山东工商学院模拟电子技术期末复习题及参考答案.docx

《山东工商学院模拟电子技术期末复习题及参考答案.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《山东工商学院模拟电子技术期末复习题及参考答案.docx（22页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、模拟电子技术课程A卷及参考答案一单选题（共58题，总分值58分）1.（）藕合放大电路具有良好的低频特性。超越高度（1分）A.阻容B.直接C.变压器2.放大电路需减小输入电阻，稳定输出电流，则引入（）。（1分）A.电压串联负反馈；B.电流并联负反馈；C.电流串联负反馈；D.电压并联负反馈。3 .设图2-10所示电路中二极管1）1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（）（1分）A. D1导通，D2导通B. D1导通，D2截止C. D1截止，D2导通D.D1截止，D2截止.有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V1=-4V , V2=-1.2V, V3=-l. 4V,试判别管

2、子的三个管脚分别是（）。（1分）A. 1： e、2： b、3： cB. 1： c、2： e、3： bC. 1： c、2： b 3： eD.其它情况.判断图2-5电路中的反馈组态为（）。（1分）A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈6.集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（）。（1分）51.如图3所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压气波形不失真，则应（）。（1分）A.大增大B. Rb增大C. Rg减小D. p增大52.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）o （1分）A.共射电路B.共基电路C.共集电路

3、D.共集-共基串联电路.在串联负反馈电路中，信号源的内阻（），负反馈的效果越好。（1分）A.越大，B,越小，C.越恒定D.越适当.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kQ的负载电阻后，输出电压降为3V，这 说明放大电路的输出电阻为（）。（1分）A. 10kQB. 2kQC. 4kQD. 3kQ.直流稳压电源中滤波电路的目的是（）。（1分）A.将交流变为直流B.将高频变为低频C.将交、直流混合量中的交流成分滤掉D.保护电源.某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。（1分）A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联.稳压管的稳压区是其工作在（）。（1分）A.

4、正向导通B.反向截止C.反向击穿D.热击穿58.设图2-9所示电路中二极管DI、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（）（1分）（1分）A.D1导通，D2导通B. D1导通，D2截止C. D1截止，D2导通D.D1截止，D2截止判断题（共39题，总分值39分）.（）单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。（1分）（ ）.（）直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。（1分）（）.（）放大的实质不是对能量的控制作用。（1分）（）.（）共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。（1分）（）59 .（）集成运放是直接耦合的多级放大电路。（1分）（）.（

5、）只有电路既放大电流又放大电压，才称其具有放大作用。（1分）（）.（）结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相 结合的偏置方式。（1分）（）.（）耗尽型MOS管在栅源电压ugs为正或为负时均能实现压控电流的作用。（1分）（）60 .（）整流的目的是将交流变为单向脉动的直流。（1分）（）.（）复合管的类型取决于第一个管子的类型。（1分）（）.（）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。（1分）（）.（）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（1分）（）61 .（）只有两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。（1分）

6、（ ）.（）温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（1分）（）.（）电压负反馈可以稳定输出电压。（1分）（）.（）互补输出级应采用共集或共漏接法。（1分）（）62 .（）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功 率。（1分）（）.（）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（1分）（）.（）集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。（1分）（）.（）共集电极电路没有电压和电流放大作用。（1分）（）63 .（）反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。（1分） （ ）.（）任何实际放

7、大电路严格说都存在某种反馈。（1分）（）.（）用电流源代替Re后电路的差模倍数增加。（1分）（）.（）为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不是工 作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。（1分）（）64 .（）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。（1分）（）.（）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。（1分）（）. （ ） PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（1分）（65 .（）增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流ip必为零。（1分）（）.（） 一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（1分）（）.（）复合管的B值近似

8、等于组成它的各晶体管B值的乘积。（1分）（）.（）耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。（1分）（）66 .（）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。（1分）（）.（）滤波是将交流变为直流。（1分）（）. （ ） RC桥式振荡电路只要Rf W2R1就能产生自激振荡。（1分）（）.（）功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。（1 分）（）67 .（）只要满足正弦波振荡的相位平衡条件，电路就一定振荡。（1分）（）.（）电压串联负反馈有稳定输出电压和降低输入电阻的作用。（1分）（）.（）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时

