位错的运动与交割.ppt
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1、第第3 3章章 位错的运动与交割位错的运动与交割3.1 3.1 位错的运动位错的运动3.2 3.2 运动位错的交割运动位错的交割3.3 3.3 位错的增殖位错的增殖 3.1 位错的运动位错的运动(Dislocation Movement)3.1.1 刃型位错的滑移刃型位错的滑移(Slip)运动运动图图3.1 刃型位错滑移的示意图刃型位错滑移的示意图(a)滑移时周围原子的位移;)滑移时周围原子的位移;(b)滑移过程)滑移过程 图图图图3.13.1为刃型位错的移动过程。在外加切应力为刃型位错的移动过程。在外加切应力为刃型位错的移动过程。在外加切应力为刃型位错的移动过程。在外加切应力 的作的作的作的
2、作用下位错中心附近的原子由用下位错中心附近的原子由用下位错中心附近的原子由用下位错中心附近的原子由“”“”位置移动小于一个原位置移动小于一个原位置移动小于一个原位置移动小于一个原子间距的距离到达子间距的距离到达子间距的距离到达子间距的距离到达“”“”的位置,使位错在滑移面上向左的位置,使位错在滑移面上向左的位置,使位错在滑移面上向左的位置,使位错在滑移面上向左移动了一个原子间距。如果切应力继续作用,位错将继移动了一个原子间距。如果切应力继续作用,位错将继移动了一个原子间距。如果切应力继续作用,位错将继移动了一个原子间距。如果切应力继续作用,位错将继续向左逐步移动。当位错线沿滑移面滑移通过整个晶
3、体续向左逐步移动。当位错线沿滑移面滑移通过整个晶体续向左逐步移动。当位错线沿滑移面滑移通过整个晶体续向左逐步移动。当位错线沿滑移面滑移通过整个晶体时,就会在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个柏时,就会在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个柏时,就会在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个柏时,就会在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个柏氏矢量大小的台阶,即造成了晶体的塑性变形,如图氏矢量大小的台阶,即造成了晶体的塑性变形,如图氏矢量大小的台阶,即造成了晶体的塑性变形,如图氏矢量大小的台阶,即造成了晶体的塑性变形,如图3.13.1(b b)所示。)所示。)所示。)所示。在滑移时,刃型位错的运动方
4、向始终垂直于位错线在滑移时,刃型位错的运动方向始终垂直于位错线在滑移时,刃型位错的运动方向始终垂直于位错线在滑移时,刃型位错的运动方向始终垂直于位错线而平行于柏氏矢量。而平行于柏氏矢量。而平行于柏氏矢量。而平行于柏氏矢量。刃型位错的滑移面刃型位错的滑移面刃型位错的滑移面刃型位错的滑移面是由位错线与柏是由位错线与柏是由位错线与柏是由位错线与柏氏矢量所构成的平面,且氏矢量所构成的平面,且氏矢量所构成的平面,且氏矢量所构成的平面,且是惟一的是惟一的是惟一的是惟一的。在相同外加切应力的作用下,在相同外加切应力的作用下,在相同外加切应力的作用下,在相同外加切应力的作用下,正、负刃型位错的运正、负刃型位错
5、的运正、负刃型位错的运正、负刃型位错的运动方向相反动方向相反动方向相反动方向相反,但,但,但,但产生的变形却完全相同产生的变形却完全相同产生的变形却完全相同产生的变形却完全相同。图图3.3 螺型位错滑移的示意图螺型位错滑移的示意图(a)原始位置;()原始位置;(b)位错向左移动了一个原子间距;()位错向左移动了一个原子间距;(c)滑移过程)滑移过程3.1.2 3.1.2 螺型位错及混合型位错的滑移运动螺型位错及混合型位错的滑移运动螺型位错及混合型位错的滑移运动螺型位错及混合型位错的滑移运动 图图3.3(a)表示螺型位错运动时,位错线周围原子的移动)表示螺型位错运动时,位错线周围原子的移动情况,
