半导体材料的发展现状及趋势精.ppt

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1、半导体材料的发展现状及趋势第1页，本讲稿共93页l半导体材料是指电阻率在10-3108cm，介于金属和绝缘体之间的材料。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。第2页，本讲稿共93页l电子信息产业规模最大的是美国。近几年来，中国电子信息产品以举世瞩目的速度发展，2003年中国电子信息产业销售收入1.88万亿元，折合22002300亿美元，产业规模已超过日本位居世界第二（同期日本信息产业销售收入只有1900亿美元），成为中国第一大支柱产业。半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的

2、重要标志。第3页，本讲稿共93页l在半导体产业的发展中，l硅、锗称为第一代半导体材料；l将砷化镓、磷化锢、磷化镓、砷化锢、砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料；l将宽禁带(Eg2.3eV)的氮化镓、碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料。l上述材料是目前主要应用的半导体材料，三代半导体材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。第4页，本讲稿共93页l材料的物理性质是产品应用的基础，表1列出了主要半导体材料的物理性质及应用情况。表中禁带宽度决定发射光的波长，禁带宽度越大发射光波长越短(蓝光发射)；禁带宽度越小发射光波长越长。其它参数数值越高，半导体性能越好。电子迁移速率决定半导体低压条件下的高

3、频工作性能，饱和速率决定半导体高压条件下的高频工作性能。第5页，本讲稿共93页表表1 主要半导体材料的比较主要半导体材料的比较材料材料SiGaAsGaN物物理理性性质质禁带宽度（禁带宽度（ev）1.11.43.4饱和速率（饱和速率（10-7cm/s）1.02.12.7热导（热导（W/cK）1.30.62.0击穿电压（击穿电压（M/cm）0.30.45.0电子迁移速率电子迁移速率（cm2/Vs）13508500900应应用用情情况况光学应用光学应用无无红外红外蓝光蓝光/紫外紫外高频性能高频性能差差好好好好高温性能高温性能中中差差好好发展阶段发展阶段成熟成熟发展中发展中初期初期相对制造成本相对制造

4、成本低低高高高高第6页，本讲稿共93页l硅材料具有储量丰富、价格低廉、热性能与机械性能优良、易于生长大尺寸高纯度晶体等优点，处在成熟的发展阶段。目前，硅材料仍是电子信息产业最主要的基础材料，95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路(IC)是用硅材料制作的。在21世纪，它的主导和核心地位仍不会动摇。但是硅材料的物理性质限制了其在光电子和高频高功率器件上的应用。第7页，本讲稿共93页l砷化镓材料的电子迁移率是硅的6倍多，其器件具有硅器件所不具有的高频、高速和光电性能，并可在同一芯片同时处理光电信号，被公认是新一代的通信用材料。随着高速信息产业的蓬勃发展，砷化镓成为继硅之后发展最快、应用最广、产

5、量最大的半导体材料。同时，其在军事电子系统中的应用日益广泛，并占据不可取代的重要地位。第8页，本讲稿共93页l从表1看出，选择宽带隙半导体材料的主要理由是显而易见的。氮化镓的热导率明显高于常规半导体。这一属性在高功率放大器和激光器中是很起作用的。带隙大小本身是热生率的主要贡献者。在任意给定的温度下，宽带隙材料的热生率比常规半导体的小1014个数量级。这一特性在电荷耦合器件、新型非易失性高速存储器中起很大的作用，并能实质性地减小光探测器的暗电流。第9页，本讲稿共93页l宽带隙半导体材料的高介电强度最适合用于高功率放大器、开关和二极管。宽带隙材料的相对介电常数比常规材料的要小，由于对寄生参数影响小

6、，这对毫米波放大器而言是有利用价值的。电荷载流子输运特性是许多器件尤其是工作频率为微波、毫米波放大器的一个重要特性。第10页，本讲稿共93页l宽带隙半导体材料的电子迁移率一般没有多数通用半导体的高，其空穴迁移率一般较高，金刚石则很高。宽带隙材料的高电场电子速度(饱和速度)一般较常规半导体高得多，这就使得宽带隙材料成为毫米波放大器的首选者。第11页，本讲稿共93页l氮化镓材料的禁带宽度为硅材料的3倍多，其器件在大功率、高温、高频、高速和光电子应用方面具有远比硅器件和砷化镓器件更为优良的特性，可制成蓝绿光、紫外光的发光器件和探测器件。第12页，本讲稿共93页l近年来取得了很大进展，并开始进入市场。

