绍兴碳化硅晶片项目投资分析报告模板.docx
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1、MACRO 泓域咨询 /绍兴碳化硅晶片项目投资分析报告绍兴碳化硅晶片项目投资分析报告xx投资管理公司报告说明国内市场方面,SiC产业链发展也正在趋于成熟。下游的外延企业有东莞天域半导体科技有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所等;器件企业有中车株洲电力机车有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、泰科天润半导体科技(北京)有限公司、南京银茂微电子制造有限公司、江苏能华微电子科技发展有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所等;模
2、块集成企业有中车株洲电力机车有限公司、中兴通讯股份有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司等。另外国家电网公司、原中国南车股份有限公司以及华为技术有限公司近期也已投入巨资从事研发、生产碳化硅器件,积极开拓SiC基器件在电网、机车以及通讯等领域的应用。可以预计在未来几年,国内碳化硅晶片的需求将大幅增加。根据谨慎财务估算,项目总投资16523.98万元,其中:建设投资12504.43万元,占项目总投资的75.67%;建设期利息270.53万元,占项目总投资的1.64%;流动资金3749.02万元,占项目总投资的22.69%。项目正常运营每年营业收入34100.00万元,综合总成本费用25747.50万
3、元,净利润6122.24万元,财务内部收益率28.53%,财务净现值10401.37万元,全部投资回收期5.31年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。此项目建设条件良好,可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施,项目投资省、见效快;此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则,技术先进,成熟可靠,投产后可保证达到预定的设计目标。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 行业发展分析10一、 影响行业发展的主要因素10二、 行业进入壁垒13第二章
4、 项目投资背景分析14一、 行业规模及现状14二、 行业竞争情况15三、 行业发展现状17第三章 项目基本情况19一、 项目概述19二、 项目提出的理由21三、 项目总投资及资金构成24四、 资金筹措方案25五、 项目预期经济效益规划目标25六、 原辅材料及设备26七、 项目建设进度规划26八、 环境影响26九、 报告编制依据和原则26十、 研究范围27十一、 研究结论28十二、 主要经济指标一览表28主要经济指标一览表28第四章 项目建设单位说明31一、 公司基本信息31二、 公司简介31三、 公司竞争优势32四、 公司主要财务数据34公司合并资产负债表主要数据34公司合并利润表主要数据34
5、五、 核心人员介绍35六、 经营宗旨36七、 公司发展规划37第五章 建筑物技术方案43一、 项目工程设计总体要求43二、 建设方案43三、 建筑工程建设指标45建筑工程投资一览表45第六章 产品规划方案47一、 建设规模及主要建设内容47二、 产品规划方案及生产纲领47产品规划方案一览表47第七章 运营管理49一、 公司经营宗旨49二、 公司的目标、主要职责49三、 各部门职责及权限50四、 财务会计制度53第八章 SWOT分析说明61一、 优势分析(S)61二、 劣势分析(W)63三、 机会分析(O)63四、 威胁分析(T)64第九章 法人治理结构72一、 股东权利及义务72二、 董事74
6、三、 高级管理人员78四、 监事80第十章 项目节能分析83一、 项目节能概述83二、 能源消费种类和数量分析84能耗分析一览表84三、 项目节能措施85四、 节能综合评价86第十一章 劳动安全生产87一、 编制依据87二、 防范措施89三、 预期效果评价93第十二章 项目环境影响分析95一、 编制依据95二、 环境影响合理性分析95三、 建设期大气环境影响分析96四、 建设期水环境影响分析97五、 建设期固体废弃物环境影响分析98六、 建设期声环境影响分析99七、 营运期环境影响99八、 环境管理分析100九、 结论及建议101第十三章 原辅材料及成品分析104一、 项目建设期原辅材料供应情
7、况104二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理104第十四章 项目实施进度计划106一、 项目进度安排106项目实施进度计划一览表106二、 项目实施保障措施107第十五章 投资估算108一、 投资估算的依据和说明108二、 建设投资估算109建设投资估算表113三、 建设期利息113建设期利息估算表113固定资产投资估算表114四、 流动资金115流动资金估算表116五、 项目总投资117总投资及构成一览表117六、 资金筹措与投资计划118项目投资计划与资金筹措一览表118第十六章 经济效益及财务分析120一、 基本假设及基础参数选取120二、 经济评价财务测算120营业收入、税金及附加和