6、当位错线沿滑移面滑过整个晶体时,同样会在晶体表面情况,当位错线沿滑移面滑过整个晶体时,同样会在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个柏氏矢量的台阶,见图沿柏氏矢量方向产生宽度为一个柏氏矢量的台阶,见图3.3(b)所示。)所示。在滑移时,螺型位错的移动方向与位错线垂直,在滑移时,螺型位错的移动方向与位错线垂直,在滑移时,螺型位错的移动方向与位错线垂直,在滑移时,螺型位错的移动方向与位错线垂直,也与柏氏矢量垂直也与柏氏矢量垂直也与柏氏矢量垂直也与柏氏矢量垂直,其滑移过程见图其滑移过程见图3.3(c)所示。)所示。混合型位错的移动运动如图混合型位错的移动运动如图混合型位错的移动运动如图混合型位错的移动
7、运动如图3.43.4所示。根据确定位错线运动方向所示。根据确定位错线运动方向所示。根据确定位错线运动方向所示。根据确定位错线运动方向的右手法则,即以的右手法则,即以的右手法则,即以的右手法则,即以拇指拇指拇指拇指代表沿着柏氏矢量代表沿着柏氏矢量代表沿着柏氏矢量代表沿着柏氏矢量b b移动的那部分晶体移动的那部分晶体移动的那部分晶体移动的那部分晶体,食指食指食指食指代表代表代表代表位错线方向位错线方向位错线方向位错线方向,则,则,则,则中指中指中指中指就表示就表示就表示就表示位错线移动方向位错线移动方向位错线移动方向位错线移动方向,该混合位错在外,该混合位错在外,该混合位错在外,该混合位错在外加切
8、应力加切应力加切应力加切应力 作用下,将作用下,将作用下,将作用下,将沿其各点的法线方向在滑移面上向外扩展沿其各点的法线方向在滑移面上向外扩展沿其各点的法线方向在滑移面上向外扩展沿其各点的法线方向在滑移面上向外扩展,最,最,最,最终使上下两块晶体沿柏氏矢量方向终使上下两块晶体沿柏氏矢量方向终使上下两块晶体沿柏氏矢量方向终使上下两块晶体沿柏氏矢量方向移动一个移动一个移动一个移动一个b b大小的距离大小的距离大小的距离大小的距离。图图图图3.4 3.4 混合型位错的滑移过程混合型位错的滑移过程混合型位错的滑移过程混合型位错的滑移过程 通过上述分析可知,不同类型位错的滑移方向与外加切应力和柏通过上述
9、分析可知,不同类型位错的滑移方向与外加切应力和柏通过上述分析可知,不同类型位错的滑移方向与外加切应力和柏通过上述分析可知,不同类型位错的滑移方向与外加切应力和柏氏矢量的方向不同,如图氏矢量的方向不同,如图氏矢量的方向不同,如图氏矢量的方向不同,如图3.53.5所示。所示。所示。所示。刃型位错的滑移方向与外加切应力刃型位错的滑移方向与外加切应力刃型位错的滑移方向与外加切应力刃型位错的滑移方向与外加切应力 及柏氏矢量一致及柏氏矢量一致及柏氏矢量一致及柏氏矢量一致,正、负刃型位错方向相反;,正、负刃型位错方向相反;,正、负刃型位错方向相反;,正、负刃型位错方向相反;螺型位错的滑移方向与螺型位错的滑移
10、方向与螺型位错的滑移方向与螺型位错的滑移方向与外加切应力外加切应力外加切应力外加切应力 及柏氏矢量垂直及柏氏矢量垂直及柏氏矢量垂直及柏氏矢量垂直,左、右螺型位错方向相反;,左、右螺型位错方向相反;,左、右螺型位错方向相反;,左、右螺型位错方向相反;混合型位错混合型位错混合型位错混合型位错的滑移方向与外加切应力的滑移方向与外加切应力的滑移方向与外加切应力的滑移方向与外加切应力 及柏氏矢量成一定角度及柏氏矢量成一定角度及柏氏矢量成一定角度及柏氏矢量成一定角度,晶体的滑移方向与晶体的滑移方向与晶体的滑移方向与晶体的滑移方向与外加切应力外加切应力外加切应力外加切应力 及柏氏矢量相一致及柏氏矢量相一致及
