存规规范，其格式式也有所不同同。 1、内存的定义义内存指的就是主主板上的存储储部件，是CCPU直接与与之沟通，并并对其存储数数据的部件。存存放当前正在在使用的(即即执行中)的的数据和程序序，它的物理理实质就是一一组或多组具具备数据输入入输出和数据据存储功能的的集成电路。2、内存的分类类1）内存类型分分类RAM (Randoom Acccess MMemoryy)随机读

16、写存储器器ROM (Readd Onlyy Memoory)只读存储器SRAM (Statiic Ranndom AAccesss Memoory)静态随机读写存存储器DRAM (Dynammic Raandom Accesss Memmory) 动态随机读写存存储器2）内存芯片分分类FPM (FFast-PPage MMode) DRAM 快速页面模式的的DRAMEDO (Extennded DData OOut) DDRAM即扩展数据输出出DRAM 速度比FPMM DRAMM快15%30%BEDO (Burstt EDO) DRAMM突发式EDO DRAM 性能提高400%左右SDRAM

17、(Syncchronoous DRRAM) 同步DRAM 与CPU的外部部工作时钟同同步RDRAM (Rambbus DRRAM ) DDR (DDoublee Dataa Ratee) DRAAM 3）按内存速度度分PC66PC100PC133PC200PC2664）按内存接口口形式分SIMM(SSinglee-In LLine MMemoryy Moduule)单边接触内存存条,分为30线和72线两种。DIMM(DDual IIn-Linne Memmory MModulee)双边接触内存存条，1688（SDRAAM）线，184(DDDR1)线，240(DDR22)线等，目目前广泛使用用D

18、DR3内内存，工作电电压1.3。SODIMMM Smalll Outlline DDual IIn-linne Memmory MModulee144线DIMMM主要用于于笔记本型电电脑RIMM5）按是否有缓缓冲分UnbuffferedRegisttered6）按是否有校校验分Non-ECCCECC3、PC66/100 SSDRAM内内存标注格式式 （1）11.0-1.2版本本 这类版本内内存标注格式式为：PCaa-bcd-efgh，例例如PC1000-3222-622RR，其中a表表示标准工作作频率，用MMHZ表示（如如66MHZZ、100MMHZ、1333MHZ等等）；b表示示最小的CLL

19、（即CASS纵列存取等等待时间），用用时钟周期数数表示，一般般为2或3；c表示最少少的Trcdd（RAS相相对CAS的的延时），用用时钟周期数数表示，一般般为2；d表表示TRP（RRAS的预充充电时间），用用时钟周期数数表示，一般般为2；e表表示最大的ttAC（相对对于时钟下沿沿的数据读取取时间），一一般为6（nns）或6。55，越短越好好；f表示SSPD版本号号，所有的PPC100内内存条上都有有EEPROOM，用来记记录此内存条条的相关信息息，符合Inntel PPC100规规范的为1。22版本以上；g代表修订订版本；h代代表模块类型型；R代表DDIMM已注注册，2566MB以上的的内存必

20、须经经过注册。 （2）1.2b+版本本 其格格式为：PCCa-bcdd-eefffghR，例例如PC1000-3222-541222R，其中中a表示标准准工作频率，用用MHZ表示示；b表示最最小的CL（即即CAS纵列列存取等待时时间），用时时钟周期数表表示，一般为为2或3；cc表示最少的的Trcd（RRAS相对CCAS的延时时），用时钟钟周期数表示示；d表示TTRP（RAAS的预充电电时间），用用时钟周期数数表示；eee代表相对于于时钟下沿的的数据读取时时间，表达时时不带小数点点，如54代代表5.4nns tACC；ff代表表SPD版本本，如12代代表SPD版版本为1.22；g代表修修订版本，

21、如如2代表修订订版本为1.2；h代表表模块类型；R代表DIIMM已注册册，256MMB以上的内内存必须经过过注册。 44、PC1333 SDRRAM（版本本为2.0）内内存标注格式式 威威盛和英特尔尔都提出了PPC133 SDRAMM标准，威盛盛力推的PCC133规范范是PC1333 CASS=3，延用用了PC1000的大部分分规范，例如如168线的的SDRAMM、3.3VV的工作电压压以及SPDD；英特尔的的PC1333规范要严格格一些，是PPC133 CAS=22，要求内存存芯片至少77.5ns，在在133MHHz时最好能能达到CASS=2。 PC1333 SDRRAM标注格格式为：PCC

