EDA技术与VHDL第2章PLD硬件特性与编程技术.ppt
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1、EDA技术与技术与VHDL 第第2 2章章PLDPLD硬件特性与编程技术硬件特性与编程技术 2021/9/1712.1 PLD 2.1 PLD 概述概述 图图2-1 基本基本PLD器件的原理结构图器件的原理结构图 2021/9/172p可编程逻辑器件可编程逻辑器件PLD:p PLD是做为一种通用集成电路生产的,他的逻辑功是做为一种通用集成电路生产的,他的逻辑功能按照用户对器件编程来搞定。一般的能按照用户对器件编程来搞定。一般的PLD的集成度很高,的集成度很高,足以满足设计一般的数字系统的需要。这样就可以由设计足以满足设计一般的数字系统的需要。这样就可以由设计人员自行编程而把一个数字系统人员自行
2、编程而把一个数字系统“集成集成”在一片在一片PLD上,上,而不必去请芯片制造厂商设计和制作专用的集成电路芯片而不必去请芯片制造厂商设计和制作专用的集成电路芯片了了。p分类分类p目前使用的目前使用的PLD产品主要有:产品主要有:1、现场可编程逻辑阵、现场可编程逻辑阵列列FPLA(field programmable logic array);2、可编程阵列逻辑可编程阵列逻辑PAL(programmable array logic);3、通用阵列逻辑、通用阵列逻辑GAL(generic array logic);4、可擦除可编程逻辑器件、可擦除可编程逻辑器件EPLD(erasable progra
3、mmable logic device);5、现场可编程门阵、现场可编程门阵列列FPGA(field programmable gate array)。其。其中中EPLD和和FPGA的集成度比较高。有时又把这两种器件的集成度比较高。有时又把这两种器件称为高密度称为高密度PLD。2021/9/173p发展历程发展历程p早期的可编程逻辑器件只有可编程只读存贮器早期的可编程逻辑器件只有可编程只读存贮器(PROM)、紫外线可擦除只读存贮器紫外线可擦除只读存贮器(EPROM)和电可擦除只读存贮器和电可擦除只读存贮器(EEPROM)三种。由于结构的限制,它们只能完成简单的三种。由于结构的限制,它们只能完成
4、简单的数字数字逻辑逻辑功能。功能。p其后,出现了一类结构上稍复杂的可编程芯片,即可编其后,出现了一类结构上稍复杂的可编程芯片,即可编程逻辑器件,能够完成各种数字逻辑功能。典型的程逻辑器件,能够完成各种数字逻辑功能。典型的PLD由由一个一个“与与”门和一个门和一个“或或”门阵列组成,而任意一个组合逻门阵列组成,而任意一个组合逻辑都可以用辑都可以用“与一或与一或”表达式来描述,所以,表达式来描述,所以,PLD能以乘能以乘积和的形式完成大量的组合逻辑功能。这一阶段的产品主要积和的形式完成大量的组合逻辑功能。这一阶段的产品主要有有PAL和和GAL。PAL由一个可编程的由一个可编程的“与与”平面和一个固
5、平面和一个固定的定的“或或”平面构成,或门的输出可以通过触发器有选择地平面构成,或门的输出可以通过触发器有选择地被置为寄存状态。被置为寄存状态。PAL器件是现场可编程的,它的实现工艺器件是现场可编程的,它的实现工艺有反熔丝技术、有反熔丝技术、EPROM技术和技术和EEPROM技术。还有一类技术。还有一类结构更为灵活的逻辑器件是可编程逻辑阵列结构更为灵活的逻辑器件是可编程逻辑阵列(PLA),它也由,它也由一个一个“与与”平面和一个平面和一个“或或”平面构成,但是这两个平面的平面构成,但是这两个平面的连接关系是可编程的。连接关系是可编程的。PLA器件既有现场可编程的,也有掩器件既有现场可编程的,也
6、有掩膜可编程的。在膜可编程的。在PAL的基础上,又发展了一种通用阵列逻辑的基础上,又发展了一种通用阵列逻辑GAL,2021/9/174p GAL16V8,GAL22V10 等。它采用了等。它采用了EEPROM工工艺,实现了电可擦除、电可改写,其输出结构是可编程的艺,实现了电可擦除、电可改写,其输出结构是可编程的逻辑逻辑宏单元宏单元,因而它的设计具有很强的灵活性,至今仍有,因而它的设计具有很强的灵活性,至今仍有许多人使用。这些早期的许多人使用。这些早期的PLD器件的一个共同特点是可以器件的一个共同特点是可以实现速度特性较好的逻辑功能,但其过于简单的结构也使实现速度特性较好的逻辑功能,但其过于简单
7、的结构也使它们只能实现规模较小的电路。为了弥补这一缺陷,它们只能实现规模较小的电路。为了弥补这一缺陷,20世世纪纪80年代中期年代中期Altera和和Xilinx分别推出了类似于分别推出了类似于PAL结结构的扩展型构的扩展型 CPLD和与标准门阵列类似的和与标准门阵列类似的FPGA,它们都,它们都具有体系结构和逻辑单元灵活、集成度高以及适用范围宽具有体系结构和逻辑单元灵活、集成度高以及适用范围宽等特点。这两种器件兼容了等特点。这两种器件兼容了PLD和通用门阵列的优点,可和通用门阵列的优点,可实现较大规模的电路,编程也很灵活。与门阵列等其它实现较大规模的电路,编程也很灵活。与门阵列等其它ASIC