11、柏氏矢量相一致及柏氏矢量相一致。图图3.5 位错的滑移方向与外加切应力位错的滑移方向与外加切应力及柏氏矢量的关系及柏氏矢量的关系(a)刃型位错;()刃型位错;(b)螺型位错;()螺型位错;(c)混合型位错)混合型位错 刃型位错在垂直于滑移面方向的运动刃型位错在垂直于滑移面方向的运动刃型位错在垂直于滑移面方向的运动刃型位错在垂直于滑移面方向的运动称为称为称为称为攀移攀移攀移攀移。通常把多余。通常把多余。通常把多余。通常把多余半原子面半原子面半原子面半原子面向上运动向上运动向上运动向上运动称为称为称为称为正攀移正攀移正攀移正攀移,向下运动向下运动向下运动向下运动称为称为称为称为负攀移负攀移负攀移负
12、攀移,如图,如图,如图,如图3.63.6所所所所示。刃型位错的攀移相当于多余半原子面的伸长或缩短,可示。刃型位错的攀移相当于多余半原子面的伸长或缩短,可示。刃型位错的攀移相当于多余半原子面的伸长或缩短,可示。刃型位错的攀移相当于多余半原子面的伸长或缩短,可通过通过通过通过物质迁移即原子或空位的扩散来实现物质迁移即原子或空位的扩散来实现物质迁移即原子或空位的扩散来实现物质迁移即原子或空位的扩散来实现。螺型位错螺型位错螺型位错螺型位错没有多余的半原没有多余的半原没有多余的半原没有多余的半原子面,因此子面,因此子面,因此子面,因此不会发生攀移不会发生攀移不会发生攀移不会发生攀移运动。运动。运动。运动
13、。3.1.3 刃型位错的攀移刃型位错的攀移(Climb)运动运动图图3.6 刃型位错的攀移运动示意图刃型位错的攀移运动示意图(a)未攀移的位错;()未攀移的位错;(b)空位引起的正攀移;()空位引起的正攀移;(c)间隙原子引起的负攀移)间隙原子引起的负攀移 位错攀移需要热激活,较滑移所需的能量更大,所以位错攀移需要热激活,较滑移所需的能量更大,所以位错攀移需要热激活,较滑移所需的能量更大,所以位错攀移需要热激活,较滑移所需的能量更大,所以对大多数材料,在室温下很难进行位错的攀移,而在较高对大多数材料,在室温下很难进行位错的攀移,而在较高对大多数材料,在室温下很难进行位错的攀移,而在较高对大多数
14、材料,在室温下很难进行位错的攀移,而在较高温度下,攀移较易实现。温度下,攀移较易实现。温度下,攀移较易实现。温度下,攀移较易实现。如图如图如图如图3.73.7所示,设刃型位错向上攀移所示,设刃型位错向上攀移所示,设刃型位错向上攀移所示,设刃型位错向上攀移dldl距离,位错线方向垂直板面向外。距离,位错线方向垂直板面向外。距离,位错线方向垂直板面向外。距离,位错线方向垂直板面向外。攀移时产生的体积变化为:攀移时产生的体积变化为:攀移时产生的体积变化为:攀移时产生的体积变化为:图图3.7 刃型位错的攀移刃型位错的攀移 A 位错攀移的阻力位错攀移的阻力(Resistance Force)其值为其值为
15、正表示材料增加正表示材料增加,为,为负表负表示材料减少示材料减少。对于。对于单位长度位错单位长度位错线的体积变化线的体积变化为:为:令一个原子或一个空位的体积为令一个原子或一个空位的体积为 ,则产生体积变,则产生体积变化化 需要的空位数需要的空位数需要的空位数需要的空位数为:为:假设形成一个空位所需能量为假设形成一个空位所需能量为u1,则刃型位错向上,则刃型位错向上攀移攀移dl距离,距离,形成形成形成形成dNdN个空位所需的能量个空位所需的能量个空位所需的能量个空位所需的能量为:为:故故位错攀移的阻力位错攀移的阻力位错攀移的阻力位错攀移的阻力为:为:因因u1很高,表明攀移是很困难的。很高,表明