22、ab-cdde-ffgg，例如PCC133U-333-5542，其中中a表示标准准工作频率，单单位MHZ；b代表模块块类型(R代代表DIMMM已注册，UU代表DIMMM不含缓冲冲区；c表示示最小的CLL（即CASS的延迟时间间），用时钟钟周期数表示示，一般为22或3；d表表示RAS相相对CAS的的延时，用时时钟周期数表表示；e表示示RAS预充充电时间，用用时钟周期数数表示；fff代表相对于于时钟下沿的的数据读取时时间，表达时时不带小数点点，如54代代表5.4nns tACC；g代表SSPD版本，如如2代表SPPD版本为22.0。 55、PC16600/21100 DDDR SDRRAM（版本本

23、为1.0）内内存标注格式式其格式式为：PCaab-ccdde-ffgg，例如PCC2100RR-25333-750，其其中a表示内内存带宽，单单位为MB/s；a*11/16=内内存的标准工工作频率，例例如21000代表内存带带宽为21000MB/ss，对应的标标准工作频率率为21000*1/166=133MMHZ；b代代表模块类型型(R代表DDIMM已注注册，U代表表DIMM不不含缓冲区；cc表示CCAS延迟时时间，用时钟钟周期数表示示，表达时不不带小数点，如如25代表CCL=2.55；d表示RRAS相对CCAS的延时时，用时钟周周期数表示；e表示RAAS预充电时时间，用时钟钟周期数表示示；f

24、f代表表相对于时钟钟下沿的数据据读取时间，表表达时不带小小数点，如775代表7.5ns ttAC；g代代表SPD版版本，如0代代表SPD版版本为1.00。 6、RDRAAM 内存标标注格式其格式为：aMB/bb c d PCe，例例如256MMB/16 ECC PPC800，其其中a表示内内存容量；bb代表内存条条上的内存颗颗粒数量；cc代表内存支支持ECC；d保留；ee代表内存的的数据传输率率，e*1/2=内存的的标准工作频频率，例如8800代表内内存的数据传传输率为8000Mt/ss，对应的标标准工作频率率为800*1/2=4400MHZZ。 7、各厂商内内存芯片编号号（1）HYYUNDA

25、II（现代） 现代代的SDRAAM内存兼容容性非常好，支支持DIMMM的主板一般般都可以顺利利的使用它，其其SDRAMM芯片编号格格式为：HYY 5a b ccde fgg h i j k llm-no 其中中HY代表现现代的产品；5a表示芯片片类型(577=SDRAAM，5D=DDR SSDRAM)；b代表工工作电压(空空白=5V，VV=3.3VV,U=2.5V)；ccde代表容容量和刷新速速度（16=16Mbiits、4KK Ref，664=64MMbits、88K Reff，65=664Mbitts、4K Ref，1128=1228Mbitts、8K Ref，1129=1228Mbitt

26、s、4K Ref，2256=2556Mbitts、16KK Ref，2257=2556Mbitts、8K Ref）；fg代表芯芯片输出的数数据位宽（440、80、116、32分分别代表4位位、8位、116位和322位）；h代代表内存芯片片内部由几个个Bank组组成（1、22、3分别代代表2个、44个和8个BBank，是是2的幂次关关系）；I代代表接口（00=LVTTTLLoww Volttage TTTL接口口）；j代表表内核版本（可可以为空白或或A、B、CC、D等字母母，越往后代代表内核越新新）；k代表表功耗（L=低功耗芯片片，空白=普普通芯片）；lm代表封封装形式（JJC=4000mil

27、SSOJ，TCC=400mmil TSSOP-III，TD=113mm TTSOP-III，TG=16mm TTSOP-III）；noo代表速度（77=7ns143MHHz，8=8ns1125MHzz，10pp=10nssPC-1100 CLL2或3，110s=100nsPCC-100 CL3，110=10nns1000MHz，112=12nns83MMHz，115=5nss66MHHz）。 例如如HY57VV6580110CTC-10s，HHY表示现代代的芯片，557代表SDDRAM，665是64MMbit和44K reffreshcyclees/64mms，8是88位输出，110是2个BB

28、ank，CC是第4个版版本的内核，TTC是4000mil TTSOP-封装，100S代表CLL=3的PCC-100。 市面面上HY常见见的编号还有有HY57VV65XXXXXXTCXXX、HY557V6511XXXXXXATC100，其中ATTC10编号号的SDRAAM上1333MHz相当当困难；编号号ATC8的的可超到1224MHz，但但上133MMHz也不行行；编号BTTC或-7、-10p的SSDRAM上上133MHHz很稳定。一一般来讲，编编号最后两位位是7K的代代表该内存外外频是PC1100，755的是PC1133的，但但现代内存目目前尾号为775的早已停停产，改换为为T-H这样样的尾

