内存技术参数 .docx

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1、内存技术参数单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片 都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单 Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥 芯片到内存的通道，通常每个通道为64bito 一块主板的性 能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank 是不同的。如Intel82845系列芯片组支持4个Bank,而SiS 的645系列芯片组那么能支持6个Bank。如果主板只支持4个 Bank,而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白 白地浪费了。双面不一定是双Bank,也有可能是单Bank, 这一点要注意。这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在

2、主板的BIOS 里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3按顺序说的是 tRP (TimeofRowPrecharge), tRCD(TimeofRAStoCASDelay)和 CL(CASLatency)o tRP为RAS预充电时间,数值越小越好; tRCD是RAS到CAS的延迟，数值越小越好；CL(CASLatency) 为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反响时间，也是在 一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。什么是双通道DDR技术呢？需要说明的是，它并非我前 面提到的DDRII,而是一种可以让2条DDR内存共同使用， 数据并行传输的技术。双通道DDR技术的优势在于，它可以

3、 让内存带宽在原来的根底上增加一倍，这对于P4处理器的 好处可谓不言而喻。400MHz前端总线的P4A处理器和主板传 输数据的带宽为3. 2GB/s,而533MHz前端总线的P4B处理器 更是到达了 4. 3GB/s,而P4C处理器更是到达了 800MHZ前端 总线从而需要6. 4G的内存带宽。但是目前除了 I850E支持 的RambusPC1066规范外，根本没有内存可以满足处理器的 需要，我们最常用的DDR333本身仅具有2. 7GB/s的带宽。 DDR400也只能提供3.2G/s的带宽。也就是说，如果我们搭 建双通道DDR400的内存，理论上提供2倍DDR400的带宽。 将从而根本的解决了 CPU和内存之间的瓶颈问题。DDR-II内存是相对于现在主流的DDRT内存而言的，它 们的工作时钟预计将为400MHz或更高。主流内存市场将从 现在的DDR-400产品直接过渡到DDR-IIo目前DDR-II内存 将采用0. 13微米工艺，将来会过度到90纳米，工作频率也 会超过800MHZo