16、攀移是很困难的。B B 位错攀移的驱动力位错攀移的驱动力位错攀移的驱动力位错攀移的驱动力(Driving Force)(Driving Force)攀移运动虽然困难,但还是能够进行的。攀移运动虽然困难,但还是能够进行的。攀移运动虽然困难,但还是能够进行的。攀移运动虽然困难,但还是能够进行的。那么那么那么那么驱动力是什么呢?驱动力是什么呢?驱动力是什么呢?驱动力是什么呢?这必须了解攀移运动的这必须了解攀移运动的这必须了解攀移运动的这必须了解攀移运动的特点。特点。特点。特点。攀移运动要通过原子的迁移,要引起体攀移运动要通过原子的迁移,要引起体攀移运动要通过原子的迁移,要引起体攀移运动要通过原子的迁
17、移,要引起体积变化,而体积变化可由外加正应力和空位或积变化,而体积变化可由外加正应力和空位或积变化,而体积变化可由外加正应力和空位或积变化,而体积变化可由外加正应力和空位或间隙原子的聚集产生间隙原子的聚集产生间隙原子的聚集产生间隙原子的聚集产生。因此攀移的驱动力可分。因此攀移的驱动力可分。因此攀移的驱动力可分。因此攀移的驱动力可分为为弹性攀移力和渗透力弹性攀移力和渗透力弹性攀移力和渗透力弹性攀移力和渗透力。(1)弹性攀移力)弹性攀移力(Climbing Force)如图如图3.8所示,由(所示,由(2-38)式得:)式得:式中式中 Fy沿沿y方向垂直滑移面的作用力;方向垂直滑移面的作用力;b
18、位错强度;位错强度;xx与与b平行的正应力分量;平行的正应力分量;负号表示如果负号表示如果负号表示如果负号表示如果 xxxx为拉应力,则体积增加,向下攀移,为拉应力,则体积增加,向下攀移,为拉应力,则体积增加,向下攀移,为拉应力,则体积增加,向下攀移,F Fy y指向下;如果指向下;如果指向下;如果指向下;如果 xxxx为压应力,则向上攀移,为压应力,则向上攀移,为压应力,则向上攀移,为压应力,则向上攀移,F Fy y指向上指向上指向上指向上。图图3.8 位错所受的弹性攀移力位错所受的弹性攀移力 晶体中的过饱和空位或间隙原子,它们将向位错线附晶体中的过饱和空位或间隙原子,它们将向位错线附晶体中
19、的过饱和空位或间隙原子,它们将向位错线附晶体中的过饱和空位或间隙原子,它们将向位错线附近渗透,而聚集在位错线上,使位错线向上或向下攀移近渗透,而聚集在位错线上,使位错线向上或向下攀移近渗透,而聚集在位错线上,使位错线向上或向下攀移近渗透,而聚集在位错线上,使位错线向上或向下攀移,这种力称为这种力称为渗透力渗透力渗透力渗透力,它与空位或间隙原子的过饱和度,它与空位或间隙原子的过饱和度(Degree Of Supersaturation)有关。有关。假设在某一温度下,晶体中空位的平衡浓度为假设在某一温度下,晶体中空位的平衡浓度为C0,而实,而实际浓度为际浓度为C(晶体中空位数(晶体中空位数n与原子
20、总数与原子总数N的比值),且的比值),且C大大于于C0,这就相当于空位形成能在位错附近由,这就相当于空位形成能在位错附近由u1降为降为u1,也,也就是攀移的阻力由就是攀移的阻力由 降为降为 ,这个,这个降低的阻力就是驱动力降低的阻力就是驱动力降低的阻力就是驱动力降低的阻力就是驱动力,并并称为渗透力称为渗透力称为渗透力称为渗透力,用,用Fs表示。表示。(2)渗透力)渗透力(Penetrability)已知:已知:(n为肖特基缺陷浓度),则平衡浓度为肖特基缺陷浓度),则平衡浓度同理可得:同理可得:两式取对数相减:两式取对数相减:所以所以 (3-1)从上述分析可知,从上述分析可知,x x方向的正应力