29、号，可可市场上PCC133的现现代内存尾号号为75的还还有很多，这这可能是以前前的屯货，但但可能性很小小，假货的可可能性较大，所所以最好购买买T-H尾号号的PC1333现代内存存。 （2）LLGSLGG Semiicon LGGs如今已被被HY兼并，市市面上LGss的内存芯片片也很常见。 LGGS SDRRAM内存芯芯片编号格式式为：GM772V abb cd ee 1 f g T hi 其中中GM代表LLGS的产品品；72代表表SDRAMM；ab代表表容量(166=16Mbbits，666=64MMbits)；cd表示示数据位宽(一般为4、88、16等)；e代表BBank（22=2个Baan

30、k，4=4个Bannk）；f表表示内核版本本，至少已排排到E；g代代表功耗（LL=低功耗，空空白=普通）；T代表封装装（T=常见见的TSOPP封装，II=BLP封封装）；hii代表速度（77.5=7.5ns1133MHzz，8=88ns1225MHz，7K=110nsPPC-1000 CL2或或3 ，77J=10nns1000MHz，110K=100ns1000MHz，12=112ns883MHz，15=115ns666MHz）。 例如GMM72V6661641CCT7K，表表示LGs SDRAMM，64Mbbit，166位输出，44个Bankk，7K速度度即PC-1100、CLL=3。 LG

31、SS编号后缀中中，7.5是是PC1333内存；8是是真正的8nns PC 100内存存，速度快于于7K/7JJ；7K和77J属于PCC 100的的SDRAMM，两者主要要区别是第三三个反应速度度的参数上，77K比7J的的要快，上1133MHzz时7K比77J更稳定；10K属于于非PC1000规格的，速速度极慢，由由于与7J/7K外型相相似，不少奸奸商把它们冒冒充7J/77K的来卖。 （3）Kiingmaxx(胜创) Kiingmaxx的内存采用用先进的TiinyBGAA封装方式，而而一般SDRRAM内存都都采用TSOOP封装。采采用TinyyBGA封装装的内存，其其大小是TSSOP封装内内存的

32、三分之之一，在同等等空间下TiinyBGAA封装可以将将存储容量提提高三倍，而而且体积要小小、更薄，其其金属基板到到散热体的最最有效散热路路径仅有0.36mm，线线路阻抗也小小，因此具有有良好的超频频性能和稳定定性，不过KKingmaax内存与主主板芯片组的的兼容性不太太好，例如KKingmaax PC1150内存在在某些KT1133主板上上竟然无法开开机。 Kinggmax SSDRAM内内存目前有PPC150、PPC133、PPC100三三种。其中PPC150内内存(下图)实际上是能能上150外外频且能稳定定在CL=33（有些能上上CL=2）的的极品PC1133内存条条，该类型内内存的RE

33、VV1.2版本本主要解决了了与VIA 694X芯芯片组主板兼兼容问题，因因此要好于RREV1.11版本。购买买Kingmmax内存时时，你要注意意别买了打磨磨条，市面上上JS常把原原本是8nss的Kinggmax PPC100内内存打磨成77ns的PCC133或PPC150内内存，所以你你最好用SIISOFT SANDRRA20011等软件测试试一下内存的的速度，注意意观察内存上上字迹是否清清晰，是否有有规则的刮痕痕，芯片表面面是否发白等等，看看芯片片上的编号。 KIINGMAXX PC1550内存采用用了6纳秒的的颗粒，这使使它的速度得得到了很大程程度的提升，即即使你用它工工作在PC1133

34、，其速速度也会比一一般的PC1133内存来来的快；Kiingmaxx的PC1333内存芯片片是-7的，例例如编号KSSV884TT4A1A-07；而PC1000内存芯片片有两种情况况：部分是-8的（例如如编号KSVV884T44A0-088），部分是是-7的（例例如编号KSSV884TT4A0-077）。其中KKINGMAAX PC1133与PCC100的区区别在于：PPC100的的内存有相当当一部分可以以超频到1333，但不是是全部；而PPC133的的内存却可以以保证1000%稳定工作作在PC1333外频下（CCL=2）。 （4）Geeil(金邦邦、原樵风金金条) 金邦金条条分为金、红红、绿