9、，任何放大电路的输出都毫无 变化。（1分）（）.（）反相求和电路中集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流等于各输入电流 之代数和。（1分）（）一单选题（共58题，总分值58分）.答案：B解析过程：1 .答案：B解析过程:2 .答案：B解析过程：3 .答案：B解析过程：4 .答案：B解析过程：5 .答案：A解析过程：6 .答案：A解析过程：7 .答案：A解析过程：8 .答案：C解析过程：9 .答案：B解析过程：10 .答案：B解析过程：11 .答案：A解析过程：12 .答案：C解析过程：13 .答案：A解析过程：14 .答案：D解析过程：15 .答案：A 解析过程：16 .答案：A 解

10、析过程：17 .答案：A 解析过程：18 .答案：D 解析过程：19 .答案：A 解析过程：20 .答案：C 解析过程：21 .答案：B 解析过程：22 .答案：C 解析过程：23 .答案：C 解析过程：24 .答案：C 解析过程：25 .答案：B 解析过程：26 .答案：D解析过程:27 .答案：C 解析过程：28 .答案：A解析过程：29 .答案：C解析过程：30 .答案：C解析过程：31 .答案：B解析过程：32 .答案：B解析过程：33 .答案：C解析过程：34 .答案：A解析过程：35 .答案：B解析过程：36 .答案：B 解析过程：37 .答案：C解析过程：38 .答案：B解析过程

11、：39 .答案：C解析过程：40 .答案:C解析过程：41 .答案：A解析过程：42 .答案：B解析过程：43 .答案：C解析过程：44 .答案：C解析过程：45 .答案：A解析过程：46 .答案：B解析过程：47 .答案：A解析过程：48 .答案：B解析过程：49 .答案：A解析过程：50 .答案：B解析过程：51 .答案：C解析过程:52 .答案：B解析过程：53 .答案：C解析过程：54 .答案：C解析过程：55 .答案：C解析过程：56 .答案：C解析过程：57 .答案：C解析过程：二 判断题（共39题，总分值39分）.答案：F解析过程：58 .答案：T解析过程：59 .答案：F解析过

12、程：60 .答案：F解析过程：61 .答案：T解析过程：62 .答案：FA.反相输入端为虚地；B.输入电阻大；C.电流并联负反馈；D.电压串联负反馈。7.用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb=-12.3V, Ve=-12V, VC = -18VO则三极管的工作状态为（）。（1分）A.放大B.饱和C.截止.在本征半导体中掺入（）构成P型半导体。（1分）A. 3价元素；B. 4价元素；C. 5价元素；D. 6价元素。8 .在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U2 = 24V,设二极管为理想二极管，用直流电压表测得。的电压值约为21. 6V,问电路的

13、现象是（）。（1分）A.正常工作情况B.“开路C. C开路D. 一个二极管和C开路E. 一个二极管开路F.其它情况.某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。dS图1（1分）A. P沟道增强型MOS管B. P沟道耗尽型MOS管C. N沟道增强型MOS管D. N沟道耗尽型MOS管.功率放大电路的效率是指（）。（1分）解析过程：65 .答案：T解析过程：66 .答案：T解析过程：67 .答案：T解析过程：68 .答案：T 解析过程：69 .答案：F解析过程：70 .答案：F解析过程：71 .答案：F解析过程：72 .答案：T解析过程：73 .答案：T解析过程：74 .答案：T解析过程：75 .答

14、案：T解析过程：76 .答案：F解析过程:77 .答案：T解析过程：78 .答案：F解析过程：79 .答案：F解析过程：80 .答案：T解析过程：81 .答案：F解析过程：82 .答案：F解析过程：83 .答案：F解析过程：84 .答案：F解析过程：85 .答案：T解析过程：86 .答案：T解析过程：87 .答案：T解析过程：88 .答案：T解析过程：89 .答案：F解析过程：90 .答案：T解析过程：91 .答案：F 解析过程：92 .答案：F 解析过程：93 .答案：F解析过程：94 .答案：F解析过程：95 .答案：F解析过程：96 .答案：F解析过程：97 .答案：T解析过程:A.输出

15、功率与晶体管所消耗的功率之比B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D.以上说法均不正确）是正常工作状）是正常工作状）是正常工作状12. 一个晶体管的极限参数为Pcm=lOOmW，Ic犷20mA, U（br）CEO=15V,则下列（ 态。（1分）A. Uce=3V, lc=10mAB. Uce=2V, lc=40 mAC. Uce=6V, lc=20mAD. Uce=16V, lc=30mAN型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。（1分）A.空穴B.三价元素C.五价元素14.差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。（1分）A.差B.和