21、和渗透力方向的正应力和渗透力方向的正应力和渗透力方向的正应力和渗透力为位错攀移的驱动力为位错攀移的驱动力为位错攀移的驱动力为位错攀移的驱动力;而且;而且温度越高,空位过饱温度越高,空位过饱温度越高,空位过饱温度越高,空位过饱和度越大,渗透力和度越大,渗透力和度越大,渗透力和度越大,渗透力F Fs s越大越大越大越大,这表明温度越高并存,这表明温度越高并存在过饱和空位时,刃型位错易于产生攀移运动。在过饱和空位时,刃型位错易于产生攀移运动。3.1.4 3.1.4 螺型位错的交滑移螺型位错的交滑移螺型位错的交滑移螺型位错的交滑移(Cross Slip)(Cross Slip)对于螺型位错,由于所有包
22、含位错线的晶面都可成对于螺型位错,由于所有包含位错线的晶面都可成为其滑移面,因此,为其滑移面,因此,当某一螺型位错在原滑移面上运动当某一螺型位错在原滑移面上运动当某一螺型位错在原滑移面上运动当某一螺型位错在原滑移面上运动受阻时,有可能从原滑移面转移到与之相交的另一滑移受阻时,有可能从原滑移面转移到与之相交的另一滑移受阻时,有可能从原滑移面转移到与之相交的另一滑移受阻时,有可能从原滑移面转移到与之相交的另一滑移面上去继续滑移面上去继续滑移面上去继续滑移面上去继续滑移,这一过程称为,这一过程称为交滑移交滑移交滑移交滑移。如果交滑移后如果交滑移后如果交滑移后如果交滑移后的位错再转回和原滑移面平行的滑
23、移面上继续运动的位错再转回和原滑移面平行的滑移面上继续运动的位错再转回和原滑移面平行的滑移面上继续运动的位错再转回和原滑移面平行的滑移面上继续运动,则,则称为称为双交滑移双交滑移双交滑移双交滑移,如图,如图3.9所示。所示。图图3.9 螺型位错的交滑移螺型位错的交滑移 面心立方晶体面心立方晶体面心立方晶体面心立方晶体中的交滑移是由不同的中的交滑移是由不同的中的交滑移是由不同的中的交滑移是由不同的111111面沿同一面沿同一面沿同一面沿同一方向滑方向滑方向滑方向滑移,如图移,如图移,如图移,如图3.103.10所示,所示,所示,所示,是是是是 和和和和 两个密排面的共同方向。两个密排面的共同方向
24、。两个密排面的共同方向。两个密排面的共同方向。A A、B B、C C位置为位置为位置为位置为交滑移交滑移交滑移交滑移,D D位置位错又回到位置位错又回到位置位错又回到位置位错又回到(111)(111)面上滑移,即为面上滑移,即为面上滑移,即为面上滑移,即为双交滑双交滑双交滑双交滑移移移移。图图3.10 面心立方晶体中的双交滑移示意图面心立方晶体中的双交滑移示意图 体心立方晶体体心立方晶体体心立方晶体体心立方晶体中的螺型位错也有中的螺型位错也有中的螺型位错也有中的螺型位错也有交滑移交滑移交滑移交滑移,它是它是它是它是110110、112112和和和和123123面同时沿面同时沿面同时沿面同时沿方
25、向滑移方向滑移方向滑移方向滑移,如纯铁的,如纯铁的,如纯铁的,如纯铁的 、和和和和 面可同面可同面可同面可同时沿时沿时沿时沿111111方向滑移,见图方向滑移,见图方向滑移,见图方向滑移,见图3.113.11所示,所示,所示,所示,。;。因此晶体中的滑移线常呈波浪形。因此晶体中的滑移线常呈波浪形。因此晶体中的滑移线常呈波浪形。因此晶体中的滑移线常呈波浪形。图图3.11 体心立方晶体中的交滑移体心立方晶体中的交滑移3.2 运动位错的交割运动位错的交割(Dislocation Intersection)当一位错在某一滑移面上运动时,会与穿过滑移面当一位错在某一滑移面上运动时,会与穿过滑移面的其他位
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- 运动 交割
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