35、、银、蓝蓝五种内存存条，各种金金邦金条的SSPD均是确确定的，对应应不同的主板板。其中红色色金条是PCC133内存存；金色金条条针对PCC133服务务器系统，适适合双处理器器主板；绿色色金条是PCC100内存存；蓝A色金金条针对AMMD750/760 KK7系主板，面面向超频玩家家；蓝V色金金条针对KXX133主板板；蓝T色金金条针对KTT-133主主板；银色金金条是面向笔笔记本电脑的的PC1333内存。 金邦内内存芯片编号号例如GL22000 GGP 6 LLC 16MM8 4 TTG -7 AMIR 00 322 其其中GL20000代表芯芯片类型（GGL20000=千禧条TTSOPs即即

36、小型薄型封封装，金SDDRAM=BBLP）；GGP代表金邦邦科技的产品品；6代表产产品家族（66=SDRAAM）；LCC代表处理工工艺（C=55V Vccc CMOSS，LC=00.2微米33.3V VVdd CMMOS，V=2.5V Vdd CCMOS）；16M8是设设备号码（深深度*宽度，内内存芯片容量量 = 内存存基粒容量 * 基粒数数目 = 116 * 88 = 1228Mbitt，其中166 = 内存存基粒容量；8 = 基基粒数目；MM = 容量量单位，无字字母=Bitts，K=KKB，M=MMB，G=GGB）；4表表示版本；TTG是封装代代码（DJ=SOJ，DDW=宽型SSOJ，F

37、=54针4行行FBGA，FFB=60针针8*16 FBGA，FFC=60针针11*133 FBGAA，FP=反反转芯片封装装，FQ=反反转芯片密封封，F1=662针2行FFBGA，FF2=84针针2行FBGGA，LF=90针FBBGA，LGG=TQFPP，R1=662针2行微微型FBGAA，R2=884针2行微微型FBGAA，TG=TTSOP（第第二代），UU= BGGA）；-77是存取时间间（7=7nns（1433MHz）；AMIR是是内部标识号号。以上编号号表示金邦千千禧条，1228MB，TTSOP（第第二代）封装装，0.2微微米3.3VV Vdd CMOS制制造工艺，77ns、1443M

38、Hz速速度。 （55）SEC（SSamsunng Eleectronnics，三三星） 三星EDDO DRAAM内存芯片片编号例如KKM416CC254D表表示：KM表表示三星内存存；4代表RRAM种类（44=DRAMM）；16代代表内存芯片片组成x166（1=x11以1的倍倍数为单位、4=x44、8=x88、16=xx16）；CC代表电压（CC=5V、VV=3.3VV）；2544代表内存密密度256KKbit（22562554 = 256Kxx、512(514) = 5122Kx、1 = 1Mxx、4 = 4Mx、88 = 8MMx、16 = 16MMx）；D代代表内存版本本（空白=第第1代

39、、A=第2代、BB=第3代、CC=第4代、DD=第5代）即即三星2566Kbit*16=4MMb内存。 三星星SDRAMM内存芯片编编号例如KMM416S116230AA-G10表表示：KM表表示三星内存存；4代表RRAM种类（44=DRAMM）；16代代表内存芯片片组成x166（4 = x4、8 = x8、116 = xx16）；SS代表SDRRAM；166代表内存芯芯片密度166Mbit（11 = 1MM、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16MM）；2代表表刷新（0 = 4K、11 = 2KK、2 = 8K）；33表示内存排排数（2=22排、3=44排）；0代代表内存接

40、口口（0=LVVTTL、11=SSTLL）；A代表表内存版本（空空白=第1代代、A=第22代、B=第第3代）；GG代表电源供供应（G=自自动刷新、FF=低电压自自动刷新）；10代表最最高频率（77 = 7nns1433MHz、88 = 8nns1255 MHz、10 = 10nss100 MHz、HH = 1000 MHzz CAAS值为2、LL = 1000 MHzz CAAS值为3 ）。三星的的容量需要自自己计算一下下，方法是用用S后的的数字乘S前前的数字，得得到的结果即即为容量，即即三星16MM*16=2256Mbiit SDRRAM内存芯芯片，刷新为为8K，内存存Bankss为3，内存