7、与制造技术非常成熟和制造成本相对较低的硅半导体材料相比，第三代半导体材料目前面临的最主要挑战是发展适合氮化镓薄膜生长的低成本衬底材料和大尺寸的氮化镓体单晶生长工艺。第13页，本讲稿共93页l主要半导体材料的用途如表2所示。可以预见：以硅材料为主体、GaAs半导体材料及新一代宽禁带半导体材料共同发展将成为集成电路及半导体器件产业发展的主流。第14页，本讲稿共93页表表2 半导体材料的主要用途半导体材料的主要用途材料名称材料名称制作器件制作器件主要用途主要用途硅硅二极管、晶体管二极管、晶体管通讯、雷达、广播、电视、自动控制通讯、雷达、广播、电视、自动控制集成电路集成电路各种计算机、通讯、广播、自动

8、控制、电子钟表、仪表各种计算机、通讯、广播、自动控制、电子钟表、仪表整流器整流器整流整流晶闸管晶闸管整流、直流输配电、电气机车、设备自控、高频振荡器整流、直流输配电、电气机车、设备自控、高频振荡器射线探测器射线探测器原子能分析、光量子检测原子能分析、光量子检测太阳能电池太阳能电池太阳能发电太阳能发电砷化镓砷化镓各种微波管各种微波管雷达、微波通讯、电视、移动通讯雷达、微波通讯、电视、移动通讯激光管激光管光纤通讯光纤通讯红外发光管红外发光管小功率红外光源小功率红外光源霍尔元件霍尔元件磁场控制磁场控制激光调制器激光调制器激光通讯激光通讯高速集成电路高速集成电路高速计算机、移动通讯高速计算机、移动通讯

9、太阳能电池太阳能电池太阳能发电太阳能发电氮化镓氮化镓激光器件激光器件光学存储、激光打印机、医疗、军事应用光学存储、激光打印机、医疗、军事应用发光二极管发光二极管信号灯、视频显示、微型灯泡、移动电话信号灯、视频显示、微型灯泡、移动电话紫外探测器紫外探测器分析仪器、火焰检测、臭氧监测分析仪器、火焰检测、臭氧监测集成电路集成电路通讯基站（功放器件）、永远性内存、电子开关、导弹通讯基站（功放器件）、永远性内存、电子开关、导弹第15页，本讲稿共93页二、半导体材料发展现状二、半导体材料发展现状第16页，本讲稿共93页1、半导体硅材料、半导体硅材料l从目前电子工业的发展来看，尽管有各种新型的半导体材料不断

10、出现，半导体硅材料以丰富的资源、优质的特性、日臻完善的工艺以及广泛的用途等综合优势而成为了当代电子工业中应用最多的半导体材料。第17页，本讲稿共93页硅l硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98是硅。半导体器件的95%以上是用硅材料制作的，90%以上的大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)、甚大规模集成电路(ULSI)都是制作在高纯优质的硅抛光片和外延片上的。硅片被称作集成电路的核心材料，硅材料产业的发展和集成电路的发展紧密相关。第18页，本讲稿共93页硅l半导体硅材料自从60年代被广泛应用于各类电子元器件以来，其用量平均大约以每年1216%的速度增长。目前全世界每年消耗约18

11、00025000吨半导体级多晶硅，消耗60007000吨单晶硅，硅片销售金额约6080亿美元。可以说在未来3050年内，硅材料仍将是LSI工业最基础和最重要的功能材料。电子工业的发展历史表明，没有半导体硅材料的发展，就不可能有集成电路、电子工业和信息技术的发展。第19页，本讲稿共93页硅l半导体硅材料分为多晶硅、单晶硅、硅外延片以及非晶硅、浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅等。现行多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷热分解法。主要产品有棒状和粒状两种，主要是用作制备单晶硅以及太阳能电池等。生长单晶硅的工艺可分为区熔(FZ)和直拉(CZ)两种。其中，直拉硅单晶(CZ-Si)广泛应用于集成电路和中小功

12、率器件。区域熔单晶(FZ-Si)目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最广。第20页，本讲稿共93页硅l经过多年的发展和竞争，国际硅材料行业出现了垄断性企业，日本、德国和美国的六大硅片公司的销量占硅片总销量的90%以上，其中信越、瓦克、SUMCO和MEMC四家的销售额占世界硅片销售额的70%以上，决定着国际硅材料的价格和高端技术产品市场，其中以日本的硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业的半壁江山。第21页，本讲稿共93页硅l在集成电路用硅片中，8英寸的硅片占主流，约4050，6英寸的硅片占30。当硅片的直径从8英寸到12英寸时，每片硅片的

13、芯片数增加2.5倍，成本约降低30，因此，国际大公司都在发展12英寸硅片，2006年产量将达到13.4亿平方英寸，将占总产量的20%左右。现代微电子工业对硅片关键参数的要求如表3所示。第22页，本讲稿共93页表表3 现代微电子工业对硅片关键参数的要求现代微电子工业对硅片关键参数的要求首批产品预计生产年份首批产品预计生产年份2005200820112014工艺代（特征尺寸工艺代（特征尺寸/nm）100705030晶片尺寸晶片尺寸/mm300300300450去边去边/mm1111正表面颗粒和正表面颗粒和COP尺寸尺寸/mm50352525颗粒和颗粒和COP密度密度/mm-20.100.100.1

