b二极管特性及应用.ppt
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1、半导体二极管一半导体二极管的结构类型二半导体二极管的伏安特性曲线三 半导体二极管的参数四半导体二极管的温度特性五半导体二极管的型号六 稳稳压压二二极极管管特特殊殊二二极极管管简简介介七 一、一、半导体二极管的结构类型半导体二极管的结构类型 在在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按结构分管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面有点接触型、面接触型和平面型型三大类。它们的结构示意图如图三大类。它们的结构示意图如图01.11所示。所示。(1)点接触型二极管点接触型二极管PN结面积小,结电容小,结面积小,结电容小,用于检波和变频等高频电路。用于检波和
2、变频等高频电路。(a)(a)点接触型点接触型 图图 01.11 二极管的结构示意图二极管的结构示意图(3)平面型二极管平面型二极管 往往用于集成电路制造工往往用于集成电路制造工艺中。艺中。PN 结面积可大可小,结面积可大可小,用于高频整流和开关电路中。用于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管面接触型二极管 PN结面积大,用结面积大,用于工频大电流整流电路。于工频大电流整流电路。(b)面接触型二极管符号二极管符号 图图 01.11 二极管的结构示意图二极管的结构示意图(c)(c)平面型平面型二、二、半导体二极管的伏安特性曲线半导体二极管的伏安特性曲线 式中式中IS 为反向饱和电流,为反向饱
3、和电流,V 为二极管两端的电压降,为二极管两端的电压降,VT=kT/q 称称为温度的电压当量,为温度的电压当量,k为玻耳兹曼常数,为玻耳兹曼常数,q 为电子电荷量,为电子电荷量,T 为热力学为热力学温度。对于室温(相当温度。对于室温(相当T=300 K),则有),则有VT=26 mV。半半导导体体二二极极管管的的伏伏安安特特性性曲曲线线如如图图 01.12 01.12 所所示示。处处于于第第一一象象限限的的是是正正向向伏伏安安特特性性曲曲线线,处处于于第第三三象象限限的的是是反反向向伏伏安安特特性性曲曲线线。根根据据理理论论推推导导,二二极极管管的的伏伏安安特特性性曲曲线线可可用下式表示用下式
4、表示:(1.1)图图 01.12 二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线图示(1)正向特性正向特性 硅硅二极管的死区电压二极管的死区电压Vth=0.5 V左右,左右,锗锗二极管的死区电压二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。左右。当当0VVth时,正向电流为零,时,正向电流为零,Vth称为死区电压或称为死区电压或开启电压。开启电压。当当V0即处于正向特性区域。即处于正向特性区域。正向区又分为两段:正向区又分为两段:当当VVth时,开始出现正时,开始出现正向电流,并按指数规律增长。向电流,并按指数规律增长。(2)反向特性反向特性当当V0时,即处于反向特性区域。反向区也分两个区域:时,即处于反
5、向特性区域。反向区也分两个区域:当当VBRV0时,反向电流很小,且基本不随反向时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流反向饱和电流I IS S 。当当VVBR时,反时,反向电流急剧增加,向电流急剧增加,VBR称为称为反向击穿电压反向击穿电压。在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅硅二二极极管管的的反反向向击击穿穿特特性性比比较较硬硬、比比较较陡陡,反反向向饱饱和和电电流流也也很很小小;锗锗二二极极管管的的反反向向击击穿穿特特性性比比较较软软,过过渡渡比比较较圆滑,反向
6、饱和电流较大。圆滑,反向饱和电流较大。从从击击穿穿的的机机理理上上看看,硅硅二二极极管管若若|VBR|7V时时,主主要要 是是 雪雪 崩崩 击击 穿穿;若若|VBR|4V时时,则则主主要要是是齐齐纳纳击击穿穿。当当在在4V7V之之间间两两种种击击穿穿都都有有,有有可可能能获获得得零温度系数点。零温度系数点。三、半导体二极管的参数 半半导导体体二二极极管管的的参参数数包包括括最最大大整整流流电电流流IF、反反向向击击穿穿电电压压VBR、最最大大反反向向工工作作电电压压VRM、反反向向电电流流IR、最最高高工工作作频频率率fmax和和结结电电容容Cj等等。几几个个主主要的参数介绍如下:要的参数介绍
7、如下:(1)最大整流电流最大整流电流IF二极管长期连续工二极管长期连续工作时,允许通过二作时,允许通过二极管的最大整流极管的最大整流电流的平均值。电流的平均值。(2)反向击穿电压反向击穿电压VBR和最大反向工作电压和最大反向工作电压VRM 二极管反向电流二极管反向电流急剧增加时对应的反向急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压值称为反向击穿电压电压VBR。为安全计,在实际为安全计,在实际工作时,最大反向工作电压工作时,最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。的一半计算。(3)反向电流反向电流I IR R(4)正向压降正向压降VF(5)动态电阻动态电阻r
8、d 在在室室温温下下,在在规规定定的的反反向向电电压压下下,一一般般是是最最大大反反向向工工作作电电压压下下的的反反向向电电流流值值。硅硅二二极极管管的的反反向向电电流流一般在纳安一般在纳安(nA)级;锗二极管在微安级;锗二极管在微安(A)级。级。在在规规定定的的正正向向电电流流下下,二二极极管管的的正正向向电电压压降降。小小电电流流硅硅二二极极管管的的正正向向压压降降在在中中等等电电流流水水平平下下,约约0.60.8V;锗二极管约;锗二极管约0.20.3V。反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然,反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然,rd与工作电流的大小有关,即与工作电流的大小有关,即
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- 二极管 特性 应用
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