16、C.算术平均.某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为（）。A.P沟道增强型MOS管B. P沟道结型场效应管C. N沟道增强型MOS管D. N沟道耗尽型MOS管.当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（）。（1分）A.独立信号源短路，负载开路B.独立信号源短路，负载短路C.独立信号源开路，负载开路D.独立信号源开路，负载短路17.已知降压变压器次级绕组电压为12V,负载两端的输出电压为10.8V,则这是一个单相（）电 路.（1分）A.桥式整流B.半波整流C.桥式整流电容滤波D.半波整流电容滤波18.电压放大倍数最高的电路是（）。（1分）A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.不定.场效应

17、管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（）场效应管。图 210（1 分）A.P沟道增强型MOS型B. P沟道耗尽型MOS型C. N沟道增强型MOS型D. N沟道耗尽型MOS型E. N沟道结型F. P沟道结型.某仪表放大电路，要求生大，输出电流稳定，应选（）。（1分）A.电流串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈21.与甲类功率放大方式比较，乙类0CL互补对称功放的主要优点是（）。（1分）A.不用输出变压器B.不用输出端大电容C.效率高D.无交越失真.在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电压是半波整流电路输出电 压的（）倍。（1分）A. 1B.

18、2C. 1.5D. 0. 5.集成运放中间级的作用是（）。（1分）A.提高共模抑制比B.提高输入电阻C.提高放大倍数D.提供过载保护24.测得某硅晶体三极管的电位如图1所示，判断管子的工作状态是（）。I3V1,7V K因i （1分）A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值U。二（）UZo （1分）A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 2.有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号 源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）。（1分）A.输入电阻大；B.输入电阻小；C.输

19、出电阻大；D.输出电阻小。27 .三极管的电流放大系数由三极管的（）决定。（1分）A.基极电流B.集电极电流C.发射极电流D.内部材料和结构.本征半导体在温度升高后，（）。（1分）A.自由电子数目增多，空穴数目基本不变；B.空穴数目增多，自由电子数目基本不变；C.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同；D.自由电子和空穴数目基本不变。29 .有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为Vi = 2V, V2 = 2.7V, V3 = 6V,试判别管子的三个管脚分别是（）。（1分）A. 1： e、2： b、3： cB. 1： c、2： e、3： bC. 1： c 2： b、3： eD.其

20、它情况.在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（）。（1分）A.输出电压约为2UdB.输出电压约为Ud/2C.整流管将因电流过大而烧坏D.变为半波整流31.文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数（）才能满足起振条件。（1分）A.为1/3时；B.为3 B寸；C. 3；D. l/3o32. P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。（1分）A.空穴B.三价元素硼C.五价元素锦33.直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）o （1分）A.差B.好C.差不多34 .用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2. 7V,则三个

21、电极分别是 （）o （1 分）A. （B、C、E）B. （C、B. E）C. （E、C、B）.图2-3所示复合管中，下列答案正确的是（）。，（1 分）A. NPN 型B. PNP 型C.不正确36.图2T0所示电路是（）。图210-（1分）A.差分放大电路B.镜像电流源电路C.微电流源电路.电流源的特点是直流等效电阻（）。（1分）A.大B,小C.恒定D.不定.共模抑制比K。以越大，表明电路（）。（1分）A.放大倍数越稳定；B.交流放大倍数越大；C.抑制温漂能力越强；D.输入信号中的差模成分越大。39.在如图2所示电路中，电阻Re的主要作用是（）。（1分）A.提高放大倍数B.稳定直流静态工作点C

22、.稳定交流输出D.提高输入电阻.放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3kQ的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放 大电路的输出电阻为（）。（1分）A. 10kQB. 2 kQC. 1 kQD. 0. 5 kQ.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。（1分）A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.便于使用. PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。（1分）A.变窄B.基本不变C.变宽D.不定43.带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（）。（1分）A.减小；B.增大；C.不变；D.变为零。44 .场效应管放大电路的输入电阻，主要由（）

23、决定。（1分）A.管子类型;B. gm；C.偏置电路;D.Vgs。45 .差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）。（1分）A.增加一倍B.为双端输入时的一半C.不变D.不确定.根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。（1分）A.可能B.不能.利用二极管的（）组成整流电路。（1分）A.正向特性B.单向导电性C.反向击穿特性48.串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的（）。（1分）A.1 + AF 倍；B. 1/（1+AF）倍;C.1/F 倍;D. 1/AF 倍。49 .正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是（）。（1分）A. 2nn, n为整数B. （2n+l）n, n 为整数C. nn/2, n为整数D.不确定.桥式整流电路若变压器二次电压为=lO0sin0，则每个整流管所承受的最大反向电压为（）。（1分）A. 10 而；B. 20-V2F ；C. 20V ；D. 42V o