14、00.10表面临界金属元素密度表面临界金属元素密度/109at.mm-24.94.23.63.0局部平整度局部平整度/nm100706035中心氧含量中心氧含量/1017cm-39.0/15.59.0/15.59.0/15.59.0/15.5Fe浓度浓度/1010cm-31111复合寿命复合寿命/s325350350400第23页，本讲稿共93页（1）多晶硅）多晶硅l多晶硅是制备单晶硅和太阳能电池的原料。半导体级多晶硅的生产技术现多采用改良西门子法，这种方法的主要技术是：l（1）在大型反应炉内同时加热许多根金属丝，减小炉壁辐射所造成的热损失；l（2）炉的内壁加工成镜面，使辐射热反射，减少散热；

15、l（3）提高炉内压力，提高反应速度等措施；l（4）在大型不锈钢金属反应炉内使用100根以上的金属丝。第24页，本讲稿共93页l单位电耗由过去每公斤300度降低到80度。多晶硅产量由改良前每炉次100200公斤提高到56吨。其显著特点是：能耗低、产量高、质量稳定。表4给出了德国瓦克公司的多晶硅质量指标数据。第25页，本讲稿共93页表表4 多晶硅质量指标多晶硅质量指标项目项目免洗料免洗料酸腐蚀料酸腐蚀料纯度纯度及电及电阻率阻率施施 主主（P、As、Sb）max 150pptamax 150pptamin 500cmmin 500cm受受 主主（B、Al）max 50pptamax 50pptami

16、n 500cmmin 500cm碳碳max 100ppbamax 100ppba体金属总量（体金属总量（Fe、Cu、Ni、Cr、Zn）max 500pptwmax 500pptw表面表面金属金属Femax 5000pptwmax 500pptw/250pptaCumax 1000pptwmax 50pptw/25pptaNimax 1000pptwmax 100pptw/50pptaCrmax 1000pptwmax 100pptw/55ppta第26页，本讲稿共93页多晶硅l1998年，多晶硅生产厂商预计半导体行业将快速增长，因此大量扩张产能。然而，半导体行业并未出现预期高速增长，多晶硅需求

17、急剧下降，结果导致多晶硅产能严重过剩。2003年以前，多晶硅供大于求，2004年多晶硅供需达到平衡，2005年，多晶硅生产厂家有必要增加投资扩大产能增加太阳能多晶硅的产量。第27页，本讲稿共93页多晶硅l目前全世界每年消耗约22000吨半导体级多晶硅，世界多晶硅的年生产能力约为28000吨，生产高度集中于美、日、德3国，海姆洛克（美国）、瓦克ASIM（德国），德山曹达（日本）、MEMC（美国）占据了多晶硅市场的80以上。其中，美国哈姆洛克公司产能达6500t/a，德国瓦克化学公司和日本德山曹达公司产能超过4500t/a，美国MEMC公司产能超过2500t/a。第28页，本讲稿共93页多晶硅l中

18、国多晶硅严重短缺，远不能满足国内市场需求。多晶硅工业起步于50年代，60年代实现工业化生产。由于技术水平低、生产规模太小、环境污染严重、生产成本高，目前只剩下峨嵋半导体材料厂和洛阳单晶硅厂2个厂家生产多晶硅。中国多晶硅的产能为100吨/年，实际产量是7080吨，仅占世界产量的0.4%，与当今信息产业的高速发展和多晶硅的市场需求急剧增加极不协调。我国这种多晶硅供不应求的局面还将持续下去。据专家预测，2005年中国多晶硅年需求量约为756吨，2010年为1302吨，市场前景十分巨大。第29页，本讲稿共93页多晶硅l峨嵋半导体材料厂和洛阳单晶硅厂1999年多晶硅生产能力分别为60t/a和20t/a。

19、峨嵋半导体材料厂1998年建成的100t/a规模的多晶硅工业性生产示范线，提高了各项经济技术指标，同时该厂正在积极进行1000t/a多晶硅项目建设的前期工作。洛阳单晶硅厂将多晶硅产量扩建至300t/a。第30页，本讲稿共93页多晶硅l未来多晶硅的发展方向是进一步降低各种杂质含量，提高多晶硅纯度并保持其均匀性，稳定提高多晶硅整体质量和扩大供给量，以缓解供需矛盾。另外，在单晶大直径化的发展过程中，坩埚增大直径是有一定限度的。对此，未来粒状多晶硅将可能逐步扩大供需量。第31页，本讲稿共93页（2）单晶硅和外延片）单晶硅和外延片l生产单晶硅的工艺主要采用直拉法(CZ)、区熔法(FZ)、磁场直拉法(MC