8、增值税估算表120综合总成本费用估算表122利润及利润分配表124三、 项目盈利能力分析124项目投资现金流量表126四、 财务生存能力分析127五、 偿债能力分析127借款还本付息计划表129六、 经济评价结论129第十七章 风险评估分析130一、 项目风险分析130二、 项目风险对策132第十八章 项目招标方案134一、 项目招标依据134二、 项目招标范围134三、 招标要求134四、 招标组织方式135五、 招标信息发布135第十九章 总结136第二十章 附表139建设投资估算表139建设期利息估算表139固定资产投资估算表140流动资金估算表141总投资及构成一览表142项目投资计划
9、与资金筹措一览表143营业收入、税金及附加和增值税估算表144综合总成本费用估算表144固定资产折旧费估算表145无形资产和其他资产摊销估算表146利润及利润分配表146项目投资现金流量表147第一章 行业发展分析一、 影响行业发展的主要因素1、有利因素针对碳化硅行业的终端应用,国际及国内市场投资及开发正在逐渐加大,碳化硅单晶材料行业的市场在快速增长,因此碳化硅单晶材料的市场将会在近5年有爆发式的增长。2012年5月30日,国务院通过了“十二五”国家战略性新兴产业发展规划,提出了节能环保、新一代信息技术、生物、高端装备制造、新能源、新材料、新能源汽车等七大战略性新兴产业的重点发展方向和主要任务
10、,指出新一代信息技术的突破方向是“超高速光纤与无线通信、先进半导体和新型显示等新一代信息技术”。由此先进半导体历史性纳入国家重点发展战略,成为战略新兴产业的重点发展方向。2012年7月,科技部出台半导体照明科技发展“十二五”专项规划中将“半导体照明用碳化硅衬底制备技术研究”明确列为“前沿技术研究”,并计划推出半导体照明应用产品中央财政补贴政策以及推进“十城万盏”试点示范工程应用。2012年7月,科技部出台智能电网重大科技产业化工程“十二五”专项规划中,将突破大规模间歇式新能源电源并网与储能、智能配用电、大电网智能调度与控制、智能装备等智能电网核心关键技术列为总目标。要实现该总目标,关键之一就是
11、电网设备制造产业升级,如新型电力电子器件等。SiC基电力电子器件具有低能耗、高转换效率特征,将成为新型电力电子器件优先发展方向。2012年7月,国务院出台节能与新能源汽车发展规划(2011年至2020年)指出:“到2020年,纯电动汽车和插电式混合动力汽车生产能力达200万辆、累计产销量超过500万辆”。规划要求加强新能源汽车关键零部件研发,重点支持驱动电机以及电动空调、电动转向、电动制动器等电动化附件的研发。由于SiC基功率器件(如整流器、转换器、逆变器等)在节能方面有着其他衬底材料不可比拟的优势,因此可以预见未来几年SiC基器件产业在国内也将迅速发展。2013年,科技部正式启动“极大规模集
12、成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项,将“SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化”作为专项的主要任务之一。科技部在“国家高技术研究发展计划(863计划)、国家科技支撑计划制造领域2014年度备选项目征集指南”中也提出要加强高端装备和关键技术的研制,完成面向高压电力电子器件的大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究,以及针对电网、机车、风电等领域的需求,开展高压SiC电力电子器件制造所需的4-6寸SiC单晶生长炉、外延炉等关键装备研制,并开展1200、1700、3300和8000V的相关器件制造工艺技术验证,2015年达到中试水平。2016年3月,第十二届全国人民代表大会表决通过
13、了关于国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要,提出国家将大力支持新一代信息技术、新能源汽车、生物技术、绿色低碳、高端装备与材料、数字创意等领域的产业发展壮大,并大力推进先进半导体、机器人、增材制造、智能系统、新一代航空装备、空间技术综合服务系统、智能交通、精准医疗、高效储能与分布式能源系统、智能材料、高效节能环保、虚拟现实与互动影视等新兴前沿领域创新和产业化,形成一批新增长点。2、不利因素目前全球具备量产碳化硅晶体能力的只有Cree、Rohm、新日铁等少数几家公司,同时由于Cree在SiC领域注册了大量的专利,因此上述少数几家公司占据了SiC单晶市场较大份额,这在一定程度上会抑制国内相关行业的
14、发展速度。另外,GaN与SiC材料都属于第三代半导体材料,两者在性能上各有千秋,处于竞争态势。目前,碳化硅单晶材料发展比GaN材料成熟,已正式实现产业化,GaN单晶材料处于研究开发阶段,未来GaN单晶材料行业的发展也会在一定程度上制约碳化硅单晶材料行业的发展。二、 行业进入壁垒碳化硅晶体材料属于第三代半导体材料,属于资金密集型投资行业,具有一定的投资壁垒;同时行业属于新兴行业,技术积累较少,技术门槛很高,具有较高的技术壁垒。第二章 项目投资背景分析一、 行业规模及现状SiC晶片作为第三代半导体基础材料,在全球高端半导体市场上已经呈现出高速发展态势,2012年到2015年全球市场年均递增速率不低
15、于30%,2015年后全球市场将会出现爆发式增长。目前SiC单晶晶片工业化应用领域包括高亮度LED(以美国Cree、德国欧司朗等公司为代表),家用电器如空调、冰箱、微波炉等(以东芝、松下、日立等公司为代表),风力发电(以三菱、住友等公司为代表),混合动力汽车(以日产、丰田等公司为代表)。在美国,采用SiC晶片的射频微波器件已经在通讯基站、军用通讯市场大规模使用。清洁能源汽车是未来汽车的发展方向,其中相关的功率器件将绝大部分采用SiC功率器件,仅全球汽车业年需要SiC晶片将超过100万片。在智能电网方面,日本和美国已经制定SiC功率器件研发计划,预计在3-5年内可以投入实际应用,届时可以极大地降