8、相比,它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、相比,它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点,因此被广泛应用于产品的原型设计和产在线检验等优点,因此被广泛应用于产品的原型设计和产品生产品生产(一般在一般在10,000件以下件以下)之中。几乎所有应用门阵列、之中。几乎所有应用门阵列、PLD和中小规模通用数字集成电路的场合均可应用和中小规模通用数字集成电路的场合均可应用FPGA和和CPLD器件。器件。2021/9/1752.1.1 PLD2.1.1 PLD发展历程发展历程 熔丝编程
9、的熔丝编程的PROM和和PLA器件器件 AMD公公司推出司推出PAL器件器件 GAL器件器件 FPGA器器件件 EPLD器器件件 CPLD器器件件 内嵌复杂内嵌复杂功能模块功能模块的的SoPC 20世纪世纪70年代年代 20世纪世纪70年代末年代末 20世纪世纪80年代初年代初 20世纪世纪80年代中期年代中期 20世纪世纪80年代末年代末 进入进入20世纪世纪90年代后年代后 2.1 PLD 概述概述 2021/9/1762.1.2 PLD2.1.2 PLD的分类的分类 图图2-2 按集成度按集成度(PLD)分类分类 2.1 PLD 概述概述 2021/9/1772.1.2 PLD2.1.2
10、 PLD分类分类 1熔丝熔丝(Fuse)型器件。型器件。2反熔丝反熔丝(Anti-fuse)型器件型器件。3EPROM型。称为紫外线擦除电可编程逻辑器件型。称为紫外线擦除电可编程逻辑器件。4EEPROM型型。5SRAM型型。6Flash型型。2.1 PLD 概述概述 从编程工艺上划分从编程工艺上划分:2021/9/1782.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2.2.1 2.2.1 电路符号表示电路符号表示 图图2-3 常用逻辑门符号与现有国标符号的对照常用逻辑门符号与现有国标符号的对照 2021/9/1792.2.1 2.2.1 电路符号表示电路符号表示 图图2-4 P
11、LD的互补缓冲器的互补缓冲器 图图2-5 PLD的互补输入的互补输入 图图2-6 PLD中与阵列表示中与阵列表示 图图2-7 PLD中或阵列表示中或阵列表示 图图2-8 阵列线连接表示阵列线连接表示 2021/9/17102.2.2 PROM 2.2.2 PROM 图图2-9 PROM基本结构基本结构 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/17112.2.2 PROM 2.2.2 PROM PROM中的地址译码器是完成中的地址译码器是完成PROM存储阵列的行的选择,存储阵列的行的选择,其逻辑函数是:其逻辑函数是:2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编
12、程原理可编程原理 2021/9/17122.2.2 PROM 2.2.2 PROM 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理.2021/9/17132.2.2 PROM 2.2.2 PROM 图图2-10 PROM的逻辑阵列结构的逻辑阵列结构 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/17142.2.2 PROM 2.2.2 PROM 图图2-11 PROM表达的表达的PLD阵列图阵列图 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/17152.2.2 PROM 2.2.2 PROM 图图2-12 用用PROM
13、完成半加器逻辑阵列完成半加器逻辑阵列 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/17162.2.3 PLA 2.2.3 PLA 图图2-13 PLA逻辑阵列示意图逻辑阵列示意图 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/17172.2.3 PLA 2.2.3 PLA 图图2-14 PLA与与 PROM的比较的比较 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 PROM 2021/9/17182.2.4 PAL 2.2.4 PAL 图图2-15 PAL结构结构 图图2-16 PAL的常用表示的常用表示 2.2 2
14、.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 2021/9/1719图图2-17 一种一种PAL16V8的部分结构图的部分结构图 2021/9/17202.2.5 GAL 2.2.5 GAL 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 GAL GAL即通用阵列逻辑器件,首次在即通用阵列逻辑器件,首次在PLDPLD上采用了上采用了EEPROMEEPROM工艺,使得工艺,使得GALGAL具有电可擦除重复编程的特点,具有电可擦除重复编程的特点,彻底解决了熔丝型可编程器件的一次可编程问题。彻底解决了熔丝型可编程器件的一次可编程问题。GALGAL在在“与与-或或”阵列结构上沿用了
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