20、Z)以及双坩埚拉晶法。CZ、FZ和MCZ单晶各自适用于不同的电阻率范围的器件，而MCZ可完全代替CZ，可部分代替FZ。MCZ将取代CZ成为高速ULI材料。一些硅材料技术先进的国家MCZ技术发展较快。对单晶的主要质量要求是降低各种有害杂质含量和微缺陷，根据需要控制氧含量并保持纵横向分布均匀、控制电阻率均匀性。第32页，本讲稿共93页l硅晶片属于资金密集型和技术密集型行业，在国际市场上产业相对成熟，市场进入平稳发展期，生产集中在少数几家大公司，小型公司已经很难插手其中。国际市场单晶硅产量排名前5位的公司分别是日本信越化学公司（Shin-Etsu）、德瓦克化学公司（Wacker）、日本住友金属公司（

21、Sumitomo）、美国MEMC公司和日本三菱材料公司。这5家公司2001年硅晶片的销售总额为51.47亿元，占全球销售额的79.1%，其中的3家日本公司占据了市场份额的50.7%，表明日本在全球硅晶片行业中占据了主导地位。第33页，本讲稿共93页l集成电路高集成度、微型化和低成本的要求对半导体单晶材料的电阻率均匀性、金属杂质含量、微缺陷、晶片平整度、表面洁净度等提出了更加苛刻的要求，晶片大尺寸和高质量成为必然趋势。目前全球主流硅晶片已由直径8英寸逐渐过渡到12英寸晶片，研制水平已达到16英寸。第34页，本讲稿共93页l中国半导体材料行业经过四十多年发展已取得相当大的进展，先后研制和生产了4英

22、寸、5英寸、6英寸、8英寸和12英寸硅片。随着半导体分立元件和硅光电池用低档和廉价硅材料需求的增加，中国单晶硅产量逐年增加。据统计，2001年我国半导体硅材料的销售额达9.06亿元，年均增长26.4%。单晶硅产量为584t，抛光片产量5183万平方英寸，主要规格为36英寸，6英寸正片已供应集成电路企业，8英寸主要用作陪片。第35页，本讲稿共93页l单晶硅出口比重大，出口额为4648万美元，占总销售额的42.6%，较2000年增长了5.3%。目前，国外8英寸IC生产线正向我国战略性移动，我国新建和在建的F8英寸IC生产线有近10条之多，对大直径高质量的硅晶片需求十分强劲，而国内供给明显不足，基本

23、依赖进口，中国硅晶片的技术差距和结构不合理可见一斑。在现有形势和优势面前发展我国的硅单晶和IC技术面临着巨大的机遇和挑战。第36页，本讲稿共93页l2004年国内从事硅单晶材料研究生产的企业约有35家，从业人员约3700人，主要研究和生产单位有l北京有研硅股、l杭州海纳半导体材料公司、l宁波立立电子公司、l洛阳单晶硅厂、l万向硅峰电子材料公司、l上海晶华电子材料公司、l峨眉半导体材料厂、l河北宁晋半导体材料公司等。第37页，本讲稿共93页l有研硅股在大直径硅单晶的研制方面一直居国内领先地位，先后研制出我国第一根6英寸、8英寸和12英寸硅单晶，单晶硅在国内市场占有率为40%。2004年国内硅单晶

24、产量达1000吨左右，销售额突破11亿元，平均年增长率为27.5%，2005年我国硅单晶产量可达1400吨左右。第38页，本讲稿共93页l随着集成电路特征线宽尺寸的不断减小，对硅片的要求越来越高，控制单晶的原生缺陷变得愈来愈困难，因此外延片越来越多地被采用。目前8英寸硅片有很大部分是以外延片形式提供的，而12英寸芯片生产线将全部采用外延。目前国外单晶硅和外延片的生产企业有信越（日本）、三菱住友SUMCO（日本），MEMC（美国），瓦克（德国）等。第39页，本讲稿共93页l目前从事外延片研究生产的主要单位有l信息产业部电子13所、l电子55所、l华晶外延厂等近10家，l但是由于技术、体制、资金等

25、种种原因，中国硅材料企业的技术水平要比发达国家落后约10年，硅外延状况也基本如此。目前中国硅外延片产品规格主要是4英寸、5英寸、6英寸硅外延片，还没有大批量生产，8英寸硅外延尚属空白。第40页，本讲稿共93页l在世界范围内8英寸和12英寸硅片仍然是少数几家硅片供应商的拳头产品，他们有自己的专有生产技术，为世界提供了大部分制造集成电路用的8英寸和12英寸硅抛光片和硅外延片，这种局面在今后相当一段时间内不会有根本的改变，这些大公司的12英寸外延片已量产化，目前国外8英寸外延片价格约45美元/片，而12英寸外延片价格就高的多，其经济效益还是很可观的。第41页，本讲稿共93页2、砷化镓单晶材料、砷化镓