16、低电力传输过程损耗,无疑将对全球节能减排计划起到关键性作用。在LED照明领域,高亮度LED照明市场将以30左右的年增长率快速递增。在军用应用领域,SiC微波通讯器件已经应用于美国军方的雷达、通讯领域;在俄罗斯,军事用途的研究正在大范围开展;我国也在积极进行SiC射频微波器件研发。由于军用领域应用研发周期相对较长,且对价格不敏感,因此在民用领域不断拓展的情况下,一旦军用领域大规模采购,高端SiC单晶晶片的需求将出现爆发式增长。国内市场方面,SiC产业链发展也正在趋于成熟。下游的外延企业有东莞天域半导体科技有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院微
17、电子研究所、中国科学院半导体研究所等;器件企业有中车株洲电力机车有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、泰科天润半导体科技(北京)有限公司、南京银茂微电子制造有限公司、江苏能华微电子科技发展有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所等;模块集成企业有中车株洲电力机车有限公司、中兴通讯股份有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司等。另外国家电网公司、原中国南车股份有限公司以及华为技术有限公司近期也已投入巨资从事研发、生产碳化硅器件,积极开拓SiC基器件在电网、机车以及通讯等领域的应用。可以预计在未来几年,国内碳化硅晶片
18、的需求将大幅增加。二、 行业竞争情况目前全球碳化硅行业企业主要有美国Cree公司、II-VI公司、Dow-Corning公司,德国SiCrystal公司(2009年被日本Rohm公司收购),日本NipponSteel(新日铁)公司。目前国际碳化硅市场仍被美国Cree公司垄断,但其市场份额正在逐年下降,从2008年的75%下降到2015年的50%左右;包括II-VI公司、SiCrystal公司、天科合达和Dow-Corning公司的市场份额则逐年递增。国际碳化硅行业企业除美国Cree、II-VI公司、SiCrystal公司外,其他几家企业基本处于同一水平线上。行业龙头Cree公司的产品线涵盖了从
19、SiC单晶晶片、外延以及器件制造整个产业链。Cree公司完整产业链布局的优势是在产品开发初期能够有效缩短产品研发周期,但如此布局也面临着在整条产业链与上、下游各公司激烈竞争的弊端。SiCrystal公司已经被日本Rohm公司收购,产品将主要应用于Rohm公司的器件生产。其余几家公司包括美国II-VI公司、DowCorning公司以及日本NipponSteel公司的主营业务都不是SiC单晶晶片的生产与制造。我国SiC材料研发工作始于上世纪90年代末期,国内开展SiC晶体生长的研究单位主要有中科院物理所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有山东天岳先进材料科
20、技有限公司、河北同光晶体有限公司等。三、 行业发展现状碳化硅(SiC)是继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)之后发展起来的第三代宽禁带半导体(即SiC、GaN、ZnO、AlN、金刚石等)的代表,也是目前发展最成熟的第三代宽禁带半导体。相比于第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs,第三代半导体SiC具有更高的热导率(热导率约是Si的3倍、GaAs的10倍),更高的击穿电场(击穿电场约是Si的10倍、GaAs的5倍)、更高的饱和电子漂移速率(饱和电子漂移速率约是Si和GaAs的2倍)、更宽的带隙(禁带宽度约是Si的3倍、GaAs的2倍)以及更好的热稳定性和化学
21、稳定性。由于SiC材料优异的物理电学性能,用SiC材料替代Si材料,将从根本上提升现有电力电子器件功率模块的工作效率、降低功率损耗、实现节能减排,减少散热装置、减小系统体积和重量,提高工作温度,实现集高功率、高温、高效率和高可靠性于一身的电力电子器件:(1)SiC的击穿电场强度比Si大一个数量级,可减薄器件中耐压层的厚度,使得通态电阻小于Si器件,达到降低功率损耗,实现节能减排;与Si基器件相比,SiC基器件可降低能耗约70%;(2)SiC的热导率优于Si,可大幅度减少Si基器件的庞大散热系统;(3)SiC的禁带宽度约是Si的3倍,并且熔点高,可在600以下温度长时间工作,远高于Si材料的18
22、0工作温度。SiC材料被认为是制造高温、高频、大功率电子器件的理想半导体材料,在家用电器、风能光伏、汽车电子、智能电网、轨道交通、航天航空、石油勘探、微波通讯、军事等领域具有广阔应用前景。此外,SiC在制备高亮度发光二极管(LED)方面具有显著的优势。首先,SiC与氮化镓(GaN)的晶格失配率仅为3.5,并且两者的热膨胀系数非常接近;其次,SiC良好的导热性可有效解决大功率、高亮度LED的散热问题;再次,导电型SiC单晶衬底(电阻率小于0.03cm)可制作低功耗电极,大大降低LED的功率损耗。第三章 项目基本情况一、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:绍兴碳化硅晶片项目2、承办单位名称:
23、xx投资管理公司3、项目性质:扩建4、项目建设地点:xxx5、项目联系人:万xx(二)主办单位基本情况公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。展望未来,公司将围绕企业发
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