2021年全球和中国CVD设备发展现状分析.docx
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1、2021年全球和中国CVD设备发展现状分析一、CVD设备产业概述1、产业地位根据工作原理的不同,集成电路薄膜沉积可分为物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和其他。薄膜沉积工艺不断发展,根据不同的应用演化出了PECVD、溅射PVD、ALD、LPCVD等不同的设备用于晶圆制造的不同工艺。CAD设备产业属于薄膜沉积技术的关键组成2、发展历程及分类状况晶圆制造工艺不断走向精密化,芯片结构的复杂度也不断提高,需要在更微小的线宽上制造,制造商要求制备的薄膜品种随之增加,最终用户对薄膜性能的要求也日益提高。CVD发展历程而言,相比传统的APCVD、LPCVD设备,PECVD设备已成为芯片制造薄膜沉
2、积工艺中运用最广泛的设备种类,未来HDPCVD、FCVD应用有望增加。ALD设备亦有望在14nm及以下制程逻辑芯片、17nm及以下DRAM芯片中得到更广泛应用;CVD发展历程及分类对比二、CAD设备技术背景线宽向7纳米及以下制程发展,当前市场普遍使用的光刻机受波长的限制精度无法满足要求,需要采用多重曝光工艺,重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小的线宽,使得薄膜沉积次数显著增加。在90nm CMOS工艺,大约需要40道薄膜沉积工序。在3nm FinFET工艺产线,需要超过100道薄膜沉积工序,对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。薄膜沉积设备用量方面,以中芯国际为例,一条1万片产能的180n
3、m 8寸晶圆产线CVD设备用量平均约为9.9台,而一条1万片90nm 12寸晶圆产线CVD设备用量可达42台。中芯国际不同制程CVD设备需求量CVD按照沉积条件的条件又可以分为PECVD、LPCVD、APCVD、SACVD(次常压CVD)等,适用于不同工艺节点对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等的不同要求。PECVD由于等离子体作用,化学反应温度明显降低,薄膜纯度和致密度得到加强,在从亚微米到90nm往下的发展中扮演了重要角色,目前也是应用最广、占比最大的当前主流CVD技术对比三、CVD设备产业现状1、全球市场规模就全球CVD设备市场规模变动而言,2019年受下游需求下降整体半导体景气度下降影
4、响,CVD设备需求出现较大幅度下滑,2020年以来5G带动智能手机需求回暖,整体半导体设备产业需求回升,2020年CVD设备规模达85亿美元。随着汽车电子和物联网整体持续发展,半导体需求持续提升,预计2024年市场规模将达到105亿美元。2018-2024年中国CVD设备市场规模及预测2、中国市场规模就国内CVD市场现状而言,国内目前薄膜沉积设备整体市场规模表现为快速增长趋势, CVD设备作为主要组成技术受制于国际企业,2021年市场规模达33亿美元左右,随着国际局势持续趋紧,半导体设备整体国产化趋势加速,CVD有望受益规模引来较快增长。2018-2024年中国CVD市场规模及预测相关报告:华
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