26、单晶材料l（1）国外发展概况）国外发展概况l砷化镓是微电子和光电子的基础材料，为直接带隙，具有电子饱和漂移速度高、耐高温、抗辐照等特点，在超高速、超高频、低功耗、低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。第42页，本讲稿共93页l目前，世界砷化镓单晶的总年产量已超过200吨(日本1999年的砷化镓单晶的生产量为94吨)。用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生产法)。国外开发了兼具以上2种方法优点的VGF法(垂直梯度凝固法)、VB法(垂直布里支曼法)和VCZ法(蒸气压控制直拉法)，成功制备出46英寸大直径GaAs单晶。各种方法比较详见表

27、5。其中以低位错密度的HB方法生长的23英寸的导电砷化镓衬底材料为主。第43页，本讲稿共93页表表5 GaAs单晶生产方法比较单晶生产方法比较工艺特点工艺特点LECHBVGFVBVCZ工艺工艺水平水平低位错低位错差差好好很好很好很好很好好好位错均匀性位错均匀性差差中等中等好好好好好好长尺寸长尺寸好好差差好好好好很好很好大直径大直径好好差差好好好好很好很好监控监控好好好好差差差差差差位错密度（位错密度（cm-2）104105102102102102103生产生产水平水平直径（英寸）直径（英寸）3、4、62、326264、6位错密度（位错密度（cm-2）11041103510351035103迁移

28、率迁移率（cm2/(vs)）60007000生产规模生产规模规模生产规模生产规模生产规模生产批量生产批量生产批量生产批量生产试制试制第44页，本讲稿共93页l移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长的要求，使全球砷化镓晶片市场以30%的年增长率迅速形成数十亿美元的大市场，预计未来20年砷化镓市场都具有高增长性。日本是最大的生产国和输出国，占世界市场的7080%；美国在1999年成功地建成了3条6英寸砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先一步。第45页，本讲稿共93页l日本住友电工是世界最大的砷化镓生产和销售商，年产GaAs单晶30t。美国AXT公司是世界最大的VGFGaAs材料生产商。国际上砷化

29、镓市场需求以4英寸单晶材料为主，而6英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据35%以上的市场份额。研制和小批量生产水平达到8英寸。第46页，本讲稿共93页l近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径(68英寸)的Si-GaAs发展很快，4英寸70厘米长及6英寸35厘米长和8英寸的半绝缘砷化镓(Si-GaAs)也在日本研制成功。磷化铟具有比砷化镓更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径4英寸以上大直径的磷化铟单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。第47页，本讲稿共93页砷化镓单晶材料的发展趋势是：l增大晶体直径，目前4英寸的Si-GaAs已用于大生产，预计直径为6英寸的Si-GaAs

30、在21世纪初也将投入工业应用；l提高材料的电学和光学微区均匀性；l降低单晶的缺陷密度，特别是位错；l砷化镓和磷化铟单晶的VGF生长技术发展很快，很有可能成为主流技术。第48页，本讲稿共93页表表6 世界世界GaAs单晶主要生产厂家单晶主要生产厂家公司公司名称名称住友住友电工电工住友住友矿山矿山同和同和矿业矿业日立日立电线电线昭和昭和电工电工三菱三菱化学化学CSIAXTHPMCPFreibuigerHB LECVGF/VBDDD注：注：主要产品（大生产），主要产品（大生产），生产（大量，小规模），生产（大量，小规模），D开发中开发中第49页，本讲稿共93页（2）中国国内研究状况）中国国内研究状况

31、l中国从上世纪60年代初开始研制砷化镓，近年来，随着中科稼英半导体有限公司、北京圣科佳电子有限公司相继成立，中国的化合物半导体产业迈上新台阶，走向更快的发展道路。第50页，本讲稿共93页l中科镓英公司成功拉制出中国第一根6.4公斤5英寸LEC法大直径砷化镓单晶；信息产业部46所生长出中国第一根6英寸砷化镓单晶，单晶重12kg，并已连续生长出6根6英寸砷化镓单晶；西安理工大在高压单晶炉上称重单元技术研发方面取得了突破性的进展。第51页，本讲稿共93页l中国GaAs材料单晶以23英寸为主，4英寸处在产业化前期，研制水平达6英寸。目前4英寸以上晶片及集成电路GaAs晶片主要依赖进口。砷化镓生产主要原