41、存接口LVTTTL，第22代内存，自自动刷新，速速度是10nns(1000 MHz)。 三星PC1133标准SSDRAM内内存芯片格式式如下： Unbbufferred型：KKMM3 xxx s xxxxx BBT/BTSS/ATS-GA Regissteredd型：KMMM3 90 s xxxxx BTII/ATI-GA 三星DDDR同步DRRAM内存芯芯片编号例如如KM4166H40300T表示：KKM表示三星星内存；4代代表RAM种种类（4=DDRAM）；16表示内内存芯片组成成x16（44=x4、88=x8、116=x166、32=xx32）；HH代表内存电电压（H=DDDR SDDR

42、AM33.3V、LL=DDR SDRAMM2.5VV）；4代代表内存密度度4Mbitt（4 =44M、8 = 8M、16 = 16MM、32 = 32M、644 = 644M、12 = 1288M、25 = 2566M、51 = 5122M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代代表刷新（00 = 644m/4K 15.66s、11 = 322m/2K 15.66s、22 = 1228m/8KK15.66s、33 = 644m/8K7.8ss、4 = 128mm/16K7.8ss）；3表表示内存排数数（3=4排排、4=8排排）；0代表表接口电压（00=混合接口口LVTTLL+S

43、STLL_3(3.3V)、11=SSTLL_2(2.5V)）；T表示封装装类型（T=66针TSSOP III、B=BGGA、C=微微型BGA(CSP)）；Z代表速度度133MHHz（5 = 5ns, 200MMHz (4400Mbpps)、6 = 6nss, 1666MHz (333Mbbps)、YY = 6.7ns, 150MHHz (3000Mbpss)、Z = 7.5nns, 1333MHz (266MMbps)、88 = 8nns, 1225MHz (250MMbps)、00 = 100ns, 1100MHzz (2000Mbps)）。即三星星4Mbitt*16=664Mbitt内存芯

44、片，33.3V DDDR SDDRAM，刷刷新时间0 = 64mm/4K (15.6s)，内存存芯片排数为为4排（两面面各两排），接接口电压LVVTTL+SSSTL_33(3.3VV)，封装类类型66针TTSOP III，速度1133MHZZ。 三三星RAMBBUS DRRAM内存芯芯片编号例如如KM4188RD8C表示：KKM表示三星星内存；4代代表RAM种种类（4=DDRAM）；18代表内内存芯片组成成x18（116 = xx16、188 = x118）；RDD表示产品类类型（RD=Direcct RAMMBUS DDRAM）；8代表内存存芯片密度88M（4 = 4M、8 = 8M、16

45、= 16MM）；C代表表封装类型（CC = 微型型BGA、DD =微型BBGA 逆逆转CSP、W = WL-CSSP）；800代表速度（660 = 6600Mbpps、80 = 8000Mbps）。即即三星8M*18bbit=1444M，BGGA封装，速速度800MMbps。 （6）Miicron（美美光） Microon公司是世世界上知名内内存生产商之之一（如右图图Microon PC1143 SDDRAM内存存条），其SSDRAM芯芯片编号格式式为：MT448 ab cdMeff Ag TTG-hi j 其中MT代代表Micrron的产品品；48代表表产品家族（448=SDRRAM、4=D

46、RAM、446=DDRR SDRAAM、6=RRambuss）；ab代代表处理工艺艺（C=5VV Vcc CMOS，LLC=3.33V Vddd CMOSS，V=2.5V Vddd CMOOS）；cddMef设备备号码（深度度*宽度），无无字母=Biits，K=Kilobbits（KKB），M=Megabbits（MMB），G=Gigabbits（GGB）Mriicron的的容量=cdd*ef；eef表示数据据位宽(4、88、16、332分别代表表4位、8位位、16位和和32位)；Ag代表WWrite RecovveryTTwr(AA2=Twrr=2clkk)；TG代代表封装（TTG=TSOO

47、PII封装装，DJ=SSOJ，DWW=宽型SOOJ，F=554针4行FFBGA，FFB=60针针8*16 FBGA，FFC=60针针11*133 FBGAA，FP=反反转芯片封装装，FQ=反反转芯片密封封，F1=662针2行FFBGA，FF2=84针针2行FBGGA，LF=90针FBBGA，LGG=TQFPP，R1=662针2行微微型FBGAA，R2=884针2行微微型FBGAA，U= BGA）；j代表功耗耗（L=低耗耗，空白=普普通）；hjj代表速度，分分成以下四类类： （A）、DDRAM -4=40nns，-5=50ns，-6=60nns，-7=70ns SDRAMM，x32 DDR SSDRAM（时时钟率 CL3） -15=666MHz，-12=833MHz，-10+=1100MHzz，-8x+=125MMHz，-775+=1333MHz