32、材料为砷和镓。虽然中国是砷和镓的资源大国，但仅能生产品位较低的砷、镓材料(6N以下纯度)，主要用于生产光电子器件。集成电路用砷化镓材料的砷和镓原料要求达7N，基本靠进口解决。第52页，本讲稿共93页l中国国内GaAs材料主要生产单位为：l中科镓英、l有研硅股、l信息产业部电子46所、l电子55所等。l主要竞争对手来自国外。第53页，本讲稿共93页l中科镓英2001年起计划投入近2亿资金进行砷化镓材料的产业化，初期计划规模为46英寸砷化镓单晶晶片58万片，46英寸分子束外延砷化镓基材料23万片，目前该项目仍在建设期。目前国内砷化镓材料主要由有研硅股供应，2002年销售GaAs晶片8万片。中国在努

33、力缩小GaAs技术水平和生产规模的同时，应重视具有独立知识产权的技术和产品开发，发展砷化镓产业。第54页，本讲稿共93页3、宽禁带氮化镓材料、宽禁带氮化镓材料l以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限，用这些材料制成的器件大都只能在200以下的热环境下工作，且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。第55页，本讲稿共93页l以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、

34、良好的化学稳定性等独特的特性，它在光显示、光存储、光探测等光电子器件和高温、高频大功率电子等微电子器件领域有广阔的应用前景，成为半导体领域研究热点。第56页，本讲稿共93页（1）国外发展概况）国外发展概况l美国、日本、俄罗斯及西欧都极其重视宽禁带半导体的研究与开发。从目前国外对宽禁带半导体材料和器件的研究情况来看，主要研究目标是SiC和GaN技术，其中SiC技术最为成熟，研究进展也较快；GaN技术应用面较广泛，尤其在光电器件应用方面研究较为透彻。而金刚石技术研究报导较少，但从其材料优越性来看，颇具发展潜力。第57页，本讲稿共93页l国外对SiC的研究早在五十年代末和六十年代初就已开始了。l到了

35、八十年代中期，美国海军研究局和国家宇航局与北卡罗来纳州大学签订了开发SiC材料和器件的合同，并促成了在1987年建立专门研究SiC半导体的Cree公司。l九十年代初，美国国防部和能源部都把SiC集成电路列为重点项目，要求到2000年在武器系统中要广泛使用SIC器件和集成电路，从此开始了有关SiC材料和器件的系统研究，并取得了令人鼓舞的进展。l即目前为止，直径50mm具有良好性能的半绝缘和掺杂材料已经商品化。第58页，本讲稿共93页l美国政府与西屋公司合作，投资450万美元开了3英寸纯度均匀、低缺陷的SiC单晶和外延材料。另外，制造SiC器件的工艺如离子注入、氧化、欧姆接触和肖特基接触以及反应离

36、子刻蚀等工艺取得了重大进展，所以促成了SiC器件和集成电路的快速发展。第59页，本讲稿共93页l由于SiC器件的优势和实际需求，它已经显示出良好的应用前景。航空、航天、治炼以及深井勘探等许多领域中的电子系统需要工作在高温环境中，这要求器件和电路能够适应这种需要，而各类SiC器件都显示良好的温度性能。SiC具有较大的禁带宽度，使得基于这种材料制成的器件和电路可以满足在470K到970K条件下工作的需要，目前有些研究水平已经达到970K的工作温度，并正在研究更高的工作温度的器件和集成电路。目前SiC器件的研究概况见表7。第60页，本讲稿共93页表表7 SiC器件的研究概表器件的研究概表SiC De

37、vicesPower MOSFET4H-SiC MESFET6H-SiC MESFET4H-SiC JFET6H-SiC JFETShottky diodecomment600V，8A devices fabricatedfmax=42GHz fmax=25GHz,8.5db at 10GHzeff=340cm2V-1S-1 at 300KEnhance-ment modeOver 1 kV breakdown at 300KTm（K）673673673723873973注：注：Tm为为Maximum operating temperature第61页，本讲稿共93页l国外对SiC器件的研究证

38、明了SiC器件的抗辐射的能力。6H-SiC整流器的抗电磁脉冲(EMP)能力至少是硅器件的2倍。实验结果表明结型6H-SiC器件有较强的抗下辐射的能力。埋栅JFET在辐射条件下的测试结果，总剂量100兆拉德条件下，跨导和夹断电压基本不变。第62页，本讲稿共93页l对125伏和410伏6H-SiCpn结整流器进行中子辐照实验，中子流从1013nA/cm2，到1015nA/cm2，时，辐照前后1000mA电流的正向压降和雪崩击穿电压的测试结果说明：具有高掺杂的125伏整流器在正向电流400mA的降压几乎不变(30伏)，而雪崩击穿电压仅增加了8.8%，而低掺杂的410伏整流器正向压降和雪崩击穿电压分别

39、增加了8.6%和4%。第63页，本讲稿共93页lGaN在宽禁带半导体中也占有主导地位。GaN半导体材料的商业应用研究始于1970年，其在高频和高温条件下能够激发蓝光的特性一开始就吸引了半导体开发人员的极大兴趣。但GaN的生长技术和器件制造工艺直到近几年才取得了商业应用的实质进步和突破。由于GaN半导体器件在光电子器件和光子器件领域广阔的应用前景，其广泛应用预示着光电信息乃至光子信息时代的来临。第64页，本讲稿共93页l1993年日本的日亚化学公司研制出第一支蓝光发光管，1995年该公司首先将GaN蓝光LED商品化，到1997年某市场份额已达1.43亿美元。据StrategiesUnlimite

40、d的预测，GaN器件年增长率将高达44%，到2006年其市场份额将达30亿美元。目前，日亚化学公司生产蓝光LED，峰值波长450nm，输出光为3mw，发光亮度2cd(Ip=20mA)。GaN绿光LED，峰值波长525nm，输出光功率为2mw，发光亮度6cd(Ip=20mA)。第65页，本讲稿共93页l日亚化学公司利用其GaN蓝光LED和磷光技术，又开发出白光固体发光器件产品，不久将来可替代电灯，既提高灯的寿命，又大大地节省能源。因此，GaN越来越受到人们的欢迎。第66页，本讲稿共93页lGaN蓝光激光器也被日亚公司首先开发成功，目前寿命已超过10000hr。与此同时，GaN的电子器件发展也十分

41、迅速。目前GaNFET性能已达到ft=52GHz，fmax=82GHz。在18GHz频率下，CW输出功率密度大于3W/mm。这是至今报导K波段微波GaNFET的最高值。第67页，本讲稿共93页l在美国开展氮化镓高亮度LED和LD研究的公司和大学有几十家之多，耗资上亿美元。美国的APA光学公司1993年研制出世界上第一个氮化镓基HEMT器件。2000年9月美国kyma公司利用AlN作衬底，开发出2英寸和4英寸GaN新工艺；2001年1月美国Nitronex公司在4英寸硅衬底上制造GaN基晶体管获得成功；GaN基器件和产品开发方兴未艾。第68页，本讲稿共93页l目前进入蓝光激光器开发的公司包括飞利

42、浦、索尼、日立、施乐和惠普等。包括飞利浦、通用等光照及汽车行业的跨国公司正积极开发白光照明和汽车用GaN基LED(发光二极管)产品。涉足GaN基电子器件开发最为活跃的企业包括Cree、RfmicroDevice以及Nitronex等公司。第69页，本讲稿共93页l目前，国外正朝着更大功率、更高工作温度、更高频率和实用化方向发展。日本、美国等国家纷纷进行应用于照明GaN基白光LED的产业开发，计划于2015年-2020年取代白炽灯和日光灯，引起新的照明革命。第70页，本讲稿共93页l据美国市场调研公司StrstegiesUnlimited分析数据，2001年世界GaN器件市场接近7亿美元，还处于

43、发展初期。2009年世界GaN器件市场达到48亿美元的销售额.第71页，本讲稿共93页l美国Cree公司由于其研究领先，主宰着整个碳化硅的市场，几乎85%以上的碳化硅衬底由Cree公司提供，90%以上的生产在美国，亚洲只占4%，欧洲占2%。碳化硅衬底材料的市场正在快速上升阶段，估计到2007年，碳化硅衬底材料的生产将达到60万片，其中90-95%被用于氮化镓基光电子器件作外延衬底。第72页，本讲稿共93页l目前在6H-SiC衬底上氮化镓微电子材料室温迁移率达到2000cm2/VS，电子浓度达到1013cm-2。生长在碳化硅衬底上的氮化镓基HEMT的功率密度达到了10.3W/mm(栅长0.6mm

44、，栅宽300mm)，生长在碳化硅衬底上的AlGaN/GaNHEMT器件（栅长为0.12mm）的特征频率ft=101GHz、最高振荡频率fmax=155GHz。第73页，本讲稿共93页l与蓝宝石衬底材料相比，碳化硅衬底材料具有高的热导率，晶格常数和热膨胀系数与氮化镓材料更为接近，仅为3.5（蓝宝石与氮化镓材料的晶格失配度为17%），是一种更理想的衬底材料。目前在碳化硅衬底上氮化镓微电子材料及器件的研究是国际上的热点，也是军用氮化镓基HEMT结构材料和器件的首选衬底，但碳化硅衬底上材料十分昂贵。第74页，本讲稿共93页（2）中国国内研究状况）中国国内研究状况l中国国内开展SiC、GaN材料和器件方

45、面的研究工作比较晚，和国外相比水平还比较低。国内已经有一些单位在开展SiC材料的研究工作。到目前为止，2英寸、3英寸的碳化硅衬底及外延材料已经商品化。目前研究的重点主要是4英寸碳化硅衬底的制备技术以及大面积、低位错密度的碳化硅外延技术。第75页，本讲稿共93页l目前国内进行碳化硅单晶的研制单位有l中科院物理所、l中科院上海硅酸盐研究所、l山东大学、l信息产业部46所等，l进行碳化硅外延生长的单位有l中科院半导体所、l中国科技大学l西安电子科大。第76页，本讲稿共93页l西安电子科技大学微电子研究所已经外延生长了6H-SiC，目前正在进一步测试证明材料的晶格结构情况。另外，还对材料的性质和载流子

46、输运进行了理论和实验研究，器件的研究工作也取得了可喜的进展。第77页，本讲稿共93页l采用国外进口的材料成功地制造出肖特基二极管和我国第一只6HSiCMOSFET，肖特基二极管的理想因子为123，开启电压为0.5伏。MOSFET的跨导为0.36ms/mm，沟道电子迁移率为14cm2Ns。采用AL/NiCr制作的欧姆接触的比接触电阻为8.510-5/cm2，达到了可以应用于实验器件的水平。第78页，本讲稿共93页l国内GaN研究亦已开始，主要在基础研究方面，进展较快。在氮化镓基材料方面，中科院半导体所在国内最早开展了氮化镓基微电子材料的研究工作，取得了一些具有国内领先水平、国际先进水平的研究成果

47、，可小批量提供AlGaN/GaNHEM结构材料，一些单位采用该种材料研制出了AlGaN/GaNHEM相关器件。第79页，本讲稿共93页l如：l中科院微电子所研制出具有国内领先水平的AlGaN/GaNHEM器件；l信息产业部13所研制出了AlGaN/GaNHEMT器件，还研制出GaN蓝光LED样管，但发光亮度低。也研制出了GaNFET样管(直流跨导10ms/mm)，性能较差。第80页，本讲稿共93页l由于碳化硅衬底上材料十分昂贵，目前国内氮化镓基高温半导体材料和器件的研究主要在蓝宝石衬底上进行，由于蓝宝石与氮化镓材料的晶格失配大、热导率低，因此，材料和器件性能均受到很大限制。第81页，本讲稿共9

48、3页三、半导体材料发展趋势三、半导体材料发展趋势l电子信息材料的总体发展趋势是向着大尺寸、高均匀性、高完整性、以及薄膜化、多功能化和集成化方向发展。当前的研究热点和技术前沿包括柔性晶体管、光子晶体、SiC、GaN、ZnSe等宽禁带半导体材料为代表的第三代半导体材料、有机显示材料以及各种纳米电子材料等。第82页，本讲稿共93页l随着电子学向光电子学、光子学迈进，微电子材料在未来510年仍是最基本的信息材料。电子、光电子功能单晶将向着大尺寸、高均匀性、晶格高完整性以及元器件向薄膜化、多功能化、片式化、超高集成度和低能耗方向发展。半导体微电子材料由单片集成向系统集成发展。第83页，本讲稿共93页l微

49、电子技术发展的主要途径是通过不断缩小器件的特征尺寸，增加芯片面积以提高集成度和信息处理速度，由单片集成向系统集成发展。第84页，本讲稿共93页l1、Si、GaAs、InP等半导体单晶材料向着大尺寸、高均质、晶格高完整性方向发展。椎8英吋硅芯片是目前国际的主流产品，椎12英吋芯片已开始上市，GaAs芯片椎4英吋已进入大批量生产阶段，并且正在向椎6英吋生产线过渡；对单晶电阻率的均匀性、杂质含量、微缺陷、位错密度、芯片平整度、表面洁净度等都提出了更加苛刻的要求。第85页，本讲稿共93页l2、在以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料继续发展的同时，加速发展第三代半导体材料宽禁带半导体材料Si

50、C、GaN、ZnSe、金刚石材料和用SiGe/Si、SOI等新型硅基材料大幅度提高原有硅集成电路的性能是未来半导体材料的重要发展方向。第86页，本讲稿共93页l3、继经典半导体的同质结、异质结之后，基于量子阱、量子线、量子点的器件设计、制造和集成技术在未来515年间，将在信息材料和元器件制造中占据主导地位，分子束外延MBE和金属有机化合物化学汽相外延MOCVD技术将得到进一步发展和更加广泛的应用。第87页，本讲稿共93页l4、高纯化学试剂和特种电子气体的纯度要求将分别达到lppb(十亿分之一)0.1ppb和6N级以上，0.5m以上的杂质颗粒必须控制在5个/毫升以下，金属杂质含量控制在ppt(p